JPS6350941A - Rewritable optical recording device - Google Patents

Rewritable optical recording device

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Publication number
JPS6350941A
JPS6350941A JP19281186A JP19281186A JPS6350941A JP S6350941 A JPS6350941 A JP S6350941A JP 19281186 A JP19281186 A JP 19281186A JP 19281186 A JP19281186 A JP 19281186A JP S6350941 A JPS6350941 A JP S6350941A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
liquid crystal
crystal polymer
polymer layer
storage medium
information
Prior art date
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Pending
Application number
JP19281186A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Tatsuya Okada
達也 岡田
Akira Inoue
昭 井上
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
SMK Corp
Polyplastics Co Ltd
Original Assignee
SMK Corp
Polyplastics Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by SMK Corp, Polyplastics Co Ltd filed Critical SMK Corp
Priority to JP19281186A priority Critical patent/JPS6350941A/en
Publication of JPS6350941A publication Critical patent/JPS6350941A/en
Pending legal-status Critical Current

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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
(57) [Abstract] This bulletin contains application data before electronic filing, so abstract data is not recorded.

Description

【発明の詳細な説明】 (産業上の利用分野) 本発明は再書込み可能な光学式記憶装置に関するもので
ある。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION (Field of Industrial Application) The present invention relates to a rewritable optical storage device.

(従来の技術) 昨今、記憶媒体表面にレーザ光等の光束を照射して、そ
のレーザ光の反射状態によって記憶媒体に記録された情
報を読取る光学式記憶装置が種々提案され、光デイスク
類として既に実用化の段階となっているものもある。こ
の光ディスクはある程度ランダムなアクセスが可能で、
記憶容量が極めて大きいという特徴がある。
(Prior Art) Recently, various optical storage devices have been proposed that irradiate the surface of a storage medium with a beam of light such as a laser beam and read information recorded on the storage medium based on the state of reflection of the laser beam. Some are already at the stage of practical application. This optical disk can be accessed randomly to a certain extent,
It is characterized by extremely large storage capacity.

従来、この光ディスクとして実用化されているレーザビ
ジョン、コンパクトディスク等は、ピットとよばれる微
少な凹凸で情報を記録するものであって、プレス等の方
法で情報のtL Q IT 、  I′1. jlに対
応するピットを記憶媒体表面に形成し、ピットの凹部と
突部でのレーザ光の反射状態の差異で記憶情報を読取る
ものであった。
Laser vision discs, compact discs, etc., which have been put into practical use as optical discs, record information using minute irregularities called pits, and the information tL Q IT , I'1. A pit corresponding to jl is formed on the surface of the storage medium, and stored information is read based on the difference in the state of reflection of laser light between the concave portion and the protrusion of the pit.

(発明が解決しようとする問題点) しかしながら、この種の光学式記憶装置は記憶装置の形
式としては再生専用型に分類されるものであり、新たな
情報の追加記録、すでに記録されている情報を消去して
再書込みすることは不可能なものであった。また、レー
ザ出力を増強して記憶媒体の表面に穴をあけたり、反射
率を変化させたりしてピットを後からつくる追記型に分
類される光学式記憶装置も開発段階から実用化段階へ移
りつつあるが、この種の光学式記憶装置も記憶情報の書
込みが記憶媒体に穴をあけて行なうものであるため一度
あけた穴を消すことができず、新たな記憶細胞への情報
の書込みはできても、すでに記録されている情報を消去
してそこに新たな情報を再書込みすることは不可能であ
った。
(Problems to be Solved by the Invention) However, this type of optical storage device is classified as a playback-only type of storage device, and it is not possible to add new information or record information that has already been recorded. It was impossible to erase and rewrite. In addition, optical storage devices classified as write-once types, which create pits later by increasing laser output to punch holes in the surface of the storage medium or by changing the reflectance, have moved from the development stage to the practical stage. However, this type of optical storage device also writes stored information by punching a hole in the storage medium, so once the hole is punched, it is impossible to erase it, and writing information to new memory cells is difficult. Even if it were possible, it was impossible to erase already recorded information and rewrite new information there.

本発明は、これらの点に着目してなされたもので、記憶
情報の再書込みが可能な光学式記憶装置を実現せんとす
るものである。
The present invention has been made with attention to these points, and aims to realize an optical storage device in which stored information can be rewritten.

(問題点を解決するための手段) そのため、本発明では再書込み可能な光学式記憶装置を
、基盤およびこの基盤の表面を覆う液晶ポリマー層で形
成した記憶媒体と、光束を前記記憶媒体の液晶ポリマー
層に形成される所望の記憶細胞に照射するとともに、前
記記憶細胞で反射された光束を検出する駆動読取り手段
と、前記駆動読取り手段よりの光束が照射される位置の
電界あるいは磁界の状態を制御する書込み手段とで構成
したものであり、前記液晶ポリマー層は、所定の温度以
上に加熱されると液晶化し、液晶化された状態で電界あ
るいは磁界が印加されると、その液晶化部分の光学的性
質が決定されるもので、その状態で温度が下降するとそ
の時の光学的性質が定着されるものである。
(Means for Solving the Problems) Therefore, in the present invention, a rewritable optical storage device is provided with a storage medium formed of a substrate and a liquid crystal polymer layer covering the surface of the substrate, and a light beam that is A drive reading means for irradiating desired memory cells formed in the polymer layer and detecting the light beam reflected by the memory cells; The liquid crystal polymer layer becomes liquid crystal when heated above a predetermined temperature, and when an electric field or magnetic field is applied in the liquid crystal state, the liquid crystal portion of the liquid crystal polymer layer becomes liquid crystal. The optical properties are determined, and when the temperature drops in that state, the optical properties at that time are fixed.

(作用) このように構成された本発明の再書込み可能な光学式記
憶装置では、情報の消去、再書込みに際して、駆動読取
り手段より光束を記憶媒体の所望の記憶細胞に照射して
その部分の温度を所定の値より上昇させて液晶化すると
ともに、書込み手段より書込む情報に対応した電界ある
いは磁界を印加して、前記液晶化した部分の光学的性質
を書込み情報に対応したものに変化させ、この状態のま
まで駆動読取り手段よりの光束を停止してその部分の温
度を降下させ、その時の光学的性質を定着させることに
よって情報の消去、再書込を行ない、情報の読取りに際
しては、駆動読取り手段より光束を所望の記憶細胞に照
射し、その記憶細胞からの反射光を当該駆動読取り手段
によって検出し、その記憶細胞の光学的性質を識別する
ことによって記憶情報の読取りを行なうものである。
(Function) In the rewritable optical storage device of the present invention configured as described above, when erasing or rewriting information, the drive reading means irradiates a desired memory cell of the storage medium with a light beam to erase the part of the memory cell. The temperature is raised above a predetermined value to turn the part into liquid crystal, and the writing means applies an electric or magnetic field corresponding to the information to be written, thereby changing the optical properties of the liquid crystal part to one corresponding to the written information. In this state, the light flux from the drive reading means is stopped to lower the temperature of that part, and the optical properties at that time are fixed, thereby erasing and rewriting information, and when reading information, Memory information is read by irradiating a desired memory cell with a light beam from the drive reading means, detecting the reflected light from the memory cell by the drive reading means, and identifying the optical properties of the memory cell. be.

(実施例) 次に、本発明の実施の一例を図面を参照しながら説明す
る。第1図は本発明に係る再書込み可能な光学式記憶装
置の一実施例を示す概略構成図、第2図はその書込み動
作を説明するための記憶媒体の要部縦断面図である。図
面において、lは記憶媒体、3は駆動読取り手段、5は
書込み手段である。
(Example) Next, an example of implementation of the present invention will be described with reference to the drawings. FIG. 1 is a schematic configuration diagram showing an embodiment of a rewritable optical storage device according to the present invention, and FIG. 2 is a vertical sectional view of a main part of a storage medium for explaining the write operation thereof. In the drawings, 1 is a storage medium, 3 is a driving reading means, and 5 is a writing means.

記憶媒体1は円板状の基盤11と、この基盤11の表面
を覆う液晶ポリマー層13とからなっており、記憶細胞
15はこの液晶ポリマー層13に形成される。前記基盤
11は表面にアルミニウムの蒸着等によって形成された
反射層17を備えており、前記液晶ポリマー層13はこ
の反射層17の上を覆っている。この液晶ポリマー層1
3は、所定の温度、例えば200℃以上に加熱されると
溶融して液晶化し、液晶状態で電界あるいは磁界を印加
すると、光学的性質が変化して透明になったり不透明に
なったりするものであり、温度を前記所定の温度より降
下させると固化して前記光学的性質を定着する性質を有
している。このような液晶ポリマー層13としては、上
述のように融解時に異方性を示し液晶として用いられる
ものであれば何れでも使用可能であるが、例えば、特願
昭61−67867号、特開昭54−77691号、特
開昭57−472921号等に記載されているポリマー
が用いられる。このように構成された記憶媒体1は初期
の状態では、照射される光束を案内するトラックとこの
トラックの要所々々に記憶位置を示すピットのみが設け
られており、前記記憶細胞15はこのトラック上に配さ
れ、ここに情報が書込まれ、また、消去、再書込みされ
る。
The storage medium 1 consists of a disk-shaped base 11 and a liquid crystal polymer layer 13 covering the surface of the base 11, and memory cells 15 are formed in this liquid crystal polymer layer 13. The substrate 11 has a reflective layer 17 formed on its surface by vapor deposition of aluminum or the like, and the liquid crystal polymer layer 13 covers the reflective layer 17. This liquid crystal polymer layer 1
3. When heated to a predetermined temperature, for example 200°C or higher, it melts and becomes a liquid crystal, and when an electric or magnetic field is applied in the liquid crystal state, its optical properties change and it becomes transparent or opaque. It has a property of solidifying and fixing the optical properties when the temperature is lowered below the predetermined temperature. As such a liquid crystal polymer layer 13, any material can be used as long as it exhibits anisotropy when melted and is used as a liquid crystal as described above. Polymers described in JP-A-54-77691, JP-A-57-472921, etc. are used. In the initial state, the storage medium 1 configured as described above is provided with only a track that guides the irradiated light beam and pits that indicate storage positions at key points on this track, and the memory cells 15 are located on this track. Information is written there, erased, and rewritten.

駆動読取り手段3は所望の光束を発生する半導体レーザ
装置31、カップリングレンズ33、光路の切替を行な
う偏光ビームスプリッタ35、光束を記憶媒体1の所望
の記憶細胞15に導くトラッキングミラー37、タンジ
エンシャルミラー39、対物レンズ41、読取り光検出
のための固定ミラー43、フォトダイオード45等によ
って構成されている。また、書込み手段5は記憶情報を
電気信号で送出する書込み回路51と、この書込み回路
51よりの電気信号に応じた磁界を発生させるコイルよ
りなる書込みヘッド53とによって構成されている。こ
こで、記憶細胞15の光学的性質を電界によって制御す
る場合には、書込みヘッド53はにコイルに代えて電極
が用いられる。
The driving/reading means 3 includes a semiconductor laser device 31 that generates a desired luminous flux, a coupling lens 33, a polarizing beam splitter 35 that switches the optical path, a tracking mirror 37 that guides the luminous flux to a desired memory cell 15 of the storage medium 1, and a tangen. It is composed of a mirror 39, an objective lens 41, a fixed mirror 43 for detecting read light, a photodiode 45, and the like. Further, the writing means 5 is constituted by a writing circuit 51 that sends out stored information in the form of an electric signal, and a writing head 53 made of a coil that generates a magnetic field according to the electric signal from the writing circuit 51. Here, if the optical properties of the memory cell 15 are controlled by an electric field, an electrode is used in the write head 53 instead of a coil.

次にその動作を説明する。Next, its operation will be explained.

第2図(A)に15aで示される記憶細胞の記憶情報を
消去して新たな情報を再書込みするには、先ず、半導体
レーザデバイス31より、カップリングレンズ33.偏
光ビームスプリッタ35.トラッキングミラー37.タ
ンジエンシャルミラー39、対物レンズ41を介して第
2図(B)に矢印Pで示す光束を記憶媒体1の当該記憶
細胞15aに照射する。この光束Pのエネルギーによっ
て前記記憶細胞15aが加熱され、この部分の温度が前
記200℃を越えると、その部分のみで液晶ポリマー層
13が溶融して液晶化する。その時、書込み回路51よ
り書込み情報に対応した電流を書込みヘッド51に供給
し、第2図(B)に矢印Mで示す方向の磁界をこの記憶
細胞15aに印加する。従って、前記記憶細胞15aで
は液晶ポリマー層13の光学的性質が例えば不透明から
透明に変化する。ここで第2図(C)に示す如く光束P
による記憶細胞15aの加熱を停止すると、液晶ポリマ
ー層13の前記記憶細胞15a部分は冷えて固化し、第
2図(D)の如くそのときの光学的性質(透明状態)を
定着する。
In order to erase the memory information of the memory cell shown by 15a in FIG. 2(A) and rewrite new information, first, the coupling lens 33. Polarizing beam splitter 35. Tracking mirror 37. The memory cell 15a of the storage medium 1 is irradiated with a light beam indicated by an arrow P in FIG. 2(B) via the tangential mirror 39 and the objective lens 41. The memory cell 15a is heated by the energy of this luminous flux P, and when the temperature of this portion exceeds 200° C., the liquid crystal polymer layer 13 melts and becomes liquid crystal only in that portion. At this time, a current corresponding to the write information is supplied from the write circuit 51 to the write head 51, and a magnetic field in the direction indicated by the arrow M in FIG. 2(B) is applied to the memory cell 15a. Therefore, in the memory cell 15a, the optical properties of the liquid crystal polymer layer 13 change from opaque to transparent, for example. Here, as shown in Fig. 2(C), the luminous flux P
When the heating of the memory cells 15a is stopped, the memory cells 15a portion of the liquid crystal polymer layer 13 cools and solidifies, fixing the optical properties (transparent state) at that time as shown in FIG. 2(D).

このようにして書込まれた情報を消去して反対の情報の
再書込を行なうには、同様にして該当記憶細胞15a部
分の液晶ポリマー層13を溶融させて磁界を印加する。
In order to erase the information written in this manner and rewrite the opposite information, the liquid crystal polymer layer 13 in the corresponding memory cell 15a portion is similarly melted and a magnetic field is applied.

このとき印加する磁界の方向は第2図(E)に矢印mで
示すごとく前述の場合とは逆方向となる。こわによって
、液晶ポリマー層13が液晶化している前記記憶細胞1
.5 aでは光学的性質が透明から不透明に変化し、こ
の状態で冷却すると第2図(F)の如くそのときの光学
的性質(不透明状態)が定着される。このように本実施
例の再書込み可能な光学式記憶装置では記憶情報の11
0 u 、  111 ITを液晶ポリマー層13の透
明、不透明等の光学的性質に対応付けて記憶するもので
ある。
The direction of the magnetic field applied at this time is opposite to that in the above case, as shown by arrow m in FIG. 2(E). The memory cell 1 in which the liquid crystal polymer layer 13 has become liquid crystal due to stiffness.
.. 5a, the optical properties change from transparent to opaque, and when cooled in this state, the optical properties (opaque state) at that time are fixed as shown in FIG. 2(F). In this way, in the rewritable optical storage device of this embodiment, the stored information is
0 u , 111 IT is stored in association with optical properties such as transparency and opacity of the liquid crystal polymer layer 13 .

次に、このようにして書込まれた記憶情報を読取るには
、記憶媒体1を回転させながら、半導体レーザデバイス
31よりの光束を、カップリングレンズ33.偏光ビー
ムスプリッタ35.トラッキングミラー37.タンジエ
ンシャルミラー39゜対物レンズ41を介して該当する
記憶細胞15に照射する。ここで、このときの光束は前
記再書込み時の光束のように高エネルギーのものでなく
てよい。この光束は前記記憶細胞15の光学的性質によ
って反射光量が異なる。即ち、光束は、前記記憶細胞1
5が透明であれば液晶ポリマー層13を透過して反射層
17で反射されるため反射光量は大きなり、不透明であ
れば液晶ポリマー層13の表面で反射されるため反射光
量は小さくなる。
Next, in order to read the storage information written in this way, while rotating the storage medium 1, the light beam from the semiconductor laser device 31 is directed to the coupling lens 33. Polarizing beam splitter 35. Tracking mirror 37. The corresponding memory cells 15 are irradiated through a tangential mirror 39° objective lens 41. Here, the luminous flux at this time does not have to be of high energy like the luminous flux at the time of rewriting. The amount of reflected light of this light beam differs depending on the optical properties of the memory cell 15. That is, the light flux is
If 5 is transparent, the amount of reflected light will be large because it will be transmitted through the liquid crystal polymer layer 13 and reflected by the reflective layer 17, and if it is opaque, it will be reflected from the surface of the liquid crystal polymer layer 13 and the amount of reflected light will be small.

この反射光は、対物レンズ41.タンジエンシャルミラ
ー39.トラッキングミラー37を介して偏光ビームス
プリッタ35へ送られ、ここで分岐されて固定ミラー4
3よりフォトダイオード45に送られる。フォトダイオ
ード45では受光光量の大小を電気信号に変換すること
によって、液晶ポリマー層13の透明、不透明等の光学
的性質に対応付けて記憶された記憶情報を読取るもので
ある。
This reflected light is reflected by the objective lens 41. Tangential mirror 39. It is sent to the polarizing beam splitter 35 via the tracking mirror 37, where it is split and sent to the fixed mirror 4.
3 to the photodiode 45. The photodiode 45 converts the magnitude of the amount of received light into an electrical signal, thereby reading stored information stored in association with optical properties such as transparency or opacity of the liquid crystal polymer layer 13.

(発明の効果) 本発明は以上の様に構成され、液晶ポリマー層の所望の
記憶細胞部分に光束を照射し、その部分を所定の温度以
上に加熱して液晶化し、この状態で電界あるいは磁界を
印加するによりその部分の光学的性質変化させ、その部
分の温度を降下させてその時の光学的性質を定着するも
ので、液晶ポリマー層の光学的性質に記憶情報のII 
OIT 、  II I IIを対応付けて記憶するも
のであるため、記憶媒体に穴をあけて記憶情報の書込み
を行なうものと異なり、すでに記録されている情報を消
去してそこに新たな情報を再書込みすることが可能とな
り、記憶情報の再書込みが可能な光学式記憶装置を容易
に実現することができるという優れた効果が得られる。
(Effects of the Invention) The present invention is configured as described above, and a desired memory cell portion of a liquid crystal polymer layer is irradiated with a light beam, the portion is heated to a predetermined temperature or higher to become a liquid crystal, and in this state, an electric or magnetic field is applied. By applying a
Since OIT, II, and II are stored in association with each other, unlike those that write stored information by drilling holes in the storage medium, it is possible to erase the information that has already been recorded and rewrite new information there. This provides an excellent effect in that it is possible to easily realize an optical storage device in which data can be written, and stored information can be rewritten.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of the drawing]

第1図は本発明に係る再書込み可能な光学式記憶装置の
一実施例を示す概略構成図、第2図はその書込み動作を
説明するための記憶媒体の要部縦断面図である。 1・・・・・・記憶媒体、3・・・・・・駆動読取り手
段。 5・・・・・・書込み手段、13・・・・・・液晶ポリ
マー層、15.15a・・・・・・記憶細胞。 特許出願人 ポリプラスチックス株式会社15〇− 51/; (D) m′ (C) 一$ (E)       (F) ・ブ11\
FIG. 1 is a schematic configuration diagram showing an embodiment of a rewritable optical storage device according to the present invention, and FIG. 2 is a vertical sectional view of a main part of a storage medium for explaining the write operation thereof. 1...Storage medium, 3...Drive reading means. 5...Writing means, 13...Liquid crystal polymer layer, 15.15a...Memory cell. Patent applicant Polyplastics Co., Ltd. 150-51/; (D) m' (C) 1$ (E) (F) ・Bu11\

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] (1)所定の温度以上に加熱することによって液晶化し
、印加される電界あるいは磁界によってその部分の光学
的性質が決定されるとともに、温度を降下させることに
よってその時の光学的性質を定着する液晶ポリマー層を
備えた記憶媒体と、この記憶媒体の液晶ポリマー層に形
成される記憶細胞の所望のものに光束を照射し、前記記
憶細胞で反射された光束を検出する駆動読取り手段と、
前記駆動読取り手段よりの光束の照射による温度上昇で
液晶化した記憶細胞に記憶情報に対応した電界あるいは
磁界を印加する書込み手段とを備えてなる再書込み可能
な光学式記憶装置。
(1) A liquid crystal polymer that becomes liquid crystal when heated above a predetermined temperature, the optical properties of that part are determined by the applied electric or magnetic field, and the optical properties at that time are fixed by lowering the temperature. a storage medium having a liquid crystal polymer layer; a drive reading means for irradiating a light beam onto desired memory cells formed in a liquid crystal polymer layer of the storage medium and detecting a light beam reflected by the memory cells;
A rewritable optical storage device comprising: a writing means for applying an electric field or a magnetic field corresponding to stored information to memory cells that have become liquid crystal due to temperature rise caused by irradiation with a luminous flux from the drive reading means.
JP19281186A 1986-08-20 1986-08-20 Rewritable optical recording device Pending JPS6350941A (en)

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