JPS6343386A - Method of judging lifetime of laser - Google Patents

Method of judging lifetime of laser

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JPS6343386A
JPS6343386A JP61186488A JP18648886A JPS6343386A JP S6343386 A JPS6343386 A JP S6343386A JP 61186488 A JP61186488 A JP 61186488A JP 18648886 A JP18648886 A JP 18648886A JP S6343386 A JPS6343386 A JP S6343386A
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Abstract

PURPOSE:To judge the lifetime of a laser exactly by setting the superposition of high-frequency currents to DC bias currents of the laser to a stoppage state, detecting the luminous power of the laser and judging the lifetime of the laser. CONSTITUTION:When a discrimination instruction signal INST is inputted to a CPU 9, the CPU 9 outputs a signal maintaining the operation of the oscillation of an oscillation circuit 8 for high-frequency super-position under a stoppage state. The CPU 9 sets a set value for light emission at a low level to a decoder 28 for setting luminous power, a laser power value data is written to a memory 31 when the comparision output of a comparison circuit 27 reaches zero, and laser driving currents at that time are written to the memory 31 throught the CPU 9. An output from a photodiode 11 for monitor is transmitted as another input to the circuit 27. Consequently, laser driving currents are written to the memory 31 regarding a low-level data at a slightly large value and a data for a high-level light emission. When said writting is completed, the CPU 9 arithmetically operates the data on the basis of the value of the memory 31, thus judging the lifetime of a laser diode 5.

Description

【発明の詳細な説明】 [産業上の利用分野] 本発明は高周波重畳方式のレーザの寿命判定方法に関す
る。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Industrial Field of Application] The present invention relates to a method for determining the life of a high frequency superposition laser.

[従来の技術] 近年、情報の記録又は再生を磁気ヘッドで行う代りに、
光ビームを集光照Q、Jすることによって、高密度に記
録又は再生することのできる光学式情報記録再生装着が
実用化されている。
[Prior Art] In recent years, instead of recording or reproducing information using magnetic heads,
2. Description of the Related Art An optical information recording/reproducing device that can perform high-density recording or reproducing by condensing a light beam Q, J has been put into practical use.

上記記録又は再生に用いられる光ビームの発生源として
は、コヒーシン1〜性に優れたレー着アが用いられ、特
に小形化及び変調が容易な半導体レーデ(レー會アダイ
オード)が広く用いられる。
As the source of the light beam used for recording or reproducing, a laser diode having excellent cohesin properties is used, and in particular, a semiconductor laser diode (ray diode), which is easy to downsize and modulate, is widely used.

ところで、上記再生を行う場合には記録を行う場合J:
りらレーザビームの強度が小さいため、記録媒体からの
戻り光の強!良ら弱くなる。従−)で、読取り誤りを防
止覆るには信号対雑音比(S/N)を向上りることが望
ましい。
By the way, when performing the above-mentioned reproduction, when performing recording J:
Since the intensity of the laser beam is low, the return light from the recording medium is strong! Good becomes weak. In order to prevent reading errors, it is desirable to improve the signal-to-noise ratio (S/N).

上記S/Nを向上Jるために、例えば特公昭59−90
86号に開示されているようにレーリ“の駆動電流に1
GH2前後の高周波電流を重畳することにより、レーザ
の発振の縦モードをマルチモード化し、レー會アの雑音
を減らし、再生信号のS/Nを上げる方法が知られてい
る。
In order to improve the above S/N, for example,
As disclosed in No. 86, the drive current of Rayleigh is
A known method is to make the longitudinal mode of the laser oscillation into a multi-mode by superimposing a high frequency current around GH2, thereby reducing the noise of the laser beam and increasing the S/N of the reproduced signal.

ところで、上記光学式記録再生装置に1おいて、レー1
1がスを命でぞの4?i t!Iが劣化すると、情報記
録媒体への情報の円き込みとか読み出しの動作が不安定
または不可能になる。こrしを防雨りるため、装置にレ
ーザの寿命判定の白己診所別能を設()たものがある。
By the way, in the above-mentioned optical recording/reproducing device 1, the laser 1
1 will kill Su, 4? it! When I deteriorates, the operation of writing or reading information onto an information recording medium becomes unstable or impossible. In order to protect the device from rain, some devices are equipped with a separate function for determining the lifespan of the laser.

例えば、本出願人による1″irA昭60−56891
号で提案されている装置ではレープダイオードの母子効
率の直線性の程度によってレーザの寿命を判定している
For example, 1″irA Sho 60-56891 by the present applicant.
In the device proposed in the issue, the lifetime of the laser is determined by the degree of linearity of the mother-child efficiency of the Leb diode.

[発明が解決しようどする問題点] ところで、上記高周波電流を重畳した場合には、第10
図の実線で示Jようにパ高周波重畳なし″の直線状の特
性部分が同図の破線で示すカーブした゛′高周波重畳あ
り′の特性部分に変わってしまう。
[Problems to be solved by the invention] By the way, when the above-mentioned high frequency current is superimposed,
As shown by the solid line J in the figure, the linear characteristic section "without high frequency superimposition" changes to the curved characteristic section "with high frequency superposition" shown by the broken line in the same figure.

このため、正常なレーザであってら、高周波m畳方式で
レーザ発光動作を行うものにあっては良否判定が困難に
なり、間違った判定をする虞れがある。
For this reason, even if the laser is normal, it is difficult to judge whether the laser is good or bad if it emits laser light using the high-frequency m-contact method, and there is a risk of making an incorrect judgment.

本発明は上述した点にか/Vがみてなされたもの−C1
間違った判定すること’、h < 、確実に良否判定を
行うことのできるレーザの寿命判定方法を提供すること
を目的とする。
The present invention has been made in view of the above-mentioned points-C1
It is an object of the present invention to provide a method for determining the lifespan of a laser that can reliably determine pass/fail.

[問題点を解決する手段および作用] 本発明ではレーリ゛の吊子効率の直線性を測定しCノ1
命判定を行う場合には、レーザダイオードに供給される
高周波電流の重畳動作を停止し、直流バイアス状rこI
C゛行うことによって、寿命の判定を確実に行うように
している。
[Means and effects for solving the problem] In the present invention, the linearity of the suspension efficiency of the Rayleigh is measured and the C no.
When making a life judgment, the superimposition operation of the high-frequency current supplied to the laser diode is stopped, and the DC bias current is turned off.
By performing C, the lifespan can be determined reliably.

[実施例] 以下、図面を参照して本発明を具体的に説明する。[Example] Hereinafter, the present invention will be specifically explained with reference to the drawings.

第1図ないし第6図は本発明の第1実施例に係り、第1
図は第1実施例に係るスミ白判定装置を示づブロック図
、第2図はAの判定が行われる光デイスク装置を示J構
成図、第3図は第1実施例で判定を行う原理を説明覆る
説明図、第4図は劣化した場合にJ31ノるレーザダイ
オードの駆fh電流−発光パワーの特性図、第5図は高
周波電流を千尋した場合にお()る駆動電流と発光パワ
ーの関係を示す特性図、第6図は第1実施例の寿命判定
の処lIPプロレスを示す”流れ図である。
Figures 1 to 6 relate to the first embodiment of the present invention.
Figure 2 is a block diagram showing the brightness determination device according to the first embodiment, Figure 2 is a block diagram showing the optical disk device in which the determination A is made, and Figure 3 is the principle behind the determination in the first embodiment. Fig. 4 is a characteristic diagram of the driving fh current vs. emission power of the J31 laser diode when it deteriorates, and Fig. 5 shows the driving current and emission power when a high frequency current is applied. FIG. 6 is a flowchart showing the lifespan determination process of the first embodiment.

第1実施例の方法を備えた光デイスク装置1は第2図に
示すように記録媒体としての光ディスク2を(図示しな
い紙面垂直方向に配置した)スピンドル七−夕で回転駆
動し、このディスク2の一方の面に光学式ヘッド(ピッ
クアップ)3を対向配置し、ディスク2に光ビームを集
光して照q]で 、さるようにしである。この先゛ン弐
ヘッド3はキャリッジ4に取(−1けられ、ボイスコイ
ル七−夕、送りねじ機構等のヘッド送り機構によって、
ディスク2の半径方向に移動可能にしである。
As shown in FIG. 2, an optical disk device 1 equipped with the method of the first embodiment rotates an optical disk 2 as a recording medium with a spindle Tanabata (disposed in a direction perpendicular to the plane of the paper, not shown). An optical head (pickup) 3 is placed on one side of the disc 2 to face the disc 2, and a light beam is focused on the disc 2 to illuminate it. The second head 3 is mounted on the carriage 4 (-1) and is moved by a head feeding mechanism such as a voice coil Tanabata or a feed screw mechanism.
This allows the disk 2 to move in the radial direction.

上記光学式ヘッド3には発光源としてレー(アダイオー
ド5が収納されるとバに、ディスク2の戻り光を受光す
る例えば1分割光デイテクタ6が収納されている。
When a laser diode 5 is housed in the optical head 3 as a light emitting source, a one-segment light detector 6, for example, for receiving the return light from the disk 2 is housed.

上記レーザダイオード5は、レーザパワーコン1−ロー
ル用ΔPC回路7の出力電流で発光出力が適正な碩に自
動制御される。又、このダイオード5は高周波重畳用発
振回路(高周波発振回路とも記す)8からも高周波電流
が供給される。つまりレーEアグイA−ド5は、APC
回路7から直流的(但しライトモードではパルス的に発
光強度が変化されるが、高周波発振回路8の発振周波数
よりは部分低い)なバイアス駆leノ電流が供給される
と共に、このΔPC回路7と並列の高周波発振回路8か
らこの駆動電流に高周波電流が車普して供給される。
The light emitting output of the laser diode 5 is automatically controlled to an appropriate level by the output current of the laser power controller 1-roll ΔPC circuit 7. Further, this diode 5 is also supplied with a high frequency current from a high frequency superimposition oscillation circuit (also referred to as a high frequency oscillation circuit) 8. In other words, Ray E Agui A-do 5 is APC
A DC-like (however, in the light mode, the emission intensity is changed in a pulsed manner, but it is partially lower than the oscillation frequency of the high-frequency oscillation circuit 8) bias driving current is supplied from the circuit 7, and the ΔPC circuit 7 and A high frequency current is supplied in parallel to this drive current from a parallel high frequency oscillation circuit 8.

上記高周波発振回路8は、CPU9からの発振開始指令
信2)にJ、って、積分回路10を経て高周波発成回路
用電源電圧がゆっくり立ち上げられて供給されるJ、う
にしである。
The high-frequency oscillation circuit 8 is supplied with a power supply voltage for the high-frequency oscillation circuit slowly raised through an integrating circuit 10 in response to an oscillation start command 2) from the CPU 9.

上記シー11ダイオード5内に一体封入された七二り用
ピンノAトダイオード11(第1図で承り1.)に流れ
る電流に基づいて、高周波発振回路8の+J+作詩にJ
3いて5発光出力を設定値パワーに自動設定している。
Based on the current flowing through the seven-two Pinnot Ato diode 11 (reference 1 in Figure 1) that is integrally enclosed in the Sea 11 diode 5, the high frequency oscillation circuit 8 +J +
3 and 5 light emission output is automatically set to the set value power.

尚、操作用スイッチとか表示用LEDを設【ノたオペレ
ーションパネル12が設けてあり、このオペレーション
パネル12の操作によって、CPU9は対応りる動作を
行うことができるように各部の制御を行う。
An operation panel 12 is provided with operation switches and display LEDs, and by operating this operation panel 12, the CPU 9 controls each part so that the corresponding operation can be performed.

ところで、F配光ディテクタ6で受光され、光電変換さ
れた4つの光ディデクタ素子の出力は、情報再生回路1
3に入力されて、情報信号が’tE成されるとバに、サ
ーボ回路14に入力され、フォーカシング及びトラッキ
ング制御信号が生成される。
By the way, the outputs of the four optical detector elements that have been received by the F light distribution detector 6 and subjected to photoelectric conversion are sent to the information reproducing circuit 1.
When the information signal is input to the servo circuit 14, the information signal is input to the servo circuit 14, and a focusing and tracking control signal is generated.

十記光学式ヘッド3のlRi或は次のようになっている
。シー1Fダイオード5のレーザビームはコリメータレ
ンズ15で平行光束にされ、例えばP偏光で偏光ビーム
スプリッタ16に入射さ−れ、殆んど100%透過する
。この透過ビームはλ/4板1板金7偏光のし〜ザビー
ムにされ、アクチュエータ18によってフォーカシング
方向「及び(第2図では紙面に垂直方向の)トラッキン
グ方向Tに移動自在の対物レンズ1つに入射される。こ
の対物レンズ1つで集光されてディスク2に照OJされ
る。
lRi of the optical head 3 is as follows. The laser beam from the 1F diode 5 is collimated by a collimator lens 15, and is incident on a polarizing beam splitter 16 as, for example, P-polarized light, where almost 100% of the laser beam is transmitted. This transmitted beam is made into a polarized beam of λ/4 plate 1 sheet metal 7, and is incident on an objective lens that is movable in the focusing direction and in the tracking direction T (perpendicular to the plane of the paper in FIG. 2) by an actuator 18. The light is focused by this single objective lens and illuminated onto the disk 2.

上記ディスク2に集光照射されたレー+J’ビームは、
対物レンズ19側に反射され、対物レンズ19、λ/4
板1板金7て往路とは直交する偏光方向のS漏光になっ
て偏光ビームスプリッタ16に入l31−!jる。しか
して、偏光ビームスプリッタ16で殆んど100 %反
射され、臨界角ブリズl\20に入OJされる。この臨
界角プリズム20の斜面で反q寸されたビームは出Q=
J側端面に対向配置された光γイテクタ6′C″受光さ
れる。
The Ray+J' beam focused and irradiated onto the disk 2 is
It is reflected to the objective lens 19 side, and the objective lens 19, λ/4
From the plate 1 and the metal plate 7, the S leakage light in the polarization direction perpendicular to the outgoing path enters the polarizing beam splitter 16 l31-! I will. Therefore, almost 100% of the light is reflected by the polarizing beam splitter 16 and enters the critical angle beam l\20. The beam whose dimension is q on the slope of the critical angle prism 20 is output as Q=
The light is received by a light γ taker 6'C'' disposed opposite to the J side end surface.

ところで、レーIアの万の判定方法を行う場合、1実施
例で(」高周波発振回路E3の発振動作をF゛:(止し
てfjうようにしている。
By the way, when performing the 10,000 determination method of RA, in one embodiment, the oscillation operation of the high frequency oscillation circuit E3 is stopped at F':( and fj is performed.

」上記11゛b周波発振回路8の発振が停止された状態
で、1Ji性が劣化していないレーザダイオードの駆動
−、’li流IとレーIJ’出力Wとの関係(ら量子化
効率)を第3図に示J0これから、3つの駆動電流II
``When the oscillation of the 11゛b frequency oscillation circuit 8 is stopped, driving a laser diode in which the 1Ji property has not deteriorated, the relationship between the 'li current I and the ray IJ' output W (quantization efficiency) is shown in Fig. 3.From J0, three drive currents II
.

12.13に対Jるレー量ア出力Pt 、 P2 、 
P3を測定し、次のような比Wを演→すれば、この比W
に3.tづいて特性(吊子化効率の直線性)の劣化、ズ
T命を判別できることがわかる。
12.13 J value a output Pt, P2,
If P3 is measured and the following ratio W is calculated, this ratio W
3. It can be seen that the deterioration of the characteristics (linearity of the hanging efficiency) and the loss of life can be determined based on t.

((P3−PI )/(I3−It ))/((P2 
−  P +  )/(12−It  ))=Rn÷1
 /Rn =W       ・・・(1) そして、この比Wに対しある範囲を設定し、ぞの上限を
Wυ[、下限をWl、Lとし、比Wが次の関係を満たす
場合は寿命がきていない、次の関係を満たさない場合は
ズを命がぎていると判定できる。
((P3-PI)/(I3-It))/((P2
−P+)/(12-It))=Rn÷1
/Rn = W...(1) Then, set a certain range for this ratio W, and let the upper limit be Wυ[, the lower limit Wl, L, and if the ratio W satisfies the following relationship, the life has come to an end. No, if the following relationship is not satisfied, it can be determined that the person is alive.

WLL<W<WtlL         ・ (2)比
Wが (2)式の関係を満足しない場合には、レーデ出
力は例えば第4図に示すようになり、半導体レー11の
吊子化効率が劣化し、寿命がきていることを示す。尚、
l t hはレーザ発光のしきい値の電流を示す。
WLL<W<WtlL (2) When the ratio W does not satisfy the relationship of equation (2), the Rade output becomes as shown in FIG. 4, and the hanging efficiency of the semiconductor relay 11 deteriorates. Indicates that the product has reached the end of its lifespan. still,
l th indicates a threshold current for laser emission.

この原理を用いた第1実施例のレーザの寿命判定方法を
行う寿命判定機能を備えたレーザのズを白判定装置30
は第1図に示すfM成である。
A device 30 for determining whether a laser is white or not having a lifespan determination function that performs the laser lifespan determination method of the first embodiment using this principle.
is the fM configuration shown in FIG.

レーザダイオード(本体)5にはAPC回路7を形成す
る電流制御回路22及びシー1F駆動回路23を介して
レーザ駆動電流が供給される。このレーIJ’駆動回路
23のレーザ駆動電流は、A/Dコンバータ24を経て
ディジタルfiiIに変換されて、CPLJ9に取込み
可能にしである。
A laser drive current is supplied to the laser diode (main body) 5 via a current control circuit 22 and a sea 1F drive circuit 23 that form the APC circuit 7 . The laser drive current of this laser IJ' drive circuit 23 is converted into digital fiiI via the A/D converter 24, and can be taken into the CPLJ9.

上記レーザダイオード5に1よ高周波発振回路8から、
コンデンリCを介して上記レー瞥ア駆動回路23側から
のレーザ駆動電流に重畳して高周波電流を供給できるに
うにしである。
From the laser diode 5 to the high frequency oscillation circuit 8,
The high frequency current can be supplied via the capacitor C to be superimposed on the laser drive current from the laser laser drive circuit 23 side.

一方、レーIJ’ダイA−ド5の発光出力を;〔ニタ覆
るための[ニタ用ビンフAトダイオード11は、シー1
Fダイオード5の光出力を受光し、充電変換されたその
光電流は光出力に応じてビンフォトダイオード11と直
列の抵抗Rに流れる電流が変化υる。この電流を抵抗R
によって電圧に変換し、この電圧は比較回路27の−・
方の入力端に印加される。又、この比較回路27の他方
の入力端には発光パワー設定用デコーダ28の発光パワ
ー設定値(7?イジタル値)がD/Aコンバータ2って
アブログ値に変換されて印加される。尚、このデコーダ
28の発光パワー設定値データは、CPU9によって可
変設定できるようにしである。
On the other hand, the light emitting output of the LED IJ' diode A-5;
The optical output of the F diode 5 is received, and the photocurrent that is charged and converted changes the current flowing through the resistor R in series with the bin photodiode 11 in accordance with the optical output. This current is connected to the resistance R
This voltage is converted into a voltage by - of the comparator circuit 27.
is applied to the other input terminal. Further, to the other input terminal of the comparison circuit 27, the light emission power setting value (7?digital value) of the light emission power setting decoder 28 is applied after being converted into an absolute value by the D/A converter 2. Incidentally, the light emission power setting value data of the decoder 28 can be variably set by the CPU 9.

上記比較回路27は、発光パワー設定値を基型If+と
し、ビンフォトダイオード11で受光した出力値と比較
して、その比較出力を電流1i制御回路22に入力し、
比較出力が零になるようにレー)アダイオード5に供給
されるレーザ駆動電流が制御ざれる。このようにしてレ
ーザダイオード5に流れる電流は、発光パワー設定値に
保持されるよう山手力制御される。
The comparison circuit 27 takes the light emission power set value as the base If+, compares it with the output value received by the bin photodiode 11, and inputs the comparison output to the current 1i control circuit 22,
The laser drive current supplied to the laser diode 5 is controlled so that the comparison output becomes zero. In this way, the current flowing through the laser diode 5 is controlled so as to be maintained at the light emission power setting value.

ところで、上記比較回路27の出力は(図示しむいΔ/
Dコンバータを介してCPU9に取込み可能にしである
。例えば高周波発振回路8の発振動作を停止した状態に
おいて、レーク”駆動回路23の出力電流でシー1fダ
イA−ド5のシー1ア出カバ1ノーが設定値に落らるい
たか否かを判別Cさ゛る。
By the way, the output of the comparison circuit 27 is (Δ/
The data can be taken into the CPU 9 via the D converter. For example, in a state where the oscillation operation of the high frequency oscillation circuit 8 is stopped, it is determined whether or not the output current of the sea 1f diode A-5 has fallen to the set value using the output current of the rake drive circuit 23. C.

しかして、比較出力が殆lυど零となる設定値に保持さ
゛れた状態で、CPU9はCPU9外部又は内部のメモ
リ31に比較回路27に入力されるレーザ発光パワー値
に対応した電圧をA/D]ンバータ32を介して格納す
る。
Thus, while the comparison output is maintained at the set value where it is almost zero, the CPU 9 inputs a voltage corresponding to the laser emission power value input to the comparison circuit 27 into the memory 31 external to or internal to the CPU 9. ] is stored via the converter 32.

又、このメ七り31には上記レーザ発光パワー値(のデ
ータ)と共に、レーデ駆動回路23を経てレーザダイオ
ード5に供給されるレーザ駆動電流がA/Dコンバータ
24を介してCPけ9に取込まれた駆動電流値データも
データバスを介して格納される。
In addition, this menu 31 shows the laser drive current supplied to the laser diode 5 via the radar drive circuit 23 and connected to the CP card 9 via the A/D converter 24, as well as the laser emission power value (data). The loaded drive current value data is also stored via the data bus.

上記両データ、つまり駆動電流値データ及びしIJ”発
光パワー艙デークの格納は、オペレーションパネル12
等に設けたスイッチの操作で出力される判別指示(g、
01NsTをCPU9に入力することににって動作りる
。この判別指示(ii Sj I N STが入力され
ると、CPU9は高周波発振回路8の発振動作を停止状
態に保つ信号を出力する。
Both of the above data, that is, the drive current value data and the "IJ" light emitting power storage data, are stored on the operation panel 12.
Discrimination instructions (g,
It operates by inputting 01NsT to the CPU 9. When this discrimination instruction (ii Sj I N ST is input), the CPU 9 outputs a signal to keep the oscillation operation of the high frequency oscillation circuit 8 in a stopped state.

又、CPU9はデコーダ28に低レベル発光用の設定値
データをセットし、比較回路27の比較出力が零に落ち
着いた時点で、メモリ31にレーザ介光パワー1i+°
fデークをiqき込ませるとバに、く−の時刻でのシー
1F駆動電流をA/D:1ンバータ24を介してCPU
9に取込み、そのデータをメ[す31に出き込む。この
両データの書き込みが終了づると、上記設定値データよ
り若干大さ−な値の低レベルデータがデコーダ28にセ
ットし、その状態で上述の場合と同様にレーザ発光パワ
ー値データとレーザ駆動電流(「1デークをメモリ31
に古き込む。この書き込みが終了りると、デコーダ28
には高レベル発光用のデータがセットされ、上記低レベ
ルの場合と同様にして、メ[す31にはレーデ発光パワ
ーデータとシー1f駆動電流データとが出き込まれる。
Further, the CPU 9 sets setting value data for low-level light emission in the decoder 28, and when the comparison output of the comparison circuit 27 settles to zero, the laser mediated light power 1i+° is stored in the memory 31.
When the f data is written to iq, the CPU outputs the sea 1F drive current at the time of q to the CPU via the A/D:1 inverter 24.
9, and output the data to the computer 31. When the writing of both data is completed, low level data with a value slightly larger than the above set value data is set in the decoder 28, and in that state, the laser emission power value data and the laser drive current are set in the same manner as in the above case. (“1 disk in memory 31
get old. When this writing is completed, the decoder 28
The data for high level light emission is set in , and the radar light emission power data and the sea 1f drive current data are inputted into the memory 31 in the same way as in the case of the low level.

これら低レベル状態及び高レベル状態での両データの書
ぎ込みが終了り−ろと、CPU9は上記(1)式に基づ
いて演算し、(2)式に示J判定を行ない、その判別結
果を表示器333で表示Jる。これにより、確実に吊子
化効率の劣化が検出でき、シー11ダイオード5のノ?
ωが判別できる。
When the writing of both data in the low level state and the high level state is completed, the CPU 9 calculates based on the above equation (1), performs the J judgment shown in the equation (2), and the judgment result is is displayed on the display 333. As a result, it is possible to reliably detect deterioration in the hanging efficiency, and to detect the leakage of the diode 5 in the sea 11.
ω can be determined.

上記判別方法ににって、レーク“グイオード5が正常で
あると判別されると、CI) U 9は積分回路10を
介して高周波発振回路8を発振状態に設定づる。尚、こ
の場合、デコーダ28は低レベル発光用データがセット
された後に行われるようにしてし良い。
When the rake guide 5 is determined to be normal according to the above determination method, the CI) U 9 sets the high frequency oscillation circuit 8 to the oscillation state via the integrating circuit 10.In this case, the decoder Step 28 may be performed after the low-level light emission data is set.

上記積分回路10の積分の時定数は八P Cループの応
答時間がより大きくしであるので、高周波光(膜回路8
に供給される電源電圧は積分回路10のためにゆっくり
立も上がり、このゆっくり立も上がる各時刻において、
APC回路7のへPCループによって、レーデ発光パワ
ーはデコーダ28で設定されたパワー値に保持される。
Since the integration time constant of the integrating circuit 10 is larger than the response time of the eight PC loops, the high-frequency light (membrane circuit 8
The power supply voltage supplied to the integrator circuit 10 slowly rises and rises, and at each time when this slow rise rises,
The radar emission power is maintained at the power value set by the decoder 28 by the PC loop of the APC circuit 7.

このため高周波発振回路8の発振動作が開始してもその
開始の際に過渡的に△P Cで保持されるべき設定値か
らずれた大きな発光パワー状態が生じることがない。つ
まり、高周波発振回路8の重畳口)に大さな発光パワー
のレー+J’ビームが記録媒体に照q4されて(記録媒
体に書き込5J:れているデータを破壊したり、記録媒
体に記録不能な欠陥部分をつくって)しまうことを防止
できるようにしている。
Therefore, even when the high frequency oscillation circuit 8 starts the oscillation operation, a large light emission power state that transiently deviates from the set value to be maintained at ΔP C does not occur at the time of the start. In other words, the ray+J' beam with a large emission power is irradiated onto the recording medium at the superimposed port of the high-frequency oscillation circuit 8), which may destroy the data written on the recording medium or destroy the data recorded on the recording medium. This prevents the creation of defective parts that cannot be used.

この積分回路による高周波重畳の動作を第5図を参照し
て以下に32明づ゛る。
The operation of high frequency superposition by this integrating circuit will be explained below with reference to FIG.

レーザ駆動電流IFに対するシー11発光パワーPの特
性は【、工ぼ第5図に示1ように、しきい値雷流fth
を越えると、リニアに立上がる特性を示i1..。
The characteristics of the light emission power P of the sheet 11 with respect to the laser drive current IF are as shown in Fig. 1, the threshold lightning current fth
When exceeding i1. .. .

ところで、今“′高周波重畳なしパの場合におけるレー
ザダイオード5に供給される直流バイアス電流IAVに
対し、レーザ発光パワーPは、1F−P特性を利用Jる
ことによって、符号PAVで示す(直になる。
By the way, with respect to the DC bias current IAV supplied to the laser diode 5 in the case of "P" without high frequency superimposition, the laser emission power P is expressed by the symbol PAV by using the 1F-P characteristic (directly expressed as Become.

一方、十記直流バイアス電流I A Vに急に高周波電
流II−IFが重畳されると、レーザ駆’kh電流IF
の平均値は変化しないが、瞬時値は正弦波状に変化Jる
。この正弦波状に変化・Jるため、IF−P特性を用い
てシー11発光パワーPを求めると、第5図の右側部分
で符f’3PH’(”示1ものとなり、その平均発光パ
ワーは符号PHAVで示ずものとなる。
On the other hand, when a high frequency current II-IF is suddenly superimposed on the DC bias current I A V, the laser drive 'kh current IF
The average value of J does not change, but the instantaneous value changes in a sinusoidal manner. Because of this sinusoidal change/J, when calculating the light emitting power P of the sea 11 using the IF-P characteristic, the sign f'3PH'("1) is obtained in the right part of Fig. 5, and the average light emitting power is It is indicated by the symbol PHAV.

つまり平均値が同一のレー、1f駆1FIJ電流IFに
り・1し“高周波重畳なし″の場合よりも゛高周波重畳
あり″の場合の方がレーク”発光パワーPは人きくなる
。上記゛高周波用・腎なし″の場合が白1h出力制御の
平衡値であるとし、その状態で急に゛高周波重畳あり″
にすると、シー11発光パワーPの平均値はPAVから
PHu vに増大するため、ピンフォトダイオード11
を経た7〜PC別能によって、レーザ発光パワーPが減
り、PAVの値になるように、レーザ駆動電流IFが矢
印へで示す方向に減少するように作用することになる。
In other words, for a 1f drive 1FIJ current IF with the same average value, the Rake light emission power P becomes more impressive in the case of ``with high frequency superposition'' than in the case of ``no high frequency superposition''. Assume that the above case of "high frequency, no kidney" is the equilibrium value of white 1h output control, and in that state suddenly "high frequency superimposition"
, the average value of the light emitting power P of the sea 11 increases from PAV to PHu v, so the pin photodiode 11
Through the 7 to PC function, the laser emission power P decreases to the value of PAV, and the laser drive current IF decreases in the direction indicated by the arrow.

これに対し、」−記積分回路10によって、高周波発振
回路8に供給される電源電圧は徐々にト冒するため、第
4図におりる正弦波状の高周波電流(,1零からゆっく
りと符′/E I Hi  で示J(直へど一ト51“
りる□。この高周波電流の重畳によって、シー11発光
パワーが増入りると、ΔPCループにJ、って、その増
大した分だり直流バイアス電流が減少し、シー11発光
パワー(よ高周波重畳なしの場合にA’31ノる値に保
持されることになる。
On the other hand, since the power supply voltage supplied to the high frequency oscillation circuit 8 by the integrator circuit 10 gradually rises, the sinusoidal high frequency current shown in FIG. /E I Hi (directly to 51")
Rir□. When the light emitting power of the sea 11 increases due to the superposition of this high frequency current, the DC bias current decreases by J in the ΔPC loop, and the light emitting power of the sea 11 (in the case of no high frequency superimposition, It will be held at a value of '31.

尚、レーク“のノ、Q判定を行う場合には、前すつて1
ナ一ボ回路14のフォーカシングサーボ系が対物レンズ
1つを所定のアイフォーカス領域内に保りりるようにデ
イフォーカス制御を行うようにりることが望ましい。
In addition, when making a Q judgment for "Rake", the previous one is 1.
It is desirable that the focusing servo system of the navigation circuit 14 performs day focus control to maintain one objective lens within a predetermined eye focus area.

このデイフォーカス制御を行うには、光デイチククロの
総和光;i信号が所定のディフA−カスン1域内にある
か否かの判別を行えば良い。尚、この所定のデイフォー
カス領域の対物レンズの状態では、該対物レンズで集光
された光ビームによってディスクにピット等が形成され
ることがなく、従つて記録データの破壊等の不都合な重
態が生じることを防止できる。
In order to perform this day focus control, it is sufficient to determine whether or not the sum total of the optical daylight signals; i signal is within a predetermined differential A-casun 1 range. In addition, in the state of the objective lens in this predetermined day focus area, pits etc. are not formed on the disk by the light beam focused by the objective lens, and therefore, there is no possibility of any inconvenient serious situation such as destruction of recorded data. This can be prevented from occurring.

上記レーザの寿命判定方法のプロセスは、例えば第6図
に示すJ、うになる。
The process of the above-described laser life determination method is, for example, as shown in FIG.

ここで符号nはCPIJ9内のカウンタレジスタの51
数値を表わづ。前述したように3つの5°シる電)1ご
f:&I+ 、I2.13にそれぞれ対応する発光パワ
ーP+ 、P2 、P3とを記憶した後、a予電効率の
計樟ルーチンに移り、この効率を計算して正常と見なせ
る範囲にあるか否かの判定を行い、その判定結果を表示
するプロセスを示している。
Here, the code n is 51 of the counter register in CPIJ9.
Express numbers. As mentioned above, after memorizing the light emitting powers P+, P2, and P3 corresponding to the three 5° currents (f: &I+, I2.13), the process moves to the precharging efficiency calculation routine. This shows a process of calculating efficiency, determining whether it is within a range that can be considered normal, and displaying the determination result.

第7図は第2実施例の寿命判別の原理を示1図である。FIG. 7 is a diagram showing the principle of life determination in the second embodiment.

第2実施例では駆動電流Iの測定点を3点以上用意して
いる。この場合も、次のような各区分の比Wiの全部が
上記(2)式の関係を満足している場合のみ、半導休レ
ーザがズを命になっていないと判断する。
In the second embodiment, three or more measurement points for the drive current I are prepared. In this case as well, it is determined that the semiconducting laser is not dead only when all of the ratios Wi of the following sections satisfy the relationship of equation (2) above.

((Pi+2 −P  i  )/  (Ii+2 −
  T  i  )  )/ ((Pi+1−P i 
)/ (I’i÷1−Ii))=Ri+1/Ri −W i (i=1〜m−2)         −(
3)この実施例はサンプリング回数が多いためザンブリ
ング時間は艮くかかるが、第7図に示すような局部的な
部子化効率の変化をも確実に検出できる利点がある。
((Pi+2 −P i )/(Ii+2 −
T i ) )/((Pi+1-P i
)/ (I'i÷1-Ii))=Ri+1/Ri-W i (i=1~m-2) -(
3) Although this embodiment requires a considerable amount of sampling time due to the large number of samplings, it has the advantage that even local changes in the localization efficiency as shown in FIG. 7 can be reliably detected.

第8図は第3実施例の寿命判別の原理を示寸図である。FIG. 8 is a dimensional diagram showing the principle of life determination in the third embodiment.

この実施例で(:L装置の出荷時または切用使用■jに
1回測定を行なって、その後、使用中に随11.¥測定
を行ない、経時変化の度合いを微分的に演0するもので
ある。すなわち、装置の出荷時または初期使用時に第8
図に示すように4つの駆動電流11.I2.13.I4
.(ここで、!2−[+=jlt、I牛−I3 =、0
2 )に対するレーリ゛出力P1.P2 、P3 、P
4を測定し、比W1=(h2/fJ2)/(h1/fJ
1)(ここで、1つ・ジーr’t =h+ 、 P4−
1’3=h2 > ヲ演G’JLTJ3く。これはメ[
す10の中のROMに格納してJ3く。そして、実際の
使用中にも、同様にして第S図に承りように4つの駆動
電流1+、12.13゜I4に対するレーザ出力P+’
 、P2’ 、P3’ 。
In this example, measurements are taken once at the time of shipment or when the device is used, and then measurements are taken every other time during use to differentially calculate the degree of change over time. In other words, the 8th
As shown in the figure, four drive currents 11. I2.13. I4
.. (Here, !2-[+=jlt, I cow-I3 =, 0
2) Rayleigh output P1. P2, P3, P
4, and the ratio W1=(h2/fJ2)/(h1/fJ
1) (Here, one g r't = h+, P4-
1'3=h2 > wo performance G'JLTJ3. This is me [
Store it in the ROM in the S10 and run it on the J3. During actual use, the laser output P+' for four driving currents 1+ and 12.13°I4 is similarly shown in FIG.
, P2', P3'.

1〕4′ を測定し、比W2−(h 2 ’ 7’カ2
)/(h1’、11)(ここで、P2’ −Pl’ −
h+ ’ 、 P4’ −P3 ’ =h2 ’ )(
2[1jC7t6゜これはメモリ10の中のRAMに格
納してa3 <。
1] Measure 4' and calculate the ratio W2-(h2'7'ka2
)/(h1', 11) (where P2' - Pl' -
h+', P4'-P3' = h2') (
2[1jC7t6° This is stored in the RAM in the memory 10 and a3 <.

そして、CPU9はこれらが次の関係を満足するどさに
、半導体レーザ°は)を命にjヱしていないと判定Jる
Since these satisfy the following relationship, the CPU 9 determines that the semiconductor laser is not vital.

D= l (W2−Wl )/W1 +≦K ・・・(
4)ここで、Kは任意の正にi Pilである。[〕は
【d子化予電の変化の度合を示す。このような第3実施
例によれば、け予電効率の仔■、1変化を検出でき、こ
れによっても寿命の判別ができる。なお、演亦を簡単に
するには、fJt=、o2にりればよい。
D=l(W2-Wl)/W1+≦K...(
4) Here, K is any just i Pil. [ ] indicates the degree of change in the d-concentration precharge. According to the third embodiment, it is possible to detect a slight change in the pre-charge efficiency, and the life span can also be determined based on this. In addition, to simplify the demonstration, it is sufficient to go to fJt=, o2.

尚、例えば第1実施例において、レーザダイオード5の
寿命ないしは14性劣化の判定を行い、正常な場合には
高周波発振回路8を発振させてレーザ駆動回路23側の
直流バイアス電流に高周波電流をfff 督させること
になる。
For example, in the first embodiment, it is determined whether or not the life of the laser diode 5 has deteriorated, and if the laser diode 5 is normal, the high frequency oscillation circuit 8 is caused to oscillate and the high frequency current is applied to the DC bias current on the laser drive circuit 23 side. I will have him supervise.

[発明の効果] 以上述べたように本発明によれば、レーデの寿命を判定
する場合にt、1、レーザダイオードに高周波゛電流が
重畳されない状態に設定して、(の量子化効率を測定し
て判別を行うようにしているので、誤りのない確実イj
ズを命又+、1特性劣1ヒの判定を行うことができる。
[Effects of the Invention] As described above, according to the present invention, when determining the lifespan of a radar, the quantization efficiency of Since the judgment is made based on the
It is possible to determine whether the character has 1 characteristic, 1 characteristic, or 1 weakness.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of drawings]

第1図ないし第6図は本発明の第1実施例に係り、第1
図は第1実施例に係る寿命判定装置itを示リブ[]ツ
ク図、第2図はスフ命判定が行われる光ディスク装冒を
示iJ構成図、第3図は第1実施例で判定を行う原理を
説明する説明図、第4図は劣化した場合におりるレーザ
ダイオードの駆動゛上流−発光パワーの特性図、第5図
は高周波電流を重・警した場合にJ3tプる駆動電流と
発光パワーの関係を示1°特性図、第6図は第1実施例
の寿命判定の処理ブ[」レスを示す流れ図、第7図は本
発明の第2実施例の判定方法の原理を示すための説明図
、第8図は本発明の第3実施例の判定方法の原理を示す
ための説明図、第9図は劣化したレーザダイオードの特
性を示す特性図、第10図は″′高周波屯畳あり″の場
合と“高周波重質なし′°の場合に対Jる駆動電流と発
光パワーの関係を示す特性図である。 1・・・光デイスク装置  2・・・ディスク3・・・
光学式ピックアップ 5・・・レーデダイオード 7・・・へCP回路8・・
・高周波重畳用発振面路 9・・・CPLJ       10・・・積分回路1
1・・・ビンフォトダイオード 23・・・レーザ駆動回路 28・・・デコーダ31・
・・メモリ 32・・・△/Dコンバータ 第2図 第3図 第4図 I’ l2I3r 第5図 In−+ Im−+    ( 第6図 第8図
Figures 1 to 6 relate to the first embodiment of the present invention.
The figure shows a rib [ ] tsuku diagram of the lifespan judgment device IT according to the first embodiment, Fig. 2 shows the structure of an optical disk installed in which the lifespan judgment is performed, and Fig. 3 shows the structure of the optical disk in which the lifespan judgment is performed in the first embodiment. An explanatory diagram explaining the principle of the operation, Figure 4 is a characteristic diagram of the upstream emission power of the laser diode when it deteriorates, and Figure 5 shows the driving current that increases by J3t when high frequency current is applied. A 1° characteristic diagram showing the relationship between light emitting power, Fig. 6 is a flowchart showing the processing block for life judgment in the first embodiment, and Fig. 7 shows the principle of the judgment method in the second embodiment of the present invention. FIG. 8 is an explanatory diagram showing the principle of the determination method of the third embodiment of the present invention. FIG. 9 is a characteristic diagram showing the characteristics of a deteriorated laser diode. FIG. 10 is a diagram showing the characteristics of a deteriorated laser diode. It is a characteristic diagram showing the relationship between the drive current and the light emitting power in the case of ``with tatami mat'' and ``without high frequency heavy''. 1... Optical disk device 2... Disk 3...
Optical pickup 5...Raede diode 7...to CP circuit 8...
・High frequency superimposition oscillation surface path 9...CPLJ 10...Integrator circuit 1
1... Bin photodiode 23... Laser drive circuit 28... Decoder 31.
...Memory 32...Δ/D converter Fig. 2 Fig. 3 Fig. 4 I' l2I3r Fig. 5 In-+ Im-+ ( Fig. 6 Fig. 8

Claims (1)

【特許請求の範囲】 直流バイアス電流に高周波電流を重畳して記録媒体にレ
ーザビームを照射する光学式情報記録再生装置において
、 レーザの直流バイアス電流に対する高周波電流の重畳を
停止した状態で、直流バイアス電流のみでレーザの発光
パワーを検出してレーザの寿命ないしは特性劣化の判定
を行うことを特徴とするレーザの寿命判定方法。
[Claims] In an optical information recording/reproducing device that irradiates a laser beam onto a recording medium by superimposing a high-frequency current on a DC bias current, A method for determining the lifespan of a laser, characterized in that the lifespan or characteristic deterioration of the laser is determined by detecting the emission power of the laser using only current.
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