JPS6341499B2 - - Google Patents
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- JPS6341499B2 JPS6341499B2 JP57066497A JP6649782A JPS6341499B2 JP S6341499 B2 JPS6341499 B2 JP S6341499B2 JP 57066497 A JP57066497 A JP 57066497A JP 6649782 A JP6649782 A JP 6649782A JP S6341499 B2 JPS6341499 B2 JP S6341499B2
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- G01—MEASURING; TESTING
- G01T—MEASUREMENT OF NUCLEAR OR X-RADIATION
- G01T1/00—Measuring X-radiation, gamma radiation, corpuscular radiation, or cosmic radiation
- G01T1/16—Measuring radiation intensity
- G01T1/20—Measuring radiation intensity with scintillation detectors
- G01T1/208—Circuits specially adapted for scintillation detectors, e.g. for the photo-multiplier section
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、放射線検出器用の温度補償回路に関
する。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Field of Industrial Application] The present invention relates to a temperature compensation circuit for a radiation detector.
放射線検出器は、例えばNaI（Tl）の結晶を用
いたシンチレーターと光電子倍増管（PMT）と
の組み合わせで構成されるもので、エネルギー分
析が可能でかつγ線（またはＸ線）に対して非常
に高感度な検出が可能であるという利点を有する
反面、その周囲温度変化の影響による出力変動が
非常に大きいという難点がある。つまり、かかる
放射線検出器において何らの温度補償手段も施さ
なかつた場合には、その温度―出力特性は、一般
に第１図に示すような形状のものとなる。
A radiation detector is composed of a scintillator using a NaI (Tl) crystal in combination with a photomultiplier tube (PMT), and is capable of energy analysis and extremely sensitive to γ-rays (or X-rays). Although it has the advantage of being able to perform highly sensitive detection, it has the disadvantage that output fluctuations due to changes in ambient temperature are extremely large. In other words, if such a radiation detector is not provided with any temperature compensation means, its temperature-output characteristics will generally have a shape as shown in FIG.
このような放射線検出器における出力の大きな
温度依存性を補償するためには、前記シンチレー
ターおよび光電子倍増管の周囲温度を常時一定に
保つための温度維持手段を付設することが考えら
れるが、その場合には放射線検出器全体の大型化
ならびに複雑化を招く不利がある。 In order to compensate for the large temperature dependence of the output in such a radiation detector, it is conceivable to add a temperature maintenance means to keep the ambient temperature of the scintillator and photomultiplier tube constant at all times, but in that case, This method has the disadvantage of increasing the size and complexity of the radiation detector as a whole.
そこで、そのような不利を避けるために、次の
ような信号処理手法を用いた温度補償手段が、従
来から採用されている。 Therefore, in order to avoid such disadvantages, temperature compensation means using the following signal processing technique has been conventionally employed.
そのひとつ（第１手段）は、例えば特開昭55−
50178号公報から知られるように、シンチレータ
ーおよび光電子倍増管の周囲温度を検出する感温
抵抗素子または感温容量素子を、光電子倍増管の
電圧バイアス回路に挿入することにより、光電子
倍増管自体から温度補償された信号を得る、とい
う手段であり、
また、他のひとつ（第２手段）は、例えば特開
昭55−142261号公報から知られるように、光電子
倍増管を作動させるための電源の電圧を、その光
電子倍増管の周囲温度の検出結果に基いて変化さ
せることにより、やはり、光電子倍増管自体から
温度補償された出力信号を得る、という手段であ
る。 One of them (the first means) is, for example, JP-A-55-
As is known from Publication No. 50178, by inserting a temperature-sensitive resistive element or a temperature-sensitive capacitive element that detects the ambient temperature of the scintillator and the photomultiplier tube into the voltage bias circuit of the photomultiplier tube, the temperature can be detected from the photomultiplier tube itself. Another method (second method) is to obtain a compensated signal, and the other method (second method) is to obtain a compensated signal by adjusting the voltage of the power supply for operating the photomultiplier tube, as known from, for example, Japanese Patent Application Laid-open No. 142261/1983. This is a means of obtaining a temperature-compensated output signal from the photomultiplier tube itself by changing it based on the detection result of the ambient temperature of the photomultiplier tube.
しかしながら、上記従来の温度補償手段（第１
手段および第２手段）による場合には、何れにし
ても、光電子倍増管および／またはシンチレータ
ーのみに対する直接的な温度補償を行うことによ
つて光電子倍増管自体から温度補償された信号を
得る、という構成が採用されていたために下記の
ような欠点があつた。
However, the conventional temperature compensation means (first
and second means), in any case obtaining a temperature-compensated signal from the photomultiplier tube itself by performing a direct temperature compensation only on the photomultiplier tube and/or the scintillator. This configuration had the following drawbacks.
即ち、種々の検討結果から得られた本発明者ら
による知見によれば、放射線検出器における最終
的な出力の温度依存性は、単にシンチレーターお
よび光電子倍増管の温度特性のみならず、その周
辺回路における例えばプリアンプの回路時定数な
どにも無視できない影響を受けており、従つて、
上記従来手段における場合のように、光電子倍増
管および／またはシンチレーターのみに対する直
接的な温度補償を行うだけでは、十分に精度の良
い最終的な出力信号を得ることは不可能である。 In other words, according to the findings of the present inventors obtained from various study results, the temperature dependence of the final output in a radiation detector is not only caused by the temperature characteristics of the scintillator and photomultiplier tube, but also by the surrounding circuitry. For example, the circuit time constant of the preamplifier has a non-negligible influence, and therefore,
As is the case with the conventional means described above, it is impossible to obtain a final output signal with sufficient accuracy by performing direct temperature compensation only on the photomultiplier tube and/or scintillator.
そこで、前記のように光電子倍増管および／ま
たはシンチレーターのみに対する直接的な温度補
償を行うのでは無く、シンチレーターと光電子倍
増管およびその周辺回路から成る放射線検出部か
ら出力される信号（この場合には温度に依存して
いる）に対して最終的に適当な温度補償を行うこ
とがより合理的である考えられ、それを実現する
ためには、例えば、前述の第１図に示したよう
に、常温の範囲（周囲温度の一般的な変化範囲）
において負の温度特性を有する放射線検出器に対
して、その出力段における増幅器のフイードバツ
ク回路に、その負の温度特性を補償し得る正の負
の温度特性を有する温度補償素子を挿入する、と
いう手段（第３手段）が考えられる。 Therefore, instead of directly temperature-compensating only the photomultiplier tube and/or scintillator as described above, the signal output from the radiation detection section consisting of the scintillator, photomultiplier tube, and their peripheral circuits (in this case, It is considered more rational to finally perform appropriate temperature compensation for the temperature (depending on temperature), and in order to achieve this, for example, as shown in Figure 1 above, Room temperature range (general range of change in ambient temperature)
A means of inserting a temperature compensation element having positive and negative temperature characteristics capable of compensating for the negative temperature characteristics into the feedback circuit of the amplifier in the output stage of the radiation detector having negative temperature characteristics. (Third means) is possible.
ところが、前述したように、放射線検出器にお
ける出力の温度依存性は、単にシンチレーターお
よび光電子倍増管の温度特性のみならず、その周
辺回路におけるプリアンプの回路時定数などにも
比較的大きな影響を受けるために、その温度―出
力特性は、必ずしも第１図に示したような特性に
なるとは限らず、実際には、第２図に示すよう
に、実線で示すような特性になつたり、あるい
は、破線や鎖線で示すような特性になつたりと、
個々の放射線検出器によつて種々に異なるものと
なる。つまり、放射線検出器によつては、その温
度―出力特性が常温の範囲（周囲温度の一般的な
変化範囲）において変曲点Ｐを有する（温度特性
が正負に変化する）形状となつてしまい、上記し
たような単純な第３手段では、補償可能な温度範
囲が非常に狭くなつて実際上対応不可能な場合が
多い。 However, as mentioned above, the temperature dependence of the output of a radiation detector is affected not only by the temperature characteristics of the scintillator and photomultiplier tube, but also by the circuit time constant of the preamplifier in the surrounding circuitry. However, the temperature-output characteristics are not necessarily as shown in Figure 1; in reality, they may be as shown in the solid line in Figure 2, or as shown in the broken line. and the characteristics shown by the dashed line.
This will vary depending on the individual radiation detector. In other words, for some radiation detectors, their temperature-output characteristics have a shape that has an inflection point P (temperature characteristics change in positive and negative directions) in the normal temperature range (general range of change in ambient temperature). However, with the simple third means as described above, the compensable temperature range becomes so narrow that it is often practically impossible to cope with the problem.
本発明は、かかる実情に鑑みてなされたもので
あつて、その目的は、如何なる温度―出力特性を
有する放射線検出器に対しても、十分に広い温度
範囲において十分に精度の良い温度補償を行うこ
とができる放射線検出器用の温度補償回路を開
発・提供せんとすることにある。 The present invention has been made in view of the above circumstances, and its purpose is to perform temperature compensation with sufficient accuracy over a sufficiently wide temperature range for radiation detectors having any temperature-output characteristics. The purpose of the present invention is to develop and provide a temperature compensation circuit for radiation detectors that can provide a temperature compensation circuit for radiation detectors.
上記目的を達成するために、本発明による放射
線検出器用の温度補償回路は、放射線検出器の出
力段に、その放射線検出部からの出力信号のうち
の正の温度特性をもつ信号に対する温度補償を行
うための第１温度補償回路部と、その放射線検出
部からの出力信号のうちの負の温度特性をもつ信
号に対する温度補償を行うための第２温度補償回
路部とを設けると共に、前記放射線検出部からの
出力信号が正の温度特性から負の温度特性へ変化
する変曲点に相当する温度で切替信号を発する切
替信号発生回路部を設け、かつ、前記切替信号発
生回路部による切替信号によつて前記放射線検出
部からの出力信号を前記第１補償回路部と第２温
度補償回路部とに選択的に供給するための接続切
替回路部を設けてある、という特徴を備えてい
る。
In order to achieve the above object, the temperature compensation circuit for a radiation detector according to the present invention provides temperature compensation for a signal having a positive temperature characteristic among the output signals from the radiation detection section at the output stage of the radiation detector. a first temperature compensation circuit section for performing temperature compensation for a signal having a negative temperature characteristic among the output signals from the radiation detection section; a switching signal generation circuit section that emits a switching signal at a temperature corresponding to an inflection point at which the output signal from the section changes from a positive temperature characteristic to a negative temperature characteristic; Therefore, the present invention is characterized in that a connection switching circuit section is provided for selectively supplying the output signal from the radiation detection section to the first compensation circuit section and the second temperature compensation circuit section.
かかる特徴構成故に発揮される作用は次の通り
である。
The effects achieved due to this characteristic configuration are as follows.
即ち、上記本発明に係る放射線検出器用の温度
補償回路によれば、後述する実施例の記載からも
より一層明らかとなるように、切替信号発生回路
部が放射線検出部からの出力信号の変曲点に相当
する温度で切替信号を発して、接続切替回路部が
切り換えられることにより、その出力信号は、正
の温度特性をもつ信号に対する温度補償用の第１
温度補償回路部、または、正の温度特性をもつ信
号に対する温度補償用の第２温度補償回路部へ、
適宜選択的に切替供給されることになるため、前
記変曲点に相当する温度の上下温度範囲の全てに
おいてその出力信号に対する温度補償を行なわせ
ることができ、また、この本発明による温度補償
回路は放射線検出器の出力段に設けられているた
め、単にシンチレーターおよび光電子倍増管の温
度特性のみならず、その周辺回路におけるプリア
ンプ回路時定数などによる温度影響をも含めて、
最終的にかつ精度良く行うことができ、従つて、
如何なる温度―出力特性を有する放射線検出器に
対しても、十分に広い温度範囲において十分に精
度の良い温度補償を行うことができるようになつ
たのである。 That is, according to the temperature compensation circuit for a radiation detector according to the present invention, the switching signal generation circuit section changes the output signal from the radiation detection section, as will become clearer from the description of the embodiments described later. By emitting a switching signal at a temperature corresponding to the point and switching the connection switching circuit section, its output signal becomes the first temperature compensation signal for a signal with a positive temperature characteristic.
to a temperature compensation circuit section or a second temperature compensation circuit section for temperature compensation for a signal having positive temperature characteristics;
Since the supply is selectively switched as appropriate, it is possible to perform temperature compensation for the output signal in the entire temperature range above and below the temperature corresponding to the inflection point, and the temperature compensation circuit according to the present invention is provided at the output stage of the radiation detector, so it is important to consider not only the temperature characteristics of the scintillator and photomultiplier tube, but also the temperature effects of the preamplifier circuit time constant in the surrounding circuits.
It can be done conclusively and accurately, and therefore,
It has become possible to perform temperature compensation with sufficient precision over a sufficiently wide temperature range for radiation detectors having any temperature-output characteristics.
以下、本発明に係る放射線検出器用の温度補償
回路の具体的実施例を図面（第３図なし第５図）
に基いて詳細に説明する。
Below, a concrete example of the temperature compensation circuit for a radiation detector according to the present invention is shown in the drawings (Fig. 3 and Fig. 5).
This will be explained in detail based on the following.
第３図は基本的実施例を示し、この図におい
て、５は、例えばNaI（Tl）の結晶を用いたシン
チレーターと光電子倍増管（PMT）およびその
周辺回路の組み合わせから成る放射線検出部であ
り、その他の部分が、その放射線検出部５に対し
て、最終的な出力段として接続された温度補償回
路を構成している。 FIG. 3 shows a basic embodiment, and in this figure, 5 is a radiation detection unit consisting of a combination of a scintillator using a crystal of NaI (Tl), a photomultiplier tube (PMT), and its peripheral circuit, The other parts constitute a temperature compensation circuit connected to the radiation detection section 5 as a final output stage.
而して、前記温度補償回路において、１は、放
射線検出部５からの出力信号Siのうちの正の温度
特性をもつ信号に対する温度補償を行うための第
１温度補償回路部であつて、図示しているよう
に、入力抵抗R1および演算増幅器A1と、フイー
ドバツク抵抗としての負の温度特性を有する感温
素子RT（例えばサーミスタ）を用いて構成され
ている。また、２は、放射線検出部５からの出力
信号Siのうちの負の温度特性をもつ信号に対する
温度補償を行うための第２温度補償回路部であつ
て、図示しているように、入力抵抗R1′および演
算増幅器A2と、フイードバツク抵抗としての正
の温度特性を有する感温素子RT′（例えば金属箔
抵抗体および多数のキヤリアを利用した半導体抵
抗素子）を用いて構成されている。そして、３
は、放射線検出部５からの出力信号Siが正の温度
特性から負の温度特性へ変化する変曲点（前記第
２図におけるＰに該当する）に相当する温度で切
替信号Scを発する切替信号発生回路部であつて、
その変曲点Ｐの温度を検出するための感温素子
（例えばサーミスタ）Thを備えている。また、
４，４は、前記切替信号発生回路部３による切替
信号Scによつて、前記放射線検出部５からの出
力信号Siを前記第１補償回路部１と第２温度補償
回路部２とに選択的に供給するための、（つまり、
第２図において実線で例示した特性を有する放射
線検出器の場合、放射線検出部５の周囲温度が変
曲点Ｐ以下でそれからの出力信号Siが正の温度特
性をもつ場合には第１補償回路部１へ、また、放
射線検出部５の周囲温度が変曲点Ｐ以上でそれか
らの出力信号Siが負の温度特性をもつ場合には第
２補償回路部１へ、というように選択的に供給す
る）ための接続切替回路部である。 In the temperature compensation circuit, reference numeral 1 denotes a first temperature compensation circuit section for performing temperature compensation for a signal having a positive temperature characteristic among the output signals Si from the radiation detection section 5, and is shown in FIG. As shown, it is constructed using an input resistor R1 , an operational amplifier A1 , and a temperature sensing element RT (for example, a thermistor) having negative temperature characteristics as a feedback resistor. Further, 2 is a second temperature compensation circuit section for temperature compensating for a signal having a negative temperature characteristic out of the output signal Si from the radiation detection section 5, and as shown in the figure, it is a second temperature compensation circuit section. It is constructed using R 1 ', an operational amplifier A 2 , and a temperature sensing element RT' (for example, a semiconductor resistance element using a metal foil resistor and a large number of carriers) having positive temperature characteristics as a feedback resistance. And 3
is a switching signal that emits a switching signal Sc at a temperature corresponding to an inflection point (corresponding to P in FIG. 2) at which the output signal Si from the radiation detection unit 5 changes from a positive temperature characteristic to a negative temperature characteristic. A generating circuit section,
A temperature sensing element (for example, a thermistor) Th for detecting the temperature at the inflection point P is provided. Also,
4, 4 selectively sends the output signal Si from the radiation detection section 5 to the first compensation circuit section 1 and the second temperature compensation circuit section 2 by the switching signal Sc from the switching signal generation circuit section 3; (i.e.,
In the case of a radiation detector having the characteristics illustrated by the solid line in FIG. 1, and if the ambient temperature of the radiation detection section 5 is above the inflection point P and the output signal Si therefrom has negative temperature characteristics, it is selectively supplied to the second compensation circuit section 1. This is a connection switching circuit section for
なお、前記各感温素子RT，RT′，Thは、前記
放射線検出部５の周囲温度を検出するようにその
近傍に配置されている。また、前記放射線検出部
５からの出力信号Siの温度特性は、その放射線検
出器に固有のものであるから、その変曲点Ｐに相
当する温度、ならびに、その上下の温度範囲にお
ける正の温度特性および負の温度特性の係数が予
め測定により求められており、その測定結果に基
いて、図示はしていないが例えば入力抵抗R1，
R1′または感温素子RT，RT′に直列または並列に
可変抵抗を入れるなどして、前記両温度補償回路
部１，２の特性が前記正の温度特性および負の温
度特性を補償し得る負の温度特性および正の温度
特性を有するように設定されていると共に、前記
切替信号発生回路部３の特性（切替信号Scを発
する温度）が設定されている。 The temperature sensing elements RT, RT', and Th are arranged in the vicinity of the radiation detection section 5 so as to detect the ambient temperature thereof. Furthermore, since the temperature characteristics of the output signal Si from the radiation detection unit 5 are unique to the radiation detector, the temperature corresponding to the inflection point P and the positive temperature in the temperature range above and below the inflection point P The characteristics and the coefficient of the negative temperature characteristic are determined in advance by measurement, and based on the measurement results, for example, the input resistance R 1 ,
By inserting a variable resistor in series or in parallel with R1 ' or the temperature sensing elements RT, RT', the characteristics of both temperature compensation circuit sections 1 and 2 can compensate for the positive temperature characteristic and the negative temperature characteristic. It is set to have negative temperature characteristics and positive temperature characteristics, and the characteristics of the switching signal generation circuit section 3 (temperature at which the switching signal Sc is generated) are set.
上記のように構成された放射線検出器用の温度
補償回路によれば、切替信号発生回路部３が放射
線検出部５からの出力信号Siの変曲点Ｐに相当す
る温度で切替信号Scを発して、接続切替回路部
４，４が切り換えられることにより、その出力信
号Siは第１温度補償回路部１または第２温度補償
回路部２へ適宜選択的に切替供給されることにな
り、従つて、変曲点Ｐに相当する温度の上下温度
範囲の全てにおいて、その出力信号Siに対する温
度補償を最終的にかつ精度良く行うことができる
のである。 According to the temperature compensation circuit for a radiation detector configured as described above, the switching signal generation circuit section 3 emits the switching signal Sc at a temperature corresponding to the inflection point P of the output signal Si from the radiation detection section 5. By switching the connection switching circuit sections 4, 4, the output signal Si is selectively supplied to the first temperature compensation circuit section 1 or the second temperature compensation circuit section 2 as appropriate. In the entire temperature range above and below the temperature corresponding to the inflection point P, the temperature compensation for the output signal Si can be finally and accurately performed.
ところで、上記第３図に示した基本的実施例の
構成はごく原理的なものであつて、従つて、その
構成部品を比較的多数必要とする。そこで、前記
第１および第２温度補償回路部１，２において用
いられている演算増幅器A1，A2を共用すること
によつて必要部品点数の削減を図る工夫をしたも
のが第４図に示す構成の回路である。この第４図
においてＡがその共用演算増幅器である。そし
て、この第４図に示した構成の回路を実際の放射
線検出器に組み込んだ場合の具体的回路を第５図
に示している。 By the way, the configuration of the basic embodiment shown in FIG. 3 is very basic, and therefore requires a relatively large number of components. Therefore, the circuit shown in FIG. 4 is designed to reduce the number of necessary parts by sharing the operational amplifiers A 1 and A 2 used in the first and second temperature compensation circuit sections 1 and 2. This is a circuit with the configuration shown. In FIG. 4, A is the shared operational amplifier. FIG. 5 shows a specific circuit in which the circuit having the configuration shown in FIG. 4 is incorporated into an actual radiation detector.
即ち、同第５図において、６は放射線検出部５
の出力部としての高速電流／電圧変換回路であ
る。また、切替信号発生回路部３は、サーミスタ
Thと比較器A4、および、放射線検出部５からの
出力信号Siの変曲点Ｐに相当する温度に対応する
電圧を発生する基準電圧Ｅとから成り、前記比較
器A4は、次に説明する接続切替回路部４へ供給
すべき切替信号Scとして、サーミスタThにより
検出される温度が出力信号Siの変曲点Ｐに相当す
る温度よりも低いときには正の出力を、高いとき
には零の出力を発するように構成されている。そ
して、接続切替回路部４は、トランジスタTr1，
Tr2，Tr3，Tr4とインバータINとから成つてお
り、前記比較器A4が切替信号Scとして正の出力
を発したときには、トランジスタTr1，Tr3が導
通駆動されるので、感温素子RTが共用演算増幅
器Ａに接続されて、第１温度補償回路部１として
動作する状態になり、これによつて、正の温度特
性を有する出力信号Si（変曲点Ｐに相当する温度
よりも低い場合の出力信号Si）に対する温度補償
が行われる。一方、前記比較器A4が切替信号Sc
として零の出力を発したときには、トランジスタ
Tr1，Tr3が導通駆動されるので、感温素子
RT′が共用演算増幅器Ａに接続されて、第２温度
補償回路部２として動作する状態になり、これに
よつて、負の温度特性を有する出力信号Si（変曲
点Ｐに相当する温度よりも高い場合の出力信号
Si）に対する温度補償が行われる。なお、図中、
７は、第１および第２温度補償回路１，２の後段
に設けられたケーブルドライブ回路である。その
他の構成ならびに作用等については、前述した実
施例のものと基本的に同様であるから、同じ機能
を有する部材には同じ参照符号を付すことによ
り、その説明は省略する。 That is, in FIG. 5, 6 is the radiation detection section 5.
This is a high-speed current/voltage conversion circuit as the output section of the Further, the switching signal generation circuit section 3 includes a thermistor
Th, a comparator A 4 , and a reference voltage E that generates a voltage corresponding to the temperature corresponding to the inflection point P of the output signal Si from the radiation detection section 5 . As the switching signal Sc to be supplied to the connection switching circuit section 4 to be described, a positive output is given when the temperature detected by the thermistor Th is lower than the temperature corresponding to the inflection point P of the output signal Si, and a zero output when it is higher. is configured to emit. The connection switching circuit section 4 includes transistors Tr 1 ,
It consists of Tr 2 , Tr 3 , Tr 4 and an inverter IN, and when the comparator A 4 issues a positive output as the switching signal Sc, the transistors Tr 1 and Tr 3 are driven into conduction, so the temperature sensing The element RT is connected to the shared operational amplifier A and becomes operational as the first temperature compensation circuit section 1, whereby the output signal Si having a positive temperature characteristic (lower than the temperature corresponding to the inflection point P) Temperature compensation is performed for the output signal Si) when the temperature is also low. On the other hand, the comparator A4 receives the switching signal Sc
When the output is zero, the transistor
Since Tr 1 and Tr 3 are driven to conduction, the temperature sensing element
RT' is connected to the shared operational amplifier A and becomes operational as the second temperature compensation circuit section 2, thereby producing an output signal Si having negative temperature characteristics (below the temperature corresponding to the inflection point P). Output signal when also high
Temperature compensation for Si) is performed. In addition, in the figure,
7 is a cable drive circuit provided after the first and second temperature compensation circuits 1 and 2. Other configurations, functions, etc. are basically the same as those of the above-described embodiments, so members having the same functions are given the same reference numerals and their explanations will be omitted.
ところで、上記した何れの実施例においても、
前記第１および第２温度補償回路１，２を構成す
るに、放射線検出部５からの出力信号Siの温度特
性とは逆に温度特性を有する補償信号を生成する
と共に、その補償信号を出力信号Siに乗算するこ
とにより温度補償を行うようにしたものを示した
が、出力信号Siの温度特性とは同じ温度特性を有
する補償組号を生成すると共に、その補償信号で
出力信号Siを除算することにより温度補償を行う
ように構成してもよい。更に、第１および第２温
度補償回路１，２の何れか一方を前記乗算方式で
構成し、他方を前記除算方式で構成すれば、両温
度補償回路１，２に必要な感温素子として、何れ
にも、正または負の何れか一方の特性を有するも
ののみを用いることができ、従つて、その場合に
は、一つの感温素子を両温度補償回路１，２で共
用することも可能になる。 By the way, in any of the above embodiments,
The first and second temperature compensation circuits 1 and 2 are configured to generate a compensation signal having a temperature characteristic opposite to that of the output signal Si from the radiation detection section 5, and to convert the compensation signal into an output signal. In the example shown above, temperature compensation is performed by multiplying Si. However, a compensation combination code having the same temperature characteristics as that of the output signal Si is generated, and the output signal Si is divided by the compensation signal. It may also be configured to perform temperature compensation. Furthermore, if one of the first and second temperature compensation circuits 1 and 2 is configured using the multiplication method and the other is configured using the division method, the temperature sensing element necessary for both temperature compensation circuits 1 and 2 can be obtained. In either case, only those having either positive or negative characteristics can be used, and in that case, it is also possible to share one temperature sensing element with both temperature compensation circuits 1 and 2. become.
また、上記した何れの実施例においても、NaI
（Tl）シンチレーターを用いた放射線検出器に対
して本発明を適用した場合について説明したが、
半導体検出器等を用いた放射線検出器に対しても
本発明を適用できることは言うまでもない。 In addition, in any of the above embodiments, NaI
The case where the present invention is applied to a radiation detector using a (Tl) scintillator has been explained;
It goes without saying that the present invention can also be applied to radiation detectors using semiconductor detectors or the like.
以上詳述したところから明らかなように、本発
明に係る放射線検出器用の温度補償回路によれ
ば、如何なる温度―出力特性を有する放射線検出
器に対しても、十分に広い温度範囲において、し
かも、従来手段を用いる場合に比べて格段に精度
の良い温度補償を行うことができる、という優れ
た効果が発揮されるに至つた。
As is clear from the detailed description above, the temperature compensation circuit for a radiation detector according to the present invention can be used in a sufficiently wide temperature range for a radiation detector having any temperature-output characteristics, and in addition, An excellent effect has been achieved in that temperature compensation can be performed with much higher precision than when using conventional means.
第１図は、従来考えられていた放射線検出器の
温度補償を行わない場合における温度―出力特性
を示す図であり、第２図は本発明者らが知見する
に至つた同条件における温度―出力特性を示す図
である。そして、第３図ないし第５図が、本発明
に係る放射線検出器用の温度補償回路の具体的実
施例を示し、第３図は基本的実施例の全体概略回
路構成図であり、第４図は別実施例の要部概略回
路構成図、第５図はその全体詳細回路構成図であ
る。
１……第１温度補償回路部、２……第２温度補
償回路部、３……切替信号発生回路部、４……接
続切替回路部、５……放射線検出部、Ｐ……出力
信号Siにおける変曲点、Si……放射線検出部５か
らの出力信号。
FIG. 1 is a diagram showing the temperature vs. output characteristics in the case of not performing temperature compensation of a radiation detector as conventionally considered, and FIG. 2 is a diagram showing the temperature vs. output characteristics under the same conditions as discovered by the present inventors. FIG. 3 is a diagram showing output characteristics. 3 to 5 show a specific embodiment of the temperature compensation circuit for a radiation detector according to the present invention, FIG. 3 is an overall schematic circuit configuration diagram of a basic embodiment, and FIG. 5 is a schematic circuit diagram of a main part of another embodiment, and FIG. 5 is a detailed circuit diagram of the entire circuit. DESCRIPTION OF SYMBOLS 1... First temperature compensation circuit section, 2... Second temperature compensation circuit section, 3... Switching signal generation circuit section, 4... Connection switching circuit section, 5... Radiation detection section, P... Output signal Si An inflection point, Si...output signal from the radiation detection section 5.
Claims (1)
からの出力信号のうちの正の温度特性をもつ信号
に対する温度補償を行うための第１温度補償回路
部と、その放射線検出部からの出力信号のうちの
負の温度特性をもつ信号に対する温度補償を行う
ための第２の温度補償回路部とを設けると共に、
前記放射線検出部からの出力信号が正の温度特性
から負の温度特性へ変化する変曲点に相当する温
度で切替信号を発する切替信号発生回路部を設
け、かつ、前記切替信号発生回路部による切替信
号によつて前記放射線検出部からの出力信号を前
記第１補償回路部と第２温度補償回路部とに選択
的に供給するための接続切替回路部を設けてある
ことを特徴とする放射線検出器用の温度補償回
路。1. At the output stage of the radiation detector, a first temperature compensation circuit section for performing temperature compensation for a signal with positive temperature characteristics among the output signals from the radiation detection section, and an output signal from the radiation detection section. a second temperature compensation circuit section for performing temperature compensation for a signal having a negative temperature characteristic;
A switching signal generation circuit unit is provided that generates a switching signal at a temperature corresponding to an inflection point at which the output signal from the radiation detection unit changes from a positive temperature characteristic to a negative temperature characteristic, and the switching signal generation circuit unit A radiation source characterized in that a connection switching circuit unit is provided for selectively supplying an output signal from the radiation detection unit to the first compensation circuit unit and the second temperature compensation circuit unit by a switching signal. Temperature compensation circuit for the detector.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6649782A JPS58184565A (en) | 1982-04-21 | 1982-04-21 | Radiation detector |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6649782A JPS58184565A (en) | 1982-04-21 | 1982-04-21 | Radiation detector |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58184565A JPS58184565A (en) | 1983-10-28 |
| JPS6341499B2 true JPS6341499B2 (en) | 1988-08-17 |
Family
ID=13317504
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6649782A Granted JPS58184565A (en) | 1982-04-21 | 1982-04-21 | Radiation detector |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58184565A (en) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH06138236A (en) * | 1992-10-27 | 1994-05-20 | Toshiba Glass Co Ltd | Glass dosimeter |
| JP4540301B2 (en) * | 2003-05-20 | 2010-09-08 | 三菱電機株式会社 | Radiation monitor |
| CN102365562B (en) * | 2009-03-26 | 2014-07-16 | 皇家飞利浦电子股份有限公司 | Data acquisition |
| JP6034141B2 (en) * | 2012-11-02 | 2016-11-30 | 浜松ホトニクス株式会社 | Radiation detector |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5550178A (en) * | 1978-10-06 | 1980-04-11 | Oyo Koken Kogyo Kk | Scintillation detector |
| JPS55142261A (en) * | 1979-04-24 | 1980-11-06 | Fuji Electric Co Ltd | Scintillation counter |
-
1982
- 1982-04-21 JP JP6649782A patent/JPS58184565A/en active Granted
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5550178A (en) * | 1978-10-06 | 1980-04-11 | Oyo Koken Kogyo Kk | Scintillation detector |
| JPS55142261A (en) * | 1979-04-24 | 1980-11-06 | Fuji Electric Co Ltd | Scintillation counter |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS58184565A (en) | 1983-10-28 |
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