JPS6337545A - Cathode-ray tube - Google Patents
Cathode-ray tubeInfo
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Abstract
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は静電集束・静電偏向型の撮像管に適用して好適
な陰極線管に関する。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Field of Industrial Application] The present invention relates to a cathode ray tube suitable for application to an electrostatic focusing/electrostatic deflection type image pickup tube.
従来、公知の静電集束・静電偏向型撮像管として特開昭
60−240032号公報および特開昭60−4735
1号公報に開示されているごとく第1図および第3図に
示すようなタイプがある。第1図と第3図の共通部分に
は同一符号を付している。Conventionally, known electrostatic focusing/electrostatic deflection type image pickup tubes are disclosed in JP-A-60-240032 and JP-A-60-4735.
As disclosed in Publication No. 1, there are types shown in FIGS. 1 and 3. Common parts between FIG. 1 and FIG. 3 are given the same reference numerals.
第3図において、1はガラスバルブ、2はフェースプレ
ート、3は光導電膜面(ターゲツト面)。In FIG. 3, 1 is a glass bulb, 2 is a face plate, and 3 is a photoconductive film surface (target surface).
5はインジウムリングである。また、4はフェースプレ
ート2を貫通して光導電膜面3に接触するようになされ
ている信号取出用電極である。K。5 is an indium ring. Reference numeral 4 denotes a signal extraction electrode which penetrates the face plate 2 and comes into contact with the photoconductive film surface 3. K.
Gs及びG2はそれぞれ電子銃を構成するカソード、第
1グリツド電極及び第2グリツド電極で、K + G
1 t G 2で電子ビームの発生部である電子銃部を
構成する。ダイオードガンの電子銃ではG1電極が存在
せず、G2電極の正の電圧によりカソードKから電子ビ
ームが放出される。また、BDはG2’W1極上のビー
ム制限開孔である。G3゜G4.G5及びGoはそれぞ
れ第3.第4.第5グリツド電棒及び第6グリツド電極
で、それぞれガラスバルブ1の内壁にクロム、アルミニ
ウム等の金属が蒸着あるいはメツキされた後、例えばレ
ーザーカッティングあるいはフォトエツチング等により
所定パターンに形成される。これらの電極の展開図は第
4図に示される。G4電極は例えば4つの電極H+・H
−、V+、 ■−が交互に配されたカーブドアローパタ
ーンとされる。G8はメツシュ状の第6グリツド電極で
あり、インジウムリング5を介して所定電圧が印加され
る。Gs and G2 are a cathode, a first grid electrode, and a second grid electrode, respectively, which constitute an electron gun, and K + G
1 t G 2 constitutes an electron gun section which is an electron beam generating section. In the electron gun of the diode gun, there is no G1 electrode, and an electron beam is emitted from the cathode K due to the positive voltage of the G2 electrode. Further, BD is a beam limiting aperture above G2'W1. G3゜G4. G5 and Go are the 3rd. 4th. After metals such as chromium and aluminum are vapor-deposited or plated on the inner wall of the glass bulb 1 using the fifth grid electrode and the sixth grid electrode, they are formed into a predetermined pattern by, for example, laser cutting or photo-etching. A developed view of these electrodes is shown in FIG. G4 electrode is, for example, four electrodes H+/H
It has a curved arrow pattern in which -, V+, and - are arranged alternately. G8 is a mesh-like sixth grid electrode, to which a predetermined voltage is applied via the indium ring 5.
電極Gs 、Ga 、Gaにより静電集束レンズが形成
されるとともに、G4は偏向兼用の電極でもある。また
、電極G6と電極G6により偏向された電子ビームをほ
ぼ垂直に光導電膜面ヘランディングさせるような静電レ
ンズ(コリメーションレンズ)を形成する。The electrodes Gs, Ga, and Ga form an electrostatic focusing lens, and G4 also serves as a deflection electrode. Further, an electrostatic lens (collimation lens) is formed to allow the electron beam deflected by the electrode G6 to land substantially perpendicularly to the photoconductive film surface.
第1図に示したタイプは第3図に示したタイプよりも電
極が1つ少なく、G5がメツシュ状の第5グリツド電極
になっている。この電極G+sには、インジウムリング
5を介して所定電圧を印加するようにしている。電極の
展開図は第2図に示される。The type shown in FIG. 1 has one less electrode than the type shown in FIG. 3, and G5 is a mesh-like fifth grid electrode. A predetermined voltage is applied to this electrode G+s via an indium ring 5. A developed view of the electrode is shown in FIG.
電極Ga 、Gaにより静電集束レンズが形成され、電
極G4は偏向兼用の電極でもある。The electrodes Ga and Ga form an electrostatic focusing lens, and the electrode G4 also serves as a deflection electrode.
第3図例においては、電tiiGδに所定電圧を印加す
るため、特開昭60−47351号公報に開示されてい
るように、電極Gδに対応するガラスバルブに穴を開け
6で示したごとく金属ピンを半田付けし、あるいは導電
フリットを設け、これら金属ピンあるいは導電フリット
を介して印加するようにしている。あるいは、ガラスバ
ルブの端部にフリットシールし1表面に導電性部分を形
成したセラミックリングを接続し、このセラミックリン
グを介して印加するようにしている。従来、これらの方
法では気密性保持が問題となる。また、作業が複雑であ
り、製造性が悪く、強度面での問題もある。さらに管壁
横側から電極G5への電圧を供給しなければならなくな
り、撮像管アセンブリ構造が複雑となる欠点がある。In the example of FIG. 3, in order to apply a predetermined voltage to the electrode tiiGδ, a hole is made in the glass bulb corresponding to the electrode Gδ as shown in 6, as disclosed in Japanese Patent Application Laid-Open No. 60-47351. Pins are soldered or conductive frits are provided, and the voltage is applied through these metal pins or conductive frits. Alternatively, a ceramic ring with a frit seal and a conductive portion formed on one surface is connected to the end of the glass bulb, and the voltage is applied through this ceramic ring. Conventionally, in these methods, maintaining airtightness has been a problem. In addition, the work is complicated, the manufacturability is poor, and there are problems in terms of strength. Furthermore, it is necessary to supply voltage to the electrode G5 from the side of the tube wall, which has the disadvantage of complicating the structure of the image pickup tube assembly.
これに対して、第1図に示したタイプでは、第3図に示
したタイプにおいて電極Gaを無くした構造になってお
り上記の問題は解消される。On the other hand, the type shown in FIG. 1 has a structure in which the electrode Ga is eliminated from the type shown in FIG. 3, and the above problem is solved.
しかしながら、第1図に示したタイプでは第3図に示し
たタイプと異なり、偏向電極がコリメーションレンズの
一部を成すことになるため偏向特性(収差、ランディン
グエラー)の劣化が大きいという欠点があった。However, unlike the type shown in Fig. 3, the type shown in Fig. 1 has the disadvantage that the deflection characteristics (aberration, landing error) are significantly degraded because the deflection electrode forms part of the collimation lens. Ta.
本発明の目的は、第1図に示したタイプで上記欠点を無
くした構造寸法を与えることにある。The object of the invention is to provide a structural dimension of the type shown in FIG. 1 which eliminates the above-mentioned disadvantages.
上記目的は、第1及び第2電極G4 、Gsのうち電子
ビームの偏向を行う第1の電極G4の軸方向長さをこの
第1電極内直径の0.81〜1.26倍とし、第2電極
G11の軸方向長さを上記第1電極G4の軸方向長さの
0.11〜0.21倍とすることにより達成される。The above purpose is to set the axial length of the first electrode G4 which deflects the electron beam among the first and second electrodes G4 and Gs to be 0.81 to 1.26 times the inner diameter of the first electrode, and This is achieved by making the axial length of the two electrodes G11 0.11 to 0.21 times the axial length of the first electrode G4.
第1図に示したタイプでは、電極04は静電集束レンズ
を形成する集束電極であるとともに偏向11!極でもあ
る。しかも電極G8とともに偏向された電子ビームをほ
ぼ垂直に光導電膜面ヘランデイングさせるような静電レ
ンズ(コリメーションレンズ)を形成する。電子ビーム
を偏向したときのコリメーションレンズの強度と偏向が
開始する位置とは1対1対応するので、偏向量(スキャ
ンサイズ)は電極内直径に対応していることから、電極
内直径と偏向電極(電極G4)の長さとの関係およびコ
リメーションレンズを形成する電極G4と電極GIsの
長さの関係は一義的に定まってしまう。In the type shown in FIG. 1, electrode 04 is a focusing electrode forming an electrostatic focusing lens and deflection 11! It is also extreme. Moreover, an electrostatic lens (collimation lens) is formed together with the electrode G8 to cause the deflected electron beam to land almost vertically on the photoconductive film surface. There is a one-to-one correspondence between the strength of the collimation lens when deflecting the electron beam and the position where the deflection starts, so the amount of deflection (scan size) corresponds to the inner diameter of the electrode, so the inner diameter of the electrode and the deflection electrode The relationship between the length of the electrode G4 and the length of the electrode G4 and the electrode GIs forming the collimation lens are uniquely determined.
故に、第1図のタイプの電極G4と電極G3の長さを最
適化することによって、ランディングエラーがなくしか
も収差の小さい構造の簡単な撮像管を得ることができる
。Therefore, by optimizing the lengths of the electrode G4 and the electrode G3 of the type shown in FIG. 1, it is possible to obtain a simple imaging tube with no landing error and small aberrations.
以下、本発明の一実施例を第5図により説明する。第5
図は第1図に示したタイプの電極をモデル化したもので
ある0通常1#管では電極G4の内直径φは約24mm
であり、動作電圧はダイオードガンの電子銃の場合、電
極G2の電圧が20V。An embodiment of the present invention will be described below with reference to FIG. Fifth
The figure is a model of the type of electrode shown in Figure 1.0 Normally in a 1# tube, the inner diameter φ of electrode G4 is approximately 24 mm.
In the case of a diode gun electron gun, the operating voltage is 20V at the electrode G2.
電極G8の電圧が800■、電極G4には直流の集束電
圧および偏向電圧が印加され、電極G5の電圧が5oo
vである。また光導電膜面には50■が印加される。ま
た電極G3の長さ12asはnas/φ=1.25
とした、第5図において電極Gaの長さΩG4と電極G
ISの長さQaaをパラメータとしたときの電子ビーム
を画面対角に偏向したときのランディング特性を示した
ものが第6図である。The voltage of electrode G8 is 800 mm, the DC focusing voltage and deflection voltage are applied to electrode G4, and the voltage of electrode G5 is 50 mm.
It is v. Further, a voltage of 50 μm is applied to the surface of the photoconductive film. Also, the length 12as of the electrode G3 is nas/φ=1.25
In Fig. 5, the length ΩG4 of the electrode Ga and the electrode G
FIG. 6 shows the landing characteristics when the electron beam is deflected diagonally to the screen when the IS length Qaa is used as a parameter.
QcaおよびΩG8は電極G4の内直径φで規格化して
いる0図からΩG4を長くする程、電子ビームのランデ
ィングをとる(電極GI5への電子ビームの入射角を零
にする)ためには、fia+sを長くする必要があるこ
とが分る。Qca and ΩG8 are normalized by the inner diameter φ of the electrode G4. The longer ΩG4 is, the more fia+s is required in order to make the landing of the electron beam (to make the incident angle of the electron beam on the electrode GI5 zero). It turns out that it is necessary to make it longer.
第7図はQcaを調整しその都度電子ビームのランディ
ングをとった(電極Gsへの電子ビームの入射角を零に
した)ときの電極G4の長さΩG4と電子ビームを画面
対角に偏向したときの収差を示したものである0例えば
1#管では収差は20μm以下であることが望ましい、
電子ビームのランディングをとった状態でこの条件を満
足させるQa番
ためには電極G4の長さΩG4を□=0.81〜φ
1.26 とする必要があることが分る。また、電子ビ
ームの電極66への入射角は一2″〜2°まで許容でき
る。第8図は電極G6への入射角がそれぞれ一2°、0
°、2°の場合のΩG4とQ 05/Qa4の関係を示
したものである0図から1104にはよらずに電極G3
へのビーム入射角を一定の値にするためにはΩG4とQ
aaとの比をほぼ一定の値にすれば良いことが分る。ビ
ームのランディングがとれる条件(電極G5へのビーム
入射角O°)はQ a11/ΩG4を約0.15 とす
る必要があることが分る。また上記の許容範囲からQo
a/Q04は0.11〜0.21 の間に設定すること
が望ましい。Figure 7 shows the length ΩG4 of the electrode G4 and the deflection of the electron beam diagonally to the screen when Qca is adjusted and the electron beam is landed each time (the angle of incidence of the electron beam on the electrode Gs is zero). For example, in a 1# tube, it is desirable that the aberration is 20 μm or less.
It can be seen that in order to satisfy this condition Qa with the electron beam landing, it is necessary to set the length ΩG4 of the electrode G4 to □=0.81 to φ 1.26. Further, the incident angle of the electron beam on the electrode 66 is permissible from 12" to 2°. In FIG. 8, the incident angle on the electrode G6 is 12" and 0.
From figure 0, which shows the relationship between ΩG4 and Q05/Qa4 in the case of
In order to keep the beam incidence angle to a constant value, ΩG4 and Q
It can be seen that it is sufficient to keep the ratio to aa at a substantially constant value. It can be seen that the condition for beam landing (beam incident angle 0° to electrode G5) is that Q a11/ΩG4 must be approximately 0.15. Also, from the above tolerance range, Qo
It is desirable to set a/Q04 between 0.11 and 0.21.
また、第9図に電極G3の長さllogを変化したとき
の電子ビームのランディング特性を示した。Further, FIG. 9 shows the landing characteristics of the electron beam when the length llog of the electrode G3 is changed.
このとき12a4/φ= 1 、19 、 QaII
/ Qca=0.18としている。図からQasによっ
てはビームのランディング特性はほとんど変化しないこ
とが分る。At this time, 12a4/φ= 1, 19, QaII
/Qca=0.18. It can be seen from the figure that the beam landing characteristics hardly change depending on Qas.
従って、収差の大きさからΩG3を適当な値に設定する
ことが望ましい。Therefore, it is desirable to set ΩG3 to an appropriate value based on the magnitude of the aberration.
ちなみにQOaおよびflar+を最適化した(Qaa
/φ =1.1 9. ucs/uca=0.1 8
. nos/ φ は1.25 とした)ときの第
1図のタイプと従来の第3図のタイプとの特性を比較し
たものが第1表である。By the way, QOa and flar+ have been optimized (Qaa
/φ =1.1 9. ucs/uca=0.1 8
.. Table 1 compares the characteristics of the type shown in FIG. 1 and the conventional type shown in FIG. 3 when nos/φ is 1.25.
第1表
ここに示したようにΩG4およびflGIsを適正化す
ることによりランディングエラーが無くしかも収差を小
さくでき、さらにその上第3図に示したタイプに比べて
像倍率を非常に小さくできるため特性の優れた撮像管を
得ることができる。Table 1 As shown here, by optimizing ΩG4 and flGIs, it is possible to eliminate landing errors and reduce aberrations, and furthermore, it is possible to make the image magnification much smaller than the type shown in Figure 3. An excellent imaging tube can be obtained.
以上述べてきたごとく、第1図のタイプにおいて電極G
4の長さΩG4と電極G6の長さΩGIIt&最適な長
さに規定することによりランディングエラーがなく、し
かも収差の小さい撮像管を得ることができる。さらに従
来の第3図に示したタイプより構造が簡単になる(電極
の数が1枚少ない)ため、電極に管壁横側から電圧を供
給する必要が全くなくなる。As mentioned above, in the type shown in Figure 1, the electrode G
By specifying the length ΩG4 of the electrode G4 and the length ΩGIIt of the electrode G6 to the optimum length, it is possible to obtain an image pickup tube that is free from landing errors and has small aberrations. Furthermore, since the structure is simpler than the conventional type shown in FIG. 3 (the number of electrodes is one less), there is no need to supply voltage to the electrodes from the side of the tube wall.
第1図および第2図は本発明を適用した撮像管6図、第
7図、第8図及び第9図は本発明を適用した撮像管の特
性を示す図である。
1・・・ガラスバルブ、2・・・フェースプレート、3
・・・光導電膜面(ターゲツト面)、ΩG8・・・電極
Gδの長さ、ΩG4・・・電極G4の長さ、Qo+s・
・・電極G6の不 3 邑
第 4 図
G6 す6フ゛ソヅに電子セ
篤 6 図
第7図
44/p
第3図
ノロt/fFIGS. 1 and 2 are diagrams showing characteristics of an image pickup tube to which the present invention is applied, and FIGS. 7, 8, and 9 are diagrams showing characteristics of an image pickup tube to which the present invention is applied. 1...Glass bulb, 2...Face plate, 3
...Photoconductive film surface (target surface), ΩG8...Length of electrode Gδ, ΩG4...Length of electrode G4, Qo+s・
...Electronic connection to electrode G6 3 Figure G6 6 Figure 7 Figure 44/p Figure 3 Noro t/f
Claims (1)
れた円筒状の第1及び第2の電極とを備え、上記第1の
電極は電子ビームの偏向を行う偏向電極であり、上記第
1の電極の軸方向長さは、上記第1の電極の内直径の0
.81倍から1.26倍までの範囲であり、上記第2の
電極の軸方向長さは、上記第1の電極の軸方向長さの0
.11倍から0.21倍までであることを特徴とする陰
極線管。1. The first and second cylindrical electrodes are provided in order from the electron gun side along the electron beam path, the first electrode is a deflection electrode for deflecting the electron beam, and the first electrode is a deflection electrode that deflects the electron beam; The axial length of the first electrode is 0 of the inner diameter of the first electrode.
.. The range is from 81 times to 1.26 times, and the axial length of the second electrode is 0 times the axial length of the first electrode.
.. A cathode ray tube characterized by a magnification of 11 times to 0.21 times.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP17992386A JPS6337545A (en) | 1986-08-01 | 1986-08-01 | Cathode-ray tube |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP17992386A JPS6337545A (en) | 1986-08-01 | 1986-08-01 | Cathode-ray tube |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
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JPS6337545A true JPS6337545A (en) | 1988-02-18 |
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Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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JP17992386A Pending JPS6337545A (en) | 1986-08-01 | 1986-08-01 | Cathode-ray tube |
Country Status (1)
Country | Link |
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JP (1) | JPS6337545A (en) |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6049542A (en) * | 1983-08-29 | 1985-03-18 | Sony Corp | Cathode-ray tube |
-
1986
- 1986-08-01 JP JP17992386A patent/JPS6337545A/en active Pending
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6049542A (en) * | 1983-08-29 | 1985-03-18 | Sony Corp | Cathode-ray tube |
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