JPS6335582A - 3−(1−置換−ピリジニオ)チオメチル−δ↑3−セフエム−4−カルボキシレ−ト誘導体の製造法 - Google Patents
3−(1−置換−ピリジニオ)チオメチル−δ↑3−セフエム−4−カルボキシレ−ト誘導体の製造法Info
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- JPS6335582A JPS6335582A JP18057086A JP18057086A JPS6335582A JP S6335582 A JPS6335582 A JP S6335582A JP 18057086 A JP18057086 A JP 18057086A JP 18057086 A JP18057086 A JP 18057086A JP S6335582 A JPS6335582 A JP S6335582A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【発明の詳細な説明】
(産業上の利用分野)
本発明は、広範囲な抗菌スペクトルを有する新規なセフ
ァロスポリン化合物またはその塩の製造法に関する。
ァロスポリン化合物またはその塩の製造法に関する。
(発明の解決手段)
さらに詳しく言えば1本発明は、一般式%式%
(式中 R1は低級アルキル基。
R2は水素原子またはアミン基の保護基。
R3は水素原子、カルボキシ基の保護
基またはアニオン。
R4は低級アルキル基
を夫々表わす。)
で示される1−オキソ−3,7−ジ置換−Δ3−セフェ
ムー4−カルボン酸誘導体またはその塩を還元剤で処理
し、生成物が保護基を有しているときは、ついで保護基
を除去することを特徴とする一般式 (式中、R1およびR4は前記と同じ意味を表わす。)
で示される新規セファロスポリン化合物またはその塩の
製造法に関する。
ムー4−カルボン酸誘導体またはその塩を還元剤で処理
し、生成物が保護基を有しているときは、ついで保護基
を除去することを特徴とする一般式 (式中、R1およびR4は前記と同じ意味を表わす。)
で示される新規セファロスポリン化合物またはその塩の
製造法に関する。
(発明の詳細な説明)
上記原料化合物(1,)および目的化合物(II)の一
般式において R1およびR4の低級アルキル基は、炭
素数が1乃至5個の直鎖または分枝状の炭素鎖を意味し
9代表的なものは、メチル基。
般式において R1およびR4の低級アルキル基は、炭
素数が1乃至5個の直鎖または分枝状の炭素鎖を意味し
9代表的なものは、メチル基。
エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、ペ
ンチル基である。カルボキシ基の保護基としては、この
分野において通常用いられる保護基9例えばトリメチル
シリル基などのトリ(低級)アルキルシリル基、ベンズ
ヒドリル基。
ンチル基である。カルボキシ基の保護基としては、この
分野において通常用いられる保護基9例えばトリメチル
シリル基などのトリ(低級)アルキルシリル基、ベンズ
ヒドリル基。
β−メチルスルホニルエチル基、フェナシル基。
p−メトキシベンジル基+ tert−ブチルTs、
p−二トロベンジル基など、緩和な条件下に容易に脱離
させることができるカルボキシ基の保護基が挙げられる
。
p−二トロベンジル基など、緩和な条件下に容易に脱離
させることができるカルボキシ基の保護基が挙げられる
。
また、アミン基の保護基としては、当該ペプチド化学の
分野において、緩和な条件下に容易に除去できる保護基
を意味する。具体的には例えばトリメチルシリル基など
のトリ(低級)アルキルシリル基、ホルミル基、アセチ
ル基、プロピオニル基、 tert−ブトキシカルボ
ニル基。
分野において、緩和な条件下に容易に除去できる保護基
を意味する。具体的には例えばトリメチルシリル基など
のトリ(低級)アルキルシリル基、ホルミル基、アセチ
ル基、プロピオニル基、 tert−ブトキシカルボ
ニル基。
メトキシアセチル基、メトキシプロピオニル基。
ベンジルオキシカルボニル基、p−ニトロベンジルオキ
シカルボニル基なとのアシル系の保護基、ベンジル基、
ベンズヒドリル基、トリチル基などのアラルキル系の保
護基などが挙げられる。
シカルボニル基なとのアシル系の保護基、ベンジル基、
ベンズヒドリル基、トリチル基などのアラルキル系の保
護基などが挙げられる。
本製造法を行5には、上記保護基で保護されているか、
保護されていない一般式(I)の化合物を、この反応に
不活性な溶媒中で還元剤で処理する。溶媒としてはアセ
トン、ジメチルホルムアミド、ジメチルアセトアミド、
アセトニトリルなどが使用される。還元剤としては、三
ハロゲン化燐、たとえば、三塩化燐、三臭化燐が用いら
れる。反応温度は、0℃以下殊に−200〜−50℃で
行うのが好ましい。
保護されていない一般式(I)の化合物を、この反応に
不活性な溶媒中で還元剤で処理する。溶媒としてはアセ
トン、ジメチルホルムアミド、ジメチルアセトアミド、
アセトニトリルなどが使用される。還元剤としては、三
ハロゲン化燐、たとえば、三塩化燐、三臭化燐が用いら
れる。反応温度は、0℃以下殊に−200〜−50℃で
行うのが好ましい。
この反応で得られた化合物より保護基を除去するには9
例えば保護基がトリ低級アルキルシリル基なと7リル系
の保護基であるときは、水で処理することKより容易に
行うことができる。
例えば保護基がトリ低級アルキルシリル基なと7リル系
の保護基であるときは、水で処理することKより容易に
行うことができる。
マタ、ベンズヒドリル基、トリチル基、 tert
−ブチル基、ホルミル基などの保護基であるときは、ギ
酸、トリフルオロ酢酸、トリフルオロ酢酸−アニノール
混液、臭化水素酸−酢酸混液、塩酸−ジオキサン混液な
どの酸で処理することにば上記製法において予じめ原料
化合物の塩を用いて製造することKより、あるいは上記
製法により製造された遊離の化合物に当分野で慣用され
ている造塩反応を適用することにより製造すって行われ
、結晶化、カラムクロマトグラフィーは、イミノエーテ
ル型のオキシムや2−置換チアゾール基を有しており、
これらの化合物には異性体や相互の互変異性体の全てを
包含するものである。
−ブチル基、ホルミル基などの保護基であるときは、ギ
酸、トリフルオロ酢酸、トリフルオロ酢酸−アニノール
混液、臭化水素酸−酢酸混液、塩酸−ジオキサン混液な
どの酸で処理することにば上記製法において予じめ原料
化合物の塩を用いて製造することKより、あるいは上記
製法により製造された遊離の化合物に当分野で慣用され
ている造塩反応を適用することにより製造すって行われ
、結晶化、カラムクロマトグラフィーは、イミノエーテ
ル型のオキシムや2−置換チアゾール基を有しており、
これらの化合物には異性体や相互の互変異性体の全てを
包含するものである。
た抗菌活性を示す。殊に、グラム陽性及び緑膿菌等の陰
性菌に属する広範な病原菌に対して優れた抗菌活性が認
められヒトを含む動物に対して極めてすぐれた感染治療
効果を有し、しかも毒性が低いことから、医薬品、殊に
抗菌剤、飼料の添加剤、保存剤などとして有用である。
性菌に属する広範な病原菌に対して優れた抗菌活性が認
められヒトを含む動物に対して極めてすぐれた感染治療
効果を有し、しかも毒性が低いことから、医薬品、殊に
抗菌剤、飼料の添加剤、保存剤などとして有用である。
表1.最少発育阻止濃度(MIC)(μg/l1t)(
実施例) つぎに、実施例を挙げて1本発明の製造法をさらに説明
する。なお、実施例で使用する化合物の製造例を参考例
として示す。
実施例) つぎに、実施例を挙げて1本発明の製造法をさらに説明
する。なお、実施例で使用する化合物の製造例を参考例
として示す。
参考例 1(a)
↑
7−アミノ−3−クロロメチル−Δ3−セフェムー4−
カルボン酸ジフェニルメチルエステル塩酸塩2.25
g、ジクロロメタン25m7.テトラヒドロフラン15
m1の懸濁液に、水冷下、攪拌しつつ、メタクoa過安
息香酸1.05g、テトラヒドロフラン5 mlの溶液
を滴下する。水冷下で1時間攪拌した後。
カルボン酸ジフェニルメチルエステル塩酸塩2.25
g、ジクロロメタン25m7.テトラヒドロフラン15
m1の懸濁液に、水冷下、攪拌しつつ、メタクoa過安
息香酸1.05g、テトラヒドロフラン5 mlの溶液
を滴下する。水冷下で1時間攪拌した後。
不溶物をヂ取、乾燥し、7−アミノ−3−クロロメチル
−1−オキソ−4−カルボン酸ジフェニルメチルエステ
ル塩酸塩2.35gを得る。
−1−オキソ−4−カルボン酸ジフェニルメチルエステ
ル塩酸塩2.35gを得る。
7.02 (I H,S、 −COOC,fij2’
z )7.20−7.70 (IOH,m、 −ph
X2)(b) 粗製、7−アミノ−3−クロロメチル−1−オキソ−Δ
3−セフヱムー4−カルボン酸ジフェニルメチルエステ
ル2.0g、 ジメチルスルホキシド10m1の溶液
て、1−アセトニル−1t−チオピリドン0.79gを
加え、室温で1時間攪拌する。イソプロパツール100
rnlを加え、生成する粉末をP取、乾燥し、7−ア
ミノ−3−(1−アセトニジ−4−ピリジニオ)チオメ
チル−1−オキソ−Δ3−セフェムー4−カルボン酸ジ
フェニルメチルエステル塩化物2.80gを粗生成物と
して得る。
z )7.20−7.70 (IOH,m、 −ph
X2)(b) 粗製、7−アミノ−3−クロロメチル−1−オキソ−Δ
3−セフヱムー4−カルボン酸ジフェニルメチルエステ
ル2.0g、 ジメチルスルホキシド10m1の溶液
て、1−アセトニル−1t−チオピリドン0.79gを
加え、室温で1時間攪拌する。イソプロパツール100
rnlを加え、生成する粉末をP取、乾燥し、7−ア
ミノ−3−(1−アセトニジ−4−ピリジニオ)チオメ
チル−1−オキソ−Δ3−セフェムー4−カルボン酸ジ
フェニルメチルエステル塩化物2.80gを粗生成物と
して得る。
NMR(DMSO−d、)δ: ppm2.32(3H
,8,−COC!(、)4.12(2H,s、 ア
) 5.76(2H,s、 シーCH2−Co−)7.0
1(IH,s、 草 ) 辻 (c) 粗製、7−アミノ−3−(1−アセトニル−4−ピリジ
ニオ)チオメチル−1−オキソ−Δ3−セフェムー4−
カルボン酸ジフェニルメチルエステル塩化物2.20
gを、ジクロロメタン15m1に懸濁させ、アニソール
6 mtを加え、−20’Cに冷却スる。トリフルオロ
酢酸12mAを加え、−20〜−15℃で1.5時間攪
拌する。反応混合物を減圧下に濃縮し。
,8,−COC!(、)4.12(2H,s、 ア
) 5.76(2H,s、 シーCH2−Co−)7.0
1(IH,s、 草 ) 辻 (c) 粗製、7−アミノ−3−(1−アセトニル−4−ピリジ
ニオ)チオメチル−1−オキソ−Δ3−セフェムー4−
カルボン酸ジフェニルメチルエステル塩化物2.20
gを、ジクロロメタン15m1に懸濁させ、アニソール
6 mtを加え、−20’Cに冷却スる。トリフルオロ
酢酸12mAを加え、−20〜−15℃で1.5時間攪
拌する。反応混合物を減圧下に濃縮し。
ヘキサン200m乙ヲ加え、デカンチーシコンし、残i
Kエーテル100 mlを加える。生成する粉末を戸カ
ルボン酸、1.60gを粗製物として得る。
Kエーテル100 mlを加える。生成する粉末を戸カ
ルボン酸、1.60gを粗製物として得る。
NMR(DMSO−d6)δ: ppm2.29(3H
,!1. −coC,!!、 )5.67 (2H,
s、 −蘂CH,CO−)粗製の7−アミノ−3−(
1−アセトニル−4−ピリジニオ)チオメチル−1−オ
キソ−4−カルボン酸1.40g、水15m1. テ
トラヒドロフラン5 mlの溶液に水冷下、炭酸水素す
) IJウム0.30 gを加えpH5,5に調整する
(A液)。(2)−α−(2−アミノ−4−チアゾリル
)−α−メトキシイミノ酢酸0.63g、1−ヒドロキ
シベンゾトリアゾール0.43 g 、 DMF 5
mlの溶液にジシクロへキシルカルボジイミド7.66
g、 THF 5 mlの溶液を加え。
,!1. −coC,!!、 )5.67 (2H,
s、 −蘂CH,CO−)粗製の7−アミノ−3−(
1−アセトニル−4−ピリジニオ)チオメチル−1−オ
キソ−4−カルボン酸1.40g、水15m1. テ
トラヒドロフラン5 mlの溶液に水冷下、炭酸水素す
) IJウム0.30 gを加えpH5,5に調整する
(A液)。(2)−α−(2−アミノ−4−チアゾリル
)−α−メトキシイミノ酢酸0.63g、1−ヒドロキ
シベンゾトリアゾール0.43 g 、 DMF 5
mlの溶液にジシクロへキシルカルボジイミド7.66
g、 THF 5 mlの溶液を加え。
室温で20分間攪拌する(B液)。A液を水冷下撹拌し
つつB液を加え、室温で2時間攪拌する。
つつB液を加え、室温で2時間攪拌する。
水15m1を加え不溶物を炉去し、B液を減圧下に濃縮
乾固する。残渣にインプロパツールを加え。
乾固する。残渣にインプロパツールを加え。
生成する粉末を戸数、乾燥し、目的物1.22g を
粗製物として得る。 粗製物1.22gを水50m4に
溶解し、ダイヤイオンI(P−20カラムクロマドグフ
イーに付す。最初水で7次いで、水、メタノールの比率
を頑次変えて溶出し、目的物を含むフラクションを集め
て濃縮、凍結乾燥して、 (z)−7−[α−(2−
アミノ−4−チアゾリル)−α−(メトキフイミノ)ア
セトアミド]−3−(1−アセトニル−4−ピリジニオ
)チオメチル−1−オキノーΔ3−セフェムー4−カル
ボキシレート0.76gを得る。
粗製物として得る。 粗製物1.22gを水50m4に
溶解し、ダイヤイオンI(P−20カラムクロマドグフ
イーに付す。最初水で7次いで、水、メタノールの比率
を頑次変えて溶出し、目的物を含むフラクションを集め
て濃縮、凍結乾燥して、 (z)−7−[α−(2−
アミノ−4−チアゾリル)−α−(メトキフイミノ)ア
セトアミド]−3−(1−アセトニル−4−ピリジニオ
)チオメチル−1−オキノーΔ3−セフェムー4−カル
ボキシレート0.76gを得る。
NMR(oMso−a6) δ: ppm2.28
(3H,3,−COCH3)3.86 (3H,S、
−N−OCA )6.84 (L H,s、
四ス) 足 実施例 1゜ (Z) −7−[α−(2−アミノ−4−チアゾリル)
−α−(メトキシイミノ)アセタミド]−3−(1−ア
セトニル−4−ピリジニオ)チオメチル−1−オキソ−
Δ3−セフェムー4−カルボキシレート116 mg
、 DMF 2.0 mlの溶液を一50℃に冷却し
、攪拌下に、三塩化リン52mtを加える。そのままの
温度で3時間攪拌し、水45m1.アセトン20 ml
を加え、析出する粉末なP取し、アセトンで洗浄した後
、乾燥する。
(3H,3,−COCH3)3.86 (3H,S、
−N−OCA )6.84 (L H,s、
四ス) 足 実施例 1゜ (Z) −7−[α−(2−アミノ−4−チアゾリル)
−α−(メトキシイミノ)アセタミド]−3−(1−ア
セトニル−4−ピリジニオ)チオメチル−1−オキソ−
Δ3−セフェムー4−カルボキシレート116 mg
、 DMF 2.0 mlの溶液を一50℃に冷却し
、攪拌下に、三塩化リン52mtを加える。そのままの
温度で3時間攪拌し、水45m1.アセトン20 ml
を加え、析出する粉末なP取し、アセトンで洗浄した後
、乾燥する。
粗製物を水40m1VC溶解し炭酸水素ナトリウムでp
H5に調整した後、ダイヤイオンHP −20カラムク
ロマトグラフイーに付す。最初水で1次いで。
H5に調整した後、ダイヤイオンHP −20カラムク
ロマトグラフイーに付す。最初水で1次いで。
水:メタノールの比率を順次変えて溶出し、目的物を含
むフラクションを集めて濃縮、凍結乾燥して(Z) −
7−[α−(2−アミノ−4−チアゾリル)−α−(メ
トキシイミノ)アセタミド]−3−(1−アセトニル−
4−ピリジニオ)チオメチル−Δ3−セフェムー4−カ
ルボキシレート39mgを得る。
むフラクションを集めて濃縮、凍結乾燥して(Z) −
7−[α−(2−アミノ−4−チアゾリル)−α−(メ
トキシイミノ)アセタミド]−3−(1−アセトニル−
4−ピリジニオ)チオメチル−Δ3−セフェムー4−カ
ルボキシレート39mgを得る。
NMR(DMSO−da ) δ: ppm2.27
(3H,s、 −CH2CCH3)3・82(3H
パ・ ゞ〜。。H3)5.04 (LH+ Lニ、
)6.74 (IH,s、草□ )(Z
) −7−[α−(2−アミノ−4−チアゾリル)−α
−(メトキシイミノ)アセトアミド]=3−(1−アセ
トニル−4−ピリジニオ)チオメチル−Δ3−セフェム
ー4−カルボキシレート300■、ギ酸2.0miメタ
ノール0.7 mlの溶液を水冷下で攪拌しつつ、メタ
クロロ過安息香酸130 ffIg。
(3H,s、 −CH2CCH3)3・82(3H
パ・ ゞ〜。。H3)5.04 (LH+ Lニ、
)6.74 (IH,s、草□ )(Z
) −7−[α−(2−アミノ−4−チアゾリル)−α
−(メトキシイミノ)アセトアミド]=3−(1−アセ
トニル−4−ピリジニオ)チオメチル−Δ3−セフェム
ー4−カルボキシレート300■、ギ酸2.0miメタ
ノール0.7 mlの溶液を水冷下で攪拌しつつ、メタ
クロロ過安息香酸130 ffIg。
THF 1.Omlの溶液を滴下する。水冷下で30分
間攪拌した後、エタノール20 mlを加える。生成す
る粉末なr取、乾燥し、目的物300111gを粗生成
物として得る。
間攪拌した後、エタノール20 mlを加える。生成す
る粉末なr取、乾燥し、目的物300111gを粗生成
物として得る。
粗製物300 mgを水40m1K溶解し、ダイヤイオ
ンHP−20カラムクロマトグラフィーに付す。最初水
で1次(・で水:メタノールの比率を順次変えて溶出し
、目的物を含むフラクションを集めて濃縮凍結乾燥し、
(Z)−7−[α−(2−アミノ−4−チアゾリル)−
α−(メトキシイミノ)アセトアミド:l−3−(1−
アセトニル−4−ピリジニオ)チオメチル−1−オキソ
−Δ3−セフェムー4−カルボキシレート194ff1
gを得る。この化合物の理化学的性状は、参考例1(d
)で得られた化合物と一致した。
ンHP−20カラムクロマトグラフィーに付す。最初水
で1次(・で水:メタノールの比率を順次変えて溶出し
、目的物を含むフラクションを集めて濃縮凍結乾燥し、
(Z)−7−[α−(2−アミノ−4−チアゾリル)−
α−(メトキシイミノ)アセトアミド:l−3−(1−
アセトニル−4−ピリジニオ)チオメチル−1−オキソ
−Δ3−セフェムー4−カルボキシレート194ff1
gを得る。この化合物の理化学的性状は、参考例1(d
)で得られた化合物と一致した。
実施例 2゜
(Z) −7−[α−(2−アミノ−4−チアゾリル)
−α−(メトキシイミノ)アセトアミド]−3−(1−
アセトニル−4−ピリジニオ)チオメチル−1−オキソ
−Δ3−セフェムー4−カルボキシレート77ff1g
のジメチルホルムアミド2 mlの溶液を一50℃に冷
却し、攪拌下に三塩化リン35μtを加える。そのまま
の温度で2時間攪拌し、水30μL、アセトン20 m
lを加え、析出する粉末なP取。
−α−(メトキシイミノ)アセトアミド]−3−(1−
アセトニル−4−ピリジニオ)チオメチル−1−オキソ
−Δ3−セフェムー4−カルボキシレート77ff1g
のジメチルホルムアミド2 mlの溶液を一50℃に冷
却し、攪拌下に三塩化リン35μtを加える。そのまま
の温度で2時間攪拌し、水30μL、アセトン20 m
lを加え、析出する粉末なP取。
乾燥し粗生成物108 mgを得る。
この粗製物90mgを水40 ml tic溶解し、炭
酸水素ナトリウムでpH5に調整した後、ダイヤイオン
HP −20カラムクロマトグラフイーに付す。最初水
で1次いで水:メタノールの比率を頴次変えて溶出し、
目的物を含むフラクションを集めて濃縮。
酸水素ナトリウムでpH5に調整した後、ダイヤイオン
HP −20カラムクロマトグラフイーに付す。最初水
で1次いで水:メタノールの比率を頴次変えて溶出し、
目的物を含むフラクションを集めて濃縮。
凍結乾燥して、(Z)−7−[α−(2−アミノ−4−
チアゾリル)−α−(メトキシイミノ)アセトアミド]
−3−(1−アセトニル−4−ピリジニオ)チオメチル
−Δ3−セフェムー4−カルボキシレート27mgを得
る。
チアゾリル)−α−(メトキシイミノ)アセトアミド]
−3−(1−アセトニル−4−ピリジニオ)チオメチル
−Δ3−セフェムー4−カルボキシレート27mgを得
る。
実施例 3゜
実施例2と同様にしてつぎの化合物を得た。
(Z) −7−[α−(2−アミノ−4−チアゾリル)
−α−(メトキシイミノ)アセトアミド]−3−[1−
(2−オキソブチル)−4−ピリジニオ]チオメチルー
Δ3−セフェム−4−カルボキシレート NMR(DMSOda ) δ : ppm 1.02(3H,t、 −CH,CCH,CHl
)2.65 (2H,q 、 CH2CC
H2CH:l )基 5.02 (IH,d、月 ) 6.71(IH,s、XWjfH) 尼 8.34(2H,a、 P、 > 冒 山之内製薬株式会社
−α−(メトキシイミノ)アセトアミド]−3−[1−
(2−オキソブチル)−4−ピリジニオ]チオメチルー
Δ3−セフェム−4−カルボキシレート NMR(DMSOda ) δ : ppm 1.02(3H,t、 −CH,CCH,CHl
)2.65 (2H,q 、 CH2CC
H2CH:l )基 5.02 (IH,d、月 ) 6.71(IH,s、XWjfH) 尼 8.34(2H,a、 P、 > 冒 山之内製薬株式会社
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼ (式中、R^1は低級アルキル基、 R^2は水素原子またはアミノ基の保護基、R^3は水
素原子、カルボキシ基の保護 基またはアニオン、 R^4は低級アルキル基 を夫々表わす。) で示される1−オキソ−3,7−ジ置換−Δ^3−セフ
ェム−4−カルボン酸誘導体またはその塩の1位のスル
ホキシドを還元し、生成物が保護基を有しているときは
、ついで保護基を除去することを特徴とする一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼ (式中、R^1およびR^4は前記と同じ意味を表わす
。)で示される3,7−ジ置換−Δ^3−セフェム−4
−カルボン酸誘導体またはその塩の製造法。 2、R^1およびR^4が共にメチル基である特許請求
の範囲第1項記載の製造法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP18057086A JPS6335582A (ja) | 1986-07-31 | 1986-07-31 | 3−(1−置換−ピリジニオ)チオメチル−δ↑3−セフエム−4−カルボキシレ−ト誘導体の製造法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP18057086A JPS6335582A (ja) | 1986-07-31 | 1986-07-31 | 3−(1−置換−ピリジニオ)チオメチル−δ↑3−セフエム−4−カルボキシレ−ト誘導体の製造法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6335582A true JPS6335582A (ja) | 1988-02-16 |
Family
ID=16085586
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP18057086A Pending JPS6335582A (ja) | 1986-07-31 | 1986-07-31 | 3−(1−置換−ピリジニオ)チオメチル−δ↑3−セフエム−4−カルボキシレ−ト誘導体の製造法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS6335582A (ja) |
-
1986
- 1986-07-31 JP JP18057086A patent/JPS6335582A/ja active Pending
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