JPS63299150A - Semiconductor device - Google Patents

Semiconductor device

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Publication number
JPS63299150A
JPS63299150A JP13431787A JP13431787A JPS63299150A JP S63299150 A JPS63299150 A JP S63299150A JP 13431787 A JP13431787 A JP 13431787A JP 13431787 A JP13431787 A JP 13431787A JP S63299150 A JPS63299150 A JP S63299150A
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JP
Japan
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silica
epoxy resin
epoxy
silicone
stress
Prior art date
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Pending
Application number
JP13431787A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Fujio Kitamura
北村 富士夫
Yoshio Yamaguchi
美穂 山口
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Nitto Denko Corp
Original Assignee
Nitto Electric Industrial Co Ltd
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Publication date
Application filed by Nitto Electric Industrial Co Ltd filed Critical Nitto Electric Industrial Co Ltd
Priority to JP13431787A priority Critical patent/JPS63299150A/en
Publication of JPS63299150A publication Critical patent/JPS63299150A/en
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  • Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
  • Epoxy Resins (AREA)
  • Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)

Abstract

PURPOSE:To perform a reduction in the stress of a sealing resin, further improving its moisture resistance and reliability, by covering the surface of silica with a covering layer mainly containing specific silicon and epoxy resin to form a silicone modified silica, and using it. CONSTITUTION:Silicone modified silica composed of epoxy resin, phenol resin, and silica, organopolysiloxane having at least one primary or secondary amino group in a molecule, and epoxy compound represented by general formula (I) or (II) is used as a material. A semiconductor element is sealed with the epoxy resin composition containing these components. Its internal stress can be reduce by this sealing, its moisture resistance can be largely improved, and reliability can be remarkably enhanced. However, in the formulas (I), (II), R1, R3 are 12 or less C alkylene group, R2 is alkyl group or aryl group, l is 0 or 1, and m, n are integers of 2 or larger.

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この発明は、借問性の優れた半導体装置に関するもので
ある。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Field of Industrial Application] The present invention relates to a semiconductor device with excellent interoperability.

〔従来の技術〕[Conventional technology]

トランジスタ、IC,LSI等の半導体素子は、通常セ
ラミックパッケージもしくはプラスチックパッケージ等
により封止され、半導体装置化されている。上記セラミ
ックパッケージは、構成材料そのものが耐熱性を有し、
耐透湿性にも優れているため、温度、湿度に対して強く
、信顧性の高い封止が可能である。しかしながら、構成
材料が比較的高価なものであることと、量産性に劣る欠
点があるため、最近では上記プラスチックパッケージを
用いた樹脂封止が主流になっている。
Semiconductor elements such as transistors, ICs, and LSIs are usually sealed with ceramic packages, plastic packages, or the like to form semiconductor devices. The above-mentioned ceramic package has heat resistance in the constituent material itself,
It also has excellent moisture permeability, so it is resistant to temperature and humidity and can be sealed with high reliability. However, since the constituent materials are relatively expensive and the mass productivity is poor, resin sealing using the above-mentioned plastic package has recently become mainstream.

この種の樹脂封止には、従来からエポキシ樹脂組成物が
使用されており、良好な成績を収めている。このような
エポキシ樹脂組成物としては、特にエポキシ樹脂と、硬
化剤としてのノボラック型フェノール樹脂と、硬化促進
剤および無機質充填剤としてのシリカ粉末等の組成系で
構成されているものが、封止作業性(特にトランスファ
ー成形作業時における成形性)等に優れているものとし
て質層されている。
Epoxy resin compositions have conventionally been used for this type of resin sealing, and have achieved good results. Such epoxy resin compositions are particularly composed of an epoxy resin, a novolac type phenol resin as a hardening agent, and silica powder as a hardening accelerator and inorganic filler. It is known for its excellent workability (especially moldability during transfer molding operations).

〔発明が解決しようとする問題点〕[Problem that the invention seeks to solve]

しかしながら、最近では、半導体分野の技術革新によっ
て集積度の向上とともに素子サイズの大形化、配線の微
細化が進み(これに伴って封止材料に対してより以上の
信頼性(得られる半導体装置の内部応力、耐湿信頼性、
耐衝撃信頼性、耐熱信頼性等)の向上が要望されており
、特に半導体封止用樹脂に対して、直接モールドしても
半導体素子に加わる応力が小さいという特性が強く要求
されている。半導体封止用樹脂としては、エポキシ樹脂
、ノボラック型フェノール樹脂、′無機質充填剤を主成
分とし、さらに硬化促進剤0着色剤。
However, in recent years, due to technological innovation in the semiconductor field, the degree of integration has increased, element sizes have become larger, and interconnections have become finer. internal stress, moisture resistance reliability,
There is a strong demand for improved reliability (shock resistance, heat resistance, etc.), and in particular, there is a strong demand for resins for semiconductor encapsulation to have a property that the stress applied to semiconductor elements is small even when directly molded. The main components of the resin for semiconductor encapsulation are epoxy resin, novolac type phenolic resin, and inorganic filler, as well as a colorant with no curing accelerator.

離型剤を含むエポキシ樹脂組成物が質層されている。An epoxy resin composition containing a mold release agent is coated.

しかしながら、この種の封止用樹脂で半導体素子をモー
ルドすると、従来殆ど問題にされていなかった樹脂の、
モールド後の収縮等によって生じる応力により、素子の
パッシベーション膜や素子自体にクラックを生じたり、
アルミ配線にずれ等を生じるということがわかってきた
。これは、素子自体の寸法が大きくなる程顕著に現れる
。したがって、今日では、この対策として、素子に加わ
る応力の小さい樹脂(低応力樹脂)の開発が大きな課題
となっている。この目的達成の方法として、エポキシ樹
脂やフェノール樹脂自体を可撓化したり、可塑剤を添加
することが考えられる。しかし、このようにすることは
、フェノール樹脂を硬化剤とするエポキシ樹脂組成物で
は硬化樹脂のガラス転移点が降下し高温電気特性が低下
するため信顛性の点で問題がある。また、合成ゴム等を
添加して素子に加わる応力を小さくし、低応力化を図る
ことも考えられるが、合成ゴムを添加することによって
樹脂組成物の、半導体素子およびリードフレームに対す
る密着性が低下し、耐湿性が悪くなり信顛性が低下する
However, when molding semiconductor elements with this type of encapsulating resin, the resin
Stress caused by shrinkage after molding may cause cracks in the passivation film of the device or the device itself.
It has become clear that misalignment occurs in aluminum wiring. This becomes more noticeable as the dimensions of the element itself become larger. Therefore, as a countermeasure to this problem, the development of a resin that applies less stress to the element (low-stress resin) has become a major issue today. As a method for achieving this objective, it is possible to make the epoxy resin or phenol resin itself flexible or to add a plasticizer. However, in the case of an epoxy resin composition using a phenol resin as a curing agent, the glass transition point of the cured resin is lowered and the high-temperature electrical properties are lowered, so there is a problem in terms of reliability. It is also possible to reduce the stress applied to the element by adding synthetic rubber, etc., but adding synthetic rubber reduces the adhesion of the resin composition to the semiconductor element and lead frame. However, moisture resistance deteriorates and reliability decreases.

1.。1. .

上記のように、これまでの封止用樹脂は、半導体素子に
対する応力の点でいまひとつ満足しろるものではなく、
上記技術革新による素子サイズの大形化等に対応できる
ように、より以上の特性向上が強く望まれている。
As mentioned above, conventional sealing resins are not quite satisfactory in terms of stress on semiconductor elements.
In order to cope with the increase in element size caused by the above-mentioned technological innovations, further improvement in characteristics is strongly desired.

この発明は、このような事情に鑑みなされたもので、封
止樹脂の低応力化を、耐湿信頼性を損なうことなく一層
向上させながら実現することをその目的とする。
The present invention was made in view of the above circumstances, and an object of the present invention is to reduce the stress of the sealing resin while further improving the moisture resistance reliability.

〔問題点を解決するための手段〕[Means for solving problems]

上記の目的を達成するため、この発明の半導体装置は、
下記の(A)、(B)および(C)成分を含有している
エポキシ樹脂組成物を用いて半導体素子を封止するとい
う構成をとる。
In order to achieve the above object, the semiconductor device of the present invention includes:
The structure is such that a semiconductor element is sealed using an epoxy resin composition containing the following components (A), (B), and (C).

(A)エポキシ樹脂。(A) Epoxy resin.

(B)フェノール樹脂。(B) Phenol resin.

(C)シリカと、分子内に少な(とも1個の第一級また
は第二級アミノ基を有する オルガノポリシロキサンと、下記の一 般式〔I〕または〔II〕で表される表されるエポキシ
化合物とで構成される シリコーン変性シリカ。
(C) Silica, an organopolysiloxane having a small number (one primary or secondary amino group in the molecule), and an epoxy compound represented by the following general formula [I] or [II]. Silicone-modified silica composed of compounds.

すなわち、本発明者らは、封止樹脂となるエポキシ樹脂
組成物硬化体の低応力化を、耐湿信頼性を損なうことな
く向上させながら実現するために一連の研究を重ねた結
果、シリカと、特定のオルガノボリシロキサン(シリコ
ーン)と、上記の式(1)ないしは(IF)で表される
特定のエポキシ化合物とを反応させ、シリカの表面を上
記シリコーン、エポキシ化合物を中心とする被覆層で被
覆してシリコーン変性シリカをつ(す、これを使用する
と、得られるエポキシ樹脂組成物硬化体が低応力性に優
れ、しかも、耐湿信頬性を向上するようになることを見
いだし、この発明に到達した。
That is, the present inventors have conducted a series of studies in order to reduce the stress of the cured epoxy resin composition that becomes the sealing resin while improving the moisture resistance reliability. A specific organoborisiloxane (silicone) is reacted with a specific epoxy compound represented by the above formula (1) or (IF), and the surface of the silica is coated with a coating layer mainly containing the above silicone or epoxy compound. The inventors have discovered that by using silicone-modified silica, the resulting cured epoxy resin composition has excellent low stress properties and also has improved moisture resistance, and has thus arrived at this invention. did.

この発明に用いるエポキシ樹脂組成物は、上記のように
、エポキシ樹脂(A)成分とフェノール樹脂(B)成分
と、さらに上記シリコーン変性シリカ(C)成分とを用
いて得られるものであって、通常、粉末状もしくはそれ
を打錠したタブレット状になっている。
The epoxy resin composition used in this invention is obtained by using the epoxy resin (A) component, the phenol resin (B) component, and the silicone-modified silica (C) component, as described above, It is usually in the form of powder or compressed tablets.

上記A成分となるエポキシ樹脂は、特に制限するもので
はなく、タレゾールノボラック型、フェノールノボラッ
ク型やビスフェノールA型等、従来から半導体装置の封
止樹脂として用いられている各種のエポキシ樹脂があげ
られる。これらの樹脂のなかでも、融点が室温を超えて
おり、室温下では固形状もしくは高粘度の溶液状を呈す
るものを用いることが好結果をもたらす、フェノールノ
ボラック型エポキシ樹脂としては、通常、エポキシ当量
160〜250.軟化点50〜130℃のものが用いら
れ、タレゾールノボラック型エポキシ樹脂としては、エ
ポキシ当量180〜210゜軟化点60〜110℃のも
のが一般に用いられる。
The epoxy resin serving as the above A component is not particularly limited, and various epoxy resins conventionally used as encapsulating resins for semiconductor devices can be mentioned, such as Talesol novolac type, phenol novolac type, and bisphenol A type. . Among these resins, it is best to use one with a melting point above room temperature and a solid or highly viscous solution at room temperature. Phenol novolac type epoxy resins usually have an epoxy equivalent. 160-250. Those having a softening point of 50 to 130°C are used, and as Talesol novolak type epoxy resins, those having an epoxy equivalent of 180 to 210° and a softening point of 60 to 110°C are generally used.

上記エポキシ樹脂と共に用いられる、B成分のフェノー
ル樹脂は、上記エポキシ樹脂の硬化剤として作用するも
のであり、フェノールノボラック、0−タレゾールノボ
ラック、m−タレゾールノボラック、p−タレゾールノ
ボラック、0−エチルフェノールノボラック、m−エチ
ルフェノールノボラック、p−エチルフェノールノボラ
ック等が好適に用いられる。これらノボラック樹脂は、
軟化点が50〜110℃、水酸基当量が100〜150
のものを用いることが好ましい。
The phenol resin of component B used together with the above epoxy resin acts as a curing agent for the above epoxy resin, and includes phenol novolac, 0-talesol novolak, m-talesol novolak, p-talesol novolak, 0- Ethylphenol novolak, m-ethylphenol novolak, p-ethylphenol novolak, etc. are preferably used. These novolak resins are
Softening point: 50-110°C, hydroxyl equivalent: 100-150
It is preferable to use one.

上記A成分及びB成分と共に用いられるC成分は、シリ
コーン変性シリカであり、シリカと特定のオルガノポリ
シロキサンと前記一般式(I)または(n)で表される
エポキシ化合物とを用いて得られる。
Component C used together with component A and component B is silicone-modified silica, which is obtained using silica, a specific organopolysiloxane, and an epoxy compound represented by the general formula (I) or (n).

上記シリカとは、結晶質シリカ(結晶シリカ)、非晶質
シリカ(溶融シリカ)のことである、このようなシリカ
は、電解質不純物や異物が少ないものであることが好適
である。
The above-mentioned silica refers to crystalline silica (crystalline silica) and amorphous silica (fused silica).Such silica preferably contains few electrolyte impurities and foreign substances.

また、上記特定のオルガノポリシロキサンとは、分子内
に少なくとも一個の第−級又は第二級アミノ基を有する
オルガノポリシロキサンのことであり、例えば、模式的
に下記の式(イ)で表されるような、分子鎖の両末端が
第一級アミノ基になっているものや、模式的に下記の式
(ロ)で表されるように、ペンダントとしてアミノ基が
含まれているものをあげるこのができる。
Further, the above-mentioned specific organopolysiloxane is an organopolysiloxane having at least one primary or secondary amino group in the molecule, for example, the organopolysiloxane schematically represented by the following formula (a). Examples include those in which both ends of the molecular chain are primary amino groups, as in This can be done.

これらのオルガノポリシロキサンは、分子量。These organopolysiloxanes have different molecular weights.

粘度等に関係なく、一般に使用されているものを広く使
用することができる。その−例として、下記の一般式(
ハ)で表されるものがあげられる。
A wide variety of commonly used materials can be used regardless of viscosity and the like. As an example, the following general formula (
The following can be mentioned.

ほかに、好適なものとして、ポリジメチルシロキサンオ
リゴマーのメチル基を部分的に下記の置換基で置換した
ペンダント型のものがあげられる。
In addition, a pendant type polydimethylsiloxane oligomer in which the methyl groups of the oligomer are partially substituted with the following substituents is also suitable.

〔ただし、x/y謔3/1〜500/1)また、上記特
定のオルガノポリシロキサンと共に使用される工1ζキ
シ化合物は、前記の一般式〔■〕または(n)で表され
るものである。一般式〔1〕で表されるエポキシ化合物
は、分子量200〜10000のものが望ましく、なか
でも200〜5000程度のものを用いることが好適で
ある。この特定のエポキシ化合物の代表例としては、ポ
リエチレングリコールジグリシジルエーテル、ポリプロ
ピレングリコールジグリシジルエーテル等があげられる
。また、一般式(II)で表されるエポキシ化合物は、
分子量150〜10000のものが望ましく、なかでも
150〜5000程度のものを用いることが好適である
。この特定のエポキシ化合物の代表例としては、ポリエ
チレングリコールグリシジルフェニルエーテル、ポリプ
ロピレングリコールグリシジルフェニルエーテル等があ
げられる。
[However, x/y 3/1 to 500/1) Furthermore, the 1ζoxy compound used with the above specific organopolysiloxane is one represented by the above general formula [■] or (n). be. The epoxy compound represented by the general formula [1] desirably has a molecular weight of 200 to 10,000, particularly preferably one having a molecular weight of about 200 to 5,000. Representative examples of this specific epoxy compound include polyethylene glycol diglycidyl ether, polypropylene glycol diglycidyl ether, and the like. Furthermore, the epoxy compound represented by general formula (II) is
It is desirable to have a molecular weight of 150 to 10,000, and it is especially preferable to use one with a molecular weight of about 150 to 5,000. Representative examples of this specific epoxy compound include polyethylene glycol glycidylphenyl ether, polypropylene glycol glycidylphenyl ether, and the like.

この発明で用いるC成分のシリコーン変性シリカは、上
記の原料を使用し、つぎのようにして製造することがで
きる。すなわち、上記シリカ、オルガノポリシロキサン
、エポキシ化合物の3成分を混合して加熱し反応させ、
シリカ表面をシリコーン、エポキシ化合物を中心とする
被覆層で被覆することにより製造することができる。な
お、上記合成反応における加熱条件は、温度50〜20
0℃1時間0.1〜12時間程度である。また、上記オ
ルガノポリシロキサンと上記エポキシ化合物との相互の
使用割合は、エポキシ化合物中のエポキシ基1個に対し
、オルガノポリシロキサン中のアミノ基の水素原子の数
が0.1〜10個となるように設定することが好ましい
、そしてエポキシ化合物とオルガノポリシロキサンの合
計量が、シリカに対して重量基準で1/100〜20/
100の範囲内になるように設定することが好結果をも
たらす、すなわち、上記合計量が上記の範囲を外れると
、充公な低応力効果が得られないか、もしくは半導体装
置の耐湿信頼性、電気特性等が低下するという現象が見
られるようになるからである。
The silicone-modified silica as component C used in this invention can be produced using the above-mentioned raw materials in the following manner. That is, the three components of silica, organopolysiloxane, and epoxy compound are mixed and heated to react.
It can be manufactured by coating the silica surface with a coating layer mainly made of silicone or epoxy compounds. In addition, the heating conditions in the above synthesis reaction are a temperature of 50 to 20
It is about 0.1 to 12 hours at 0°C for 1 hour. Further, the mutual usage ratio of the organopolysiloxane and the epoxy compound is such that the number of hydrogen atoms of the amino group in the organopolysiloxane is 0.1 to 10 per 1 epoxy group in the epoxy compound. It is preferable to set the total amount of the epoxy compound and organopolysiloxane to be 1/100 to 20/2 of the weight of the silica.
Good results can be obtained by setting the amount within the range of 100. In other words, if the total amount is outside the above range, a satisfactory low stress effect may not be obtained, or the moisture resistance reliability and electrical properties of the semiconductor device may be affected. This is because the phenomenon of deterioration of characteristics etc. is observed.

このようにシリカを上記のような成分原料で変性させる
ことにより、シリカがシリコーン、エポキシ化合物を中
心とする被覆層で被覆され、シリカ自体がゴム弾性を有
するようになる。したがって、このような特性を備えた
シリコーン変性低応力シリカを充填剤として使用するこ
とにより、エポキシ樹脂組成物硬化体の低応力化を実現
すると同時に、優れた耐湿信頼性をも実現しうるように
なる。この場合、上記シリコーン変性シリカと、変性さ
れていない通常のシリカを併用しても差し支えはない、
このように併用するときには、上記変性シリカがシリカ
全体の50%以上を占めるように設定することが効果の
点で好ましい。
By modifying silica with the above-mentioned raw materials, the silica is coated with a coating layer mainly composed of silicone and epoxy compounds, and the silica itself has rubber elasticity. Therefore, by using silicone-modified low-stress silica with such characteristics as a filler, it is possible to reduce the stress of the cured epoxy resin composition and at the same time achieve excellent moisture resistance reliability. Become. In this case, there is no problem in using the above silicone-modified silica and unmodified normal silica together.
When used together in this way, it is preferable to set the modified silica so that it occupies 50% or more of the total silica from the viewpoint of effectiveness.

なお、この発明に用いるエポキシ樹脂組成物には、上記
の原料以外に、必要に応じて硬化促進剤、離型剤等を用
いることができる。硬化促進剤としては、フェノール硬
化エポキシ樹脂における硬化反応の触媒となるものは全
て用いることができ、例えば、3級アミン類、イミダゾ
ール類、リン化合物等をあげることができる。離型剤と
しては、従来公知のステアリン酸5パルミチン酸等の長
鎖カルボン酸、ステアリン酸亜鉛、ステアリン酸カルシ
ウム等の長鎖カルボン酸の金属塩、カルナバワックス、
モンタンワックス類等を用いることができる。さらに、
難燃剤9着色剤等の通常用いられる添加剤も添加するこ
とができる。
In addition to the above-mentioned raw materials, a curing accelerator, a mold release agent, etc. can be used in the epoxy resin composition used in the present invention, if necessary. As the curing accelerator, any catalyst for the curing reaction in the phenol-cured epoxy resin can be used, such as tertiary amines, imidazoles, phosphorus compounds, and the like. As mold release agents, conventionally known long chain carboxylic acids such as stearic acid 5-palmitic acid, metal salts of long chain carboxylic acids such as zinc stearate and calcium stearate, carnauba wax,
Montan waxes and the like can be used. moreover,
Commonly used additives such as flame retardants 9 and colorants can also be added.

この発明に用いるエポキシ樹脂組成物は、上記原料を用
い、例えば、つぎのようにして製造することができる。
The epoxy resin composition used in this invention can be produced using the above raw materials, for example, in the following manner.

すなわち、エポキシ樹脂(A成分)、フェノール樹脂(
B成分)、シリコーン変性シリカ(C成分)ならびにそ
の他の添加剤を適宜配合し、この配合物をミキシングロ
ール機等の混線機にかけ加熱状態で混練して半硬化状の
樹脂組成物とし、これを室温に冷却した後、公知の手段
によって粉砕し、必要に応じて打錠するという一連の工
程によりエポキシ樹脂組成物を製造することができる。
That is, epoxy resin (component A), phenol resin (
Component B), silicone-modified silica (component C), and other additives are appropriately blended, and this mixture is kneaded under heating in a mixer such as a mixing roll machine to form a semi-cured resin composition. An epoxy resin composition can be produced through a series of steps of cooling to room temperature, pulverizing by known means, and, if necessary, tableting.

このようなエポキシ樹脂組成物を用いての半導体素子の
封止は、特に限定するものではなく、通常の方法、例え
ば、トランスファー成形等の公知のモールド方法により
行うことができる。
The encapsulation of a semiconductor element using such an epoxy resin composition is not particularly limited, and can be performed by a conventional method, for example, a known molding method such as transfer molding.

このようにして得られる半導体装置は、低応力性に優れ
、しかも耐湿信頼性も高い。
The semiconductor device thus obtained has excellent low stress properties and high moisture resistance reliability.

〔発明の効果〕〔Effect of the invention〕

この発明の半導体装置は、それ自体がゴム弾性を有する
特殊なシリコーン変性シリカを含有するエポキシ樹脂組
成物を用いて封止されており、その封止プラスチックパ
ッケージが従来のエポキシ−樹脂組成物のものとは異な
るため、内部応力が小さく、しかも耐湿性が大幅に向上
しており信頌度が極めて高くなっている。このような特
殊なエポキシ樹脂組成物を使用することによりチップの
長辺が4fi以上の大型の半導体装置において上記のよ
うな高信顧度が得られるようになるのであり、これが大
きな特徴である。
The semiconductor device of the present invention is encapsulated using an epoxy resin composition containing special silicone-modified silica that itself has rubber elasticity, and the encapsulated plastic package is a conventional epoxy resin composition. Because it is different from the previous one, it has low internal stress and greatly improved moisture resistance, making it extremely reliable. By using such a special epoxy resin composition, it becomes possible to obtain the above-mentioned high reliability in a large semiconductor device with a chip having a long side of 4 fi or more, and this is a major feature.

つぎに、この発明を実施例にもとづいて詳しく説明する
Next, the present invention will be explained in detail based on examples.

〔実施例〕〔Example〕

まず、下記のようにして、シリコーン変性シリカをつく
った。
First, silicone-modified silica was prepared as follows.

〔シリコーン変性シリカの調製〕[Preparation of silicone-modified silica]

溶融シリカ100重量部(以下「部」と略す)に、後記
の第1表に示す、(a)オルガノポリシロキサンをX部
添加すると同時に(b)エポキシ化合物をY部添加し1
50℃で2時間加熱混合した後冷却粉砕することにより
、シリコーン変性シリカを調製した。
To 100 parts by weight of fused silica (hereinafter abbreviated as "parts"), (a) X parts of an organopolysiloxane shown in Table 1 below was added, and at the same time (b) Y parts of an epoxy compound were added.
Silicone-modified silica was prepared by heating and mixing at 50° C. for 2 hours, followed by cooling and pulverization.

(以下余白) つぎに上記のようにして得られたシリコーン変性シリカ
と、他の原料を後記の第2表に示す割合で配合し、ミキ
シングロール機(ロール温度100℃)で10分間溶融
混練を行い、ついで冷却固化した後粉砕し、目的とする
粉末状のエポキシ樹脂組成物を得た。
(Left below) Next, the silicone-modified silica obtained as above and other raw materials were blended in the proportions shown in Table 2 below, and melt-kneaded for 10 minutes using a mixing roll machine (roll temperature 100°C). The mixture was then cooled and solidified, and then pulverized to obtain the desired powdered epoxy resin composition.

(以下余白) 〔比較例〕 後記の第3表に示す原料を用い、これらの原料をミキシ
ングロール機で10分間混練し、ついで冷却固化した後
粉砕し実施例と同様にして粉末状のエポキシ樹脂組成物
を得た。
(The following is a blank space) [Comparative Example] Using the raw materials shown in Table 3 below, these raw materials were kneaded for 10 minutes using a mixing roll machine, then cooled and solidified, and then pulverized to produce a powdered epoxy resin in the same manner as in the example. A composition was obtained.

(以下余白) 才子ブンそ笛云し、イ丁刀■反応生成窃を得た。(Margin below) Saiko said the flute and got a reaction generation theft.

以上の実施例および比較例によって得られた粉末状のエ
ポキシ樹脂組成物を用い、トランスファー成形により試
験サンプルを作製し、得られた試験サンプルについて下
記の第4表のような試験を行った。その結果は第4表に
示すとおりであった。
Using the powdered epoxy resin compositions obtained in the above Examples and Comparative Examples, test samples were prepared by transfer molding, and tests as shown in Table 4 below were conducted on the obtained test samples. The results were as shown in Table 4.

(以下余白) 第4表の結果より、実施別品は封止樹脂として低応力性
と共に耐湿信顛性にも優れており、したがって、これを
用いた半導体装置においては、優れた信頼性を備えるよ
うになることがわかる。
(Left below) From the results in Table 4, it can be seen that the specific product has low stress and excellent moisture resistance as a sealing resin, and therefore, semiconductor devices using it have excellent reliability. You can see that it will become like this.

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] (1)下記の(A)、(B)および(C)成分を含有し
ているエポキシ樹脂組成物を用いて半導体素子を封止し
てなる半導体装置。 (A)エポキシ樹脂。 (B)フエノール樹脂。 (C)シリカと、分子内に少なくとも1個の第一級また
は第二級アミノ基を有する オルガノポリシロキサンと、下記の一般式〔 I 〕また
は〔II〕で表されるエポキシ化合物とで構成されるシリ
コーン変性シリカ。 ▲数式、化学式、表等があります▼…〔 I 〕 ▲数式、化学式、表等があります▼……〔II〕 [式〔 I 〕、〔II〕において、R_1、R_3は炭素
数12以下のアルキレン基、R_2はアルキル基または
アリール基、lは0もしくは1であり、m、nは2以上
の整数である。]
(1) A semiconductor device in which a semiconductor element is sealed using an epoxy resin composition containing the following components (A), (B), and (C). (A) Epoxy resin. (B) Phenol resin. (C) Comprised of silica, an organopolysiloxane having at least one primary or secondary amino group in the molecule, and an epoxy compound represented by the following general formula [I] or [II]. silicone-modified silica. ▲There are mathematical formulas, chemical formulas, tables, etc.▼...[I] ▲There are mathematical formulas, chemical formulas, tables, etc.▼...[II] In [formulas [I] and [II], R_1 and R_3 are alkylene with 12 or less carbon atoms. The group R_2 is an alkyl group or an aryl group, l is 0 or 1, and m and n are integers of 2 or more. ]
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007217649A (en) * 2006-02-20 2007-08-30 Fujitsu Ltd Epoxy resin composition, production method thereof, and semiconductor device

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