JPS63284747A - Sample image display device - Google Patents
Sample image display deviceInfo
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Abstract
Description
【発明の詳細な説明】
(産業上の利用分野)
本発明は、走査型電子顕微鏡等の装置に用いられる試料
像表示装置に関する。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION (Field of Industrial Application) The present invention relates to a sample image display device used in an apparatus such as a scanning electron microscope.
(従来の技術)
従来、CAD等を使用して設計されたICのパターンと
その設計値を基に半導体ウェハー上に形成されたICの
実パターンとの対応をとって比較したい場合には、走査
型電子顕微鏡等の装置でまず試料の写真を躍り、その写
真上に設計パターンを書込むか、あるいは試料の写真と
別の用紙に描かれた設計パターンを見比べるようにして
いる。(Prior art) Conventionally, when it is desired to compare the correspondence between an IC pattern designed using CAD, etc. and an actual IC pattern formed on a semiconductor wafer based on the design values, scanning is used. First, a photo of the sample is taken with a device such as a type electron microscope, and a design pattern is written on the photo, or the photo of the sample is compared with a design pattern drawn on another piece of paper.
また、走査型電子顕微鏡を用いて半導体ウェハー上に形
成された特定のパターンを観察しようとして、そのパタ
ーンがみつからない場合にあっては、vA察に使う電子
顕微鏡の倍率をさげ、ICの設計パターン図と、CRT
に表示される試料像を常に見比べながらステージを動か
し、徐々に顕微鏡の倍率を上げ、ICの非常に込入った
複雑なパターン群の中から1!察したいパターンを探し
出していた。In addition, if you are trying to observe a specific pattern formed on a semiconductor wafer using a scanning electron microscope and cannot find the pattern, lower the magnification of the electron microscope used for VA observation and Diagrams and CRT
While constantly comparing the sample images displayed on the screen, move the stage and gradually increase the magnification of the microscope. I was looking for a pattern that I wanted to understand.
(発明が解決しようとする問題点)
しかしながら、このような従来の試F4像の検査にあっ
ては、電子顕微鏡等で撮影された試料の写真の上に設計
パターンを書込むには、写真の印画紙上の倍率を正確に
測定しなければならず、その倍率に合せて複雑な形状を
した設計パターンを拡大あるいは縮小して書込むこと自
体が大変な作業であり、また設計パターンの絶対位置ま
で正確に記入しようとすると写真囮彰した試料のチップ
原点からの位置をステージの移動量等から予め求めてお
かなければならない。(Problems to be Solved by the Invention) However, in such conventional test F4 image inspection, writing a design pattern on a photograph of a specimen taken with an electron microscope, etc. requires The magnification on the photographic paper must be accurately measured, and enlarging or reducing a design pattern with a complex shape to match that magnification is a difficult task. In order to fill in the information accurately, the position of the photographed sample from the chip origin must be determined in advance from the amount of movement of the stage, etc.
このように躍彰された試料の写真の上に設計パターンを
皇込む作業は、高度な熟練者が行っても細心の注意と相
当な時間を要する困難な作業である。The work of emblazoning a design pattern on a photograph of such a successful sample is a difficult work that requires careful attention and a considerable amount of time even if performed by a highly skilled person.
また、設計パターンが描かれた図面とCRT上に写し出
される試料像を見比べながらステージを移動させて目的
のパターンを探す作業も視点の位置を何度も変えねばな
らず、オペレータの労力負担が大きいという問題がめっ
た。In addition, the task of searching for the desired pattern by moving the stage while comparing the drawing with the design pattern and the sample image displayed on the CRT requires changing the viewpoint many times, which places a heavy burden on the operator. This problem happened very often.
(問題点を解決するための手段)
本発明は、このような従来の問題点に鑑みてなされたも
ので、設計値に基づく理想パターン(設計パターン)と
実際の試料像との比較観察を容易にして作業性の向上を
図るようにした試料像表示装置を提供することを目的と
する。(Means for Solving the Problems) The present invention has been made in view of such conventional problems, and it facilitates comparative observation of an ideal pattern (design pattern) based on design values and an actual sample image. An object of the present invention is to provide a sample image display device that improves workability.
この目的を達成するため本発明にあっては、電子ビーム
等の荷電粒子線で試料面上の領域を2次元的に走査する
電子光学系と、荷電粒子線の照射により試料から得られ
る2次電子あるいは反射電子等の信号に基づき前記荷電
粒子線による試料面上の走査と同期あるいは等価的に同
期して陰極線管等(CRT)上に試料像を掃引表示する
表示器とを備えた走査型電子顕微鏡等の装置に於いて、
前記観察試料の設計値に基づいて試料面に形成される理
想パターンを作成するパターン作成手段(21)と:前
記表示器の画面上に前記試料像と重畳あるいは画面上の
別の位置に前記パターン作成手段(21)で得られた理
想パターン像を表示するパターン表示手段(23,18
>と:を設けるようにしたものである。To achieve this objective, the present invention includes an electron optical system that two-dimensionally scans an area on a sample surface with a charged particle beam such as an electron beam, and a secondary A scanning type comprising a display device that sweeps and displays a sample image on a cathode ray tube or the like (CRT) in synchronization or equivalently with the scanning of the sample surface by the charged particle beam based on signals such as electrons or reflected electrons. In equipment such as electron microscopes,
a pattern creation means (21) for creating an ideal pattern to be formed on the sample surface based on design values of the observation sample; Pattern display means (23, 18) for displaying the ideal pattern image obtained by the creation means (21)
> and : are provided.
(作用)
このような構成を備えた本発明の試料像表示装置にあっ
ては、試料の設計値から得られた線画等でなる理想パタ
ーン像(設計パターン像)がCRT上の試料像に重ね合
わせて、あるいは別の位置に表示され、その結果、観察
者は必要な時いつても試料像に対応した理想パターン像
を簡単且つ容易にCR7画面上に表示して試料像と比較
することが出来る。(Function) In the sample image display device of the present invention having such a configuration, an ideal pattern image (design pattern image) consisting of a line drawing etc. obtained from the design values of the sample is superimposed on the sample image on the CRT. The ideal pattern image corresponding to the sample image can be easily and easily displayed on the CR7 screen and compared with the sample image whenever necessary. I can do it.
(実施例)
第1図は走査型電子顕微鏡を例にとって本発明の一実施
例を示した説明図である。(Example) FIG. 1 is an explanatory diagram showing an example of the present invention using a scanning electron microscope as an example.
第1図に於いて、1は電子銃、2,4は電子ビーム制限
用のアパーチャ、3はプランカー、5はX方向用偏向器
、6はY方向用偏向器、7は対物レンズ、8はディテク
ター、9は観察試料、10はステージ、11は電子銃制
御回路、12はブランキング制御回路、13はXY走査
信号発生回路、14はX方向走査信号増幅回路、15は
Y方向走査信号増幅回路、16は対物レンズ制御回路、
17は画像信号増幅回路、18はCRT表示器、19は
ステージ駆動回路、20はジョイスティックレバーやト
ラックボール等を用いた視野移動指示器、24は前記の
いくつかの電気回路を総合的に制御する中央制御回路で
ある。In FIG. 1, 1 is an electron gun, 2 and 4 are apertures for limiting the electron beam, 3 is a plunker, 5 is a deflector for the X direction, 6 is a deflector for the Y direction, 7 is an objective lens, and 8 1 is a detector, 9 is an observation sample, 10 is a stage, 11 is an electron gun control circuit, 12 is a blanking control circuit, 13 is an XY scanning signal generation circuit, 14 is an X direction scanning signal amplification circuit, and 15 is a Y direction scanning signal amplification circuit. circuit, 16 is an objective lens control circuit,
17 is an image signal amplification circuit, 18 is a CRT display, 19 is a stage drive circuit, 20 is a visual field movement indicator using a joystick lever, trackball, etc., and 24 is an integrated control for the several electric circuits mentioned above. It is a central control circuit.
このような構成で成る走査型電子顕微鏡の構成をその作
用と共に更に詳細に説明すると次のようになる。The structure of the scanning electron microscope having such a structure will be explained in more detail along with its operation as follows.
電子銃1から射出され、アパーチャ2,4を通り扱けた
電子ビームはX方向及びY方向用偏向器5.6でX、Y
方向に偏向された後、対物レンズ7で収束されて観察試
料9に当たる。このとき観察試料9から発生する2次電
子あるいは反射電子はディテクター8に入って電気信号
に変換される。The electron beam emitted from the electron gun 1 and passed through the apertures 2 and 4 is deflected by the X and Y direction deflectors 5.6.
After being deflected in this direction, it is focused by the objective lens 7 and hits the observation sample 9. At this time, secondary electrons or reflected electrons generated from the observation sample 9 enter the detector 8 and are converted into electrical signals.
ディテクター8からの検出信号は画像信号増幅回路17
でCRT表示器18の入力に必要なレベルまで増幅され
、XY走査信号発生回路13から出力された水平、垂直
1吊引信号によりCRT表示器18に於いてCRT上に
試料像が掃引表示される。The detection signal from the detector 8 is transmitted to the image signal amplification circuit 17
The sample image is amplified to the level required for input to the CRT display 18, and the sample image is displayed in a sweep manner on the CRT display 18 using the horizontal and vertical 1 suspension signals output from the XY scanning signal generation circuit 13. .
一方、XY走査信号発生回路13はCRT表示器18内
の水平、垂直方向偏向器をドライブする2種類の鋸歯状
波掃引信号で成る水平、垂直走査信@H,Vと、電子顕
微鏡のX、Y方向偏向器5゜6をドライブする走査信号
X、Yを発生し、それぞれCRT表示器18及びX、Y
方向走査信号増幅回路14.15に送っている。On the other hand, the XY scanning signal generation circuit 13 generates horizontal and vertical scanning signals @H and V consisting of two types of sawtooth wave sweep signals that drive the horizontal and vertical deflectors in the CRT display 18, and the Generate scanning signals X and Y to drive the Y-direction deflector 5.6, and drive the CRT display 18 and X, Y, respectively.
The signal is sent to direction scanning signal amplification circuits 14 and 15.
XY走査信号発生回路13からの走査信号X。Scanning signal X from the XY scanning signal generation circuit 13.
Yは、X、Y方向走査信号増幅回路14.15で電子顕
微鏡の観察倍率に応じた振幅に増幅され、X方向、Y方
向偏向器5.6を駆動する。これらの電子回路のうち、
いくつかは電子銃の加速電圧や観察倍率等に応じて最適
制御を行うように中央制御回路24より必要なデータを
受は取る。Y is amplified by an X- and Y-direction scanning signal amplification circuit 14.15 to an amplitude corresponding to the observation magnification of the electron microscope, and drives an X-direction and Y-direction deflector 5.6. Of these electronic circuits,
Some of them receive and take necessary data from the central control circuit 24 to perform optimal control according to the acceleration voltage of the electron gun, observation magnification, etc.
このような構成を有する走査型電子顕微鏡に加えて本発
明にあっては、設計パターン作成手段21と、設計パタ
ーン作成手段21で得られた理想パターン(設計パター
ン)をCRT表示器18に表示させるための71ノーム
メモリ23を有する。In addition to the scanning electron microscope having such a configuration, the present invention includes a design pattern creation means 21 and an ideal pattern (design pattern) obtained by the design pattern creation means 21 that is displayed on the CRT display 18. It has 71 norm memory 23 for.
設計パターン作成手段21は、観察試料9に実パターン
を形成するために用いられた磁気テープ22等に格納さ
れている設計データの入力を受け、この設計データから
観察試料9上に形成される理想パターンとしての設計パ
ターンを作成する。The design pattern creation means 21 receives input of design data stored in a magnetic tape 22 or the like used to form an actual pattern on the observation sample 9, and generates an ideal pattern to be formed on the observation sample 9 from this design data. Design as a pattern Create a pattern.
即ち、設計パターン作成手段21に対しては、視野移動
指示器20からのステージ駆動信号、ステージの絶対位
置座標、更にはX方向、Y方向走査信号増幅回路14.
15に設定された増幅率で定まる倍率の情報等の設計パ
ターンを表示するのに必要なデータが中央制御回路24
から与えられており、その結果、設計パターン作成手段
21は磁気テープ22から得られた設計データを電子顕
微鏡の観察倍率やウェハー上の観察位置等の設定パラメ
ータに従った演算を行い、CR7表示器18上の試料像
と同じ倍率及び位置の線画として設計パターンのイメー
ジデータを作成し、フレームメモリ23にビットパター
ンとして書き込む。That is, the design pattern creation means 21 receives the stage drive signal from the visual field movement indicator 20, the absolute position coordinates of the stage, and the X-direction and Y-direction scanning signal amplification circuit 14.
The data necessary to display the design pattern, such as magnification information determined by the amplification factor set to 15, is stored in the central control circuit 24.
As a result, the design pattern creation means 21 calculates the design data obtained from the magnetic tape 22 according to set parameters such as the observation magnification of the electron microscope and the observation position on the wafer, and displays the data on the CR7 display. Image data of the design pattern is created as a line drawing at the same magnification and position as the sample image on 18, and written into the frame memory 23 as a bit pattern.
フレームメモリ23にはXY走査信号発生回路13より
水平及び垂直同期信号H,Vが与えられており、フレー
ムメモリ23に書き込まれた設計パターンを表わすビッ
トパターンは水平、及び垂直同期信号H,Vに同期して
読み出されてCRT表示器18に供給され、例えば第2
図に示すように試料像としての実パターン30に重畳し
て股δ1パターン40を表示するようになる。The frame memory 23 is given horizontal and vertical synchronization signals H and V from the XY scanning signal generation circuit 13, and the bit pattern representing the design pattern written in the frame memory 23 is applied to the horizontal and vertical synchronization signals H and V. It is read out synchronously and supplied to the CRT display 18, for example,
As shown in the figure, the crotch δ1 pattern 40 is displayed superimposed on the actual pattern 30 as the sample image.
この第2図の表示例から明らかなように、CRT表示器
18の表示画面には走査型電子顕微鏡で得られた試料像
としての実パターン30に重ね合せて、設計データに基
づいて得られた理想パターンとしての設計パターン40
が表示されるため、観察者は実パターン30と設計パタ
ーン40との関係が直ちに分かり、両者の比較観察を極
めて容易に行うことができる。As is clear from the display example in FIG. 2, the display screen of the CRT display 18 displays images obtained based on design data superimposed on the actual pattern 30 as a sample image obtained by a scanning electron microscope. 40 design patterns as ideal patterns
is displayed, the observer can immediately understand the relationship between the actual pattern 30 and the designed pattern 40, and can very easily compare and observe the two.
また設計パターン40の表示は操作パネル上のスイッチ
によりいつでもオン、オフすることができ、必要ない時
はスイッチオフにより試料像だけを1[することができ
る。更に、視野移動指示器20の操作により試料像を移
動したときに、この試料像の移動に連動して設計パター
ンも自動的に移動する連動モードと、試料像の移動に関
係なく常に同じ位置に設計パターンを表示しておく固定
モードのモード選択機能を設けることで、試料像と設計
パターンの視覚観察をより行い易くすることができる。Further, the display of the design pattern 40 can be turned on and off at any time by a switch on the operation panel, and when it is not necessary, only the sample image can be displayed by turning off the switch. Furthermore, when the sample image is moved by operating the field of view movement indicator 20, the design pattern is automatically moved in conjunction with the movement of the sample image, and the design pattern is always at the same position regardless of the movement of the sample image. By providing a mode selection function for a fixed mode in which the design pattern is displayed, visual observation of the sample image and the design pattern can be made easier.
即ち、固定モードにあっては、観察したい設計パターン
を表示させておき、この状態で視野移動指示器20によ
り試料像だけを次々に移動して設計パターンと同じ試料
像を見つけることができるようになり、観察したい試料
像を探し出す操作が容易になる。That is, in the fixed mode, the design pattern to be observed is displayed, and in this state, only the sample images are moved one after another using the field of view movement indicator 20, so that the same sample image as the design pattern can be found. This makes it easier to search for the sample image you want to observe.
更に固定モードの状態で実パターンを設計パターンに重
ねるように移動して位置合せした後、連動モードに切換
えて試料像、及び設計パターンを同じmだけ移動し、別
のパターンとの重ね具合を見ることによる長寸法に於け
る位置ずれを確認することができるため、測長機能をも
つ走査型電子顕微鏡に応用した場合、非常に有効である
。Furthermore, in the fixed mode, move the actual pattern so that it overlaps with the design pattern and align it, then switch to the interlocking mode and move the sample image and the design pattern by the same distance to see how it overlaps with another pattern. Since it is possible to check the positional deviation in the long dimension due to the difference in length, it is very effective when applied to a scanning electron microscope with a length measurement function.
尚、上記の実施例は試料像(実パターン)に重ね合せて
設計パターンを表示する場合を例にとるものであったが
、設計パターンを試料像に重ね合せずに表示画面の試料
像とは別の位置に表示させるようにしても良い。Note that the above embodiment takes the case where the design pattern is displayed superimposed on the sample image (actual pattern), but the sample image on the display screen is displayed without superimposing the design pattern on the sample image. It may be displayed in a different position.
(発明の効果)
以上説明してきたように本発明によれば、観察試料のパ
ターン形成に用いた設計データに基づいて試料面に形成
される理想パターン(設計パターン)を作成し、画面上
の試料像に重畳あるいは画面上の別の位置に理想パター
ン像(設計パターン像)を表示するようにしたため、観
察者は必要に応じてCR7画面上で設計パターンと半導
体ウェハー上に形成された実パターンとを比較すること
ができ、その結果、パターン形成のプロセス中に生じる
歪みや欠陥等も両者の比較から容易に観察することがで
き、実パターンの写真撮影による比較あるいは写真撮影
された実パターンに設計パターンを書き込む等の作業を
必要としないことから、設計パターンと実パターンを比
較する観察作業が極めて容易となり、作業性の向上と同
時にオペレータの疲労を大幅に低減することができる。(Effects of the Invention) As explained above, according to the present invention, an ideal pattern (design pattern) to be formed on the sample surface is created based on the design data used for pattern formation of the observation sample, and Since the ideal pattern image (design pattern image) is displayed superimposed on the image or at a different position on the screen, the viewer can compare the design pattern and the actual pattern formed on the semiconductor wafer on the CR7 screen as needed. As a result, distortions and defects that occur during the pattern formation process can be easily observed from the comparison of the two, and comparisons can be made by photographing the actual pattern or by comparing the design with the photographed actual pattern. Since work such as writing patterns is not required, the observation work of comparing the designed pattern and the actual pattern becomes extremely easy, and it is possible to improve workability and significantly reduce operator fatigue.
第1図は本発明の一実施例を走査型電子顕微鏡を例にと
って示した説明図、第2図は本発明による実パターン(
試料像〉と設計パターン(理想パターン)の表示例を示
した説明図である。
1:電子銃
2.4ニアパーチヤ
3ニブランカー
5:x方向用偏向器
6:Y方向用偏向器
7:対物レンズ
8:ディテクター
9:観察試料
10:ステージ
11:電子銃制御回路
12ニブランキング制御回路
1a:x?走査信号発生回路
14:X方向走査信号造服回路
15:Y方向走査信号増幅回路
16二対物レンズ制御回路
17:画像信号増幅回路
19:ステージ駆動回路
20:視野移動指示器
21:設計パターン作成手段
22:磁気テープ
23:フレームメモリ
24:中央制御回路
30:実パターン(試料像)FIG. 1 is an explanatory diagram showing one embodiment of the present invention using a scanning electron microscope as an example, and FIG. 2 is an illustration of an actual pattern according to the present invention (
FIG. 3 is an explanatory diagram showing a display example of a sample image and a design pattern (ideal pattern). 1: Electron gun 2.4 Near aperture 3 Nib blanker 5: Deflector for x direction 6: Deflector for Y direction 7: Objective lens 8: Detector 9: Observation sample 10: Stage 11: Electron gun control circuit 12 Nib blanking control circuit 1a :x? Scanning signal generation circuit 14: X-direction scanning signal Clothing circuit 15: Y-direction scanning signal amplification circuit 16 Two-objective lens control circuit 17: Image signal amplification circuit 19: Stage drive circuit 20: Visual field movement indicator 21: Design pattern creation means 22: Magnetic tape 23: Frame memory 24: Central control circuit 30: Actual pattern (sample image)
Claims (1)
に走査する電子光学系と、荷電粒子線の照射により試料
から得られる2次電子あるいは反射電子等の信号に基づ
き前記荷電粒子線による試料面上の走査と同期あるいは
等価的に同期して陰極線管等(CRT)上に試料像を掃
引表示する表示器とを備えた走査型電子顕微鏡等の装置
に於いて、 前記観察試料の設計値に基づいて試料面に形成される理
想パターンを作成するパターン作成手段と; 前記表示器の画面上に前記試料像に重畳あるいは画面上
の別の位置に前記パターン作成手段で得られた理想パタ
ーン像を表示するパターン表示手段と; を備えたことを特徴とする試料像表示装置。[Claims] An electron optical system that two-dimensionally scans an area on a sample surface with a charged particle beam such as an electron beam, and signals such as secondary electrons or reflected electrons obtained from the sample by irradiation with the charged particle beam. In an apparatus such as a scanning electron microscope, which is equipped with a display device that sweeps and displays a sample image on a cathode ray tube or the like (CRT) in synchronization with the scanning of the sample surface by the charged particle beam or equivalently in synchronization with the scanning of the sample surface by the charged particle beam. a pattern creating means for creating an ideal pattern formed on a sample surface based on design values of the observation specimen; A sample image display device comprising: a pattern display means for displaying an ideal pattern image obtained by the means;
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP62117646A JPS63284747A (en) | 1987-05-14 | 1987-05-14 | Sample image display device |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP62117646A JPS63284747A (en) | 1987-05-14 | 1987-05-14 | Sample image display device |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS63284747A true JPS63284747A (en) | 1988-11-22 |
Family
ID=14716835
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP62117646A Pending JPS63284747A (en) | 1987-05-14 | 1987-05-14 | Sample image display device |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS63284747A (en) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2002049066A1 (en) * | 2000-12-12 | 2002-06-20 | Hitachi, Ltd. | Charged particle beam microscope, charged particle beam application device, charged particle beam microscopic method, charged particle beam inspecting method, and electron microscope |
-
1987
- 1987-05-14 JP JP62117646A patent/JPS63284747A/en active Pending
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2002049066A1 (en) * | 2000-12-12 | 2002-06-20 | Hitachi, Ltd. | Charged particle beam microscope, charged particle beam application device, charged particle beam microscopic method, charged particle beam inspecting method, and electron microscope |
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