JPS63278366A - Solid-state image sensor - Google Patents
Solid-state image sensorInfo
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- JPS63278366A JPS63278366A JP62114206A JP11420687A JPS63278366A JP S63278366 A JPS63278366 A JP S63278366A JP 62114206 A JP62114206 A JP 62114206A JP 11420687 A JP11420687 A JP 11420687A JP S63278366 A JPS63278366 A JP S63278366A
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
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Abstract
Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、固体撮像装置の実装構造に関する。[Detailed description of the invention] [Industrial application field] The present invention relates to a mounting structure for a solid-state imaging device.
本発明は、絶縁基板上に複数個の光電変換素子と各光電
変換素子を順次選択するための走査回路を形成した素子
チップを複数個配列して成る形式の固体撮像装置におい
て、該素子チップを配列するための絶縁性の実装用基板
上に該素子チップを駆動するためのクロック及び電源の
配線を行うことにより、外付けの回路部との接続ケ所を
−ケ所とし、また前記実装用基板上の配線の配置を工夫
することにより、固体撮像装置をS/Nや信頼性等を低
下させること無く安価に製造する方法を提供するもので
ある。The present invention relates to a solid-state imaging device in which a plurality of element chips each having a plurality of photoelectric conversion elements and a scanning circuit for sequentially selecting each photoelectric conversion element are arranged on an insulating substrate. By wiring the clock and power supply for driving the element chips on the insulating mounting board for arranging, there are only two connection points with external circuit parts, and The present invention provides a method for manufacturing a solid-state imaging device at low cost without degrading S/N, reliability, etc. by devising the wiring arrangement.
従来の前記形式の固体撮像装置の実装構造は、第2図に
示す様に前記実装用基板上に配列した各諺素子チップ上
の入力、及び出力用のパッド部の近傍にのみ導電性のパ
ターンを設け、外付は回路部との接続は(前記の導電性
パターンを介して)個々の該素子チップの入力及び出力
部に対応して行われていた。As shown in FIG. 2, the conventional mounting structure of the solid-state imaging device of the above type has a conductive pattern only in the vicinity of the input and output pads on each element chip arranged on the mounting board. External connections to the circuit section were made (via the conductive patterns) corresponding to the input and output sections of each element chip.
この様な実装構造を用いることは、実装基板上での配線
パターンを交差させる必要が無(、ノイズ源となる様な
配線を、該実装用基上で最小にできる等の点ではを用で
ある。Using such a mounting structure eliminates the need for wiring patterns on the mounting board to intersect (it is useful in that it is possible to minimize wiring on the mounting board that may cause noise). be.
しかしこの様な実装構造を用いた場合、外付は回路基板
の全長がほぼ該実装用基板と同じたけ必要であり、必要
とされる回路の量に対し大型になってしまう場合が多い
。この傾向は、固体撮像装置が長尺化するほど著しく、
コストが上昇する原因となる。また、使用する該素子チ
ップの長さや数にゝ対応して、個々に外付は回路基板を
設計する必要があり、使用する該素子チップの長さや本
数の異なる複数の種類の固体撮像装置を作製する場合に
迅速に対応することが難しく、部品の供用化ができない
ことから、コスト高の要因ともなる。However, when such a mounting structure is used, the total length of the external circuit board is required to be approximately the same as that of the mounting board, and the size of the circuit board is often large compared to the amount of circuitry required. This tendency becomes more pronounced as the solid-state imaging device becomes longer.
This causes costs to rise. In addition, it is necessary to design individual external circuit boards depending on the length and number of the element chips used, and it is necessary to design multiple types of solid-state imaging devices with different lengths and numbers of the element chips used. It is difficult to respond quickly when manufacturing, and parts cannot be made available for commercial use, which also causes high costs.
特に長尺の固体撮像装置を作製する場合には、該実装用
基板、該外付回路基板とも高い寸法精度が要求される様
になり作製が難しいばかりでなく、該実装用基板と該外
付回路基板の接続にインクコネクタを用いたりする場合
など該実装用基板と該外付は回路基板の位置合わせをし
て固定することが難しくなり、振動に対する耐量等も低
下する。In particular, when manufacturing a long solid-state imaging device, high dimensional accuracy is required for both the mounting board and the external circuit board, making it difficult to manufacture. When an ink connector is used to connect a circuit board, it becomes difficult to align and fix the mounting board and the external circuit board, and the resistance to vibration is also reduced.
そこで、本発明はこの様な問題点を解決するためのもの
で、その目的とするところは、固体撮像装置をS/Nや
信頼性等を低下させること無く安価に製造する方法を提
供することにある。Therefore, the present invention is intended to solve these problems, and its purpose is to provide a method for manufacturing a solid-state imaging device at low cost without reducing S/N, reliability, etc. It is in.
本発明の固体撮像装置は、(I) 該素子チップを起
倒する絶縁性の実装用基板上に設けた導電性のパターン
により該素子チップを駆動するためのクロック及び電源
等の配線を行うことにより、外付けの回路部との接続ケ
所を一ケ所とし、(2) 前記実装用基板上配線のクロ
ック配線部に右いて、各相クロック配線の正相側クロッ
ク配線各部の該素子チップ上の光電変換素子が配列され
ている方向に平行に走る成分の長さを6+ とじ、逆相
側クロック配線各部の該素子チップ上の光電変換素子が
配列されている方向に平行に走る成分の長さを遍8、そ
の部分の該素子チップからの距離配置したことを特徴と
する。The solid-state imaging device of the present invention includes (I) wiring for clocks, power supplies, etc. for driving the element chip using a conductive pattern provided on an insulating mounting substrate for raising and lowering the element chip; Therefore, the connection point with the external circuit section is set to one place, and (2) the clock wiring section of the wiring on the mounting board is connected to the clock wiring section of the positive phase side clock wiring of each phase clock wiring on the element chip. The length of the component running parallel to the direction in which the photoelectric conversion elements are arranged is 6+, and the length of the component running parallel to the direction in which the photoelectric conversion elements on the element chip of each part of the reverse phase side clock wiring is arranged is is arranged at a distance of 8 times from the element chip.
第1図は本発明の実施例における固体撮像装置の該素子
チップで、該実装用基板及び該外付は回路部間の配線の
一例を示す模式図である。FIG. 1 is a schematic diagram showing an example of the wiring between the mounting board and the external circuit portion of the element chip of the solid-state imaging device according to the embodiment of the present invention.
第1図において、101は素子チップで、 102は
絶縁性の実装用基板、103は外付は回路部である。1
04は正相側クロック配線、105は逆相側クロック配
線で、正相側クロック配線のSと、逆相側クロック配線
の≦の違いが小さくなる様に配置するために108にお
いて正相側クロック配線と逆相側クロック配線をクロス
アンダさせることにより、該素子チップからの距離の入
れ替えを行っている。In FIG. 1, 101 is an element chip, 102 is an insulating mounting board, and 103 is an external circuit section. 1
04 is the positive-phase side clock wiring, 105 is the negative-phase side clock wiring, and in order to arrange the positive-phase side clock wiring so that the difference between S of the positive-phase side clock wiring and ≦ between the negative-phase side clock wiring is small, the positive-phase side clock wiring is connected at 108. The distance from the element chip is swapped by cross-underlining the wiring and the clock wiring on the opposite phase side.
この正相側クロック配線と逆相側クロック配線が約1.
5 (V)程度のA4判のセンサで出力に現れる実装用
基板上のクロック配線の影響によるノイズ成分nCLを
調べると表1に示す様な関係が見られた。The positive phase side clock wiring and the negative phase side clock wiring are approximately 1.
When examining the noise component nCL due to the influence of the clock wiring on the mounting board that appears in the output of an A4 size sensor of about 5 (V), a relationship as shown in Table 1 was found.
表、■
この様に正相側クロック配線からノイズと逆相側クロッ
ク配線からのノイズは互に逆方向の電圧として現れるた
め、ΔSが小さいほど相殺する様な効果が働き、ncL
が小さくなる。この様にクロック配線からノイズを小さ
くするためにはΔSはできるだけ小さい方が望ましく、
明出力に対して30dB以上のS / Hを得るために
は、 ΔSが5%以下である必要がある。Table,■ In this way, the noise from the positive-phase side clock wiring and the noise from the negative-phase side clock wiring appear as voltages in opposite directions, so the smaller ΔS is, the more the canceling effect works, and the ncL
becomes smaller. In this way, in order to reduce noise from clock wiring, it is desirable that ΔS be as small as possible.
In order to obtain S/H of 30 dB or more for bright output, ΔS needs to be 5% or less.
106及び107は、該素子チップに電源を供給するた
めの配線で、109での各配線と該素子チップの間の接
続には、通常ワイヤボンディングが用いられる。1)0
は外付回路部と実装用基板上の配線部との接続部で、イ
ンクコネクタ、異方性導電樹脂、はんだ付は等の方法で
接続される。106 and 107 are wirings for supplying power to the element chip, and wire bonding is usually used for connection between each wiring 109 and the element chip. 1) 0
is the connection part between the external circuit part and the wiring part on the mounting board, and the connection is made using an ink connector, anisotropic conductive resin, soldering, etc.
第3図は本発明の実施例における固体@像装置の該実装
用基板上の配線パターンの一例を示すもので、実装用基
板上の配線パターン上でのクロスアンダに、ワイヤボン
ディングを用いたものである。FIG. 3 shows an example of the wiring pattern on the mounting board of the solid-state @image device according to the embodiment of the present invention, in which wire bonding is used for the cross-under on the wiring pattern on the mounting board. It is.
第3図において、304は、正相側クロック配線、30
5は逆相側クロック配線で、308に該素子チップから
見た位置を入れ替えるためにクロスアンダを行うためパ
ターンを設けである。306及び307は電源供給のた
めの配線で、配線抵抗を低く抑えるためにクロック配線
よりもパターンの幅を広く取っである。また、外付は回
路との接続部から離れた位置に存在する素子チップに対
する電源インピーダンスを低下させるために、312に
チップコンデンサを実装するためのパターンを設けであ
る。304〜307の配線は、該素子チップに与えるノ
イズ等の影富を少くするために、できるだけ素子チップ
から離れた位置に設けることを原則とするが、素子チッ
プとの接続部の近傍では素子チップに近づけるものとす
る。この様に配置することで、実装用基板上の配線と素
子チップを接続するワイヤボンディングと実装用基板上
の配線どうしのクロスアンダを行うためのワイヤボンデ
ィングとを、効率良く行うことができる。用いられる素
子チップの数が奇数である場合等、素子チップと実装用
基板上配線の接続部が光電変換素子の配列方向に対して
左右非対称になる場合には、左右でのクロック配線から
の影廿を等しくするために313に示す様に配線パター
ンの一部を素子チップ側に近づけて、素子チップと配線
パターンの距離が左右対称になる様にして固定パターン
ノイズの低減を計る。In FIG. 3, 304 is a positive phase side clock wiring;
5 is a clock wiring on the opposite phase side, and a pattern 308 is provided to perform a cross-under to change the position seen from the element chip. Reference numerals 306 and 307 are wiring lines for power supply, and the width of the pattern is wider than that of the clock wiring lines in order to keep wiring resistance low. Furthermore, in order to reduce the power supply impedance for the element chip located away from the connection part with the circuit, a pattern for mounting a chip capacitor is provided on the external part 312. In principle, the wiring 304 to 307 should be placed as far away from the element chip as possible in order to reduce the influence of noise etc. on the element chip. shall be close to. With this arrangement, wire bonding for connecting the wiring on the mounting board and the element chip and wire bonding for cross-underning the wiring on the mounting board can be efficiently performed. If the number of device chips used is an odd number, or if the connection between the device chips and the wiring on the mounting board is asymmetrical with respect to the direction in which the photoelectric conversion elements are arranged, shadows from the clock wiring on the left and right sides may occur. In order to equalize the distance, a part of the wiring pattern is brought closer to the element chip side as shown at 313, so that the distance between the element chip and the wiring pattern becomes symmetrical, thereby reducing fixed pattern noise.
第4図は、第3図に示す実施例における実装基板上の配
線と素子チップの接続部近傍での結線の様子を示すもの
である。FIG. 4 shows the state of connection in the vicinity of the connection portion between the wiring on the mounting board and the element chip in the embodiment shown in FIG.
第4図において、素子チップ401上の配線用パッド部
400は、 該実装用基板上の配線402〜403とは
直接、404〜407とは、実装用基板上配線のクロス
アンダのためのワイヤボンディング412゛及び、島状
の中間配線部410を介してワイヤボンディングで結ば
れている。この様に、ワイヤボンディング部を集中して
配置させることで、ワイヤボンディング工程中に高精度
な位置合わせを必要とする範囲を狭くすることができ、
この工程中に要する装置及び時間を軽減することができ
る。多数の実装用基板上配線とクロスアンダする必要が
ある場合には、410の様な島状の中間配線部を複数用
いて、一度に行うワイヤボンディングの長さを短くする
ことで、ワイヤボンディングを安定して行うことができ
る。In FIG. 4, a wiring pad portion 400 on an element chip 401 is directly connected to wirings 402 to 403 on the mounting board, and 404 to 407 are wire bonding pads for cross-unders of wiring on the mounting board. 412 and are connected by wire bonding via an island-shaped intermediate wiring section 410. In this way, by arranging the wire bonding parts in a concentrated manner, it is possible to narrow the range that requires highly accurate positioning during the wire bonding process.
The equipment and time required during this process can be reduced. If it is necessary to cross-under a large number of wiring on a mounting board, use multiple island-shaped intermediate wiring parts such as 410 to shorten the length of wire bonding performed at one time. It can be done stably.
第5図は、第4図に示す接続部の断面の模式図で、該実
装用基板上配線のワイヤボンディングを用いてのクロス
アンダの様子及び素子チップとの接続を模式的に示した
ものである。FIG. 5 is a schematic cross-sectional view of the connection portion shown in FIG. 4, which schematically shows the state of the cross-under using wire bonding of the wiring on the mounting board and the connection with the element chip. be.
第5図において、実装用基板上記!?1505は、ワイ
ヤボンディング51)によって、他の実装用基板上配線
503、及び504とクロスアンダして島状のパターン
510に接続され、510より素子チップ上の配線用パ
ッド部508にワイヤボンディング51)で接続されて
いる。51)の様に著しい段差のある部分でのボンディ
ングは長くすると不安定になりやすいため、素子チップ
の近傍に510の様なパターン設は接続することはを用
である。In Figure 5, above the mounting board! ? 1505 is connected to the island-shaped pattern 510 by cross-under other wirings 503 and 504 on the mounting board by wire bonding 51), and is connected to the wiring pad part 508 on the element chip from 510 by wire bonding 51). connected with. Since bonding at a portion with a significant step difference like 51) tends to become unstable if it is made long, it is not recommended to connect a pattern like 510 near the element chip.
第6図は本発明の実施例における固体撮像装置の該実装
用基板上配線パターンの他の一例を示すものである。FIG. 6 shows another example of the wiring pattern on the mounting board of the solid-state imaging device according to the embodiment of the present invention.
第6図において、実装用基板上配線603〜607は、
他の実装基板上配線と、絶縁v!、613上の配線バタ
ー7614及びコンタクト部615によりクロスアンダ
を行っている。通常、絶縁膜613には、配線材料とし
て厚膜焼成による金屑パターン等が用いられるため、高
温に強(、同じ厚膜焼成で形成可能なガラス等の無機材
料が利用される。しかし、絶縁膜上の配線パターンの材
料として導電性樹脂等の比較的低温でも形成可能な材料
を用いれば、ポリイミド等の育種系の材料の利用も可能
である。In FIG. 6, wirings 603 to 607 on the mounting board are as follows:
Insulated from wiring on other mounting boards! , 613 and the contact portion 615 perform a cross-under. Normally, the insulating film 613 uses a metal scrap pattern formed by thick film firing as a wiring material, so an inorganic material such as glass, which is resistant to high temperatures (and can be formed by the same thick film firing), is used. If a material such as a conductive resin that can be formed even at a relatively low temperature is used as the material for the wiring pattern on the film, it is also possible to use a breeding material such as polyimide.
第7図は、第6図に示す接続部の断面の模式図で、絶縁
膜を用いての該実装用基板上配線のクロスアンダの様子
を模式的に示したものである。FIG. 7 is a schematic cross-sectional view of the connection portion shown in FIG. 6, and schematically shows how the wiring on the mounting board is cross-under using an insulating film.
第7図において、実装用基板上配線705は絶縁膜71
3により、絶縁膜上の配線714とクロスアンダしてい
る。絶縁膜上の配線と実装用基板上の配線は、コンタク
ト部715により接続される。この様な方法で実装基板
上の配線のクロスアンダを行うと、クロスアンダ部の上
が平坦であるため、この上に素子チップにモールドを施
すためのモールド枠等を配置する事ができ、実装基板上
の配線パターンの設計の自由度も増加する。In FIG. 7, wiring 705 on the mounting board is connected to an insulating film 71.
3, it cross-unders the wiring 714 on the insulating film. The wiring on the insulating film and the wiring on the mounting substrate are connected by contact portions 715. When the wiring on the mounting board is cross-undered in this way, the top of the cross-under part is flat, so a mold frame etc. for molding the element chip can be placed on top of this, and the mounting The degree of freedom in designing the wiring pattern on the board also increases.
以上述べた様に、本発明によれば、該素子チップを配列
するための実装基板上に該素子チップを駆動するための
クロック及び電源の配線を行うことにより、外付は回路
部との接続場所を一個所とし、また該実装用基板上配線
部の正相側のクロック配線と逆相側のクロック配線を該
素子チップ上の光電変換素子が配列されている方向に平
行に走る長さと該素子チップからの距離の商の和の違い
が2%以下になる様に配置したことにより、固体撮像装
置をS/Nや信頼性等を低下させること無く安価に製造
することができ、その効果は固体撮像装置が長尺化する
程大きい。As described above, according to the present invention, by wiring the clock and power supply for driving the element chips on the mounting board for arranging the element chips, external devices can be connected to the circuit section. The location is one, and the clock wiring on the positive phase side and the clock wiring on the negative phase side of the wiring section on the mounting board are connected to the same length as the length running parallel to the direction in which the photoelectric conversion elements on the element chip are arranged. By arranging the device so that the difference in the sum of the quotients of distances from the element chip is 2% or less, solid-state imaging devices can be manufactured at low cost without deteriorating S/N or reliability, etc. becomes larger as the solid-state imaging device becomes longer.
第1図は本発明の実施例における固体撮像装置の該素子
チップ、該実装用基板及び該外付は回路部間の配線の模
式図である。
第2図は従来の固体撮像装置の該素子チップ、該実装基
板及び該外付は回路部の配線の模式図である。
第3図は本発明の実施例における固体撮像装置の該実装
用基板上の配線パターンの一例である。
101.201,301・・・素子チップ102.20
2,302・・・絶縁性実装用基板103.203・・
・外付は回路部
104.304・・・正相側クロック配線105.30
5・・・逆相側クロック配線106.107,308,
307・・・電源配線108.308・・・クロック配
線クロスアンダ部109・・・素子チップと、実装基板
上配線パターンの接続部
1)0.210,310・・・外付は回路部と実装基板
上配線パターンの接続部
31)・・・シールド用接地パターン
312・・・コンデンサ取付用パッド部313・・・左
右対称化するためのパターン1)4.314・・・実装
用基板上配線パターンの中心線
第4図は、第3図に示す実施例の配線パターンにおける
該実装用基板上の配線と該素子チップの接続部近傍での
結線の様子を示すもので、第5図はこの場合の断面の模
式図である。
第6図は、本発明の実施例における固体撮像装置の該実
装用基板上配線パターンの他の一例を示す図で、第7図
は、この場合の断面の模式図である。
401.501,601,70t・・・素子チップ40
2.602・・・信号読取り用配線5’02,702・
・・絶縁性実装用基板403.503,603・・・電
源用配線パターン405.505.f305,606・
・・クロック配線408.508,608,708・・
・素子チップ上の接続用パッド部
409.509. 609,709・・・シールド用接
地パターン
410.510・・・島状の中間配線パターン41).
51),61),71)・・・素子チップと実装用基板
上配線間接続用ワイ
ヤボンディング
412.512・・・実装用基板上配線のクロスアンダ
用ワイヤボンディング
F313.713・・・絶縁膜
714・・・絶縁膜上の配線パターン
715・・・絶縁膜上の配線パターンと実装用基板上配
線パターンのコンタクト部
以 上
出願人 セイコーエプソン株式会社
oS
第4図FIG. 1 is a schematic diagram of wiring between the element chip, the mounting board, and the external circuit section of a solid-state imaging device according to an embodiment of the present invention. FIG. 2 is a schematic diagram of the element chip, the mounting board, and the wiring of the external circuit section of a conventional solid-state imaging device. FIG. 3 is an example of a wiring pattern on the mounting board of the solid-state imaging device according to the embodiment of the present invention. 101.201,301...Element chip 102.20
2,302... Insulating mounting board 103.203...
・External circuit section 104.304... Positive phase side clock wiring 105.30
5... Reverse phase side clock wiring 106, 107, 308,
307...Power supply wiring 108.308...Clock wiring cross-under part 109...Connection part between element chip and wiring pattern on mounting board 1) 0.210,310...External connection to circuit part and mounting Connection part of wiring pattern on board 31)... Ground pattern for shield 312... Pad part for capacitor mounting 313... Pattern for left-right symmetry 1) 4.314... Wiring pattern on board for mounting The center line in FIG. 4 shows how the wiring on the mounting board and the connection area of the element chip are connected in the wiring pattern of the embodiment shown in FIG. 3, and in this case, FIG. FIG. FIG. 6 is a diagram showing another example of the wiring pattern on the mounting substrate of the solid-state imaging device according to the embodiment of the present invention, and FIG. 7 is a schematic cross-sectional view in this case. 401.501,601,70t...Element chip 40
2.602...Signal reading wiring 5'02,702・
...Insulating mounting board 403.503,603...Wiring pattern for power supply 405.505. f305,606・
・Clock wiring 408, 508, 608, 708...
・Connection pad portion 409.509. on the element chip. 609, 709... Shield grounding pattern 410.510... Island-shaped intermediate wiring pattern 41).
51), 61), 71)...Wire bonding for connection between element chip and wiring on mounting board 412.512...Wire bonding for cross-under of wiring on mounting board F313.713...Insulating film 714 ...Wiring pattern on the insulating film 715...Contact part between the wiring pattern on the insulating film and the wiring pattern on the mounting board Applicant: Seiko Epson Corporation oS Figure 4
Claims (2)
換素子を順次選択するための走査回路を形成した素子チ
ップ101を複数個配列して成る形式の固体撮像装置に
おいて、該素子チップを配列する絶縁性の実装用基板1
02上に設けた導電性のパターンにより該素子チップを
駆動するためのクロック及び電源等の配線104〜10
7を行うことにより、外付けの回路部103との接続個
所を一個所とした事を特徴とする固体撮像装置。(1) In a solid-state imaging device in which a plurality of photoelectric conversion elements and a plurality of element chips 101 each having a scanning circuit for sequentially selecting each photoelectric conversion element are arranged on an insulating substrate, the element chips Insulating mounting board 1 for arranging
Wirings 104 to 10 for clocks, power supplies, etc. for driving the element chips by conductive patterns provided on 02
A solid-state imaging device characterized in that by performing step 7, the number of connection points with an external circuit section 103 is reduced to one.
、各相クロック配線の正相側クロック配線各部の該素子
チップ上の光電変換素子が配列されている方向に平行に
走る成分の長さをe_1、その部分の該素子チップから
の距離をd_1とし、逆相側クロック配線各部の該素子
チップ上の光電変換素子が配列されている方向に平行に
走る成分の長さを@e@_1、その部分の該素子チップ
からの距離を@d@_1として、▲数式、化学式、表等
があります▼と@S@=Σ(@e@_1)/(@d@_
1)との違い(S−@S@)/{1/2(S+@S@)
}が5%以下になる様に配置したことを特徴とする特許
請求の範囲第一項記載の固体撮像装置。(2) In the clock wiring part of the wiring on the mounting board, the length of the component of each part of the positive phase side clock wiring of each phase clock wiring running parallel to the direction in which the photoelectric conversion elements on the element chip are arranged. e_1, the distance of that part from the element chip is d_1, and the length of the component running parallel to the direction in which the photoelectric conversion elements on the element chip of each part of the reverse phase side clock wiring are arranged is @e@_1, Let the distance of that part from the element chip be @d@_1, and there are ▲mathematical formulas, chemical formulas, tables, etc.▼ and @S@=Σ(@e@_1)/(@d@_
Difference from 1) (S-@S@)/{1/2(S+@S@)
} 5% or less, the solid-state imaging device according to claim 1.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP62114206A JPS63278366A (en) | 1987-05-11 | 1987-05-11 | Solid-state image sensor |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP62114206A JPS63278366A (en) | 1987-05-11 | 1987-05-11 | Solid-state image sensor |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS63278366A true JPS63278366A (en) | 1988-11-16 |
Family
ID=14631866
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP62114206A Pending JPS63278366A (en) | 1987-05-11 | 1987-05-11 | Solid-state image sensor |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS63278366A (en) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2013157436A (en) * | 2012-01-30 | 2013-08-15 | Fujitsu Semiconductor Ltd | Integrated circuit device and test method |
-
1987
- 1987-05-11 JP JP62114206A patent/JPS63278366A/en active Pending
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2013157436A (en) * | 2012-01-30 | 2013-08-15 | Fujitsu Semiconductor Ltd | Integrated circuit device and test method |
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