JPS63274052A - 水素放電灯乃びその製造方法 - Google Patents
水素放電灯乃びその製造方法Info
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- JPS63274052A JPS63274052A JP62306075A JP30607587A JPS63274052A JP S63274052 A JPS63274052 A JP S63274052A JP 62306075 A JP62306075 A JP 62306075A JP 30607587 A JP30607587 A JP 30607587A JP S63274052 A JPS63274052 A JP S63274052A
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C17/00—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating
- C03C17/02—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating with glass
-
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
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- H01J61/00—Gas-discharge or vapour-discharge lamps
- H01J61/02—Details
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J9/00—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture, installation, removal, maintenance of electric discharge tubes, discharge lamps, or parts thereof; Recovery of material from discharge tubes or lamps
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- H01J9/245—Manufacture or joining of vessels, leading-in conductors or bases specially adapted for gas discharge tubes or lamps
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
l瞥Δ11
本発明は、ランプ・エンベロープと、該エンベロープ内
に配設された電極とを有し、ランプ・エンベロープは少
なくとも光放射領域に、酸化ホウ素を含む紫外線透過領
域を備えている水素放電灯並びに該水素放電灯の製造方
法に関する。
に配設された電極とを有し、ランプ・エンベロープは少
なくとも光放射領域に、酸化ホウ素を含む紫外線透過領
域を備えている水素放電灯並びに該水素放電灯の製造方
法に関する。
本発明と関連して用いる術語「水素放電灯」とは水素ま
たは重水素或いはそれらの混合物が充填されているガス
放電灯を表すものと理解され度い。
たは重水素或いはそれらの混合物が充填されているガス
放電灯を表すものと理解され度い。
水素放電灯においては、その動作時間の経過に伴い、初
期の輝度と比較して輝度損失が生ずるが、この輝度損失
は、本質的に、エンベロープ(バルブ)の透過率の減少
に起因するものである。特に、この透過率減少は、陰極
から生ずる発光材料、例えばバリウム、ストロンチウム
、カルシウムがエンベロープ内壁に沈着することにより
惹起される。
期の輝度と比較して輝度損失が生ずるが、この輝度損失
は、本質的に、エンベロープ(バルブ)の透過率の減少
に起因するものである。特に、この透過率減少は、陰極
から生ずる発光材料、例えばバリウム、ストロンチウム
、カルシウムがエンベロープ内壁に沈着することにより
惹起される。
これら物質は石英ガラス内に拡散して石英ガラスと反応
する。それにより純石英ガラスの高い紫外線透過率は、
特に250mm以下の波長領域において著しく減少する
。
する。それにより純石英ガラスの高い紫外線透過率は、
特に250mm以下の波長領域において著しく減少する
。
水素放電灯の使用寿命としては、一般に、所与の波長に
おける輝度が、初期輝度と比較して少なくとも50%減
少するまで使用することができる期間と定義される。従
来の陰極構造を有する放電灯の波長230nmにおける
使用寿命は、約750時間である。
おける輝度が、初期輝度と比較して少なくとも50%減
少するまで使用することができる期間と定義される。従
来の陰極構造を有する放電灯の波長230nmにおける
使用寿命は、約750時間である。
米国特許第3,956,655号明細書から、バルブも
しくはエンベロープ材料としてホウケイ酸ガラスを使用
し、問題とする波長領域において約2倍の使用寿命が達
成される水素または重水素を充填した放電灯が知られて
いる。この使用ガ命の増加は石英ガラスの場合より、ア
ルカリ土類に対する化学抵抗性がホウケイ酸ガラスの方
が高いことに起因する0石英ガラスと比較して低いホウ
ケイ酸ガラスの紫外線透過率は、この場合、薄肉の壁に
より補償しなければならない、これは、ガラス・エンベ
ロープをリング状に延伸成形するか或いは管状に吹成成
形することにより達成される。
しくはエンベロープ材料としてホウケイ酸ガラスを使用
し、問題とする波長領域において約2倍の使用寿命が達
成される水素または重水素を充填した放電灯が知られて
いる。この使用ガ命の増加は石英ガラスの場合より、ア
ルカリ土類に対する化学抵抗性がホウケイ酸ガラスの方
が高いことに起因する0石英ガラスと比較して低いホウ
ケイ酸ガラスの紫外線透過率は、この場合、薄肉の壁に
より補償しなければならない、これは、ガラス・エンベ
ロープをリング状に延伸成形するか或いは管状に吹成成
形することにより達成される。
しかしながらそれには付加的な機械的費用が必要とされ
る6更に、壁厚が約0.3mmにまでも減少されるため
に、破壊の危険性が高くなる。
る6更に、壁厚が約0.3mmにまでも減少されるため
に、破壊の危険性が高くなる。
光1と1贋一
本発明の課題は、石英ガラス製のランプ・エンベロープ
を有する水素放電灯の使用寿命を改善することにある。
を有する水素放電灯の使用寿命を改善することにある。
その場合、300mmより短い波長領域におけるエンベ
ロープの透過率の減少を10%以下に留とめることを口
論むものである。
ロープの透過率の減少を10%以下に留とめることを口
論むものである。
上の課題は、本発明によれば、ランプ・エンベロープと
該エンベロープ内に配設された電極とを有し、少なくと
も光放射領域に酸化ホウ素を含む紫外線透過領域を備え
ている水素放電灯において、電極が、発光物質として、
バリウム、カルシウム、ストロンチウムの混合酸化物を
有し、ランプのエンベロープ(2)が石英ガラスから形
成され、そして該エンベロープの放電に面する内面に少
なくともホウケイ酸ガラスからなる領域を備えることに
より解決される。
該エンベロープ内に配設された電極とを有し、少なくと
も光放射領域に酸化ホウ素を含む紫外線透過領域を備え
ている水素放電灯において、電極が、発光物質として、
バリウム、カルシウム、ストロンチウムの混合酸化物を
有し、ランプのエンベロープ(2)が石英ガラスから形
成され、そして該エンベロープの放電に面する内面に少
なくともホウケイ酸ガラスからなる領域を備えることに
より解決される。
本発明の好適な実施態様においては、放電に面するエン
ベロープの内面上の少なくとも1つの領域にホウケイ酸
層が被着される。
ベロープの内面上の少なくとも1つの領域にホウケイ酸
層が被着される。
本発明の別の好適な実施態様においては、放電に面する
ランプ・エンベロープの内面は、少なくとも1つの領域
において101mの厚さまで拡散された酸化ホウ素を含
有する。
ランプ・エンベロープの内面は、少なくとも1つの領域
において101mの厚さまで拡散された酸化ホウ素を含
有する。
本発明による水素放電灯の好適な製造方法においては、
ランプのエンベロープ(バルブ)の内面上の1つの領域
に、少なくとも酸化ホウ素を含有する懸濁物からなる層
が被着され、この層は乾燥過程後焼成されて放電に面す
る表面はホウケイ酸ガラスを形成してガラス質化される
。この場合、焼成温度は焼成過程中ホウケイ酸ガラスが
形成されるように高くするのが有利である。
ランプのエンベロープ(バルブ)の内面上の1つの領域
に、少なくとも酸化ホウ素を含有する懸濁物からなる層
が被着され、この層は乾燥過程後焼成されて放電に面す
る表面はホウケイ酸ガラスを形成してガラス質化される
。この場合、焼成温度は焼成過程中ホウケイ酸ガラスが
形成されるように高くするのが有利である。
本発明の更に他の有利な実施態様は特許請求の範囲第2
項以下に記述しである。
項以下に記述しである。
利点として、同じ壁厚の公知の放電灯と比較して、25
0r+n+以下の波長領域で高い透過率が得られること
が判明した1本発明はまた、合成石英ガラスからなるエ
ンベロープを有する放電灯にも適用可能であり、ランプ
の使用範囲を200rv+以下の波長に拡大できる。
0r+n+以下の波長領域で高い透過率が得られること
が判明した1本発明はまた、合成石英ガラスからなるエ
ンベロープを有する放電灯にも適用可能であり、ランプ
の使用範囲を200rv+以下の波長に拡大できる。
更に、本発明による放電灯は、例えば、排ガス系、試験
装置或いは煙道において要求されるような高温度の環境
、特に高温度設置場所において使用できるという利点を
有することが判明した。
装置或いは煙道において要求されるような高温度の環境
、特に高温度設置場所において使用できるという利点を
有することが判明した。
好JLII丸旌1μλ披朋−
以下、本発明による水素放電灯の実施例に関し第1八図
、第1B図、第1C図及び第2図を参照し詳細に説明す
る。
、第1B図、第1C図及び第2図を参照し詳細に説明す
る。
第1八図を参照するに、円筒状のランプ・エンベロープ
2の軸線1の領域において陽極及び陰極からなる電極ア
センブリがハウジング3内に配置されており、可能な限
り高い放射密度を達成するために、コイルの形態にある
電極間には、高融点の金属、例えばモリブデンからなる
スリットが配設されている。放射ビームの開き角は、例
えば30〜40”の領域にある。
2の軸線1の領域において陽極及び陰極からなる電極ア
センブリがハウジング3内に配置されており、可能な限
り高い放射密度を達成するために、コイルの形態にある
電極間には、高融点の金属、例えばモリブデンからなる
スリットが配設されている。放射ビームの開き角は、例
えば30〜40”の領域にある。
石英ガラスからなるランプ・エンベロープ(バルブ)2
の内面には、本発明による、層4が設けられる。この層
の厚さは、50 n mと1011111との間の範囲
内にある。尚、図示を明瞭にするために、この掻く薄い
層4は図には破線で表しである。第1B図及び第1C図
には、それぞれ、破線円5の領域内のエンベロープ壁の
縦断面が示しである。
の内面には、本発明による、層4が設けられる。この層
の厚さは、50 n mと1011111との間の範囲
内にある。尚、図示を明瞭にするために、この掻く薄い
層4は図には破線で表しである。第1B図及び第1C図
には、それぞれ、破線円5の領域内のエンベロープ壁の
縦断面が示しである。
第1B図は、電極アセンブリの高さ位置における本発明
によるランプのエンベロープ壁の縦断面を示す図である
。この図において、層4は、図示を明瞭にするためにハ
ツチングを付けて示しである。
によるランプのエンベロープ壁の縦断面を示す図である
。この図において、層4は、図示を明瞭にするためにハ
ツチングを付けて示しである。
例えばホウ酸のような溶液に浸漬することにより、ラン
プのエンベロー12の内面に被層することも可能である
が、しかしながらまた、酸化ホウ素を、陰極スパッタリ
ング或いは熱蒸着にょ′リランプのエンベロープの内面
に被着することもできる。
プのエンベロー12の内面に被層することも可能である
が、しかしながらまた、酸化ホウ素を、陰極スパッタリ
ング或いは熱蒸着にょ′リランプのエンベロープの内面
に被着することもできる。
浸漬、スパッタリング、塗装、或いは蒸着により酸化ホ
ウ素懸濁物を被着したならば、乾燥後に、焼入れ工程を
実施し、それにより石英ガラス層の表面をホウケイ酸ガ
ラスを形成してガラス質化する。
ウ素懸濁物を被着したならば、乾燥後に、焼入れ工程を
実施し、それにより石英ガラス層の表面をホウケイ酸ガ
ラスを形成してガラス質化する。
ランプ・エンベロープ2の内面にマスクを形成するか或
いは懸濁物の部分的スプレー、塗装または蒸着により、
ランプ・エンベロープの内面の光ビーム束が通過するた
めに予定した部分だけに本発明による層を設けることが
可能である。この場合、ビーム出射方向を可能な限り正
確に調整することが必要であることは言う迄もない。
いは懸濁物の部分的スプレー、塗装または蒸着により、
ランプ・エンベロープの内面の光ビーム束が通過するた
めに予定した部分だけに本発明による層を設けることが
可能である。この場合、ビーム出射方向を可能な限り正
確に調整することが必要であることは言う迄もない。
第1C図には、ホウケイ酸面4゛を内面に有しているラ
ンプ・エンベロープ2の縦断面図が示しである。しかし
ながら、このホウケイ酸面4′は、第1B図とは異なり
独立の層を表すものではない。寧ろ、エンベロープの石
英ガラスとホウケイ酸ガラスとが連続構造を形成してい
て、内表面にホウケイ酸ガラスを有している。尚、第1
C図においてホウケイ酸面4゛は図示を明瞭にするため
に点で象徴的に示しである。
ンプ・エンベロープ2の縦断面図が示しである。しかし
ながら、このホウケイ酸面4′は、第1B図とは異なり
独立の層を表すものではない。寧ろ、エンベロープの石
英ガラスとホウケイ酸ガラスとが連続構造を形成してい
て、内表面にホウケイ酸ガラスを有している。尚、第1
C図においてホウケイ酸面4゛は図示を明瞭にするため
に点で象徴的に示しである。
製造に当たり、石英ガラス・エンベロープの内面に、酸
化ホウ素懸濁物の薄層を設けて、この1層を短時間乾燥
後、例えば火炎で焼成する。これによりホウケイ酸ガラ
ス表面が形成されるが、このホウケイ酸ガラス表面は厚
さが薄いために石英ガラスの透過性に悪影響を与えるこ
とは無い。このホウケイ酸ガラス表面により、エンベロ
ープの内面には、ランプの動作中に付着するアルカリ土
類に対し化学的抵抗が付与される。その結果として、透
過率の減少は小さく、それと共に放電灯の使用寿命は長
くなる。
化ホウ素懸濁物の薄層を設けて、この1層を短時間乾燥
後、例えば火炎で焼成する。これによりホウケイ酸ガラ
ス表面が形成されるが、このホウケイ酸ガラス表面は厚
さが薄いために石英ガラスの透過性に悪影響を与えるこ
とは無い。このホウケイ酸ガラス表面により、エンベロ
ープの内面には、ランプの動作中に付着するアルカリ土
類に対し化学的抵抗が付与される。その結果として、透
過率の減少は小さく、それと共に放電灯の使用寿命は長
くなる。
第2図は、200〜300nmの波長の紫外線領域にお
ける種々なエンベロープ材料についてのスペクトル透過
率(%)を示すグラフである。図中、曲線Aは、1−餉
厚さのホウケイ酸ガラスのスペクトル透過率を表す。こ
の曲線から明らかなように、透過率は200nmの波長
で急激に50%以下に落ちる。他”方、波長が大きくな
るに伴い、透過率は増加し。
ける種々なエンベロープ材料についてのスペクトル透過
率(%)を示すグラフである。図中、曲線Aは、1−餉
厚さのホウケイ酸ガラスのスペクトル透過率を表す。こ
の曲線から明らかなように、透過率は200nmの波長
で急激に50%以下に落ちる。他”方、波長が大きくな
るに伴い、透過率は増加し。
250n−の領域で約85%の透過率に達する。曲線B
は、厚さ0.31のホウケイ酸ガラスの透過率を示す、
厚さが薄いので透過率は著しく改善され、200nmに
おいて既に75%の透過率に達し、この場合波長が増加
しても、曲線Aの場合と比較して透過率の上昇率は小さ
く留とまる。従って、250nmの波長における透過率
は約88%の値である。
は、厚さ0.31のホウケイ酸ガラスの透過率を示す、
厚さが薄いので透過率は著しく改善され、200nmに
おいて既に75%の透過率に達し、この場合波長が増加
しても、曲線Aの場合と比較して透過率の上昇率は小さ
く留とまる。従って、250nmの波長における透過率
は約88%の値である。
曲線Cは、1+1111厚さの石英ガラスの場合の透過
率曲線の推移を示す。この曲線から明らかなように、既
に200nmの波長において約82%の透過率に達し、
250nmの波長領域においては透過率は約90%台に
ある。
率曲線の推移を示す。この曲線から明らかなように、既
に200nmの波長において約82%の透過率に達し、
250nmの波長領域においては透過率は約90%台に
ある。
一点鎖線りは、第1C図に示したように内面に拡散され
た酸化ホウ素を含有している1111II厚さのエンベ
ロープ材料の場合のスペクトル透過率を示す曲線である
。この曲線りから明らかなように、吸光度は、石英ガラ
スと比較して非常に小さい0曲線りで示される透過率値
は、200〜260n++の波長領域において曲線Aで
示す同じ厚さのホウケイ酸ガラスの場合の値を遥かに凌
駕している1曲線りの透過率値は、大きくても2%の偏
差で近似的に曲線Cで示す透過率値に対応する。
た酸化ホウ素を含有している1111II厚さのエンベ
ロープ材料の場合のスペクトル透過率を示す曲線である
。この曲線りから明らかなように、吸光度は、石英ガラ
スと比較して非常に小さい0曲線りで示される透過率値
は、200〜260n++の波長領域において曲線Aで
示す同じ厚さのホウケイ酸ガラスの場合の値を遥かに凌
駕している1曲線りの透過率値は、大きくても2%の偏
差で近似的に曲線Cで示す透過率値に対応する。
270〜300nmの波長領域においては、図から明ち
かなように、波長の増加に伴う吸光度の変化は無視する
ことができ、透過率値は実質的に、界面における反射損
による影響しか受けない。
かなように、波長の増加に伴う吸光度の変化は無視する
ことができ、透過率値は実質的に、界面における反射損
による影響しか受けない。
第1八図は、水素放電灯を部分的に縦断面で示す側面図
、第1b区は、電極を配置した高さにおけるエンベロー
プ壁の層II造を示す縦断面図、第1C図は、拡散した
ホウケイ酸ガラス層を有するエンベロープ壁の部分縦断
面図を示す図、第2図は種々なエンベロープに関するス
ベクI・ル透過率をグラフで示す線図である。 2・・・エンベロープ、3・・・ハウジング、4・・・
層、4′・・・ホウケイ酸部、A・・・1 ramNの
ホウケイ酸ガラスのスペクトル透過率、B・・・0.3
mm厚のホウケイ酸ガラスのスペクトル透過率、C・・
・lInl11厚の石英ガラスのスペクトル透過率。 FIG、IC ′&長(nml − FIG、2
、第1b区は、電極を配置した高さにおけるエンベロー
プ壁の層II造を示す縦断面図、第1C図は、拡散した
ホウケイ酸ガラス層を有するエンベロープ壁の部分縦断
面図を示す図、第2図は種々なエンベロープに関するス
ベクI・ル透過率をグラフで示す線図である。 2・・・エンベロープ、3・・・ハウジング、4・・・
層、4′・・・ホウケイ酸部、A・・・1 ramNの
ホウケイ酸ガラスのスペクトル透過率、B・・・0.3
mm厚のホウケイ酸ガラスのスペクトル透過率、C・・
・lInl11厚の石英ガラスのスペクトル透過率。 FIG、IC ′&長(nml − FIG、2
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、ランプ・エンベロープと該エンベロープ内に配設さ
れた電極とを有し、少なくとも光放射領域に酸化ホウ素
を含む紫外線透過領域を備えている水素放電灯において
、電極が、発光物質として、バリウム、カルシウム、ス
トロンチウムの混合酸化物を有し、ランプのエンベロー
プ(2)が石英ガラスから形成され、そして該エンベロ
ープの放電に面する内面に少なくともホウケイ酸ガラス
からなる領域を備えていることを特徴とする水素放電灯
。 2、少なくとも紫外線透過領域においてランプ・エンベ
ロープ(2)の内面にホウケイ酸ガラス層(4)が被着
されている特許請求の範囲第1項記載の水素放電灯。 3、少なくとも紫外線透過領域において、ガラス・エン
ベロープ(2)の内面が、10μmの厚さまで拡散され
た酸化ホウ素を含んでいる特許請求の範囲第1項記載の
水素放電灯。 4、酸化ホウ素含有量が25%より少ない特許請求の範
囲第3項記載の水素放電灯。 5、ランプ・エンベロープ(2)の内面全体に酸化ホウ
素を含んでいる特許請求の範囲第1項から第4項までの
いずれか1項記載の水素放電灯。 6、ランプ・エンベロープと該エンベロープ内に配設さ
れた電極とを有し、少なくとも光放射領域に、酸化ホウ
素を含む紫外線透過領域を備えている水素放電灯であっ
て、電極が発光物質として、バリウム、カルシウム、ス
トロンチウムの混合酸化物を有し、ランプのエンベロー
プが石英ガラスから形成され、そして該エンベロープの
放電に面する内面に少なくともホウケイ酸ガラスからな
る領域を備えている水素放電灯を製造する方法において
、ランプ・エンベロープ(2)の内面の少なくとも紫外
線透過領域に、少なくとも酸化ホウ素を含有している懸
濁物からなる層を被着し、該層を乾燥過程後焼成して放
電に面する表面をガラス化してホウケイ酸ガラスの形成
させることを特徴とする水素放電灯の製造方法。 7、焼成温度を、焼成過程中にホウケイ酸ガラスが形成
されるように高く選択する特許請求の範囲第6項記載の
水素放電灯の製造方法。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE19873713704 DE3713704A1 (de) | 1987-04-24 | 1987-04-24 | Wasserstoff-entladungslampe und verfahren zu ihrer herstellung |
DE3713704.2 | 1987-04-24 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS63274052A true JPS63274052A (ja) | 1988-11-11 |
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Family Applications (1)
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Country | Link |
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JP (1) | JPS63274052A (ja) |
DE (2) | DE3713704A1 (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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JP2010501991A (ja) * | 2006-08-30 | 2010-01-21 | ヘレーウス ノーブルライト ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング | シャインスルー型水素ランプ |
JP2012521621A (ja) * | 2009-03-26 | 2012-09-13 | ヘレーウス ノーブルライト ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング | 重水素ランプ |
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NL34001C (ja) * | 1929-08-30 | |||
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-
1987
- 1987-04-24 DE DE19873713704 patent/DE3713704A1/de active Granted
- 1987-09-30 EP EP87114255A patent/EP0287706B1/de not_active Expired - Lifetime
- 1987-09-30 DE DE87114255T patent/DE3788870D1/de not_active Expired - Fee Related
- 1987-12-04 JP JP62306075A patent/JPS63274052A/ja active Pending
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EP0287706B1 (de) | 1994-01-19 |
DE3713704C2 (ja) | 1990-03-29 |
EP0287706A3 (en) | 1990-09-12 |
EP0287706A2 (de) | 1988-10-26 |
DE3713704A1 (de) | 1988-11-03 |
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