JPS63263789A - Semiconductor laser diode - Google Patents
Semiconductor laser diodeInfo
- Publication number
- JPS63263789A JPS63263789A JP10061087A JP10061087A JPS63263789A JP S63263789 A JPS63263789 A JP S63263789A JP 10061087 A JP10061087 A JP 10061087A JP 10061087 A JP10061087 A JP 10061087A JP S63263789 A JPS63263789 A JP S63263789A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- cladding layer
- ridge
- semiconductor laser
- laser diode
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 24
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims abstract description 20
- 238000005253 cladding Methods 0.000 claims description 43
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 claims description 28
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 14
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 claims description 10
- 239000006096 absorbing agent Substances 0.000 abstract description 10
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 abstract description 10
- 238000002347 injection Methods 0.000 abstract description 4
- 239000007924 injection Substances 0.000 abstract description 4
- 230000000087 stabilizing effect Effects 0.000 abstract description 2
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 description 9
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N Hydrogen peroxide Chemical compound OO MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000000034 method Methods 0.000 description 4
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 3
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 3
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 2
- 241000872931 Myoporum sandwicense Species 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 238000002488 metal-organic chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 230000006641 stabilisation Effects 0.000 description 1
- 238000011105 stabilization Methods 0.000 description 1
- 238000000927 vapour-phase epitaxy Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は半導体レーザダイオードに関し、特に有機金
属気相成長法（ＭＯＣＶＤ法）によって製造されて、自
動発振を行う半導体レーザダイオードに関するものであ
る。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Industrial Application Field] The present invention relates to a semiconductor laser diode, and more particularly to a semiconductor laser diode that is manufactured by a metal organic chemical vapor deposition method (MOCVD method) and performs automatic oscillation.
第２図は、例えばＥｌｅｃｔｒｏｎ Ｌｅｔｔ ２１
Ｐ２Ｏ３（１９８５）に発表された有機金属気相成長法
により製造された従来の半導体レーザダイオードを示す
断面図である。図において、■はｎ型（以下ｎ−と称す
） ＧａＡｓ基板、２は前記ｎ−ＧａＡｓ基板１の上に
形成されたｎ−Ａｌｏ、 ｂｏＧａｏ、 ４０ＡＳ第１
クラッド層、３はｎ Ａｌｇ、６ｏＧａｏ、４ｏＡｓ
第１クラッド層２の上に形成されたアンドープ（ｕｎｄ
ｏｐｅｄ）のＧａＡｓ活性層、４はＧａＡｓ活性層３の
上に形成されたｐ型（以下ｐ−と称す）八１０．６０ｃ
ａ６．４０ＡＳ第２クラッド層、５はｐ−Ａｌｅ、＆。FIG. 2 shows, for example, Electron Lett 21
1 is a cross-sectional view showing a conventional semiconductor laser diode manufactured by a metal organic vapor phase epitaxy method published in P2O3 (1985). In the figure, ■ is an n-type (hereinafter referred to as n-) GaAs substrate, and 2 is an n-Alo, boGao, 40AS first formed on the n-GaAs substrate 1.
Cladding layer, 3 is n Alg, 6oGao, 4oAs
An undoped layer formed on the first cladding layer 2
4 is a p-type (hereinafter referred to as p-) formed on the GaAs active layer 3;
a6.40AS second cladding layer, 5 is p-Ale, &.
Ｇａｇ、４゜Ａｓ第２クラッド層４の上に形成されたｐ
−ＧａＡｓコンタクト層、６は前記ｐ−Ａｌｅ、 １ｏ
Ｇａｏ、 ａ。Gag, 4°As p formed on the second cladding layer 4
-GaAs contact layer, 6 is the p-Ale, 1o
Gao, a.
Ａｓ第２クラッド層４とｐ−ＧａＡｓコンタクト層５を
ストライプ状に、かつＰ−Ａ１６． ｂ。Ｇａ、０．。The As second cladding layer 4 and the p-GaAs contact layer 5 are formed in a stripe shape, and the P-A 16. b. Ga, 0. .
＾Ｓ第２クラッド層４の厚みかもとなるまでエツチング
することによって形成されたりッジ部、７は前記ｐ−Ａ
１０． ｂ。^S The edge portion 7 is formed by etching until the thickness of the second cladding layer 4 is reached.
10. b.
Ｇａｏ、 ４０ＡＳ第２クラッド層４の上におけるリッ
ジ部６以外の部分に形成されたｎ−ＧａＡｓ 電流阻止
層、８はｐ （！Ｉ！ｌ電極、９はｎ側電極、１０は過
飽和吸収体、Ａは電流通路である。Gao, 40AS n-GaAs current blocking layer formed on the part other than the ridge part 6 on the second cladding layer 4, 8 is a p (!I!l electrode, 9 is an n-side electrode, 10 is a supersaturated absorber, A is a current path.
次に動作について説明する。ｐ側電極８とｎ側電極９と
の間にＰ側電極８が正となるバイアスを印かすると、ｐ
側電極８とｎ側電極９との間にｎ−ＧａＡｓ電流阻止層
７が存在しない領域、つまりリッジ部６のみに図中に電
流通路Ａとして示す電流が流れる。このようにして電流
が流れると、ＧａＡｓ活性層３中に注入された電子およ
び正孔が再結合して光を放射することになる。そして、
電流レベルを上げて行くと誘導輻射が始まり、やがてレ
ーザ発振に至る。Next, the operation will be explained. When a bias is applied between the p-side electrode 8 and the n-side electrode 9 so that the p-side electrode 8 becomes positive, p
A current shown as a current path A in the figure flows only in the region where the n-GaAs current blocking layer 7 is not present between the side electrode 8 and the n-side electrode 9, that is, in the ridge portion 6. When current flows in this manner, the electrons and holes injected into the GaAs active layer 3 recombine to emit light. and,
As the current level is increased, induced radiation begins, eventually leading to laser oscillation.
ここで、チップの縦方向に沿うレーザ光は、ＧａＡｓ活
性層３とｎ ＡＩＯ，１ｏＧａｏ、 ４０ＡＳ第１ク
ラッド層２およびＰ−Ａｌｏ、 ６０ｃａＯ，４ＯＡ！
第２クラッド層４との間の屈折率の差によって導波され
る。また、チップの横方向に沿うレーザ光は、ＧａＡｓ
活性層３に近接して位置するｎ−ＧａＡｓ電流阻止層７
におけるレーザ光の吸収による複屈折率の差によって導
波されることになる。Here, the laser beam along the vertical direction of the chip connects the GaAs active layer 3 and nAIO, 1oGao, 40AS first cladding layer 2 and P-Alo, 60caO, 4OA!
The wave is guided by the difference in refractive index between the second cladding layer 4 and the second cladding layer 4. In addition, the laser beam along the lateral direction of the chip is
n-GaAs current blocking layer 7 located close to active layer 3
The waveguide is caused by the difference in birefringence caused by the absorption of the laser light.
ところで、レーザビデオディスクプレーヤーおよび光デ
イスクメモリシステム等に使用される半導体レーザダイ
オードは、戻り光雑音特性の優れているものが要求され
、この条件を満たすものとしては、約ＩＧＨｚで発振す
る自動発信レーザダイオードがある。ここで、一般にレ
ーザの自助発振機構は、可飽和吸収体１０によるＱスイ
ッチング現象として説明され、光導波路内に位置する活
性層の一部に注入電流の低い領域が存在すると、該部分
が可飽和吸収体として働くことも知られている。従って
、第２図に示す半導体レーザダイオードにおいて、光導
波路内に位置する活性層の一部に注入電流の低い領域を
作り、この部分を可飽和吸収体１０として働かせて自動
発振を発生させるためには、図中に示すリッジ部６以外
の部分におけるＩ）−ＡＩ＋１． ｂｏＧａｏ、 ４ｏ
Ａｓ第２クラッド層４の厚みｔとリッジ部６の幅Ｗを適
当な値に選定することが必要である。Incidentally, semiconductor laser diodes used in laser video disc players, optical disc memory systems, etc. are required to have excellent return optical noise characteristics, and automatic oscillation lasers that oscillate at approximately IGHz are required to have excellent return optical noise characteristics. There is a diode. Here, the self-sustained oscillation mechanism of a laser is generally explained as a Q-switching phenomenon caused by the saturable absorber 10, and when a region of low injection current exists in a part of the active layer located in the optical waveguide, this part becomes saturable. It is also known to act as an absorber. Therefore, in the semiconductor laser diode shown in FIG. 2, a region with low injection current is created in a part of the active layer located in the optical waveguide, and this part acts as a saturable absorber 10 to generate automatic oscillation. I)-AI+1. in the portion other than the ridge portion 6 shown in the figure. boGao, 4o
It is necessary to select appropriate values for the thickness t of the As second cladding layer 4 and the width W of the ridge portion 6.
従来の半導体レーザダイオードは以上のように構成され
ているので、自励発振を発生させるためには、リッジ部
以外の部分における第２クラッド層４の厚みＬとリッジ
部の幅Ｗの大きさを制御しなければならない。また、リ
ッジ部分はエツチングにより形成されるために、前記ｔ
とＷを互いに独立した状態で高精度に制御することが極
めて困難となり、これに伴って歩留りが低くなる等の問
題点があった。Since the conventional semiconductor laser diode is configured as described above, in order to generate self-sustained oscillation, the thickness L of the second cladding layer 4 in the portion other than the ridge portion and the width W of the ridge portion must be adjusted. Must be controlled. Furthermore, since the ridge portion is formed by etching, the t
It has become extremely difficult to control and W with high precision independently of each other, and this has led to problems such as low yield.
この発明は上記のような問題点を解消するためになされ
たもので、自励発振する半導体レーザダイオードを歩留
り良く得ることを目的とするものである。This invention was made to solve the above-mentioned problems, and its purpose is to obtain a self-oscillating semiconductor laser diode with a high yield.
この発明に係る半導体レーザダイオードは、リッジ部分
をコンタクト層からなる電流狭窄用の第１リッジ部と、
レーザ光の横モードを安定化させるクラッド層からなる
第２リッジ部とによって構成すると共に、コンタクト層
とクラッド層の間にエッチングストッパー層を設けるも
のである。In the semiconductor laser diode according to the present invention, the ridge portion includes a first ridge portion for current confinement made of a contact layer;
A second ridge portion is formed of a cladding layer that stabilizes the transverse mode of laser light, and an etching stopper layer is provided between the contact layer and the cladding layer.
この発明における半導体レーザダイオードは、第１リッ
ジ部と第２リッジ部が電流狭窄ならびに横モード安定化
の働きを行い、また電流狭窄が主に第１リッジ部におい
て行われるために、第２１Ｊッジ部と活性層によって構
成される光導波路中に注入電流密度の小さい部分が構成
され、該部分が過飽和吸収鉢となって自動発振現象が得
られることになるものである。In the semiconductor laser diode according to the present invention, the first ridge portion and the second ridge portion perform the functions of current confinement and transverse mode stabilization, and the current confinement is mainly performed in the first ridge portion. A portion where the injected current density is low is formed in the optical waveguide constituted by the active layer and the active layer, and this portion becomes a supersaturated absorption pot, and an automatic oscillation phenomenon is obtained.
以下、この発明の一実施例を図について説明する。第１
図において、１１はｎ−ＧａＡｓ基板、１２は前記ｎ−
ＧａＡｓ基板１１の上に形成されたｎ −Ａｌｏ、 ａ
ｓＧａｏ、 ５ｓＡｓ第１クラ・ンド層、１３はｎ−八
１０．４ｓＧａｏ、 ５５Ａｓ第１クラツドＮ１２の上
に形成されたアンドープ（ｕｎｄｏｐｅｄ）のＡ１６．
＋５Ｇａｏ、 ａｓＡｓ活性層、１４はＡｌｏ、 ｒ
ｓＧａｏ、 ａｓＡｓ活性層１３の上に形成されたＰ−
ＡＩＯ，ａｓＧａａ、 ５ｓＡｓ第２クラッド層、１５
はｐ−Ａｌｏ。An embodiment of the present invention will be described below with reference to the drawings. 1st
In the figure, 11 is the n-GaAs substrate, 12 is the n-GaAs substrate, and 12 is the n-GaAs substrate.
n-Alo, a formed on the GaAs substrate 11
sGao, 5sAs first cladding layer 13 is an undoped A16.
+5 Gao, asAs active layer, 14 is Alo, r
P− formed on the sGao, asAs active layer 13
AIO, asGaa, 5sAs second cladding layer, 15
is p-Alo.
４ＳｃａＯ，５ｓＡｓ第２クラッド層１４の上に形成さ
れたストライプ状のｐ−Ａｌｏ、 ２Ｓｃａ０．７ｓ八
へ第３クラッド層、１６は１）−Ａｌｏ、 ｚｓＧａｏ
、 ｔＪｓ第３クラッド層１５の上に形成されたｐ−Ａ
ｌ０．４ｓＧａｏ、 ５ｓＡｓ工ツチングストツパ一層
、１７はｐ−Ａｌｏ、 ４ＳｃａＯ，５ｓＡｓエツチン
グストツパー１１６の上に形成された前記ｐ−ＡＩ（、
、ｔｓＧａｏ。4ScaO, 5sAs striped p-Alo formed on second cladding layer 14, 2Sca0.7s8 third cladding layer, 16 is 1)-Alo, zsGao
, p-A formed on the tJs third cladding layer 15
10.4sGao, 5sAs etching stopper layer 17, p-AI formed on p-Alo, 4ScaO, 5sAs etching stopper 116;
, tsGao.
７ＳＡＳ第３クラッド層１５のストライプ幅よりも狭い
ストライプ幅を有するストライプ状のｐ−ＧａＡｓコン
タクト層、１８はｐ−Ａｌｏ、 ａｓＧａｏ、 ５ｓＡ
ｓ第２クラッド層１４の上のｐ−Ａｌｏ、 ｔｓＧａｏ
、 ｔｓＡｓ第３クラッド層１５が設けられていない領
域に形成されたｎ−ＧａＡｓ電流阻止層、１９はｐ−Ｇ
ａＡｓコンタクト層１７およびｎ−ＧａＡｓ電流阻止層
１８の上に形成されｐ側電極、２０はｎ−ＧａＡｓ基板
１１の下面に形成されたｎ側電極、２１はｐ−ＧａＡｓ
コンタクト層１７によって形成される第１リッジ部、２
２はｐ−＾１ｏ、 ｚｓＧａｏ、 ｑｓ八へ第３クラッ
ド層１５とｐ−／Ｉｉ、、ａｓＧａｏ、 ｓｓ八へエツ
チングストッパー１１１６によって形成される第２リッ
ジ部、２３はこの半導体レーザダイオードの動作臼に形
成される可飽和吸収体、Ａはこの半導体レーザダイオー
ドに正バイアスを加えた際に流れる電流経路である。7 A striped p-GaAs contact layer having a stripe width narrower than the stripe width of the third SAS cladding layer 15; 18 is p-Alo, asGao, 5sA;
p-Alo on the s second cladding layer 14, tsGao
, an n-GaAs current blocking layer formed in a region where the tsAs third cladding layer 15 is not provided, 19 is a p-G
A p-side electrode is formed on the aAs contact layer 17 and the n-GaAs current blocking layer 18, 20 is an n-side electrode formed on the lower surface of the n-GaAs substrate 11, and 21 is a p-GaAs
A first ridge portion formed by the contact layer 17, 2
2 is a second ridge portion formed by the third cladding layer 15 on p-^1o, zsGao, qs8 and an etching stopper 1116 on p-/Ii, , asGao, ss8; 23 is an operating die of this semiconductor laser diode; A saturable absorber formed in A is a current path that flows when a positive bias is applied to this semiconductor laser diode.
次に動作について説明する。ｐ側基板１９とｎ側基板２
０との間にＰ側基板１９が正となるバイアスを印加する
と、ｐ側基板１９とｎ＠基板２０との間にｎ−ＧａＡｓ
電流阻止層１８が存在しない領域、つまり第１リッジ部
２１と第２リッジ部２２の部分のみに、電流経路Ａによ
って示す電流が流れることになる。そして、このような
電流が流れると、旧。、 ＋ ５Ｇａｏ、５ｓＡｓ活性
層１３の内部に注入された電子および正孔が再結合して
光を輻射する。ここで、電流レベルを上げて行くと誘導
輻射が始まり、やがてレーザ発振が発生する。Next, the operation will be explained. P-side substrate 19 and n-side substrate 2
When a bias is applied that makes the P-side substrate 19 positive between the p-side substrate 19 and the n@substrate 20, n-GaAs
The current indicated by the current path A flows only in the region where the current blocking layer 18 is not present, that is, in the first ridge portion 21 and the second ridge portion 22. And when such a current flows, the old. , + 5Gao, 5sAs The electrons and holes injected into the active layer 13 recombine and radiate light. Here, as the current level is increased, induced radiation begins, and eventually laser oscillation occurs.
ここで、チップの縦方向に沿うレーザ光は、Ａｌｏ、
＋ ５Ｇａｏ、ｓｓ＾Ｓ活性層１３とｎ Ａｌｏ、
ａｓＧａｏ、５Ｊｓ第１クラッド層１２およびｐ−Ａｌ
ｏ、 ａｓＧａｏ、 ５５Ａｓ第２クラッド層１４との
間の屈折率の差によって導波される。また、チップの横
方向に沿うレーザ光は、＾１ｏ、 １ｓｃａＯ，５ｓＡ
ｓ活性層１３に近接して位置するｎ−ＧａＡｓ′ＵＬ流
阻止１１１Ｂにおけるレーザ光の吸収による複屈折率の
差によって導波される。Here, the laser beam along the vertical direction of the chip is Alo,
+ 5 Gao, ss^S active layer 13 and n Alo,
asGao, 5Js first cladding layer 12 and p-Al
The light is guided by the difference in refractive index between the second cladding layer 14 of 55As, asGao, and 55As. Also, the laser beam along the lateral direction of the chip is ^1o, 1scaO, 5sA
The light is guided by the difference in birefringence caused by absorption of the laser light in the n-GaAs' UL flow blocker 111B located close to the s-active layer 13.
ところで、この実施例による半導体レーザダイオードに
おける電流狭窄は、主に第１リッジ部２１において行わ
れ、またチップ横方向の光導波路は第２リッジ部２２の
端に位置するｎ−ＧａＡｓ電流阻止層１８によって構成
されることになる。従って、第１リッジ部２１の底部の
幅ＷＩと第２リッジ部２２の底部の幅Ｗ２を適当に選択
することによって、電流経路Ａを介して電流を流すこと
が可能であり、これに伴うて光導波路中に注入電流が小
さくなって、可飽和吸収体２３として働く部分を作るこ
とが出来る。そして、このように構成された半導体レー
ザダイオードは、光導波路内に可飽和吸収体２３を有す
ることから、この可飽和吸収体２３のＱスイッチ現象に
よって、自動発振が発生されることになる。By the way, current confinement in the semiconductor laser diode according to this embodiment is mainly performed in the first ridge part 21, and the optical waveguide in the lateral direction of the chip is formed by the n-GaAs current blocking layer 18 located at the end of the second ridge part 22. It will be composed of Therefore, by appropriately selecting the width WI of the bottom of the first ridge portion 21 and the width W2 of the bottom of the second ridge portion 22, it is possible to flow a current through the current path A, and accordingly, The injection current becomes small in the optical waveguide, and a portion can be created that functions as a saturable absorber 23. Since the semiconductor laser diode configured in this manner has the saturable absorber 23 in the optical waveguide, automatic oscillation is generated by the Q-switching phenomenon of the saturable absorber 23.
また、このように構成された半導体レーザダイオードは
、以下に示す方法によって、第１リッジ部２１および第
２リッジ部２２を再現性良く製造することが出来る。こ
の製造方法は、まず第１リッジ部２１をアンモニア・過
酸化水素系のエツチング液によってエツチングすること
によって形成する。この場合、上記アンモニア・過酸化
水素系のエツチング液は、ｐ−八１６． ａｓＧａｏ、
５ｓＡｓエツチングストツパーＪｉｌ１６を殆どエツ
チングしない。このために、第１リッジ部２１の底部を
常にｐ−ＡＩ＋、 ａｓＧａｏ、５ｓＡｓ工ツチングス
トツパ一層１６の部分に位置させることが容易に可能と
なる。次に、ｐ−Ａｌ０゜４ＳＧａ６．５ｓＡｓ工ツチ
ングストツパ一層１６を塩酸等によって除去した後に、
第１リッジ部２２をアンモニア・過酸化水素系のエツチ
ング液を使用してエツチングすることにより形成する。Further, in the semiconductor laser diode configured in this manner, the first ridge portion 21 and the second ridge portion 22 can be manufactured with good reproducibility by the method described below. In this manufacturing method, the first ridge portion 21 is first formed by etching with an ammonia/hydrogen peroxide based etching solution. In this case, the ammonia/hydrogen peroxide based etching solution is p-816. asGao,
5sAs etching stopper Jil16 is hardly etched. For this reason, it is easily possible to always position the bottom of the first ridge portion 21 at the p-AI+, asGao, 5sAs processing stopper layer 16. Next, after removing the p-Al0°4SGa6.5sAs processing stopper layer 16 with hydrochloric acid or the like,
The first ridge portion 22 is formed by etching using an ammonia/hydrogen peroxide based etching solution.
以上説明したように、この発明によれぼりッジ部分をコ
ンタクト層からなる電流狭窄用の第１リッジ部と、レー
ザ光の横モードを安定化させるクラッド層からなる第２
リッジ部とによって構成すると共に、コンタクト層とク
ラッド層の間にエッチングストッパー層を設けたもので
あるために、歩留まり良く自助発振を行うい半導体レー
ザダイオードが得られる効果がある。As explained above, according to the present invention, the ridge portion is divided into a first ridge portion for current confinement made of a contact layer and a second ridge portion made of a cladding layer for stabilizing the transverse mode of laser light.
Since the semiconductor laser diode has a ridge portion and an etching stopper layer is provided between the contact layer and the cladding layer, it is possible to obtain a semiconductor laser diode that can self-oscillate with high yield.
第１図はこの発明の一実施例による半導体レーザダイオ
ードの断面図、第２図は従来の半導体レーザダイオード
を示す断面図である。
１１はｎ ＧａＡｓ基板、１２はｎ Ａｌｏ、４ｓ
Ｇａｏ、５ｓＡｓ第１クラッド層、１３は八Ｉｏ、 ＋
５ｃａＯ，５ｓＡｓ活性層、１４はｐ−Ａｌｏ、 ａｓ
Ｇａｏ、 ５ｓＡｓ第２クラッド層、１５はｐ−Ａ１０
． ｚｓＧａｏ、 ７ｓＡｓ第３クラッド層、１６はｐ
−八１゜。
４ＳＧａＯ，５ｓＡｓ工ツチングストツパ一層、１７は
ｐ−ＧａＡｓコンタクト層、１８はｎ−ＧａＡｓ電流阻
止層、１９はｐ側電極、２０はｎ側電極、２１は第２リ
ッジ部、２３は可飽和吸収体、Ａは電流経路。
なお、図中、同一符号は同一、又は相当部分を示す。FIG. 1 is a sectional view of a semiconductor laser diode according to an embodiment of the present invention, and FIG. 2 is a sectional view of a conventional semiconductor laser diode. 11 is n GaAs substrate, 12 is n Alo, 4s
Gao, 5sAs first cladding layer, 13 is 8Io, +
5caO, 5sAs active layer, 14 is p-Alo, as
Gao, 5sAs second cladding layer, 15 is p-A10
．． zsGao, 7sAs third cladding layer, 16 is p
-81°. 4SGaO, 5sAs processing stopper layer, 17 is a p-GaAs contact layer, 18 is an n-GaAs current blocking layer, 19 is a p-side electrode, 20 is an n-side electrode, 21 is a second ridge portion, 23 is a saturable absorber, A is the current path. In addition, in the figures, the same reference numerals indicate the same or equivalent parts.
Claims (3)
導電型を有する第１クラッド層と、この第１クラッド層
の上に形成された活性層と、この活性層の上に設けられ
た第２の導電型を有する第２クラッド層と、この第２ク
ラッド層の上にストライプ状に設けられた第２の導電型
を有する第３クラッド層と、この第３クラッド層の上に
設けられて第２の導電型を有するエッチングストッパー
層と、このエッチングストッパー層の上に前記第３クラ
ッド層のストライプ幅より小さいストライプ幅のストラ
イプ状に形成された第２の導電型を有するコンタクト層
と、前記第２クラッド層上の第３クラッド層が設けられ
ていない領域に設けられて、その厚さが前記第３クラッ
ド層とエッチングストッパー層およびコンタクト層の層
厚合計と略等しい電流阻止層とによって構成されること
を特徴とする半導体レーザダイオード。(1) a first cladding layer having a first conductivity type formed on a substrate having a first conductivity type; an active layer formed on the first cladding layer; a second cladding layer having a second conductivity type provided on the second cladding layer; a third cladding layer having the second conductivity type provided in a stripe shape on the second cladding layer; an etching stopper layer having a second conductivity type provided on the etching stopper layer; and a contact having a second conductivity type formed in a stripe shape having a stripe width smaller than the stripe width of the third cladding layer on the etching stopper layer. and a current blocking layer provided in a region on the second cladding layer where the third cladding layer is not provided, and whose thickness is approximately equal to the total thickness of the third cladding layer, the etching stopper layer, and the contact layer. A semiconductor laser diode characterized in that it is comprised of layers.
層はＡｌ＿ｘＧａ＿１＿−＿ｘＡｓによって構成され、
活性層はＡｌ＿ｙＧａ＿１＿−＿ｙＡｓによって構成さ
れ、第２クラッド層はＡｌ＿ｘＧａ＿１＿−＿ｘＡｓに
よって構成され、第２クラッド層はＡｌ＿ｚＧａ＿１＿
−＿ｚＡｓによって構成され、エッチングストッパー層
はＡｌ＿ｗＧａ＿１＿−＿ｗＡｓによって構成され、コ
ンタクト層はＧａＡｓによって構成され、電流阻止層は
ＧａＡｓによって構成され、かつｙ＜０．４、ｘ≧０．
４、ｙ＜ｚ≦０．３、ｗ≧０．４、であることを特徴と
する特許請求の範囲第１項記載の半導体レーザダイオー
ド。(2) The substrate is made of GaAs, the first cladding layer is made of Al_xGa_1_-_xAs,
The active layer is made of Al_yGa_1_-_yAs, the second cladding layer is made of Al_xGa_1_-_xAs, and the second cladding layer is made of Al_zGa_1_
-_zAs, the etching stopper layer is made of Al_wGa_1_-_wAs, the contact layer is made of GaAs, the current blocking layer is made of GaAs, and y<0.4, x≧0.
4. The semiconductor laser diode according to claim 1, wherein y<z≦0.3, w≧0.4.
、かつｘ＝０．４５、ｙ＝０．１５、ｚ＝０．２５、ｗ
＝０．４５であることを特徴とする特許請求の範囲第１
項記載の半導体レーザダイオード。(3) The first conductivity type is n type, the second conductivity type is p type, and x = 0.45, y = 0.15, z = 0.25, w
Claim 1 characterized in that =0.45.
Semiconductor laser diode described in section.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10061087A JPS63263789A (en) | 1987-04-22 | 1987-04-22 | Semiconductor laser diode |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10061087A JPS63263789A (en) | 1987-04-22 | 1987-04-22 | Semiconductor laser diode |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63263789A true JPS63263789A (en) | 1988-10-31 |
Family
ID=14278613
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10061087A Pending JPS63263789A (en) | 1987-04-22 | 1987-04-22 | Semiconductor laser diode |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63263789A (en) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03101286A (en) * | 1989-09-14 | 1991-04-26 | Mitsubishi Electric Corp | Semiconductor laser device |
| US5357535A (en) * | 1992-01-14 | 1994-10-18 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Semiconductor laser including an aluminum-rich AlGaAs etch stopping layer |
| KR100789111B1 (en) * | 2002-02-06 | 2007-12-26 | 주식회사 엘지이아이 | Semiconductor laser diode with improved thermal characteristics and method for manufacturing the same |
-
1987
- 1987-04-22 JP JP10061087A patent/JPS63263789A/en active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03101286A (en) * | 1989-09-14 | 1991-04-26 | Mitsubishi Electric Corp | Semiconductor laser device |
| US5357535A (en) * | 1992-01-14 | 1994-10-18 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Semiconductor laser including an aluminum-rich AlGaAs etch stopping layer |
| US5420066A (en) * | 1992-01-14 | 1995-05-30 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Method for producing semiconductor laser device using etch stop layer |
| KR100789111B1 (en) * | 2002-02-06 | 2007-12-26 | 주식회사 엘지이아이 | Semiconductor laser diode with improved thermal characteristics and method for manufacturing the same |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4594718A (en) | Combination index/gain guided semiconductor lasers | |
| EP1437809B1 (en) | Compound semiconductor laser | |
| EP0627799B1 (en) | Semiconductor light-emitting device with third cladding layer | |
| EP0337688B1 (en) | Phase-locked array of semiconductor lasers using closely spaced antiguides | |
| EP0579244B1 (en) | A semiconductor laser and a method for producing the same | |
| EP0440471B1 (en) | Transverse-mode stabilized laser diode | |
| KR19990072352A (en) | Self-pulsation type semiconductor laser | |
| US5323405A (en) | Anti-guided phase-locked array and manufacturing method therefor | |
| US6567444B2 (en) | High-power semiconductor laser device in which near-edge portions of active layer are removed | |
| US20050157767A1 (en) | Semiconductor laser and manufacturing method therefor | |
| JP3932466B2 (en) | Semiconductor laser | |
| US5467364A (en) | Semiconductor laser element and laser device using the same element | |
| JPS63263789A (en) | Semiconductor laser diode | |
| US5042046A (en) | Semiconductor laser device | |
| EP0284684B1 (en) | Inverted channel substrate planar semiconductor laser | |
| US4890292A (en) | Semiconductor laser device | |
| US5113405A (en) | Semiconductor diode laser having a stepped effective refractive index | |
| US4951290A (en) | Semiconductor laser device | |
| JP2927661B2 (en) | Super luminescent diode element and method of manufacturing the same | |
| US5182758A (en) | Periodic gain-type semiconductor laser device | |
| JP3606933B2 (en) | Semiconductor laser | |
| JPH08316566A (en) | Semiconductor laser device | |
| JPH0671121B2 (en) | Semiconductor laser device | |
| KR100278626B1 (en) | Semiconductor laser diode | |
| USRE36431E (en) | Semiconductor laser element and laser device using the same element |