JPS63248129A - Charged particle beam lithography - Google Patents

Charged particle beam lithography

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Publication number
JPS63248129A
JPS63248129A JP8269087A JP8269087A JPS63248129A JP S63248129 A JPS63248129 A JP S63248129A JP 8269087 A JP8269087 A JP 8269087A JP 8269087 A JP8269087 A JP 8269087A JP S63248129 A JPS63248129 A JP S63248129A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
pattern
field
divided
data
patterns
Prior art date
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Pending
Application number
JP8269087A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Tetsuo Yuasa
湯浅 徹雄
Yasuyuki Kosaka
康之 小坂
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Jeol Ltd
Original Assignee
Jeol Ltd
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Filing date
Publication date
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Publication of JPS63248129A publication Critical patent/JPS63248129A/en
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Abstract

PURPOSE:To improve the accuracy of directly written patterns extending over in X and Y directions while correcting any shifting errors of stage and slip of beams etc., by means of providing fields having respectively overlapping framed regions before writing patterns. CONSTITUTION:Before writing rectangular patterns, when the data inside the pattern from a magnetic disc 13 extend over multiple fields, the patterns are divided into two regions, i.e. the framed regions and the residual regions excluding the framed regions by a controller 7. The position, type of fields containing respectively divided patterns, initial positions and respective dimensions in X and Y directions are stored either in built-in memory or in an outer memory. When the divided and stored patterns are read out and fed to deflectors 5 and blanking deflectors 8 to be written, the electron beams from an electron gun 1 are focussed by focussing lenses 2, 3 to be directly written by the deflectors 5 on the specified position so that the accuracy of directly written patterns extending over in X and Y directions may be improved.

Description

【発明の詳細な説明】 [産業上の利用分野] 本発明は描画精度を向上させた描画方法に関する。[Detailed description of the invention] [Industrial application field] The present invention relates to a drawing method with improved drawing accuracy.

[従来の技術1 荷電粒子ビームの照射により材料上にパターンを描画す
る場合、通常、パターンをビームの偏向丈で偏向収差が
許容範囲に収まる状態でパターンが描画出来る領域(フ
ィールド)に分割し、各フィールド内のパターンを描画
する度にビームが各フィールドの中心に来る様に材料を
載置したステージを移動させ、材料の所定位置にビーム
をシコットしてパターンを描画している。
[Prior art 1] When a pattern is drawn on a material by irradiation with a charged particle beam, the pattern is usually divided into areas (fields) in which the pattern can be drawn while keeping the deflection aberration within an allowable range according to the deflection length of the beam. Each time a pattern in each field is drawn, the stage on which the material is placed is moved so that the beam comes to the center of each field, and the beam is placed at a predetermined position on the material to draw the pattern.

所で、第6図に示す様に、パターンPが、少なくともX
、Y何れかの方向に複数(この場合2つ)のフィールド
Fa、Fb1.:mがる場合、該パターンPのデータが
該フィールドFa 、Fbで分割され、例えば、最初に
フィールドFaの中心にビームの軸が来る様に材料を載
置したステージを移動させ、ビームを分割パターンPa
を描画づべぎ位置にショットして該分割パターンを描画
し、次に、フィールドFbの中心にビームの軸が来る様
にステージを移動させ、ビームを分割パターンPbを描
画すべき位置にショットして該分割パターンを描画する
事により、パターンPを材料上に描画している。
By the way, as shown in FIG. 6, the pattern P is at least
, Y. A plurality of (two in this case) fields Fa, Fb1 . : If the data of the pattern P is divided into the fields Fa and Fb, for example, first move the stage on which the material is placed so that the axis of the beam is at the center of the field Fa, and divide the beam. Pattern Pa
Then, the stage is moved so that the axis of the beam is at the center of the field Fb, and the beam is shot to the position where the divided pattern Pb is to be drawn. The pattern P is drawn on the material by drawing the divided pattern.

[発明が解決しようとする問題点] しかし、この様なパターンの描画の際、ステージの移#
J誤差、ビームのズレ等により、第7図に示す様に、フ
ィールドFaとフィールドFbの繋ぎ目、従ってパター
ンPaとPbの繋ぎ目の部分に段差状のズレGa 、G
bが発生し、描画精度を悪化させていた。
[Problems to be solved by the invention] However, when drawing such a pattern, it is difficult to move the stage.
Due to the J error, beam shift, etc., as shown in FIG.
b occurred, deteriorating the drawing accuracy.

本発明はこの様な問題を解決する事を目的としたもので
ある。
The present invention is aimed at solving such problems.

5問題点を解決するための手段] そこで、本発明は、パターン描画前に、各4重なるフチ
ドリ領域を持ったフィールドF+ 、Fzを設け、該各
フィールドF+ 、F2に跨っているパターンのデータ
は、各々フチドリ領域で分割される部分が重複して分割
される様に、フチドリ領域と、フィールドから該フチド
リ領域を差引いた領域とで分割し、少なくとも各々分割
されたパターンの存在するフィールド位置、該パターン
が7チドリ領域に描画されるか否か、及び該パターンの
ショット位置等に関するデータをメモリに記憶させ、パ
ターン描画時に該メモリから各データを読出すと共にフ
ィールドから該フチドリ領域を引いた領域に分割された
パターンの描画時には規定mのビームを照射し、フチド
リ領域に分割されたパターンの描画時には規定ωの半分
の伍のビームを照射して各々のパターンを描画する様に
した。
[Means for Solving Problems 5] Therefore, in the present invention, before pattern drawing, fields F+ and Fz each having four overlapping border areas are provided, and the data of the pattern extending over each of the fields F+ and F2 is , the field position where each divided pattern exists, the field position where each divided pattern exists, and the field position where each divided pattern exists, Data regarding whether or not the pattern is drawn in the 7-edge area and the shot position of the pattern are stored in a memory, and each data is read from the memory when the pattern is drawn, and the data is written in an area obtained by subtracting the 7-edge area from the field. When drawing a divided pattern, a beam of prescribed m is irradiated, and when drawing a pattern divided into bordered areas, a beam of half the prescribed ω is irradiated to write each pattern.

[実施例] 第1図は本発明の描画方法を実施するための電子ビーム
描画装置の概略図で、電子銃1からの電子ビームを集束
レンズ2.3にて材料4上に集束させると同時に、偏向
器5にてビームで材料上を適宜走査させ材料上の所定位
置にパターンを直接描画している。図中6は偏向信号発
生回路−で、制御装置7からの指令に基づいてビームシ
ョット位置信号を前記偏向器5に供給している。8はブ
ランキング用偏向器、9はブランキング用スリット、1
0はブランキング信号作成回路で、該回路は前記制御装
置7に指令に基づいてブランキング信号をブランキング
用偏向器8に供給する。11は制iII装置7の指令に
基づいてステージ12を移動させるステージ駆動機構で
ある。13は設計図を元に例えばCAD (コンピュー
ター・エイデツド・デザイン)装置により作られたパタ
ーンの位置や大きさ等のデータを貯蔵した磁気ディスク
である。
[Example] FIG. 1 is a schematic diagram of an electron beam lithography apparatus for carrying out the lithography method of the present invention, in which an electron beam from an electron gun 1 is focused onto a material 4 by a focusing lens 2.3, and at the same time The material is appropriately scanned with a beam using a deflector 5, and a pattern is directly drawn at a predetermined position on the material. In the figure, 6 is a deflection signal generating circuit which supplies a beam shot position signal to the deflector 5 based on a command from the control device 7. 8 is a deflector for blanking, 9 is a slit for blanking, 1
0 is a blanking signal generating circuit, which supplies a blanking signal to the blanking deflector 8 based on a command from the control device 7. Reference numeral 11 denotes a stage drive mechanism that moves the stage 12 based on commands from the control III device 7. Reference numeral 13 denotes a magnetic disk that stores data such as the position and size of a pattern created by, for example, a CAD (computer aided design) device based on a blueprint.

さて、以後の説明においては説明の便宜上、矩形パター
ンを描画する場合について説明する。
In the following description, for convenience of explanation, a case will be described in which a rectangular pattern is drawn.

先ず、実際にパターンを描画する前に、制御装置7にお
いて、磁気ディスク13からのパターンデータの内、該
データが複数のフィールドに跨っているものはフチドリ
領域とフィールドからフチドリ領域を差引いた領域とで
分割し、各パターンが存在するフィールド位置、パター
ンの種類、パターンのイニシャル位置、パターンのX方
向の寸法とY方向の寸法等を内蔵されたメモリ又は外部
のメモリに記憶させる。
First, before actually drawing a pattern, in the control device 7, among the pattern data from the magnetic disk 13, if the data spans multiple fields, it is divided into a border area and an area obtained by subtracting the border area from the field. The field position where each pattern exists, the type of pattern, the initial position of the pattern, the dimension of the pattern in the X direction and the dimension in the Y direction, etc. are stored in a built-in memory or an external memory.

例えば、第2図に示す如き磁気ディスク13からのパタ
ーンP+ 、F2.F3.F4 、Ps 、F6、・・
・・・・・・・のデータは、順次、制御装置7において
次の様に、複数のフィールドに跨るものはフチドリ領域
とフィールドからフチドリ領域を差引いた領域とで分割
され、各パターンが存在するフィールド位置、パターン
の種類、パターンのイニシャル位置、パターンのX方向
の寸法とY方向の寸法等がメモリに記憶される。
For example, patterns P+, F2 . F3. F4, Ps, F6,...
The data of . The field position, the type of pattern, the initial position of the pattern, the dimension of the pattern in the X direction and the dimension in the Y direction, etc. are stored in the memory.

先ず、パターンP1について、該パターンP1のイニシ
ャル位置のX座標X1とフィールドF1の右端位fff
X+との比較により、該パターンP1のイニシャル位置
のX座標X1がフィールドF1右端位置×1より左側に
ある事が分り、更に、該パターンP1のイニシャル位置
のX座標X1とX方向寸法H1の加鋒したものとフィー
ルドF1の右端位置×1の比較により、該パターンP1
はフィールドF、の右端位M X Iより右側に跨がる
部分がある事が分る。この様にフィールドF+の右端位
置×1より右側に跨がる部分があるパターンについては
、フィールドF2内にある部分のデータは、フィールド
の一辺の寸法fより可成小さい寸法dを持つフチドリf
[Eと、該フィールドF1から該フチドリ領域Eを引い
た領域(F+  E)とで分割し、フィールドF2内に
ある部分のデータは、上記フチドリ領域Eと、該フィー
ルドF2から該フチドリ領域Eを引いた領bib(Fz
  E)とで分割する。該分割により、パターンP1は
、(F+  E)領域に分割されたちのPlo、フィー
ルドF2内のフチドリ領域Eに分割されたちのF12、
(F2  E)領域に分割されたちのF13、及びフィ
ールドF2内のフチドリ領域Eに分割されたちのF12
となる。
First, regarding the pattern P1, the X coordinate X1 of the initial position of the pattern P1 and the rightmost position fff of the field F1.
By comparison with By comparing the fixed position and the right end position of field F1 x 1, the pattern P1 is
It can be seen that there is a part that straddles to the right side of the rightmost position M X I of field F. In this way, for a pattern that has a part that straddles to the right side of the right edge position x 1 of field F+, the data of the part in field F2 has a border f that has a size d that is considerably smaller than the dimension f of one side of the field.
[Divided by E and the area (F+E) obtained by subtracting the bordered area E from the field F1, the data of the portion within field F2 is divided by the bordered area E and the bordered area E from the field F2. The territory bib drawn (Fz
Divide by E). As a result of this division, pattern P1 is divided into (F+E) areas Plo, F12 which is divided into bordered areas E in field F2,
(F2 E) F13 divided into areas and F12 divided into bordered area E in field F2
becomes.

次に、パターンP2について、該パターンP2のイニシ
ャル位置のX座eX X zとフィールドF1の右端位
置×1との比較により、該パターンP2のイニシャル位
置のX座標x2がフィールドF1右端位a X 1より
左側にある事が分り、更に、該パターンP2のイニシャ
ル位置のX座標×2とX方向寸法H2の加算したものと
フィールドF1の右端部HX tの比較により、該パタ
ーンP2はフィールドF1の右端位置×1より右側に跨
がる部分が無い事が分り、この結束、該パターンP1の
データはフィールドF+丈で描かれるデータとなる。
Next, regarding pattern P2, by comparing the X coordinate eX X z of the initial position of pattern P2 with the right end position x1 of field F1, the Further, by comparing the sum of the X coordinate of the initial position of the pattern P2 x 2 and the X direction dimension H2 with the right end HXt of the field F1, it is found that the pattern P2 is located at the right end of the field F1. It is found that there is no straddling part to the right of position x1, and this binding data of the pattern P1 becomes data drawn by field F+length.

パターンP3の右端部の位置はフィールドF1の右端位
置X!と重なるが、該右端位置×1より右側にないので
、パターンP2と同じ様には該パターンP3のデータは
フィールドF+丈で描かれるデータとなる。
The position of the right end of pattern P3 is the right end position X of field F1! However, since it is not to the right of the right end position x 1, the data of the pattern P3 is data drawn by field F+length in the same way as pattern P2.

次に、パターンP4については、上記と同様な比較が行
なわれるが、該比較においては、フィールドF2の右端
部11 X 2どの比較が行なわれる。
Next, regarding pattern P4, a comparison similar to that described above is performed, but in this comparison, a comparison is made between the right end portion 11×2 of field F2.

該比較の結果、パターンP4のイニシャル位置のX座標
×4がフィールドF2右端位置×2より左側にある事が
分り、更に、該パターンP4のイニシャル位置のX座標
×4とX方向寸法H4の加算したものとフィールドF2
の右端位置×2の比較により、該パターンP4はフィー
ルドF2の右端部M X zより右側に跨がる部分が無
い事が分り、この結果、該パターンP4のデータはフィ
ールドF2丈で描かれるデータとなる。
As a result of this comparison, it is found that the X coordinate x 4 of the initial position of pattern P4 is on the left side of the right end position x 2 of field F2, and furthermore, the X coordinate x 4 of the initial position of pattern P4 and the X direction dimension H4 are added. Field F2
By comparing the right end position x 2, it is found that the pattern P4 has no part that straddles to the right side of the right end M becomes.

次に、パターンPsについても同様な比較が行なわれる
が、その場合、パターンP5が図中(イ)に示す様に、
フィールドF2の右端部I X 2より右側に跨がる部
分が無い場合、該パターンP5のデータはフィールドF
2丈で描かれるデータとなる。しかし、(ロ)に示す様
に、フィールドF2の右端位置×2より右側に跨がる部
分が有る場合、フィールドF2内にある部分のデータは
、フチドリ領域E′と、該フィールドF2から該フチド
リ領域E′を引いた6!?域(F2−E−)とで分割し
、フィールドF2内にある部分のデータは、上記フチド
リ領域E′と、該フィールドF3 ′から該フチドリ領
域E′を引いた領域(F3−−E−)とで分割する。該
分割により、パターンP5は、(F2−E−)領域に分
割されたちのP s t 、フィールドF2内の7チド
リ領域E−に分割されたものPs z 、(F3−−E
−)領域に分割されたものF53、及びフィールドF3
−内のフチドリ領域E′に分割されたちのF52となる
Next, a similar comparison is made for the pattern Ps, but in that case, the pattern P5 is as shown in (A) in the figure.
If there is no part extending to the right side of the right end I x 2 of field F2, the data of pattern P5
The data is drawn in 2 lengths. However, as shown in (b), if there is a part that straddles to the right side of the right end position x 2 of field F2, the data of the part in field F2 is divided into the border area E' and the border area from field F2. 6 minus area E'! ? (F2-E-), and the data of the portion within field F2 is divided into the bordered area E' and the area (F3--E-) obtained by subtracting the bordered area E' from the field F3'. Divide by. As a result of this division, the pattern P5 is divided into (F2-E-) regions P s t , Ps z divided into 7 plover regions E- in field F2, (F3--E
-) divided into regions F53 and field F3
This is F52, which is divided into bordered areas E' within -.

そして、次のパターンP6については、前者(イ)の場
合の様にフィールドF2内に右隣りのフィールドに跨る
パターンが無い場合には、上記と同様な比較が行なわれ
フィールド「3丈で描かれるデータとなる。しかし、後
者の様にフィールドF2内に右隣りのフィールドに跨る
パターンが有る場合には、フィールドF3−で描かれる
データとなる。
Then, regarding the next pattern P6, if there is no pattern in field F2 that straddles the field to the right as in the former case (a), the same comparison as above is performed and the field "drawn in 3 lengths" is However, if there is a pattern in field F2 that spans the field to the right as in the latter case, the data will be drawn in field F3-.

この様にして磁気ディスク13からの全てのパターンデ
ータの内、複数のフィールドに跨るデータについてはフ
チドリ領域とフィールドからフチドリ領域を差引いた領
域とで分割し、各々分割したパターンが存在するフィー
ルド位置、パターンの種類、パターンのイニシャル位置
、パターンのX方向の寸法とY方向の寸法等を内臓され
たメモリ又は外部のメモリに記憶させる。第3図は、該
メモリ内の各番地に記憶された各パターン及び分割パタ
ーンのデータを示したもので、各パターン及び分割パタ
ーン1個に対するデータに6個の番地が使用されており
、一番上から順にパターンが存在するフィールド位置、
パターンの種類、パターンのイニシャル位置のX座標、
Y座標、パターンのX方向の寸法、Y方向の寸法を示す
。第3図(b)、(c)は夫々メモリの1番地〜42番
地を示す(a)の続きを示したもので、(b)は上記(
イ)の場合の続きを示したもの、(C)は上記(ロ)の
場合の続きを示したものである。該各図において、各番
地の右側に記載した様に、1番地〜6番地は分割パター
ンP11のデータ、7番地〜12番地は分割パターンP
12のデータ、13番地〜18番地はパターンP2のデ
ータ、・・・・・・・・・、67番地〜72番地は分割
パターンPS3のデータ、・・・・・・を示している。
In this way, among all the pattern data from the magnetic disk 13, data that spans multiple fields is divided into a border area and an area obtained by subtracting the border area from the field, and the field position where each divided pattern exists, The type of pattern, the initial position of the pattern, the dimensions of the pattern in the X direction and the Y direction, etc. are stored in a built-in memory or an external memory. FIG. 3 shows the data of each pattern and divided pattern stored at each address in the memory. Six addresses are used for data for each pattern and one divided pattern, and the first The field position where the pattern exists, starting from the top,
Pattern type, X coordinate of the initial position of the pattern,
The Y coordinate, the dimension in the X direction, and the dimension in the Y direction of the pattern are shown. Figures 3(b) and 3(c) show the continuation of (a) showing memory addresses 1 to 42, respectively, and (b) shows the above (
(C) shows the continuation of case (B) above, and (C) shows the continuation of case (B) above. In each figure, as described on the right side of each address, addresses 1 to 6 are data of division pattern P11, and addresses 7 to 12 are data of division pattern P.
12 data, addresses 13 to 18 show data of pattern P2, . . . , addresses 67 to 72 show data of divided pattern PS3, and so on.

尚、各2番目の番地に記憶されているデータの最下位の
データ“1″はパターンが矩形である事を示し、上位か
ら2番目のデータが111 IIの時、フチドリ領域内
のデータである事を示し、II OIIの時、フィール
ド内又はフィールドから7チドリ領域を差引いた領域内
のデータである事を示す。
Note that the lowest data "1" of the data stored at each second address indicates that the pattern is rectangular, and when the second data from the highest is 111 II, it is data within the border area. When it is II OII, it indicates that the data is within the field or within the area obtained by subtracting the 7 Chidori area from the field.

更に、フィールドのパターン描画時及び又はフィールド
から該フチドリ領域を引いた領域に分割されたパターン
の描画時には規定照射量のビーム、即ち、月利上に塗布
されたレジストが露光されるに足る借のビームが照射さ
れるが、フチドリ領域に分割されたパターンの描画時に
は規定量の半分の陽のビームを照射される様に、ショッ
ト時間補正データが該制御l装置の記憶装置内に記憶さ
れる。
Furthermore, when drawing a pattern in a field and/or when drawing a pattern divided into areas obtained by subtracting the border area from the field, a beam of a prescribed irradiance is used, that is, a beam of sufficient amount to expose the resist coated on the monthly rate. Shot time correction data is stored in the storage device of the control device so that when drawing a pattern divided into bordered areas, half of the prescribed amount of positive beam is irradiated.

而して、各パターンP+ 、P2.P3 、P4゜Ps
 、 Pg 、・・・・・・を月利上に直接描画する場
合、制御装置7はメモリの1番地から順にデータを読出
し、各指令を出す。制御装置7は、先ず、1番地のフィ
ールド位置データに基づいた指令をステージ駆動機構1
1に送る。すると、該ステージ駆動機構11は、フィー
ルドF!の中心にビームの軸が来る様にステージ12を
移動させる。又、制御装置は2番地のデータに基づいた
指令をブランキング信号作成回路10に送る。すると、
ブランキング信号作成回路10はこのパターン(P+ 
l)はフチドリIA 14のパターンではないので、該
パターンの描画時に規定量のビームが照射される様なシ
ョット時間信号を持つブランキング信号をブランキング
偏向器8に供給する。又、3番地、4番地のパターンの
イニシャル位置のX、Y座標データ及び5番地、6番地
の該パターンのX方向、Y方向寸法データを偏向信号発
生回路6に送る。すると、該偏向信号発生回路はビーム
が分割パターンP1□の描画位置にショットされる位置
信号を偏向器5に送る。この結果、フィールドF1に分
割パターンPa+が規定量のビームで描画される。
Thus, each pattern P+, P2. P3, P4゜Ps
, Pg, . . . directly on the monthly interest rate, the control device 7 sequentially reads data from address 1 of the memory and issues each command. First, the control device 7 issues a command based on the field position data at address 1 to the stage drive mechanism 1.
Send to 1. Then, the stage drive mechanism 11 moves to the field F! The stage 12 is moved so that the axis of the beam is centered at the center of the stage 12. Further, the control device sends a command based on the data at address 2 to the blanking signal generation circuit 10. Then,
The blanking signal generation circuit 10 uses this pattern (P+
Since the pattern 1) is not a border IA 14 pattern, a blanking signal having a shot time signal such that a prescribed amount of beam is irradiated when drawing the pattern is supplied to the blanking deflector 8. Further, the X and Y coordinate data of the initial positions of the patterns at addresses 3 and 4 and the dimension data of the X and Y directions of the patterns at addresses 5 and 6 are sent to the deflection signal generation circuit 6. Then, the deflection signal generation circuit sends to the deflector 5 a position signal that causes the beam to be shot at the drawing position of the divided pattern P1□. As a result, the divided pattern Pa+ is drawn in the field F1 with a prescribed amount of beam.

同じ様に、7番地のフィールド位置データに基づいた指
令で、ステージ駆動機構11は、フィールドF1の中心
にビームの軸が来る様にステージ12を移動させる。こ
の場合、同じ前工程と指令なので実際にはステージは前
の位置から動かない。
Similarly, based on the command based on the field position data at address 7, the stage drive mechanism 11 moves the stage 12 so that the beam axis is located at the center of the field F1. In this case, since the previous process and command are the same, the stage does not actually move from its previous position.

又、8番地の指令により、ブランキング信号作成回路1
0はこのパターン(P+ z )はフチドリ領域のパタ
ーンなので、該パターンの描画時に規定量の半分のビー
ムが照射される様なショット時間信号を持つブランキン
グ信号をブランキング偏向器8に供給する。又、9番地
、10番地のパターンのイニシャル位置のX、Y座標デ
ータ及び11番地、12番地の該パターンのX方向、Y
方向寸法データを偏向信号発生回路6に送る。すると、
該偏向信号発生回路はビームが分割パターンP12の描
画位置にショットされる位置信号を偏向器5に送る。こ
の結果、フィールドF1のフチドリ領域Eに分割パター
ンP12が規定ωの半分のご一ムで描画される。
Also, according to the command at address 8, the blanking signal generation circuit 1
Since this pattern (P+z) is a pattern in a border area, a blanking signal having a shot time signal such that a beam of half the prescribed amount is irradiated when drawing the pattern is supplied to the blanking deflector 8. In addition, the X and Y coordinate data of the initial position of the pattern at addresses 9 and 10, and the X direction and Y coordinate data of the pattern at addresses 11 and 12.
The directional dimension data is sent to the deflection signal generation circuit 6. Then,
The deflection signal generation circuit sends a position signal to the deflector 5, which causes the beam to be shot at the drawing position of the divided pattern P12. As a result, the divided pattern P12 is drawn in the bordered area E of the field F1 with a pattern that is half of the specified ω.

同様に、13番地〜18番地のデータによりパターンP
2.19番地〜24番地のデータによりパターンP3が
各々フィールド内、内に規定量のビームで描画される。
Similarly, the pattern P is determined by the data at addresses 13 to 18.
2. A pattern P3 is drawn within each field using the data of addresses 19 to 24 using a prescribed amount of beam.

次に、25番地のフィールド位置データに基づいた指令
で、ステージ駆動機構11は、フィールドF2の中心に
ビームの軸が来る様にステージ12を、X方向に(f−
d)の距離移動させる。又、26番地の指令により、ブ
ランキング信号作成回路10はこのパターン(P+ 2
 )はフヂドリ領域のパターンなので、該パターンの描
画時に規定量の半分のビームが照射される様なショット
時間信号を持つブランキング信号をブランキング偏向器
8に供給する。又、27番地、28番地のパターンのイ
ニシャル位置のX、Y座標データ及び29番地、30番
地の該パターンのX方向、Y方向寸法データを偏向信号
発生回路6に送る。すると、該偏向信号発生回路はビー
ムが分割パターンP12の描画位置にショットされる位
置信号を偏向器5に送る。この結果、フィールドF2の
フチドリ領域Eに分割1<ターンP12が規定量の半分
のビームで描画される。
Next, in response to a command based on the field position data at address 25, the stage drive mechanism 11 moves the stage 12 in the X direction (f-
d) move the distance. Also, according to the command at address 26, the blanking signal generation circuit 10 generates this pattern (P+2
) is a pattern in a fudge area, so a blanking signal having a shot time signal is supplied to the blanking deflector 8 so that half of the prescribed amount of beam is irradiated when drawing the pattern. Further, the X and Y coordinate data of the initial positions of the patterns at addresses 27 and 28 and the dimension data of the patterns in the X and Y directions at addresses 29 and 30 are sent to the deflection signal generation circuit 6. Then, the deflection signal generating circuit sends a position signal to the deflector 5, which causes the beam to be shot at the drawing position of the divided pattern P12. As a result, division 1<turn P12 is drawn in the bordered area E of the field F2 using a beam that is half the prescribed amount.

同様に、31番地〜36番地のデータによりパターンP
+ 3.37番地〜42番地のデータによりパターンP
4が各々フィールドF2内に規定量のビームで描画され
る。
Similarly, the pattern P is determined by the data at addresses 31 to 36.
+ 3. Pattern P based on data from address 37 to address 42
4 are each written with a prescribed amount of beam in the field F2.

次に、パターンPsが第2図(イ)の状態にある時、第
3図(b)に示す番地のデータに従って描画される。即
ち、43番地〜48番地のデータによりパターンP5が
フィールドF2内に規定量のビームで描画される。そし
て、49番地のフィールド位置データに基づいた指令で
、フィールドF3の中心にビームの軸が来る様にステー
ジ12がX方向にfの距離移動され、50番地〜54番
地のデータに基づいた指令でフィールドF3内に、パタ
ーンP6が規定量のビームで描画される。
Next, when the pattern Ps is in the state shown in FIG. 2(a), it is drawn according to the address data shown in FIG. 3(b). That is, the pattern P5 is written in the field F2 using the data of addresses 43 to 48 using a prescribed amount of beam. Then, based on the command based on the field position data at address 49, the stage 12 is moved a distance f in the X direction so that the beam axis is at the center of field F3, and based on the command based on the data at addresses 50 to 54, In field F3, pattern P6 is written with a prescribed amount of beam.

しかし、(ロ)の状態にある時、第3図(C)に示す番
地のデータに従って描画される。即ち、43番地〜48
番地のデータによりパターンPs1がフィールドF2内
に規定量のビームで描画され、49番地〜54番地のデ
ータによりパターンPS2がフィールドF2内に規定量
の半分のビームで描画される。そして、55番地のフィ
ールド位置データに基づいた指令で、フィールドF3 
′の中心にビームの軸が来る様にステージ12がX方向
に(f−d)の距離移動され、56番地〜60番地のデ
ータに基づいた指令でフィールドF3′内に、パターン
Pgが規定量のど一ムで描画される。更に、61番地〜
66番地のデータによりパターンP52がフィールドF
3 ′内に規定量の半分のビームで描画され、67番地
〜72番地のデータによりパターンP53がフィールド
F3−内に規定量のビームで描画される。
However, when in the state (b), drawing is performed according to the data at the address shown in FIG. 3(c). That is, addresses 43 to 48
The pattern Ps1 is written in the field F2 with the specified amount of beam according to the address data, and the pattern PS2 is written in the field F2 with the beam of half the specified amount according to the data of addresses 49 to 54. Then, with a command based on the field position data at address 55, field F3
The stage 12 is moved a distance (f-d) in the X direction so that the beam axis is centered at the center of the field F3', and the pattern Pg is placed in the field F3' by a specified amount according to the command based on the data at addresses 56 to 60. It is drawn in the throat. Furthermore, from 61st
Pattern P52 is field F due to the data at address 66.
Pattern P53 is written in field F3- with a beam of half the specified amount in field F3', and based on the data at addresses 67 to 72, pattern P53 is written in field F3- with a beam of a specified amount.

さて、描画したパターンの内、フチドリ領域と、フィー
ルドからフチドリ領域を差引いた領域とで分割したパタ
ーン(P+や(0)の場合のPs )はステージの移動
誤差やビームのズレ等によるフィールド間のズレが全く
ない場合、第4図(a)に示す様に、描画されたパター
ンには全く段差の無く、しかも、フチドリ領域の部分の
パターンは二重露光されているので、パターン内金てに
規定の吊のビームが照射されている。又、ステージの移
vJ誤差やビームのズレ等によるフィールド間のズレが
発生した場合、例えばパターンP1を代表して説明する
と、第4図(b)に示す様に、(Fl−E)領域のパタ
ーンP++とフィールドF2内のフチドリ領域Eのパタ
ーンP12′の境界、及び(F2−E)領域のパターン
PI3とフィールド内+内のフチドリ領域Eのパターン
P+zとの境界に段差Go 、 Go −が発生しよう
とするが、この様な段差は発生せずに、これらの境界間
は第4図(C)に示す様に極く滑らかな接続となる。
Now, among the drawn patterns, the pattern divided into the border area and the area obtained by subtracting the border area from the field (Ps in the case of P+ or (0)) is the difference between fields due to stage movement error or beam shift. If there is no deviation at all, as shown in Figure 4(a), there will be no step in the drawn pattern at all, and since the pattern in the border area has been double exposed, there will be no difference in the inner gold of the pattern. A specified hanging beam is illuminated. In addition, when a shift between fields occurs due to a stage movement error, a beam shift, etc., for example, using pattern P1 as a representative, as shown in FIG. 4(b), the (Fl-E) area Steps Go and Go − occur at the boundary between pattern P++ and pattern P12′ of bordered area E in field F2, and between pattern PI3 in the (F2-E) area and pattern P+z of bordered area E in field +. However, such a difference in level does not occur, and the connection between these boundaries becomes extremely smooth as shown in FIG. 4(C).

その理由は、パターンP+ + 、P+ 3及びフチド
リ領域のパターンP12とP12′が重なった部分は規
定量のビームが照射されており、該フチドリ領域のパタ
ーンP12とF12−が重ならない部分には規定量の半
分のビームが照射されている事から、規定量照射された
パターンP++の上部境稈近傍部Q1.Q2夫々と7チ
ドリ領域のパターンPL2とP12′が重なった部分の
上部境界近傍部Q3.04夫々の電荷が互いの間に散乱
する事により、規定量の半分のビームが照射されたフチ
ドリ領域のパターンP12とP12′が重ならない部分
の内、Qlと03の間及びQ2と04の間の部分だけ露
光される事になるからである。
The reason for this is that the portions where the patterns P+ + and P+ 3 and the patterns P12 and P12' in the bordered area overlap are irradiated with a specified amount of beam, and the portions where the patterns P12 and F12- in the bordered area do not overlap are irradiated with a specified amount of beam. Since half of the amount of beam is irradiated, the area near the upper boundary culm of pattern P++, which is irradiated with the specified amount, Q1. Near the upper boundary of the part where patterns PL2 and P12' of Q2 and 7 Chidori areas overlap Q3.04 The charges of each Q3.04 are scattered between each other, so that the beam of half of the specified amount is irradiated on the Chidori area. This is because, among the parts where the patterns P12 and P12' do not overlap, only the parts between Q1 and 03 and between Q2 and 04 are exposed.

即ち、これらの間に近接効果が発生するからである。That is, this is because a proximity effect occurs between them.

尚、本発明は前記実施例に限定されない。例えば、前記
実施例では、成るフィールド内に隣りのフィールドに跨
がるパターンが1つもない時には、そのフィールドと該
隣りのフィールドとに共通なフチドリ領域が設けられな
い事なるが、第5図に示す様に、複数のフィールドに跨
がるパターンが1個以上存在しようが、存在しまいが、
全てのパターンデータを、隣り合うフィールドのフチド
リ領域が各々臣なる様なフチドリ領域Eを持つ各フィー
ルドF1.F2.F3.FA、・・・・・・・・・で分
割して行き、前記実施例の様に、複数のフィールドに跨
がらないパターンが存在するフィールド位置、及び複数
のフィールドに跨がる為にフチドリ領域と、フィールド
からフチドリ領域を引いた領域とに分割された分割パタ
ーンが存在するフィールド位置、パターンの種類、パタ
ーンのイニシャル位置、パターンのX方向の寸法とY方
向の寸法等のデータを作成してメモリに記憶させておけ
ば、各フィールド内のパターンの描画時、順次ステージ
をFl、F2.F3.F4.・・・・・・の中心にビー
ムの軸が来る様に一定距離移動させればよく、制御が簡
単となる。
Note that the present invention is not limited to the above embodiments. For example, in the above embodiment, if there is no pattern that extends over an adjacent field within a field, no border area common to that field and the adjacent field is provided, but as shown in FIG. As shown, whether there is one or more patterns that span multiple fields or not,
All pattern data is stored in each field F1. F2. F3. FA, etc., and as in the above embodiment, the field position where there is a pattern that does not span multiple fields, and the bordered area because it spans multiple fields. Create data such as the field position where the divided pattern exists, the type of pattern, the initial position of the pattern, the dimension in the X direction and the dimension in the Y direction, etc. If it is stored in the memory, when drawing a pattern in each field, the stages Fl, F2, . F3. F4. It suffices to move the beam a certain distance so that the axis of the beam is centered on the center of the beam, which simplifies control.

尚、前記実施例ではX方向に長いパターンについて説明
したが、Y方向に長いパターンやX、 Y両方向に長い
パターンも同様に行なわれる。
In the above embodiment, a pattern that is long in the X direction has been described, but a pattern that is long in the Y direction or a pattern that is long in both the X and Y directions can be similarly formed.

又、前記実施例では電子ビームによる描画を例に上げた
が、他の荷電粒子ビームによる描画についても応用可能
である。
Further, in the above embodiments, writing using an electron beam was taken as an example, but writing using other charged particle beams is also applicable.

[発明の効果] 本発明によれば、少なくともX、Y何れかの方向に複数
のフィールドに跨るパターンを材料上に描画する場合、
譬え、ステージの移動誤差やビームのズレ等があっても
、従来の様にパターンとパターンの繋ぎ目に段差状のズ
レが発生する事は無く、パターンの繋ぎ近傍部分に極く
滑らかな接続部を発生させるのみにし、直接描画の精度
を向上させる事が出来る。
[Effects of the Invention] According to the present invention, when drawing a pattern spanning a plurality of fields on a material at least in either the X or Y direction,
For example, even if there is a stage movement error or beam shift, there will be no step-like misalignment at the joints between patterns as in the conventional method, and there will be extremely smooth connections near the pattern joints. The accuracy of direct drawing can be improved by only generating .

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of the drawing]

第1図は本発明の描画方法を実施するための電子ビーム
描画装置の概略図、第2図〜第4図は本発明の一実施例
を説明する為に使用した図、第5図は他の実施例を示し
た図、第6図及び第7図は従来の描画方法を説明する為
に使用した図である。 1:M子銃  2,3:集束レンズ  4:材料  5
:偏向器  6:偏向信号発生回路7:制御装置  8
ニブランキング用偏向器9ニブランキング用スリツト 
 10ニブランキング信号作成回路  11:制御装置
ステージ駆動機構  12:ステージ  13:磁気デ
ィスク 特許出願人  日本電子株式会社 第1図 12       l/ (3)(b) (C) 第7図
FIG. 1 is a schematic diagram of an electron beam lithography apparatus for carrying out the lithography method of the present invention, FIGS. 2 to 4 are diagrams used to explain one embodiment of the present invention, and FIG. 6 and 7 are diagrams used to explain the conventional drawing method. 1: M gun 2, 3: Focusing lens 4: Material 5
: Deflector 6: Deflection signal generation circuit 7: Control device 8
Deflector for Ni Blanking 9 Slit for Ni Blanking
10 Ni blanking signal generation circuit 11: Control device stage drive mechanism 12: Stage 13: Magnetic disk Patent applicant JEOL Ltd. Figure 1 12 l/ (3) (b) (C) Figure 7

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] パターン描画前に、各々重なるフチドリ領域を持ったフ
ィールドF_1、F_2を設け、該各フィールドF_1
、F_2に跨っているパターンのデータは、各々フチド
リ領域で分割される部分が重複して分割される様に、フ
チドリ領域と、フィールドから該フチドリ領域を差引い
た領域とで分割し、少なくとも各々分割されたパターン
の存在するフィールド位置、該パターンがフチドリ領域
に描画されるか否か、及び該パターンのショット位置等
に関するデータをメモリに記憶させ、パターン描画時に
該メモリから各データを読出すと共にフィールドから該
フチドリ領域を引いた領域に分割されたパターンの描画
時には規定量のビームを照射し、フチドリ領域に分割さ
れたパターンの描画時には規定量の半分の量のビームを
照射して各々のパターンを描画する様にした荷電粒子ビ
ーム描画方法。
Before pattern writing, fields F_1 and F_2 each having an overlapping border area are provided, and each field F_1 is
, F_2 is divided into a bordered area and an area obtained by subtracting the bordered area from the field, so that the parts divided by each bordered area are overlapped, and at least each of them is divided. Data regarding the field position where the pattern exists, whether or not the pattern is drawn in the border area, the shot position of the pattern, etc. are stored in a memory, and when the pattern is drawn, each data is read from the memory and the field When drawing a pattern divided into areas obtained by subtracting the border area from the border area, a prescribed amount of beam is irradiated, and when drawing a pattern divided into border areas, a beam of half the specified amount is irradiated to write each pattern. A charged particle beam drawing method that resembles drawing.
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6425415A (en) * 1987-07-08 1989-01-27 Ibm Beam exposure system
JPH036810A (en) * 1989-06-05 1991-01-14 Jeol Ltd Charged-particle beam lithography

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS631032A (en) * 1986-06-20 1988-01-06 Fujitsu Ltd Method for forming pattern

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