JPS63239911A - Solid electrolytic capacitor - Google Patents

Solid electrolytic capacitor

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JPS63239911A
JPS63239911A JP7177287A JP7177287A JPS63239911A JP S63239911 A JPS63239911 A JP S63239911A JP 7177287 A JP7177287 A JP 7177287A JP 7177287 A JP7177287 A JP 7177287A JP S63239911 A JPS63239911 A JP S63239911A
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JP
Japan
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electrolytic capacitor
solid electrolytic
complex salt
group
tcnq complex
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Application number
JP7177287A
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Japanese (ja)
Inventor
剛 森本
栄治 遠藤
聡 竹宮
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Elna Co Ltd
AGC Inc
Original Assignee
Asahi Glass Co Ltd
Elna Co Ltd
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
(57) [Summary] This bulletin contains application data before electronic filing, so abstract data is not recorded.

Description

【発明の詳細な説明】 (産業上の利用分野) 本発明は固体電解コンデンサ、詳しくは有機半導体を固
体電解質として用いた固体電解コンデンサに関するもの
である。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION (Field of Industrial Application) The present invention relates to a solid electrolytic capacitor, and more particularly to a solid electrolytic capacitor using an organic semiconductor as a solid electrolyte.

(従来の技術) 近年、電子機器の小型化、軽量化に伴って、高周波数領
域におけるインピーダンスが低く小型で大容量のコンデ
ンサが要求されるようになっている。
(Prior Art) In recent years, as electronic devices have become smaller and lighter, there has been a demand for small, large-capacity capacitors with low impedance in a high frequency range.

このような高周波用のコンデンサとしては従来、マイカ
コンデンサ、フィルムコンデンサ、セラミックコンデン
サなどが使用されているが、これらのコンデンサはいず
れも大容量化には適していない。
Conventionally, mica capacitors, film capacitors, ceramic capacitors, etc. have been used as capacitors for such high frequencies, but none of these capacitors are suitable for increasing the capacity.

一方、小型で大容量のコンデンサとしては、アルミニウ
ム電解コンデンサやタンタルコンデンサなどがある。
On the other hand, small-sized, large-capacity capacitors include aluminum electrolytic capacitors and tantalum capacitors.

アルミニウム電解コンデンサは、低コストで大容量のも
のが得られるという利点はあるが、電解液を用いている
ために経時的に電解液が蒸発することによる容量劣化が
あり、また高周波特性が悪いなどの欠点があった。
Aluminum electrolytic capacitors have the advantage of being able to provide large capacity at low cost, but because they use an electrolyte, their capacity deteriorates as the electrolyte evaporates over time, and their high frequency characteristics are poor. There was a drawback.

一方、タンタル固体電解コンデンサは、電解質として固
体の二酸化マンガンなどを用いることによって容量劣化
などのアルミニウム電解コンデンサの欠点を克服してい
る。ところが、この固体電解質は硝酸マンガン水溶液を
弁作用金属体に含浸・付着させた後、350℃前後で硝
酸マンガンを熱分解して形成され、二酸化マンガンの付
着量を増加させるために通常数回ないし十数図の含浸・
熱分解の工程を繰返す必要があるので、熱分解時に誘電
体としての酸化皮膜の損傷が発生したり、あるいは二酸
化マンガン皮膜の補修能力が低いなどの欠点があった。
On the other hand, tantalum solid electrolytic capacitors overcome the drawbacks of aluminum electrolytic capacitors, such as capacity deterioration, by using solid manganese dioxide or the like as an electrolyte. However, this solid electrolyte is formed by impregnating and adhering an aqueous solution of manganese nitrate to the valve metal body, and then thermally decomposing the manganese nitrate at around 350°C.It is usually heated several times or more to increase the amount of manganese dioxide deposited. Impregnation of more than 10 figures
Since it is necessary to repeat the thermal decomposition process, there are drawbacks such as damage to the oxide film as a dielectric during thermal decomposition and low repair ability of the manganese dioxide film.

そこでこれらの欠点を改善するため、特開昭58−17
609号公報などに、陽極酸化皮膜の補修性が優れ、か
つ電導性の良好な有機固体電解質として、7,7,8.
8テトラシアノキノジメタン錯塩(以下、TCNQ錯塩
と略称する)を用いたものが提案されている。この特開
昭58−17609号公報には、Nの位置をアルキル基
で置換したインキノリンとTCNQ錯塩とよりなる有機
半導体を固体電解質として用い、TCNQ錯塩が分解す
る前に冷却・固化して固体電解質とすることが開示され
ている。
Therefore, in order to improve these shortcomings, Japanese Unexamined Patent Publication No. 58-17
No. 609, etc., as an organic solid electrolyte with excellent repairability of anodized film and good conductivity, 7, 7, 8.
A method using a 8-tetracyanoquinodimethane complex salt (hereinafter abbreviated as TCNQ complex salt) has been proposed. In JP-A-58-17609, an organic semiconductor consisting of inquinoline in which the N position is substituted with an alkyl group and a TCNQ complex salt is used as a solid electrolyte, and before the TCNQ complex salt decomposes, it is cooled and solidified to form a solid state. It is disclosed that it is used as an electrolyte.

(発明が解決しようとする問題点) しかしながら、このような方法によって形成された固体
電解質層は、前記含浸後の冷却・固化の際、TCNQ錯
塩が結晶化して誘電体酸化皮膜に十分密着しないため、
所期の静電容量が得られないという問題点があった。
(Problems to be Solved by the Invention) However, in the solid electrolyte layer formed by such a method, the TCNQ complex salt crystallizes during cooling and solidification after the impregnation and does not adhere sufficiently to the dielectric oxide film. ,
There was a problem in that the desired capacitance could not be obtained.

また、TCNQ錯塩は熱に対する安定性が不十分なため
高温で溶融状態に保持すると短時間で熱分解を起して電
気絶縁体となる。したがって、前記の含浸処理を極めて
短時間のうちに行った後、急冷処理する操作とそのため
の複雑な装置が必要となり、製造コストが高く作業性が
悪いという問題点があった。
Furthermore, since TCNQ complex salt has insufficient thermal stability, if it is kept in a molten state at a high temperature, it will thermally decompose in a short time and become an electrical insulator. Therefore, after performing the impregnation treatment in an extremely short period of time, a rapid cooling operation and a complicated apparatus for the same are required, resulting in problems of high manufacturing costs and poor workability.

本発明は前記の問題点を解決して、陽極金属表面に生成
した誘電体酸化皮膜上にTCNQjf塩よりなる固体電
解質を含浸する際の作業性を改善するとともに、コンデ
ンサ素子へのTCNQ錯塩の付着率を向上させることに
より静電容量の高い固体電解コンデンサを提供すること
を目的とするものである。
The present invention solves the above-mentioned problems and improves workability when impregnating a solid electrolyte made of TCNQjf salt onto the dielectric oxide film formed on the surface of the anode metal, and also prevents the adhesion of TCNQ complex salt to the capacitor element. The purpose of this invention is to provide a solid electrolytic capacitor with high capacitance by improving the capacitance.

(問題点を解決するための手段) 前記の問題点を解決するため本発明は、陽極金属表面に
誘電体酸化皮膜を生成させ、さらにこの皮膜上に固体電
解質層を形成した固体電解コンデンサにおいて、前記固
体電解質層が一般式R−3Ox   R’  (R,R
’はアルキル基またはアリール基を示す)で表されるス
ルホン化合物の1種、もしくは2種以上の混合物を加熱
・溶融してなる液体記、テトラシアノキノジメタン錯塩
を溶解して冷却・固化したものよりなることを特徴とす
る固体電解コンデンサを提供するものである。
(Means for Solving the Problems) In order to solve the above problems, the present invention provides a solid electrolytic capacitor in which a dielectric oxide film is formed on the surface of the anode metal, and a solid electrolyte layer is further formed on this film. The solid electrolyte layer has the general formula R-3Ox R' (R,R
' indicates an alkyl group or an aryl group) A liquid obtained by heating and melting one type or a mixture of two or more sulfone compounds, and a liquid obtained by dissolving a tetracyanoquinodimethane complex salt and cooling and solidifying it. The present invention provides a solid electrolytic capacitor characterized by comprising:

本発明は、TCNQ錯塩に特定のスルホン化合物を添加
することにより、TCNQtff塩の融点または熱分解
温度以下の温度においてTCNQ錯塩を溶融・液化する
ことができ、しかもこれらのスルホン化合物を冷却・固
化したものは、電導度がTCNQ錯塩と比較して同等も
しくは、より高いことに基づいている。
The present invention enables the TCNQ complex salt to be melted and liquefied at a temperature below the melting point or thermal decomposition temperature of the TCNQtff salt by adding a specific sulfone compound to the TCNQ complex salt, and furthermore, these sulfone compounds can be cooled and solidified. This is based on the fact that the electrical conductivity is the same or higher than that of the TCNQ complex salt.

本発明においてTCNQ錯塩に添加するスルホン化合物
としては、一般式R−502−R’  (R。
In the present invention, the sulfone compound added to the TCNQ complex salt has the general formula R-502-R' (R.

R′はアルキル基またはアリール基を示す)で表される
スルホン化合物であることが必要であり、前記一般式に
おけるRおよびR′が炭素数1〜lO個のアルキル基、
またはフェニル基、トリル基もしくはキシリル基である
ものが好ましく、RとR′は同一の基であっても、互い
に異なる基であってもよい。また、炭素数1〜10個の
アルキル基は直鎖状のものであっても、側鎖を有するも
のであってもよい。
R' represents an alkyl group or an aryl group), and R and R' in the general formula are an alkyl group having 1 to 10 carbon atoms,
Alternatively, a phenyl group, tolyl group or xylyl group is preferable, and R and R' may be the same group or different groups. Further, the alkyl group having 1 to 10 carbon atoms may be linear or may have a side chain.

これらのスルホン化合物の中で特に好ましい例としては
、RおよびR′が炭素数1〜6個のアルキル基、または
フェニル基であるものがあげられる。
Particularly preferred examples of these sulfone compounds include those in which R and R' are an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms or a phenyl group.

前記のスルホン化合物は、単独で、あるいは二種以上混
合して好適に用いられる。
The above-mentioned sulfone compounds are suitably used alone or in combination of two or more.

本発明において用いられるTCNQ錯塩は、特に限定さ
れるものではないが、Nの位置を炭化水素基で置換して
なるピリジン、ベンゾチアゾール、アクリジン、フェナ
ジン、フェナントリジン、キノリン、イソキノリン、α
−ナフトキノリンまたはβ−ナフトキノリンのTCNQ
錯塩、特にNの位置を炭化水素基で置換したキノリンま
たはイソキノリンのTCNQ錯塩が好適に用いられる。
The TCNQ complex salts used in the present invention are not particularly limited, but include pyridine substituted with a hydrocarbon group at the N position, benzothiazole, acridine, phenazine, phenanthridine, quinoline, isoquinoline, α
- TCNQ of naphthoquinoline or β-naphthoquinoline
Complex salts, particularly TCNQ complex salts of quinoline or isoquinoline in which the N position is substituted with a hydrocarbon group, are preferably used.

本発明による固体電解コンデンサは、TCNQ錯塩1.
0重量部に対して、前記のスルホン化合物0.05〜3
.0重量部、好ましくは0.1〜2.0重量部を添加し
て混合し、TCNQ錯塩の融点または熱分解温度以下の
温度、たとえば120〜200℃好ましくは150〜2
00℃まで加熱して前記添加物を液化させることにより
TCNQ錯塩を溶解させて溶液とする工程と、この溶液
をコンデンサ素子に含浸させた後、冷却・固化させて固
体電解質層を形成する工程を経て作製される。
The solid electrolytic capacitor according to the present invention includes TCNQ complex salt 1.
0.05 to 3 parts by weight of the above sulfone compound
.. 0 parts by weight, preferably 0.1 to 2.0 parts by weight, are added and mixed at a temperature below the melting point or thermal decomposition temperature of the TCNQ complex, for example 120 to 200°C, preferably 150 to 2.
A step of dissolving the TCNQ complex salt into a solution by heating to 00°C to liquefy the additive, and a step of impregnating a capacitor element with this solution and then cooling and solidifying it to form a solid electrolyte layer. It is produced through the process.

(実施例) 以下、実施例および比較例に基づいて本発明を具体的に
説明する。
(Example) Hereinafter, the present invention will be specifically described based on Examples and Comparative Examples.

比較例1 特開昭58−191414号公報に開示されているTC
NQ錯塩の中で比抵抗が最小(3,4Ωcm)のN−n
−ブチルイソキノリニウム(TCNQ)z錯塩を用い、
これをアルミニウム缶ケ゛−スに充填し、260℃に保
温しであるホットプレート上にて溶融した。次に、あら
かじめ同じ温度に予熱しである捲回型アルミニウム電解
コンデンサ素子(定格容量5μF、定格電圧25■)を
前記のアルミニウム缶ケースに素早く入れてTCNQ錯
塩を含浸させ10秒間保持した後、ケースとともにホッ
トプレート上から引上げて自然放冷した。次に、開口部
をエポキシ樹脂を用いて封口して固体電解コンデンサを
作製した。この固体電解コンデンサに、定格電圧を1時
間印加してエージングを行った後の特性を下記に示す。
Comparative Example 1 TC disclosed in JP-A-58-191414
N-n with the lowest specific resistance (3.4 Ωcm) among NQ complex salts
- Using butylisoquinolinium (TCNQ) z complex salt,
This was filled into an aluminum can case and melted on a hot plate kept at 260°C. Next, a wound aluminum electrolytic capacitor element (rated capacity 5 μF, rated voltage 25 μF), which had been preheated to the same temperature, was quickly placed in the aluminum can case, impregnated with TCNQ complex salt, and held for 10 seconds, then the case was At the same time, it was pulled up from the hot plate and allowed to cool naturally. Next, the opening was sealed using epoxy resin to produce a solid electrolytic capacitor. The characteristics of this solid electrolytic capacitor after aging by applying the rated voltage for one hour are shown below.

静電容量(120Hz)         3.2 u
 F損失角の正接(tan δ、120Hz)   0
.08等等価側抵抗(ESR,100KHz)    
0.65Ω漏れ電流  (2分後)      0.0
9μA実施例1 比較例1で用いたN−n−ブチルイソキノリニウム(T
 CN Q) z錯塩1.0重量部にジエチルスルホン
(Cz Hs  Sow  Cz Hs )1.0重量
部を添加して混合したものをアルミニウム缶ケースに充
填して加熱したところ、180℃において均一な溶液と
なった0次に、比較例1と同様に、あらかじめ同じ温度
に予熱しであるコンデンサ素子を前記アルミニウム缶ケ
ース中に入れて含浸し、10秒間保持した後、缶ケース
とともに自然放冷した。さらに、比較例1と同じ条件で
樹脂による封口を行って固体電解コンデンサを作製した
。この固体電解コンデンサに定格電圧を1時間印加して
エージングを行った後の特性を下記に示す。
Capacitance (120Hz) 3.2 u
Tangent of F loss angle (tan δ, 120Hz) 0
.. 08 equivalent equivalent side resistance (ESR, 100KHz)
0.65Ω leakage current (after 2 minutes) 0.0
9 μA Example 1 N-n-butylisoquinolinium (T
CN Q) When a mixture of 1.0 parts by weight of z complex salt and 1.0 parts by weight of diethyl sulfone (Cz Hs Sow Cz Hs) was added and mixed into an aluminum can case and heated, a uniform solution was formed at 180°C. Then, as in Comparative Example 1, a capacitor element preheated to the same temperature was placed in the aluminum can case and impregnated, held for 10 seconds, and then allowed to cool naturally together with the can case. Furthermore, sealing with resin was performed under the same conditions as in Comparative Example 1 to produce a solid electrolytic capacitor. The characteristics of this solid electrolytic capacitor after aging by applying the rated voltage for one hour are shown below.

静電容! (120Hz)        5.3 p
 Ftan δ  (120)1z)        
0.01等価直列抵抗(100KHz)      0
.45Ω漏れ電流  (2分後)0.08μA 実施例2〜13 比較例1および実施例1で用いたN−n−ブチルイソキ
ノリニウム(T CN Q) z錯塩1.0重量部に対
してそれぞれ第1表(実施例2〜13)に示すスルホン
化合物よりなる添加物を混合し、第1表に示す含浸温度
で実施例1と同じコンデンサ素子に含浸・付着させて実
施例1と同様にして固体電解コンデンサを作製し、エー
ジングを行ってコンデンサの特性を第1表に示した。
Capacitance! (120Hz) 5.3p
Ftan δ (120)1z)
0.01 equivalent series resistance (100KHz) 0
.. 45Ω leakage current (after 2 minutes) 0.08μA Examples 2 to 13 Based on 1.0 parts by weight of N-n-butylisoquinolinium (TCNQ) z complex salt used in Comparative Example 1 and Example 1 Additives consisting of sulfone compounds shown in Table 1 (Examples 2 to 13) were mixed and impregnated and adhered to the same capacitor element as in Example 1 at the impregnation temperature shown in Table 1 in the same manner as in Example 1. A solid electrolytic capacitor was manufactured using the same method, and the characteristics of the capacitor after aging are shown in Table 1.

比較例2 TCNQ錯塩としてN−メチルイソキノリニウム(T 
CN Q) を錯塩を用いて、比較例1と同様にして固
体電解コンデンサの作製を試みたが、このTCNQ錯塩
は260℃においては熔融せず、280℃になると溶融
と同時に分解を起したため、コンデンサ素子に含浸する
ことはできなかった。
Comparative Example 2 N-methylisoquinolinium (T
An attempt was made to fabricate a solid electrolytic capacitor using a complex salt of CNQ) in the same manner as in Comparative Example 1, but this TCNQ complex salt did not melt at 260°C and simultaneously melted and decomposed at 280°C. It was not possible to impregnate the capacitor element.

実施例14 比較例2で用いたN−メチルイソキノリニウム(TCN
Q)Z錯塩1.0重量部に対して、ジフェニルスルホン
(C6H5SOZ  Cb Hs )  1゜0重量部
を添加して混合したものをアルミニウム缶ケースに充填
して加熱したところ、240℃において均一な溶液とな
った。次に、実施例Iと同様にして固体電解コンデンサ
を作製し、エージングを行った後のコンデンサの特性を
下記に示す。
Example 14 N-methylisoquinolinium (TCN) used in Comparative Example 2
Q) When a mixture of 1.0 parts by weight of Z complex salt and 1.0 parts by weight of diphenyl sulfone (C6H5SOZ Cb Hs) was added and mixed into an aluminum can case and heated, a uniform solution was formed at 240°C. It became. Next, a solid electrolytic capacitor was produced in the same manner as in Example I, and the characteristics of the capacitor after aging are shown below.

静電容量(120Hz)        5.1 u 
Ftan δ  (12011z)         
0.02等価直列抵抗(100KHz)      0
.61Ω漏れ電流  (2分後)0.07μA (本頁、以下余白) (作用および効果) 比較例1においては、等個直列抵抗(E S R)、漏
れ電流などの数値は比較的良好であるにも拘らず、静電
容量が3.2μFで定格値5μFより遥かに低い。この
理由は明らかではないが、溶融したTCNQ錯塩・が冷
却・固化する際に針状の結晶となったり体積の収縮が起
ったりすることにより、陽極のエツチングピットの内部
で固化したTCNQtV塩と誘電体皮膜またはバルクと
TCNQ錯塩との接触が一部分でしか行われないためと
考えられる。
Capacitance (120Hz) 5.1 u
Ftan δ (12011z)
0.02 equivalent series resistance (100KHz) 0
.. 61Ω leakage current (after 2 minutes) 0.07μA (this page, below margin) (Functions and effects) In Comparative Example 1, the values of equal series resistance (ESR), leakage current, etc. are relatively good. Despite this, the capacitance is 3.2 μF, which is far lower than the rated value of 5 μF. The reason for this is not clear, but when the molten TCNQ complex salt is cooled and solidified, it becomes needle-shaped crystals or shrinks in volume, and the TCNQtV salt solidified inside the etching pit of the anode. This is thought to be because the dielectric film or bulk contacts the TCNQ complex salt only partially.

これに対して実施例1〜14の本発明による固体電解コ
ンデンサは、いずれもほぼ定格の静電容量(4,9〜5
.4)を示している。この理由は明らかではないが、含
浸後の冷却時にTCNQ錯塩の結晶化が妨げられて非晶
質の状態で固化するために、エツチングビット内に残留
したTCNQ錯塩と酸化皮膜との接触が十分に保持され
るものと考えられる。すなわち、本発明によれば、第1
表に示す添加物をTCNQ錯塩に添加することにより、
高価なTCNQ錯塩の使用量を少なくして、コストを低
減できるとともにTCNQtI塩のコンデンサ素子への
付着率を向上させ、静電容量の高い固体電解コンデンサ
を提供することができる。
On the other hand, the solid electrolytic capacitors according to the present invention in Examples 1 to 14 all have approximately the rated capacitance (4,9 to 5
.. 4) is shown. Although the reason for this is not clear, the crystallization of the TCNQ complex salt is prevented during cooling after impregnation and solidifies in an amorphous state, so that the TCNQ complex salt remaining in the etching bit does not come into sufficient contact with the oxide film. It is assumed that this will be retained. That is, according to the present invention, the first
By adding the additives shown in the table to the TCNQ complex salt,
It is possible to reduce costs by reducing the amount of expensive TCNQ complex salt used, and to improve the adhesion rate of TCNQtI salt to capacitor elements, thereby providing a solid electrolytic capacitor with high capacitance.

また、本発明においては第1表に示すような添加物(特
定のスルホン化合物)がTCNQ錯塩の融点または分解
温度以下の温度で溶融し、前記の添加物がTCNQ錯塩
を溶解する能力を有するため、固体電解質の含浸温度を
TCNQ錯塩の溶融温度よりも低く設定することができ
る。したがって、TCNQ錯塩の熱分解に至るまでの時
間を大幅に延長させ、含浸工程における作業性を著しく
改善することができるふたとえば、N−n−ブチルイソ
キノリニウム(TCNQ)xi塩は、融点が約220℃
であり、260℃においては70秒前後で分解して絶縁
体化するのに対して、本発明によれば、18(1℃前後
でTCNQ錯塩の液化が可能であり、この温度では30
分以上分解することなく安定な状態に保持することがで
きるので含浸および冷却・固化の工程の作業性を著しく
改善することができる。
Furthermore, in the present invention, the additives (specific sulfone compounds) shown in Table 1 melt at a temperature below the melting point or decomposition temperature of the TCNQ complex salt, and the additives have the ability to dissolve the TCNQ complex salt. , the impregnation temperature of the solid electrolyte can be set lower than the melting temperature of the TCNQ complex salt. Therefore, the time required for thermal decomposition of the TCNQ complex salt can be significantly extended and the workability in the impregnation process can be significantly improved. is about 220℃
At 260°C, it decomposes and becomes an insulator in around 70 seconds, whereas according to the present invention, it is possible to liquefy the TCNQ complex salt at around 1°C, and at this temperature
Since it can be maintained in a stable state without decomposing for more than a minute, the workability of the impregnation and cooling/solidification processes can be significantly improved.

さらに、実施例14に示したように、単独では溶融・含
浸が不可能なTCNQ錯塩であっても、本発明によれば
、コンデンサ素子に含浸することができ、多様なTCN
Q錯塩を固体電解質として使用することが可能になる。
Furthermore, as shown in Example 14, even TCNQ complex salts that cannot be melted and impregnated alone can be impregnated into capacitor elements according to the present invention.
It becomes possible to use the Q complex salt as a solid electrolyte.

(発明の効果) 以上説明したように本発明によれば、TCNQ錯塩をそ
の融点または熱分解温度より低い温度で含浸できるよう
にしたことにより、含浸および冷却・固化の工程の作業
性を著しく改善するとともにTCNQ錯塩のコンデンサ
素子への付着率を向上させることができ、静電容量の高
い固体電解コンデンサを得ることができる。
(Effects of the Invention) As explained above, according to the present invention, it is possible to impregnate TCNQ complex salt at a temperature lower than its melting point or thermal decomposition temperature, thereby significantly improving the workability of the impregnation and cooling/solidification steps. At the same time, the adhesion rate of TCNQ complex salt to the capacitor element can be improved, and a solid electrolytic capacitor with high capacitance can be obtained.

Claims (3)

【特許請求の範囲】[Claims] (1)陽極金属表面に誘電体酸化皮膜を生成させ、さら
にこの皮膜上に固体電解質層を形成した固体電解コンデ
ンサにおいて、前記固体電解質層が、一般式R−SO_
2−R′(R、R′はアルキル基またはアリール基を示
す)で表されるスルホン化合物の1種、もしくは2種以
上の混合物を加熱・溶融してなる液体に、テトラシアノ
キノジメタン錯塩を溶解して冷却・固化したものよりな
ることを特徴とする固体電解コンデンサ。
(1) In a solid electrolytic capacitor in which a dielectric oxide film is formed on the anode metal surface and a solid electrolyte layer is further formed on this film, the solid electrolyte layer has the general formula R-SO_
A tetracyanoquinodimethane complex salt is added to a liquid obtained by heating and melting one type of sulfone compound or a mixture of two or more types of sulfone compounds represented by 2-R' (R and R' represent an alkyl group or an aryl group). A solid electrolytic capacitor characterized by being made of melted, cooled and solidified solid electrolytic capacitor.
(2)前記スルホン化合物におけるRおよびR′が、炭
素数1〜10個のアルキル基、またはフェニル基、トリ
ル基もしくはキシリル基である特許請求の範囲第1項記
載の固体電解コンデンサ。
(2) The solid electrolytic capacitor according to claim 1, wherein R and R' in the sulfone compound are an alkyl group having 1 to 10 carbon atoms, a phenyl group, a tolyl group, or a xylyl group.
(3)前記テトラシアノキノジメタン錯塩が、Nの位置
を炭化水素基で置換してなるピリジン、ベンゾチアゾー
ル、アクリジン、フェナジン、フェナントリジン、キノ
リン、イソキノリン、α−ナフトキノリンまたはβ−ナ
フトキノリンのテトラシアノキノジメタン錯塩である特
許請求の範囲第1項または第2項記載の固体電解コンデ
ンサ。
(3) The tetracyanoquinodimethane complex is a tetra of pyridine, benzothiazole, acridine, phenazine, phenanthridine, quinoline, isoquinoline, α-naphthoquinoline or β-naphthoquinoline obtained by substituting the N position with a hydrocarbon group. The solid electrolytic capacitor according to claim 1 or 2, which is a cyanoquinodimethane complex salt.
JP7177287A 1987-03-27 1987-03-27 Solid electrolytic capacitor Pending JPS63239911A (en)

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