JPS63238587A - 荷電粒子を放出する放射性核種の表面分布を測定する方法及び装置 - Google Patents

荷電粒子を放出する放射性核種の表面分布を測定する方法及び装置

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JPS63238587A
JPS63238587A JP7395287A JP7395287A JPS63238587A JP S63238587 A JPS63238587 A JP S63238587A JP 7395287 A JP7395287 A JP 7395287A JP 7395287 A JP7395287 A JP 7395287A JP S63238587 A JPS63238587 A JP S63238587A
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は一般に、材料吸血を通り抜けて放射性核種を放
出する荷電粒子の空間的分布を測定するシステム、さら
に詳しくは、表面からの荷電粒子放出の正確な測定法お
よび比較的大きな表面積に対して最小の露出時間でのそ
のような放出の分布の高分解デジタルイメージを持たら
す装置に関する。
材料茨面を通り抜ける荷電粒子を放出する放射性核種の
詳しい分布を測定することが必要ないくつかの手順があ
る。このうちのあるものは、最高ハm″の比較的大きな
表面積を含んでいる。そのような方法の一つは、薄層ポ
リアクリルアミドゲル中の燐−32標識化合物の濃度の
地図の作製である。
従来、この測定の問題に対して種々の解決策がとられて
きた。
オートラジオグラフ法は大きな面積知対する高分解記録
を同時に提供する。しかしながら、写真フィルムは強力
な択−夕放出に対して比較的鈍感であり、露出範囲が限
られ、追加の手順によって現像および読取りを行なわね
ば々らず、そしてフィルムの化学かぶりおよび天然の放
射線源からのバックダランドを記録する。スクリーンの
強化が写真フィルムの感度の増加に用いられるが、これ
らは空間(5patial )分解能を損う。
別の解決策では、気体イオン化検知器、シンチレータ−
および他のソリブト9ステート検知器を含めた様々な種
類の走査検知器を使う。これらのうちのいくつかは一度
に一点のみを検知し、一方他のものはラインまたは小さ
な面積を同時に記録する。しかしながら、走査検知器は
、検知器の感応領域に較べて大きな領域をカバーするた
めに、比較的長い時間を必要とする。
走査に用いる多数の種類の検知器を使用するセグメント
検知器も作られた。走査およびセグメンテーションは共
に、測定分布における境界効果、機械的ゆがみおよびア
ーティファクトを持ち込む。
さらに別の解決策(は大面積検出器であった。しかしな
がら、マルチチャンネルプレートのような高分解ソリッ
ドゝステート装置は大きなサイズで作るのが難しいこと
がわかった。気体イオン化検知器を含む現存の技術は、
特に強力なベータ放出に対して、高度の空間分解能を持
たらすことができなかった。
従って、本発明の第一の目的は、非常に小さな分雅での
放射性核種濃度のスポットを解消する、高度の空間精度
が可能な荷電粒子を放出する放射性核種の入面分布の直
接デジタル測定のための装置および方法を提供すること
である。
本発明の別の目的は、放射性放出の検知効率が高いそし
てその結果として露光時間が短い、大きな表面積に対す
る放射性核種分布の測定を提供することである。
本発明のさらに別の目的は、燐−32のような強力なベ
ータ放出での放射性核種の高分解性大面積測定を提供す
ることである。
本発明の別の目的は、高い放射能濃度における、低い放
射性核種の放射能濃度の測定を可能にする、広い力学的
範囲を有する放射性核種の放射能の定量測定を提供する
ことである。
気体中での比ff1J増幅イオン化に基づく、数種類の
放射能検知器が開発されてきた。これらのほとんどでは
、静電界の配置により、入射過程によって生じた第一イ
オン化からの電子を、一つ以上の細いワイヤまたは導電
性繊維に向って勅かす。ワイヤまたは繊維の表面近くの
強い静電界によって、これらの第一電子を気体原子と激
しく衝突させ、制御されたアバランシ−(avalan
che )で追加電子を打ち落す。電子回路は生じる荷
電信号を記録する。
信号の大きさが第一イオン化の量に比例するように、操
作条件を調整することができる。
マルチワイヤ比例グリッドは、気体中の比例増幅に基づ
く位置測定イオン化検知器内の感応部材の一つの形であ
る。このようなりリット″は、均等に距離を保った細い
ワイヤまたは導電性繊維よりなる電極である。位置測定
チャンバーを作るには、このようなグリッドを適当な気
体混合物および強力な静電界へ入れる。チャンバー内の
イオン化過程で第一電子の局在クラスターが生じ、これ
らの各々は比例(proportioral)グリッド
のワイヤに引き伺けられる。電子がワイヤ表面に達する
につれて、局在的に殺到し、測定可能な荷電信号が生じ
る。信号が生じるワイヤを識別することによって、ある
いはいくつかのワイヤ上の信号の位置中心を得ることに
よって、イオン化の第一クラスターの中心の位IWを、
一次元のグリノ)−″′衣表面測定する。
マルチワイヤ比例グリッドに隣接する平行なクリッドば
、容量カップリングを通じて誘導荷電信号を出す。二次
元での位置測定は、隣接電極上のこれらの誘導信号を使
用することによって得られる。
気体中の比例増幅に基づく有用な位置測定イオン化検知
器は、一つ以上の位置測定チャンバーを含む気体の囲い
よりなり、各々マルチワイヤ比例グリッドを組込んでい
る。この種の検知器に適した構造、構造材料、気体混合
物、読取り方法および操作条件は当業界でよく知られて
いる。これらは米国特許第3,772,521号および
第3,786,270号そして以下の論文に記載されて
いる: (1)  G、Charpak、R,Bouclier
、T、Bressani、J、Favierおよびに、
Zupancic、”丁’he use of mul
tiWireproportional counte
rs to 5elect and localize
charged particles、” Nucle
ar Instruments andMethods
62 : 262−268 (1968)。
(2)  G、Charpak、R,Bouclier
、T、Bressani、J。
FavierおよびC,Zupancic、”Some
 readout systemSfor propo
rtiopal multiwire chamber
s”、NuclearInstruments and
 Methods 65 : 217−220 (19
68)。
(3)  G、Charpak、D、RahmおよびH
,5teiner、”Somedevelopment
s in the operation of mul
tiwireproportional  chamb
ers” 、Nuclear In5trunents
and Methods 80 : 13−34 (1
970)。
気体中の比例増幅に基づく位置測定イオン化検知器は、
放射性核種ベータ放出に非常に敏感である。適当な読取
シ回路では、その敏感な容積に入る本質的には各々のベ
ータ放出をカウントすることができる。しかしながら、
そのような検知器は全てに対して不十分な空間分解能を
持たらすが、エネルギー放出は最低である。これは、強
力なベータが気体中を長距離進み、それらの路に添った
イオン化の広がった進路を出るためである。平らなマル
チワイヤ比例チャンバーは、そのグリッド8の垂線に対
して大きな角度で放出路を測定すると、ひどい変位誤差
を生じる。
この問題を解決する一つの試みは、多工程アバランツユ
(avalanche )チャンバーであった。これは
、マルチワイヤ比例クリッドに平行な追加の電極によっ
て定められた非常に強力な静電界の状態で、マルチワイ
ヤ比例チャンバーへ気体容積を加える。イオン化のアバ
ランシ−増幅は、強力な静電界がある場合、容積の到る
所て生じ、増幅されたイオン化物はグリッドまたはメツ
シュ電極を通り抜けてマルチワイヤ比例グリッドに向い
、そこで検知される。これによってチャンバーは、マル
チワイヤ比例グリッドの反体側に近い強力な静電界容積
で生じるイオン化に主として敏感になる。
線源式面を強力な静電界容積の外側の電極に接する検知
器の気体に導入するならば、そこで検知器は線源表面に
隣接する気体の薄層中で生じるイオン化に対して主とし
て敏感になる。これによって変位誤差は減少する。
多工程アバランシ−チャンバーに適した構造、構造材料
、気体混合物、読取り法および操作条件は、以下の論文
に記載されている: (4)  G、Petersen、G、C:harpa
k、G、MelchartおよびF、5auli、”A
 multistep avalanche cham
’cer as adetector in radi
ochromatography imaging”、
Nuclear 工nst、ruments and 
Met、hods 176: 239−244(198
0)。
これまで開発は進んだが、多工程アバラン7エチヤンバ
ーは、ベータ放出の分布の記録に重要な制限を有する。
放出源から遠く離れた感応性ガス層におけるイオン化を
検知する可能性が高くなるため、それらはより強力なベ
ータ放出に対してさらにかなり不十分な分解能となる。
これらのチャンバーは正確に調整した静電界強度で操作
しなければならず、従ってそれらは、線源材料との接舷
または非常な接近の結果として生じる静電界のひずみに
敏感である。チャツバ−が応答する非常に少数の第一電
子における統計的偏差が大きいので。
これらのチャンバーは広い範囲の信号振幅を生じる。高
純度の検知器気体が安定な操作に必要であるが、汚染す
る可能性のある線源材料を検知器気体中へ導入すること
が要求される。
強力な荷電粒子放出の源を測定するときの大きな関心事
は、広がった放出路である。本発明の測定方法は、(1
)荷電粒子放出路にそったイオン化を検知し、(2)線
源材料人血のほとんどの領域からの放出に応答しうる検
知器を用い、(3)放出路にそった少なくとも二点のイ
オン化中心座標を測定する別の検知器部材を備え、(4
)測定点を通り抜ける直線によって、路の方向を推測し
、そして(5)路の方向を使って、(a)放出源に最も
近すけて行なった位置測定を線源材料表面上の投影点に
対して調整し、(b)放出記録を、許容範囲内の路の角
度を有するこれらの放出に限定するか、あるいは(c)
座標調整および許容基準の両者を規定する、ことである
。方向の測定は、線源表面に対する垂線に対する投影角
度からなる。そのような方向の測定、座標調整および許
容基準は、線源材料天面の一つまたは両方の座標に適用
しうる。
本発明の装置は、線源材料賢面でまたはその近くで荷電
粒子を放出する放射性核種の分布が得られるように構成
した放射線イメージング装置である。これはマルチチャ
ンバーに基づく気体イオン化検知器である。検知器は、
モードをカウントし、イオン化信号を記録し、これらか
ら放出路にそった少なくとも二点に対するイオン化中心
を得、そしてこれらの測定から各放出源における座標を
推定する。検知器は、平らな線源材料に対して最も簡単
に作れるが、単純に曲った線源材料に対しても作りうる
。そのような装置は強力なベータ放出に特に有用であり
、気体圧が低くそして構造材料密度が小さい状態でも、
他の粒子の放出に対してもおよび低いエネルギー放出に
対しても使用しうる。
本発明に従って作った装置のデータ取得サブシステムで
は、多くの荷電粒子放出源の座標から、線源材料でのま
たはその近くでの放射性核種分布が得られる。これは、
線源表面に相当する測定領域の空間部材内で、推定座標
がそのような領域部材の境界内に入る放出をカウントす
ることによって行なわれる。これはたとえば、デジタル
処理システムコントロールを用いてもよい。メモリーア
レーまたはマルチチャンネルデジタル力ヮンターを用い
ることによって行ないうる。各チャンネルまたはメモリ
ーの位置選定は、線源材料の領域部材に関連している。
推定される源の座標が領域の特定の部材だ相当する各放
出に対して、放出角度が許容範囲内であシそして放出エ
ネルギーが許容範囲内であれば、相当するメモリーの位
置におけるカウントまたはチャンネルは増加する。がな
りの数の放出物が記録された後、線源表面領域部材にお
けるカウントは放射性核種の各々の良度を示す。
装置のための検知器の位置測定チャンバーは、電気絶縁
およびシールドも行なう、気密の囲いの中に入れる。片
側において、検知器の囲いは、囲いの外に置くべき線源
材料に極めて接近したあるいは直接接触した特に薄い外
壁または窓を有している。この窓の機能は、検知器を外
の環境から分離し、同時に放出物を、最小の吸収および
散乱で、線源材料から検知器へ進ませることである。窓
1グ導電性層を含み、そして密度および原子番号の小さ
い材料で作るべきである。
検知器内の位置測定チャンバーは、気体混合物で満たさ
れたそして荷電粒子放出源材料表面1て平行な電極によ
って分けられた、二つ以上の比較的薄い領域から各々な
っている。線源表面が平らであれば、電極も平らである
。領域の間にある電1グは、平行グリッド、クロスフ)
フント゛またはメンンユとして配置した、ワイヤまたは
導電性繊維でできている。そのような電淫は静電界に対
して等電位の謄面となるが、静電界の影・マ下で電子を
一方の領域から他方の領域へ移動させる。電子ハ眠甑表
面に垂直な方向に移動する。チャンバーの外側の電極は
同様に作られているか、あるいはフィルム、ホイル、ラ
ミネートまたは固体材料で作られていてもよい。これら
は静電界と等電位の表面となるが、電子を透過させる必
要はない。電極部材はそのような外側の電極表面上をプ
リント、蒸着、メッキ、腐食したりまたは機械にかけて
もよい。
検知器内の位置測定チャンバーには少なくとも一つの検
知領域がある。マルチワイヤ比例グIJ 。
ドで分けられそして外側の電極で境界を付けられた、二
つの検知領域よりなる、従来のマルチワイヤ比例チャン
バーを、位置測定チャンバーとして使用してもよい。検
知領域の機能は、放出路の区分にそって付着したイオン
化の小さなりラスターの中心位置を測定することである
。そのような測定は、検知領域の境界をなす電極の導電
性部材からの荷電信号の電子処理によって行なわれる。
直接または中間工程を通して、そのような処理によって
電極部材上の信号の位置上の中心が生じる。
これらの量はイオン化クラスタ′−の電荷の中心の、電
極表面に平行な、座標に比例する。第三次元のそのよう
な測定は、イオン化電子を集めた領域内に中央表面(m
edia−nsur face )を配置することによ
って持たらされる。
装置内の位置測定チャンバーの検知領域の境界をなす一
つの電極はマルチワイヤ比例グリッドゝである。チャン
バー内の他の電極は、電子をこのグリッド9に引付ける
ように、連続してより負のポテンシャルの状態である。
マルチワイヤ比例グリッドでは、イオン化電子の増幅が
その細いワイヤまたは導電性繊維のすぐ近くの強力な静
電界で生じる、荷電信号はマルチワイヤ比例グリッドの
部材上で観察される。マルチワイヤ比例グリッドに隣接
する少なくとも一つの他の電極もまた平行グリッドであ
り、導電性部材はマルチワイヤ比例グリッドのこれらに
対するあるいはマルチワイヤ比例グリッドに隣接する別
の電極のこれらに対する角度で位置を定めている。容量
性カップリングによって、誘導された荷電信号がそのよ
うな隣接グリッドの部材上で観察される。二つのグリッ
ドまたは検知領域の境界をなすグリッド状電極の部材上
の信号は、二次元におけるイオン化の第一クラスターの
中心を測定するために、読取り回路によって処理される
空間分解能を最大にするために、装置は、放出源にでき
るだけ近い放出路にそった第一のポイントを測定するよ
うに作られる。この第一のポイントを測定するチャンバ
ーは多数の領域からなり、次の順序で最高5つの領域を
含む:収集領域、増幅領域、移動領域および二つの検知
領域。
位置測定チャンバーの増幅領域は、十分に強力な静電界
を有し、そのだめ、電子がこれを、通過するにつれて、
これらは気体原子と激しく衝突し、気体分子からの追加
の電子を打ち落す。これは、マルチワイヤ比例グリッド
で生じる増幅と同じ種類である。しかしながら、増幅領
域では、このプロセスは電fi表面のすぐ隣りに限らず
、むしろ気体容積の到る所に生じる。気体混合物および
詳細なチャンバーの構造によって、最高的10,(10
0の安定な増幅率が、増幅領域を完全に横切る第一イオ
ン化電子に対して得ることができる。第一電子に対する
増幅は、これが横切る増幅領域の厚みと共に指数的に変
化する。
増幅領域の主な機能は、この領域の片側で生じるイオン
化電子を、チャンバー中のどこかに付着したイオン化電
子と分けることである。より負のポテンシャルでその側
から入ってくる電子は十分な増幅を受け、一方この境界
をほんのわずか越えて生じる電子はより少ない増幅を受
ける。増幅領域のより正の側の検知領域は、このように
増幅されたイオン化電子にほぼ完全に応答する。増幅領
域のより負の側において、収集領域を加えて、増幅領域
を有する位置測定チャンバーが第一イオン化に応答する
気体の厚みを定めうる。
収集領域の主な機能は、第一イオン化物を集めて路のポ
イントを測定する、わずかな調整された厚みの気体層を
持たらすことである。そのような領域は、路にそって平
均数個の第一イオン化電子を含むのに十分な厚みである
。調整されたイオン化サンプルを持たらすことによって
そして検知器の窓を変形させて静電分離を行なうことに
よって、収集領域は検知器の信号振幅および空間分解能
を安定化する。収集領域の有用な最小の厚みは、検知器
気体中のイオン化統計によって決められる。
Q、3MeVのベータ放出または大気圧における一般的
な気体に対しては、これは約t7Imでちる。それ以上
の厚みは、空間分解能を減じるので好ましくない。適度
な電界がイオン化電子をグリッドまたはメソシュ電極を
通して収集領域から増幅領域−・速やかに運ぶ。
移動領域は、増幅領域と最も近い検知領域との間の様々
な厚みの任意のギャップである。収集領域におけるもの
と較べて適度な静電界が、イオン化電子を移動領域を通
じて検知領域へ速やかに運ぶ。移動領域はアバランシュ
領域を静電的に検知領域から分離し、そしてそれた第二
増幅の抑制物として作用する。移動領域界対増幅領域界
の比によって調整されながら、増幅領域からのイオン化
部分のみが移動領域へ入る。増幅領域へ向って動く、検
知領域からの正のイオンの流れは、移動領域界対検知領
域界の比によって同様に調整される。
検知器内の第二位置測定チャンバーは従来のマルチ比例
チャンバーでよく、マルチワイヤ比例グリッドで分けら
れた二つの検知領域を有する。これはまた、第一チャン
バーと同様に、追加の電極および領域を含めてもよい。
検知器内の第二チャンバーの機能は、放出路上の第二の
ポイントの座標を測定することである。この情報で、装
置は、検知器表面に平行な二つの次元の一方または両方
ておいて、検知器表面の垂線に対する路の投影角度を得
ることができる。第一チャンバーから得た座標は、線源
材料の表面に対する推定直線路をプロジェクトする簡単
な式で調整して放出源の座標を推定する。この計算は、
アナログ捷だはデジタル電子回路によって、実際の2用
に十分に速い速度で容易に行なうことができる。検知器
に追加のチャンバーを組込んで、路にそったより多くの
ポイントを提供することが可能である。しかしながら、
たいていの応用に対しては、これらは空間分解能をかな
り改良しないと複雑になる。
略述した種類の検知器の空間分解能は、検知器内での放
出の散乱に大きく影響される。荷電粒子がチャンバー気
体および電極材料を通過するにつれて、その路は、よく
知られた物理原理に従う、静電的な挙動でそれる。この
散乱によって、放出座標および角度の推定に大きな誤差
が生じる。この挙動のため、密度および原子番号が小さ
い薄い材料の電極を作るのが有利である。
空間分解能への散乱の影響は、線源材料の垂線に対する
大きな放出角度においておよび低い放出エネルギーにお
いて、急速に増加する。放射性核種からの荷電粒子放出
エネルギーは、ゼロから最大までのエネルギー範囲にわ
たってよく知られているように分布する。この分布のだ
めに、全放射性核種からのいくつかの放出は低いエネル
ギーにおけるものである。これらのファクターは、大き
な放出角度でのおよび低い放出エネルギーでの放出を拒
絶するすなわち、カウントを省略するのに都合がよい。
本発明の方法および装置によって持たらされた路の角度
情報は、広い角度の放出を拒絶するのに用いうる。許容
される角度の範囲が限定されるので、空間分解能は感度
を犠牲にして改良される。
物理原理から検知器の挙動を予想すること、そして特定
の用途に対する受入れ角度基準を最適なものにすること
は可能である。
放出路にそった第一イオン化量は、実際問題についての
たいていの放出エネルギー範囲に対して、大して変化せ
ず、そのため検出器からの信号振幅は有用なエネルギー
情報を提供しないだろう。しかしながら、検知器は、吸
収材料プレートを含めることによって、特定の放射性核
種の放出エネルギー分布に適用することができる。その
ような材料は原子番号が小さいものであり、そのためこ
れは強力なX線螢光を生じない。これはまた別の材料の
層で作って、さらに螢光を減少さうる。かなり十分に限
定した限界値エネルギー未満の荷電粒子放出は、そのよ
うな吸収体に入り込まず、それ故吸収プレートに続くチ
ャンバー内で検知されない。
吸収体を使用する場合、これに入り込む放出に対して吸
収体中でかなりの散乱がある。このため、吸収体の前の
あるいはできるだけこれに近い第二ポイントを測定する
必要がある。二つの方法のいずれかを使用することがで
きる=(1)吸収体の前の座標を測定しそして第三チャ
ンバーを吸収体の後に導入し、簡単に吸収体の後の放出
路の有無を記録するか、あるいは(2)第一チャ/バー
と同じ構造の第二チャンバーを作り、その収集領域を吸
収プレートのすぐ後に玩ける。
エネルギー識別のための別の方法は、検知器内の第二位
置測定チャンバーの後に、線源の放射性核種によって生
じた全エネルギーでの放出が完全に吸収されるよりな組
成および厚みのシンチレータ−材料プレートを含めるこ
とである。このシンチレータ−は、振幅が到達する元の
量に比し11する電気信号となる光変換器によって観察
される17元変換器の信号の振幅から、放出エネルギー
を推定することができる。エネルギーが限界値未満の放
出はその時拒否しうる。
弱い放射性核種濃度については、宇宙線および天然の放
射性核種源は、測定した放射性核種の分布に、かなシの
バックグラウンド゛を加えうる。バッククランドのある
もの、たとえば宇宙線ミュー中間子によって生じるもの
、は強力なベータ放出に対するものと区別がつかない検
知器応答を生じる。ある場合には、このパックグランド
を除くことが好ましいかもしれない。
パックグラウンドのカウントは、一つ以上の追加のマル
チワイヤ比例カウンターまたはシンチレーションカウン
ターを、線源材料からの放出が全く入り込まない十分な
厚みの吸収材料の任意のプレートに続けて、(1)検知
器の主要部分と反対の線源材料側に、あるいは(2)検
知器の主要部分と同じ側に、あるいは(3)これらの両
方の位置に置くことによって除くことができる。そのよ
うな拒否カウンターは位置を測定する必要はないが、放
射性放出が入り込んだ場合、信号を出すことだけは必要
である。位置測定チャンバーからのデータの記録は、そ
のような信号の後の短い時間間隔の間除く。
上記のように構成された検知器は、以下のような順序で
事が生じるとき、その測定値を処理する同時計数および
制御回路に接続しなければならない:(1)適当な大き
さの信号が、一般には1ミクロ秒未満の互いに短い時間
間隔内で第一および第二チャンバーの位置側定電、極上
で観察される;(2)十分な信号がエネルギー識別カウ
ンター(もしこの構造を用いるならば)から同じ時間間
隔内で観察される;および(3)信号が拒否力クンター
(もしこれらを含めるならば)からこの同じ時間間隔内
で観察されない。このような同時計数および;Ii’制
御回路は当業界でよく知られている。検知器の個々のチ
ャンバーが種類、機械的構造または操作条件の異なるも
のであるならば、この回路はこれらの応答時間を酌量し
なければならない。
上記のように構成された検知器はまた、その電極からの
荷電信号を座標に比例した信号に変換する読取り回路へ
、および読取り回路から得られた座標信号を放出源の推
定座標に変換する信号処理回路へ接9元しなければなら
ない。
そのような一つの回路では、これは、検知領域の境界を
なす電極の多数の導電性部材からの信号に電極の平面内
にあり、そして電極部材の配向に垂直な座標にそった部
材の位置に比例した加重値(weights)を掛ける
ことによって達成される。回路はまた加重および非加重
信号を合計し、そして加重信号の合計を非加重信号の合
計で割る。この商は、境界が付けられた検知領域内にあ
り、境界をなしている電極に平行なそして電極の導電性
部材の配向に対して垂直な座標方向内の面内で検知され
るイオン化クラスターの中心の座標の尺度である。線扉
表面が曲っている場合、補正率を用いなければならない
。このような信号処理回路は、方向測定値が得られる線
源材料衣面の各座標に対して必要である。放出路にそっ
だその座標内で得られた二つの位置測定値を合わせて、
その座標内の推定放出ふを得る。
第1図は、本発明に従う、五つの領域の位置測定チャン
−ミー、その後に従来のマルチワイヤ比例チャンバー、
その後に任意の吸収体プレートおよび別のマルチワイヤ
比例チャンバーを有する平らな検知器内の電極の配列を
断面で示す、そして線源材料の一般的な部分の位置を示
す図である。これは略図にすぎず、囲い、電極の機械的
支持体または詳細な構造は示していない。
第2図は、本発明に従う、五つの領域の位置測定チャン
バー、その後に吸収体プレートおよび第二の五つの領域
の位置測定チャンバーを有する平らな検知器内の電極の
配列を断面で示す、そして線源材料の一般的な部分の位
置を示す図である。
これは略図にすぎず、囲い、電極の機械的支持体または
詳細な構造は示していない。
第3図は、五つの領域の位置測定チャンバー、その後に
従来のマルチワイヤ比例チャンバー、そノ後に光変換器
を有するシンチレータ−プレートを有する平らな検知器
内の電極の配列を断面で示す、そして線源材料の一般的
な部分の位置を示す図である。これは略図にすぎず、囲
い、電極の機械的支持体または詳細な構造は示していな
い。
第4図は、−a的な放出路、検出器によって行なわれる
測定、本発明の原理に従う放出源座標の推定方法および
散乱放出路の結果として生じる誤差を断面で示す略図に
よる説明である。
第5図は14本発明に従って放出源座標を推定するのに
必要な計算を行なう信号処理回路の構成図である。
第5Bおよび5C図は、第5図の回路と共に使用するの
に適した読取り回路を示す構成図である。
第6図は、本発明に従う、囲いの内側と外側の両方に任
意の拒否カウンターを有する、囲い内に第2図に示す検
知器を組込んだ装置の部材の配列を断面で示す、そして
線源材料の一般的な面の位置を示す図である。この図は
詳細な構造を示すものではない。
第7図は、本発明に従って構成した、データ取得システ
ムを組込んだ検知器の主な部材および信号処理回路を示
す構成図である。
第(2および3図は、平らな線源材料の表面でまたはそ
の近くで放射性核種を放出する荷電粒子の分布を測定す
るようにした装置内における平らな検知器電極の三つの
構造を断面で示すものである。各々の構造は、放出源に
できるだけ近い荷電粒子放出路上の一つのポイントを測
定する五つの領域の第一位置測定チャンバー、および第
二のポイントを測定する追加の位置測定チャンバを含む
この検知器は強力なベータ放出、たとえば0.54Me
Vの最高放出エネルギーを有するストロンチウム−90
またばL72MeVの最高エネルギーを有する憐−32
からの放出、に特に都合がよい。検知器の電極プレート
は線源材料面に平行に配向しており、そして同程度のま
たはわずかにより大きな寸法のものである。少なくとも
30X50L:1rLまでの大きさが実用的である。
第1図において、荷電粒を放出する放射性核種が分布し
ている平らな線源材料1を、収集領域3の外側の電極と
して働く囲い窓2のすぐ外側に置く。囲い窓2ば、しっ
かりと張りつめた、薄く、強い、気体あ・よび水蒸気不
透過性、導電性および原子番号の小さいものにすべきで
ある。これは被ル物、たとえば外側に5ミクロンの蒸着
アルミニウムおよび内側にコロイドゝダラファイトコー
ティングを有する、50ミクロンのポリエステルフィル
ム、で作りうる。収集領域3から検知領域16へ通じる
検知器の内部は、電子の付着を少なくしそして平行プレ
ート増幅を支持するように気体混合物、たとえば3〜5
%のア七トンまたはプロパンを含むアルゴン、で満たす
。安定な操作のためには、気体純度を高く維持すること
が重要である。低濃度の酸素、水蒸気および陰性溶剤、
たとえば塩素化炭化水素が、通常1p−未満必要である
。設計は検知器を大気正洗おいて操作することを推定し
ている。非常に高いまたは低いエネルギー荷電粒子に対
しては、検知器の空間分解能は、より複雑な囲いの設計
で、より高圧またはより低圧にて操作することによって
改良しうる。
検知器内では、囲いの窓2および電極面2(22.5.
26および27が、線ぶ材料1の平面にできるだけ近い
荷電粒子放出路上のポイントの座標を測定する五つの領
域のチャンバーを定めている。マルチワイヤ比例グリッ
ド電極26は最も正のボテンシャルを有する;他の電極
は連伏してより負のポテンシャルである。収集領域3は
、ただ、平均放出路にそった数個の第一イオン化クラス
ターを生じるに十分な厚み、約( mmである。この領
域における静電界は中位の約50〜1(10 V/mm
大気圧である。
増幅領域4の境界をなす電極21および22ば、非常に
しっかりと張りつめて、約5(10〜8(10V/、7
%大気圧の、増幅領域の強力な静電界における相互引力
によって生じるたわみを最小にする。増幅領域4の厚み
は約3〜8mmであり、薄い領域はど空間測定がより正
確となるが、寸法の均一性をさらに調整する必要がある
。電極21およびnは、静電界の不規則性および検知器
の応答の空間量子化を最小にするために、増幅領域の厚
みの約1/1o以下のピッチで、ワイヤまたは繊維を接
近した間隔に保つべきである。ワイヤまたは繊維の直径
は、それらがコロナ源として作用しないように十分に大
きくなければならず、電極表面は同じ理由でできるだけ
滑らかにしなければならない。直径2〜30ミクロンの
ステンレス鋼またはベリリウム銅ワイヤをそのような電
極に使用することができる。
しかしながら、荷重粒子放出の散乱を最小にするために
、密度および原子番号が小さい材料、たとえば導電性に
被覆したポリアラミド繊維、を使用すると都合がよい。
電極5および都は、マルチワイヤ比例グリッド陽極であ
る電極26に対する陰極である。陽極グリッドば、(5
〜2.5 mrttのピッチでの、直径20〜30ミク
ロンのタングステンまたはステンレス鋼ワイヤで構成さ
れている。この陰極は、1〜3朋のピッチでの、直径5
0〜150ミクロンのワイヤで構成されている。陽極対
陰極の間隔は約4〜8朋にしうる。より小さい間隔で全
体の空間分解能が高まるが、寸法の均一性をさらに調整
する必要があるだろう。得られる信号振幅は、小さい陽
極ワイヤピンチで実質的に減少する。荷電粒子放出の散
乱を最小にするために、密度および原子番号の小さい陰
極材料を使用すると都合がよい。陽極ワイヤの直径およ
びピッチにより、約3(10〜5(10 V/mm/大
気圧の静電界が検知領域内ておいて必要であろう。
移動領域5が増幅領域4および検知領域7の間にある。
移動領域の厚みおよび静電界は設計目的物で変わる。よ
り薄い移動領域は増幅領域と移動領域との間の分離を高
めそして操作安定性を改良することができる。この領域
におけるさらに横の分散もまた検知器応答の空間量子化
を滅じうる。
しかしながら、これをさらに厚くすると散乱からの測定
誤差が増大する。より低い静電界は電極22を通って移
動する電子の率を減じ、増幅領域と移動領域との間の分
離を高めるが、信号振幅を減じ、これ′L′i、位置測
定の本質的な精度を悪化させる。移動領域の厚みは約3
〜15皿に、そして静電界強度は約20〜2(10V7
mm/大気圧にすることができる。
第1図に示す検知器構造は、陰極電極31および33オ
よびマルチワイヤ比例グリッド陽画32で定められた、
検知領域11および12よりなる第二位置測定チャンバ
ーを有する。構造および操作特性は検知領域7および8
のそれらと同様である。吸収体材料9および検知領域1
5および16は任意でちる。
もし含めるのならば、検知領域I5および16そして電
極35.36および37は、検知領域11および12そ
して電極3(32および33とほぼ同じ構造および操作
特性を有する。電極27および31を単一電極として一
緒にすることが可能である;これは、電極5.26.3
2および33からの位置情報を得る必要がある。
第1図に示す検知器は、少なくとも二つの位置測定マル
チワイヤ比例チャンバ一部材を有する:電極5,26お
よびnlそして電極3(32および33゜イオン化過程
からの電子がマルチワイヤ比例グリッド陽極26または
32のワイヤまたは繊維付近に達すると、操作条件がワ
イヤ表面近くに局在化増幅を引起す。負の電荷信号が活
性陽極ワイヤ上に現われ、誘導された正の電荷信号が隣
接電極部材上に現われる。分けられた電極は位置測定に
使用される。直線座標に対する電極部材は、ワイヤの均
等な間隔の平行で平らな配列、ワイヤの連伏した集まり
または他の導電性ストリップである。曲ったまたは非線
座標に対しては他の配置を用いることができる。誘導信
号は、陽極増幅部位からの距離と共に振幅を急速に減少
する。
いくつかの設計の電子読取り回路は、ワイヤまたは他の
電極部材からの信号を処理して、イオン化の第一クラス
ターの中心を位置づける、位置上の電荷中心を得る。第
1図に示す検知器は簡単なしかし正確な方法を用いるこ
とができる:タップがクリッド電極のワイヤにまたはそ
のようなワイヤの小さな集まりに直接接続されているタ
ップトランブトコンスタント(tapped 、 lu
mpedcorlstant)1田ディレィライン。そ
のようなディレィラインの・誤値でのピーク信号間の時
間差は、電荷中心の位置に比例する。別の方法は、電極
部材からの信号の位置加重(weighted)合計を
非加重合計で割る、アナログまたはデジタル中心回路で
ある。測定される各座標は、それ自身の電極部材および
読取り回路を必要とする。
第1図に示す検知器は、吸収体9よりなる任意の部材お
よび電極35.36および37よりなるマルチワイヤ比
例チャンバーを有する。これらの部材は、検知器がカウ
ント1に対して限界値放出エネルギーを有するときに、
含める。吸収体の材料および厚みは、はぼ全部の荷電粒
子放出が特定のエネルギー未満で停止するように選択す
る。装置のある部分で検知されるかもしれない強力なX
線螢光が生じないように、原子番号の小さい材料を使用
するのが都合よい。任意の電極に対する位置測定読取り
器を備える必要はない。マルチワイヤ比例グリッド” 
36上の信号の存在は、荷電粒子放出が吸収体9に取り
込まれたことを示すものととることができる。
第2図に示す検知器は、任意の部材を含む、第1図に示
す検知器とは別の構造である。この検知器も、第1図の
同じ番号の部材と同じ構造および特性を有する、窓電極
2および他の電極2(22゜5.26および釘で定めら
れた領域3.4.5.7および8よりなる第一チャンバ
ーを有する。吸収体50は第1図の吸収体9と同じ目的
に役立つ。しかしながら、導電性であるあるいは導電性
材料にラミネートしたものであるべきこの吸収体はまた
収集領域41の一つの電極としても働く。
第2図の検知器は、収集領域41、増幅領域42、移動
領域43、検知領域45および46、吸収体電極50、
そして電極5(52.55.56および57よりなる、
五つの領域の第二位置測定チャンバーを有する。吸収体
プレート50が窓に代わる。他は、こめチャンバーは領
域3.4.5.7および8、そして電極21,2215
.26およびnよりなるチャンバーと同じ構造および操
作特性を有する。この構造内の第二検知器は、吸収体を
透過する放出に対してのみ応答する。
このような放出に対して、これは、放出路上の第二のポ
イントとなる、吸収体からの脱出地点にできるだけ近い
イオン化位置を測定する。第2図に示す検知器はまた、
シンチレータ−プレート62および64のいずれかまた
は両方そして関連した変換器62源および64aよりな
る、バソクグラウント9放射線を除くだめの追加の任意
部材を含む。プレートは、任意の厚い吸収体61および
63によって、第2図の他の部材から分けられる。これ
らのシンチレータ−の一つまたは両方からの信号が検出
されると、第2図の池の部材からの信号の記録は除かれ
る。
第3図に示す検知器は、任意の部材を含む、第1図に示
す検知器とは別の構造である。この検知器はまた、第1
図の同じ番号の部材と同じ構造および特性を有する、窓
電極2および他の電極21゜22、25.26および都
で定められる領域3.4.5.7および8よりなる第一
チャンバーを有する。この検知器構造は、第1図の同じ
番号の部材と同じ構造および特性を有する、電極3(3
2および33で定められる検知領域11および12より
なる、第二位置測定チャンバーを有する。シンチレータ
−プレート77ば、どのような線源の放射性核種放出も
完全に吸収するのに十分に厚く、そして光変換器78か
らの信号は放出のエネルギーを測定する。この信号は、
放出エネルギーが許容範囲外のものである放出を拒否す
るのに使用することができる。
第1および3図の検知器に対しては、放出路の二つのポ
イントを測定する検知器内の失血は、収集領域のほぼ中
心に、1そしてマルチワイヤ比例グリッド電極32の面
にある。第2図の検知器に対しては、二つのポイントを
測定する表面は、収集領域3および41のほぼ中心であ
る。しかしながら、収集領域の効果的な厚みは隣接増幅
領域に及び、増幅領域を完全に横切る第一電子に対する
増幅増加率の自然対数で割った増幅領域の厚みにほぼ等
しい距離である。
第4図は、本発明に従って作った平面検知器によって行
なわれる測定方法の略図である。これは線源材料が面1
0を占め、そして路にそったポイントが面13および1
・1で測定される、断面である。放出がポイントt、座
標U、で生じる。これは、検出器内で散乱する路20に
続く。その路は、測定面13および14上のポイント1
7および6、座標源およびb(uに対するのと同じ関係
で)、で測定される。これらの二つの座標から、座標V
で線源を横切る直線の路23が推定される。測定面13
および14ば、線源10からの垂線にそった距離Cおよ
びDにある。
ポイント17からの測定を調整しそしてこのようにして
座標Vを推定するのに使う式は、v=a−(b−a )
 c/ (D−c )である。
各々の放出が記録されるので、上記の推定は線源表面の
いずれかまたは両方の座標について値を求めうる。これ
は信号処理回路によっであるいはデジタルデータ処理装
置に含めた回路によって値を求めることができる。第4
図に示すように、検知器内での散乱のために、位置測定
に固有な誤差の他に、この推定に関連した誤差(−、−
u )がある。個々の検知器の特定の材料および配置に
対しておよびよく知られた物理原理から、散乱からの推
定誤差の分布を予想することが可能である。これらの誤
差は、垂線に対する大きな角度での放出でおよび低い放
出エネルギーでの放出で急速に増加する。
広い角度の放出、低エネルギー放出またはこれらの両方
を拒否することによって、感度を犠牲にして、空間分解
能を改良することが可能である。
第1および第2図に示す吸収体1および50は各々、限
界値エネルギーより上の放出のみをカウントするだめに
放出をフィルターする目的で導入する。
第3図の光変換器78からの信号振幅もまた、同様なエ
ネルギー限界値を持たらすために使用することができる
。測定された座標差の値、第4図に示す(b−a)、は
垂線に対する路の投影角度の接線に比例する。線源表面
が曲っている場合、曲った表面の特定の形状に従う適当
な補正率を数量に損るべきである。そのような数量は、
広い角度の放出を拒否する制限値と比べることができる
第5図は、本発明に従って行なう座標推定および路の角
度限界値を満たす電子回路の構成図である。この回路は
一つの座標についてそのような手続きを行なう。この回
路への入力に必要なデジタル位置測定@は、第5B図ま
たは第5C図に示す読取り回路のいずれかによって得ら
れる。
第5B図は、タノプドランプドコンスタントディレイラ
インに基づく、一つの位置測定チャンバーからの一つの
座標に対する読取り回路を示す。
平面電極の別の導電性部材を、入力301としてディレ
ィライン302へ直接接続する。このディレィラインの
端はタイミング回路3(15に接続する。
タイミング回路3(15出力3(16は位置測定信号で
ある。
第5C図は、中心の計算に基づく、一つの位置測定チャ
ンバーからの一つの座標に対する読取シ回路を示す。平
面電極の別の導電性部材は、入力310として増幅器3
11のバンクへ接続する。各信号が、これを生じる導電
性部材の位置に比例して加重される場合、増幅出力は、
直接、出力として非加重合計を出すサマー312へ、お
よび加重ネットワーク313を通して、出力として加重
合計を出す別のサマー314へ送る。ディバイダー31
5は、加重合計を非加重合計で割った商を得る。出力3
17は位置上の中心に比例する信号を生じる。これは、
第4図に示すような測定値源およびbに相当する、入力
94および95に関する位置測定値が必要である。入力
96は、値がC/(D−G)(これらの距離は第4図に
示されている)に比例する定数に対して用意される。こ
の定数の値はレジスター108に保持される。
第5図のサブトラクターは入力として源およびbを受入
れ、そしてそれらの差(b−a)を出力として出す。マ
ルチプラー111は入力として差(b−a)およびC/
(D−C)に比例する定数を受入れそして出力としてそ
れらの積を出す。サブトラクター1−12は入力として
この積および測定値aを受入れる;これはそれらの差を
出力115として出す。この出力は、第4図に示す推定
放出源座標Vに比例する。
第5図のサブトラクター110の出力からの差(b−a
)はまた、コンパレーター117の一つの入力として使
われる。他のコンパレーター人力はレジスター109か
らくる。この゛レジスター109は、(b−a)の、盈
に相当する入力97からの値を保持し、この1直でまた
はこれよυ上の値では、放出路は垂緋に対する角度が太
きすぎて許容されない。差(b−a)がこの制限値未満
の場合、コンパレーター117は信号を出力118に出
す。これは、関連した投影角度の信号の受入れを意味す
る。
第5図の回路は、スタティック、クロックド9またはプ
ログラム可能な操作を伴う、デジタル集積回路を使って
行なうことができる。これを行なうには、測定値源およ
びb1定数C/(D−C)および角度制限値をデジタル
化しそしてコード化表示で示さなければならない。相当
するアナログ回路で行なうことも可能である。アナログ
で行なうには、入力をアナログ電圧または電流として人
示しなければならない。
第6図は、囲い、読取り回路および任意の拒否カウンタ
ーを含む完全な検知器の一つの形である。
線源材料1は主要囲い130の窓2の上に置く。この中
は、第2図の構造のチャンバーであり、五つの領域のチ
ャンバー10、続いて吸収体プレート15および第二の
五つの領域のチャンバー19である。
信号ケーブル121および122は信号を、チャンバー
の位置測定電極から、検知器のうしろの壁を通って、う
しろの囲い128内にある電を読取り回路125および
126へ運ぶ。
第6図の主要囲い130内では1位置測定チャンバーの
後に任意の厚い吸収体61および、第1図で電極35.
36および37によって示されるタイプのものでちるマ
ルチワイヤ比例チャンバー62が続く。
任意の吸収体61は、線源材料からのどのような放出も
停止させるのに十分に厚く、従って、チャンバー62は
宇宙線または他のバックグラウンド放射線にのみ応答す
る。線源材料の検知器の反対側に、任意の別の囲い70
.厚い吸収体71および、マルチワイヤ比例チャンバー
62と同じ種類のマルチワイヤ比例チャンバー72があ
る。このチャンバーもバックグラウンド放射線にのみ感
応する。二つの任意のカウンターの機能は、宇宙線およ
び他のバンクグラウンド放射線に対する拒否信号を出す
ことである。そのような拒否信号の短時間内に生じる検
知器の位置測定チャンバーからの信号は無視される。拒
否カウンターによって、自然源のほとんどの放射性放出
からのバックグラウンドゝなしで、極めて弱い虜源分布
を記録することが可能となる。
第7図は、本発明の装置および方法を組込んだデータ取
得システムの主要部材を示すものである。
第(2.3および6図に示す構造の検知器81は、高圧
電源84および気体供給源85へ接続して、その操作条
件を定める。読取り回路87は位置測定チャンバ一部材
からの電荷信号を処理して、測定されたイオン化座標に
比例する信号を出す。位置測定値は、線源材料人血から
の推定放出源の各座標に対して、第5図に示すような信
号処理回路88へ入力する。信号処理回路88の座標出
力、別の検知部材からの信号および信号処理回路88の
角度比較出力は、同時計数および制御IDJ路891・
で対する入力であり、両者の関連;−た路の角度が許容
131川内であるとさ、回路89はデータプロセッサー
頒をトリガーして、信号処理回路88から推定放出源座
標を読む。
データ取得プロセッサー90は、位置測定チャンバーか
らの信号を読みそして電極電圧cqA整によってチャン
バーの操作を制御するようになっている。これはまだ予
じめ決められた信号レベノペ予じめ決められた時間間隔
、幅の広い角度に関する制限値および放出エネルギーの
予じめ決められた範囲を、信号処理回路88内にセット
する。
データプロセッサー90は、マルチヤンネルデジタルカ
ウンター91 A−tたは他の従来のメモリー装置の形
をとシうるデータ取得メモリー91内で、受入レカウン
トを蓄積する。データプロセッサー90はまた、線源材
料表面からの放出の推定源座標を記録および分析し、そ
の分析結果をディスプレイ92ニ表示する。そのような
衣示ば、データプロセッサー90によって作成された座
標の地図または画像の形である。
【図面の簡単な説明】
第(2および3図は、本発明に従う検知器内の線源部材
および電極の配列を示す断面図であり、第4図は、本発
明の原理に従う放出源座標の推定方法および散乱放出路
の結果として生じる誤差を断面で示す説明図であり、第
んは本発明に従う放出源座標の推定に必要な信号処理回
路の構成図であり、第5Bおよび5C図は、第5図の回
路と共に使用するのに適した読取り回路の構成図であり
、第6図は、本発明に従う、囲いの内外両方に任意の拒
否カウンターを有する、囲い内に第2図に示す検知器を
組込んだ装置の部材および線源材料の配列を示す断面図
であり、そして第7図は、本発明に従って構成した、デ
ータ取得システムを組込んだ検知器の主な部材および信
号処理回路を示す構成図である。 1・・・線源材料     2・・・窓3・・・収集領
域     4・・・増幅領域5・・・移動領域 7、8,11,12,15.16  ・・・検知領域2
1 、22 、25 、26 、27 、31 、32
 、33 、35 、36 、37・・・電極9・・・
吸収体 、′−〜−−′:

Claims (40)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)平らな線源材料の表面においてあるいはその付近
    において荷電粒子を放出する放射性核種の二次元分布を
    測定する装置において、 a)上記線源材料に隣接し、そして荷電粒子放出物が衝
    突して最小の吸収および散乱で透過することが可能な組
    成および厚みで作られた薄い壁または窓を有する気体密
    閉囲い; b)上記囲いの内側にあり、そして第一平面を通過する
    荷電粒子の放出によって生じるイオン化信号の源となる
    材料に平行な第一平面内の二つの座標における第一の位
    置測定を行なうために位置を定めた、第一の位置測定チ
    ャンバーであって、上記第一平面が上記線源材料の平面
    のすぐ近くになるように形成されている第一の位置測定
    チャンバー; c)第二平面を通過する荷電粒子の放出によって生じる
    イオン化信号の源となる上記材料に平行な第二平面内の
    二つの座標における第二の位置測定を行なうために位置
    を定めた、上記囲いの内側にありそして上記囲いの窓と
    置き換えた、第二の位置測定チャンバー;および d)上記測定位置を通過する直線が上記線源材料の平面
    と交わる座標を計算し、上記位置を放出の推定源と見な
    し、そして上記の測定位置における差が、上記第一およ
    び第二平面に対する最大投影角での推定路に関する制限
    値を越えるかどうかを測定する、上記第一および第二の
    位置測定チャンバーにおける予じめ決められた時間の間
    に生じるイオン化信号の測定位置を比較するための回路
    手段、 よりなる装置。
  2. (2)上記第一および第二の位置測定チャンバーの寸法
    が、上記線源材料の表面の寸法と実質的に同一の広がり
    を持つ、特許請求の範囲第(1)項記載の装置。
  3. (3)各位置測定チャンバーがマルチワイヤ気体比例検
    知器であり、このマルチワイヤ気体比例チャンバーは二
    つの検知領域よりなり、各気体容積は互いに平面電極を
    境にして分けられており、各々上記線源材料の表面に対
    して実質的に平行に位置を定めており、上記検知領域を
    分けている電極は細いワイヤまたは導電性繊維のグリッ
    ドで構成され、この検知領域内で、上記平面電極によっ
    て持たらされた強い静電界が、第一イオン化電子を細い
    ワイヤまたは繊維グリッドへ向って動かし、そしてその
    ワイヤまたは繊維付近で電子の第二の増殖を行ない、上
    記検知領域の境になっている一つまたは二つの上記平面
    電極は荷電信号によって位置を示し、読取り回路がこれ
    から上記の細いワイヤまたは繊維グリッドの平面の一つ
    または二つの座標におけるイオン化の中心(centr
    oid)を測定する、特許請求の範囲第(1)項記載の
    装置。
  4. (4)上記第一位置測定チャンバーが気体中でのイオン
    化の比例増幅を利用し、以下の順序で上記線源材料から
    離れていく気体容積の領域を含み、これらの気体容積の
    領域は互いに平面電極を境にして分けられており、各々
    上記線源材料の表面に対して実質的に平行に位置を定め
    ており、上記気体容積の領域を二つに分けている各電極
    は、電子が一方の領域から他方の領域へ移れるようにメ
    ッシュまたはグリッドで構成されており、 (a)上記線源材料表面のすぐ近くの荷電粒子放出進路
    の短い区分から第一イオン化電子を収集するための上記
    線源材料に最も近い収集領域であって、この領域内で収
    集領域を分ける平面電極によって持たらされた静電界が
    上記の第一電子を上記線源材料から移動させる、収集領
    域; (b)上記収集領域で収集された第一電子を増殖させる
    ための上記収集領域に続く増幅領域であって、この増幅
    領域内で、増幅領域を分ける平面電極によって持たらさ
    れた強い静電界が電子を上記線源材料から移動させ、そ
    して上記領域内の気体容積中に、上記領域内の電子が通
    過する単位厚み当り実質的に一定の増幅定数で、電子の
    第二増殖を誘導する、増幅領域; (c)上記増幅領域を次の領域から分離するための、上
    記増幅領域に続く移動領域であって、この移動領域内で
    、移動領域の境界をなす平面電極によって持たらされた
    強い静電界が、電子を上記線源材料から移動させる、移
    動領域;そして (d)細いワイヤまたは導電性繊維のグリッドよりなる
    検知領域を分ける平面電極を有する、イオン化の位置を
    検知および測定するための、上記移動領域に続く二つの
    検知領域であって、これらの検知領域内で、検知領域を
    分ける平面電極によって持たらされた強い静電界が細い
    ワイヤまたは繊維グリッドに向って電子を動かし、そし
    てそのワイヤまたは繊維付近でさらに電子の第二増殖を
    行ない、上記検知領域の境をなす二つの上記平面電極は
    荷電信号によって位置を示し、読取り回路がこれから上
    記の細いワイヤまたは繊維グリッドの平面の二つの座標
    におけるイオン化の中心を測定する、二つの検知領域;
    を含む特許請求の範囲第1項に記載の装置。
  5. (5)上記第二位置測定チャンバーが互いに平面電極を
    境にして分けられている二つの検知領域よりなり、各々
    上記線源材料の表面に対して実質的に平行に位置を定め
    ており、上記検知領域を分けている電極は細いワイヤま
    たは導電性繊維のグリッドで構成され、この検知領域内
    で、上記平面電極によって持たらされた強い静電界が、
    第一イオン化電子を細いワイヤまたは繊維グリッドへ向
    って動かし、そしてそのワイヤまたは繊維付近で電子の
    第二の増殖を行ない、上記検知領域の一つまたは二つの
    上記平面電極は荷電信号によって位置を示し、読取り回
    路がこれから上記の細いワイヤまたは繊維グリッドの平
    面の一つまたは二つの座標におけるイオン化の中心を測
    定する、特許請求の範囲第(1)項記載の装置。
  6. (6)上記第二位置測定チャンバーの後に吸収プレート
    および第三イオン化感応チャンバーが続き、上記吸収プ
    レートの組成および厚みは、予じめ決められた限界値未
    満の放出エネルギーを有する荷電粒子放出物を吸収し、
    一方、この限界値より上の放出エネルギーの荷電粒子放
    出物のほとんどの部分を透過するように選択し、上記第
    三イオン化感応チャンバーは平面電極によって分けられ
    た二つの検知領域よりなり、各々上記線源材料の表面に
    対して実質的に平行に位置を定めており、上記検知領域
    を分けている電極は細いワイヤまたは導電性繊維のグリ
    ッドで構造され、この検知領域内で、上記平面電極によ
    って持たらされた強い静電界が、第一イオン化電子を細
    いワイヤまたは繊維グリッドへ向かって動かし、そして
    そのワイヤまたは繊維付近で電子の第二の増殖を行ない
    、上記検知領域の一つの上記平面電極は荷電信号を出し
    、これから読取り回路が上記吸収プレートに吸収された
    荷電粒子放出物の存在を測定する、特許請求の範囲第(
    5)項記載の装置。
  7. (7)上記第二位置測定チャンバーの後に固体シンチレ
    ーター材料のプレートが続き、このプレートは、線源の
    放射性核種によって生じたどのようなエネルギーの荷電
    粒子放出物も吸収するような組成および厚みを有するよ
    うに構成され、そしてイオン化放射線によって活性化さ
    れたとき光信号を出し、この光信号は光変換器によって
    電気信号に変換され、その振幅から読取り回路は、予じ
    め決められた範囲内のエネルギーでの放出のみを受入れ
    るために、上記シンチレータープレートによって吸収さ
    れた荷電粒子放出のエネルギーを測定する、特許請求の
    範囲第(1)または(5)項記載の装置。
  8. (8)上記第二位置測定チャンバーが吸収プレートのす
    ぐ後にあり、この吸収プレートの組成および厚みは、予
    じめ決められた限界値未満の放出エネルギーを有する荷
    電粒子放出物を吸収し、同時にこの限界値より上の放出
    エネルギーでの荷電粒子放出物のほとんどの部分を透過
    するように選択したものであり、そして上記第二位置測
    定チャンバーは気体中でのイオン化の比例増幅を利用し
    、そして以下の順序で上記線源材料から離れていく気体
    容積の領域を含み、これらの気体容積の領域は互いに平
    面電極を境にして分けられており、各々上記線源材料の
    表面に対して実質的に平行に位置を定めており、上記気
    体容積の領域を二つに分けている各電極は、電子が一方
    の領域から他方の領域へ移れるようにメッシュまたはグ
    リッドで構成されており、 (a)上記線源材料表面のすぐ近くの荷電粒子放出進路
    の短い区分から第一イオン化電子を収集するための、上
    記線源材料に最も近い収集領域であって、この収集領域
    内で、収集領域を分ける平面電極によって持たらされた
    静電界が上記の第一電子を上記線源材料から移動させ、
    上記収集領域は上記吸収プレートを、上記線源材料表面
    の方を向いている側の平面電極として用いている; (b)上記収集領域で収集された第一電子を増殖させる
    ための、上記収集領域に続く増幅領域であって、この増
    幅領域内で、増幅領域を分ける平面電極によって持たら
    された強い静電界が電子を上記線源材料から移動させ、
    そして上記領域内の気体容積中に、上記領域内の電子が
    通過する単位厚み当り実質的に一定の増幅定数で、電子
    の第二増殖を誘導する; (c)上記増幅領域を次の領域から隔離するための、上
    記増幅領域に続く移動領域であって、この移動領域内で
    、移動領域の境界をなす平面電極によって持たらされた
    強い静電界が、電子を上記線源材料から移動させる;そ
    して (d)細いワイヤまたは導電性繊維のグリッドよりなる
    検知領域を分ける平面電極を有する。イオン化の位置を
    検知および測定するための、上記移動領域に続く二つの
    検知領域であって、これらの検知領域内で、検知領域を
    分ける平面電極によって持たらされた強い静電界が細い
    ワイヤまたは繊維グリッドに向って電子を動かし、そし
    てそのワイヤまたは繊維付近でさらに電子の第二増殖を
    行ない、上記検出領域の境をなす二つの上記平面電極は
    荷電信号によって位置を示し、これから読取り回路が上
    記の細いワイヤまたは繊維グリッドの平面の一つまたは
    二つの座標におけるイオン化の中心を測定する; を含む特許請求の範囲第1、2、4項の何れかに記載の
    装置。
  9. (9)上記位置測定チャンバーのいずれか一方のまたは
    両方の次元のために、タップが検知領域の境をなす電極
    の導電性部材へ直接接続されているタップドランプドコ
    ンスタント(tapped、lumped const
    ant)電磁ディレイライン(delay line)
    よりなる、一次元における荷電中心を得る読取り回路を
    、上記ディレイラインの極限でのピーク信号間の時間差
    を測定する電子タイミング回路手段と共に用い、上記時
    間差は、上記検知領域を分けている電極に平行なそして
    上記導電性部材の配向に垂直な座標方向における、上記
    検知領域に位置する平面内の検知されたイオン化のクラ
    スターの中心の座標の尺度である、特許請求の範囲第(
    1)、(3)、(4)または(5)項記載のいずれかの
    装置。
  10. (10)上記位置測定チャンバーのいずれか一方のまた
    は両方の次元のために、検知領域を分けている電極の多
    数の導電性部材からの信号に、上記電極の平面内の座標
    にそったそしてその部材の配向に垂直な上記部材の位置
    に比例した加重(weight)を掛け、加重信号を合
    計し、非加重信号を合計し、そして加重合計を非加重合
    計で割ることによって、一つの次元内の荷電中心を得る
    読取り回路手段、除法からの出力は、上記検知領域を分
    けている電極に平行なそして上記導電性部材の配向に垂
    直な座標方向における、上記検知領域に位置する平面内
    の検知されたイオン化のクラスターの中心の座標の尺度
    である、特許請求の範囲第(1)、(3)、(4)また
    は(5)項記載の装置。
  11. (11)上記第二位置測定チャンバーのいずれか一方の
    または両方の次元のために、タップが検知領域の境をな
    す電極の導電性部材へ直接接続されているタップドラン
    プドコンスタント電磁ディレイラインよりなる、一次元
    における荷電中心を得る読取り回路を、上記ディレイラ
    インの極限でのピーク信号間の時間差を測定する電子タ
    イミング回路と共に用い、上記時間差は、上記検知領域
    を分けている電極に平行なそして上記導電性部材の配向
    に垂直な座標方向において、上記検知領域に位置する平
    面内の検知されたイオン化のクラスターの中心の座標の
    尺度である、特許請求の範囲第(8)項記載の装置。
  12. (12)上記第二位置測定チャンバーのいずれか一方の
    または両方の次元のために、検知領域を分けている電極
    の多数の導電性部材からの信号に、上記電極の平面内の
    座標にそったそしてその部材の配向に垂直な上記部材の
    位置に比例した加重を掛け、加重信号を合計し、非加重
    信号を合計し、そして加重合計を非加重合計で割ること
    によって、一つの次元内の荷電中心を得る読取り回路手
    段、除法からの出力は、上記検知領域を分けている電極
    に平行なそして上記導電性部材の配向に垂直な座標方向
    における、上記検知領域に位置する平面内の検知された
    イオン化のクラスターの中心の座標の尺度である、特許
    請求の範囲第(8)項記載の装置。
  13. (13)地図を作る線源材料の平らなまたは曲った表面
    におけるあるいはその付近において荷電粒子を放出する
    放射性核種の位置を得る測定方法において、以下の工程
    : (a)地図を作る表面領域に実質的に平行なそしてこれ
    と同一の広がりをもつ感応領域を有する第一イオン化検
    知部材を使用して、放出源のすぐ近くの放出路の短い区
    分に対してイオン化の中心を測定し; (b)地図を作る表面領域に実質的に平行なそしてこれ
    と同一の広がりをもつ感応領域を有する一つ以上の追加
    のイオン化検出部材を使用して、放出源から離れた放出
    路の短い区分に対するイオン化の中心を測定し;そして (c)上記イオン化検知部材から得た座標を関連づける
    手段を使用して、荷電粒子放出の源および方向を推定す
    る、 よりなる、上記の測定方法。
  14. (14)上記イオン化検知部材から得た座標を関連づけ
    る上記手段が、線源材料表面の一つのまたは両次元に対
    して、上記第一およびその後のイオン化検知部材からそ
    のような次元で得た位置測定値間の差を測定し、そして
    上記の位置の差および作図する上記表面と上記検知部材
    の測定表面との間の距離に基づいて、上記次元に対して
    以下の少なくとも一つを測定する; (a)距離比を掛けた上記第一およびその後のイオン化
    検知部材から得た座標における差がより少ない上記第一
    イオン化検知部材から得た座標であり、上記距離比は、
    作図する上記表面と上記第一検知部材の測定表面との間
    の距離を、上記第一およびその後の検知部材の測定表面
    間の距離で割り、平らな表面以外に対して補正率を掛け
    たものである、上記位置測定から得た位置を通過する見
    通し線(aline of sight)による、推定
    放出源座標;および (b)適正な放出角度範囲に従う放出のカウントを調整
    するために、平らな表面以外に対して補正率を掛けた、
    上記第一およびその後のイオン化検知部材の測定表面間
    の距離に対する上記座標差の比、またはこれに比例する
    量である、上記位置測定から得た位置を通過する見通し
    線による、推定投影放出角度の接線; 特許請求の範囲第13項に記載の方法。
  15. (15)さらに、放出エネルギーが予じめ決められた制
    限値未満のとき、地図を作る上記表面からの荷電粒子放
    出物の通過を妨げるような組成および厚みの吸収体を用
    い、この吸収体は地図を作る表面の上記領域に実質的に
    平行なそしてこれと同一の広がりを持つ領域を有し、地
    図を作る上記表面から離し、そして二つの上記イオン化
    検出部材の間に置いて、放出物のカウントを、イオン化
    が地図を作る上記表面から離れた上記吸収体側のイオン
    化検知部材によって検知されるこれらの放出物に限定す
    るために使用する、特許請求の範囲第(13)項記載の
    測定方法。
  16. (16)さらに、上記表面上の線源の放射性核種によっ
    て生じたどのようなエネルギーにおける荷電粒子放出の
    エネルギーも十分に吸収しそして量化するような組成お
    よび厚みのエネルギー測定イオン化検知部材を用い、上
    記検知部材は作図する表面領域に実質的に平行なそして
    これと同一の広がりを持つ感応領域を有し、そして適正
    な放出エネルギー範囲に従って放出物のカウントを調整
    するために、特許請求の範囲第(13)項に記載のどの
    イオン化検出部材よりも作図する上記表面からさらに離
    す、特許請求の範囲第(13)項記載の測定方法。
  17. (17)地図を作る上記表面上の放射性核種の分布のデ
    ジタルイメージが、マルチチャンネルデジタルカウンタ
    ーまたはメモリーアレーを用い、デジタル処理システム
    によるコントロールを伴ってまたは伴わずに行なわれ、
    これは地図を作る上記表面の各領域部材と関連しており
    、そのカウントは上記イオン化検知部材によって記録さ
    れる各放出に対して増加し、上記イオン化検知部材に対
    する放出角度は、もし特許請求の範囲第(14)項に従
    って測定するならば、適正な放出角度の上記範囲内であ
    り、これに対する放出エネルギーは、もし特許請求の範
    囲第(15)項に従って限定されるあるいは特許請求の
    範囲第(16)項に従って測定されるならば、適正な放
    出エネルギーの上記範囲内であり、そしてこれに対する
    推定放出座標は上記領域部材の空間境界内にある、特許
    請求の範囲第(13)、(14)、(15)または(1
    6)項記載の測定方法。
  18. (18)マルチワイヤ気体比例チャンバーが二つの検知
    領域よりなり、各気体容積は曲ったまたは平らな表面に
    広がる電極によって互いに分けられ、各々上記線源材料
    の表面に実質的に平行に位置を定めており、分離電極は
    細いワイヤまたは導電性繊細のグリッドとして構成され
    、この検完領域内で、上記電極によって持たらされた強
    い静電界が、第一イオン化電子を細いワイヤまたは繊維
    グリッドへ向って動かし、そしてそのワイヤまたは繊維
    付近で電子の第二の増殖を行ない、上記検知領域の上記
    電極の一つは荷電信号によって位置を示し、これから読
    取り回路が上記細いワイヤまたは繊維グリッドの表面の
    一つの座標におけるイオン化の中心を測定する、上記イ
    オン化検知部材のいずれかに対してマルチワイヤ気体比
    例チャンバーを用いる特許請求の範囲第(13)項記載
    の測定方法。
  19. (19)上記線源材料の方にある上記増幅領域側から入
    る第一イオンの増殖を持たらすために、上記マルチワイ
    ヤ気体比例チャンバーを増幅領域と共に使用し、上記増
    幅領域は曲ったまたは平らな表面に広がる電極によって
    分けられる気体容積からなり、各々線源材料の表面に実
    質的に平行に位置を定めており、増幅領域内で、上記電
    極によって持たらされた強い静電界が電子を上記線源材
    料から離し、そして上記領域内の気体容積中に、上記領
    域内の電子が通過する単位厚み当り実質的に一定の増幅
    定数で、電子の第二増殖を誘導し、上記マルチワイヤ気
    体比例チャンバーの方の、上記線源から離れた側で上記
    増幅領域の境界をなす電極および上記増幅領域の方の側
    で上記マルチワイヤ気体比例チャンバーの境界をなす電
    極は、電子の上記増幅領域から上記マルチワイヤ比例チ
    ャンバーへの移動を可能にするために、メッシュまたは
    グリッドとして構成される、特許請求の範囲第(18)
    項記載の測定方法。
  20. (20)上記マルチワイヤ比例チャンバーを上記増幅領
    域から分離するために、上記マルチワイヤ比例チャンバ
    ーおよび上記増幅領域を移動領域と共に用い、この移動
    領域は上記増幅領域の境界をなしそして上記マルチワイ
    ヤ比例チャンバーの境界をなす最も近い電極によって定
    められかつ境界を付けられる気体容積よりなり、この移
    動領域内で、上記移動領域の境界をなす電極によって持
    たらされるそして上記増幅領域の静電界よりかなり弱い
    静電界が、電子を上記増幅領域から上記マルチワイヤ比
    例チャンバーへ移動させる、特許請求の範囲第(19)
    項記載の測定方法。
  21. (21)第一イオン化電子を上記線源材料表面のすぐ近
    くの荷電粒子放出進路の短い区分から第一イオン化電子
    を収集するために、上記増幅領域を、上記線源材料の方
    の上記増幅領域側の収集領域と共に用い、上記収集領域
    は、上記線源材料の方の側の電極によって、そして上記
    増幅領域の境界をなす最も近い電極によって定められそ
    して境界を付けられる気体容積よりなり、この収集領域
    内で、上記収集領域の境界をなす上記電極によって持た
    らされるそして上記増幅領域の静電界よりかなり弱い静
    電界が、電子を上記線源材料から上記増幅領域へ移動さ
    せ、上記増幅領域の境界をなす上記の最も近い電極は、
    電子の上記収集領域から上記増幅領域への移動を可能に
    するために、メッシュまたはグリッドとして構成されて
    いる、特許請求の範囲第(19)項記載の測定方法。
  22. (22)気体中でのイオン化の比例増幅を用いる一つ以
    上のマルチワイヤカウンターを、上記位置測定チャンバ
    ーから離れた側の上記線源材料に隣接させてあるいは上
    記線源材料から離れた側の上記第二位置測定チャンバー
    に隣接させて置き、上記マルチワイヤカウンターは上記
    線源材料表面と実質的に同一の広がりを有するあるいは
    上記表面より広い領域をカバーしそしてこれに対して実
    質的に平行な配向を有し、上記マルチワイヤカウンター
    からの信号はバックグランド放射過程の発生を示しそし
    て上記過程中の上記第一および第二位置測定チャンバー
    からの信号の記録を妨げる、特許請求の範囲第(1)項
    記載の装置。
  23. (23)さらに、上記マルチワイヤカウンターが、上記
    線源材料からの全ての荷電粒子放出を停止するような組
    成および厚みの吸収体プレートを含み、この吸収体プレ
    ートを上記線源材料の方の上記マルチワイヤカウンター
    側に置く、特許請求の範囲第(22)項記載の装置。
  24. (24)気体中でのイオン化の比例増幅を用いる一つ以
    上のマルチワイヤカウンターを、上記イオン化検知部材
    から離れた側で上記線源材料に隣接させてあるいは上記
    線源材料から離れた側で上記イオン化検知部材の最後の
    ものに隣接させて置き、上記マルチワイヤカウンターは
    上記線源材料表面と実質的に同一の広がりを持つ領域あ
    るいは上記表面より広い領域をカバーしそしてこれに対
    して実質的に平行な配向を有し、上記マルチワイヤカウ
    ンターからの信号はバックグラウンド放射過程の発生を
    示しそして上記過程中の上記イオン化検知部材からの信
    号の記録を妨げる、特許請求の範囲第(13)項記載の
    測定方法。
  25. (25)さらに、上記マルチワイヤカウンターが、上記
    線源材料からの全ての荷電粒子放出を停止するような組
    成および厚みの吸収体プレートを含み、この吸収体プレ
    ートを上記線源材料の方の上記マルチワイヤカウンター
    側に置く、特許請求の範囲第(24)項記載の測定方法
  26. (26)一つ以上のシンチレーションカウンターを、上
    記位置測定チャンバーから離れた側で上記線源材料に隣
    接させてあるいは上記線源材料から離れた側で上記第二
    位置測定チャンバーに隣接させて置き、上記シンチレー
    ションカウンターは、放射線で活性化すると光信号を出
    す固体シンチレーター材料のプレートよりなり、この光
    信号は光変換器によって電気信号に変わり、上記シンチ
    レーションカウンターは上記線源材料表面と実質的に同
    一の広がりを持つ領域または上記表面より広い領域をカ
    バーしそしてこれに対して実質的に平行な配向を有し、
    上記シンチレーションカウンターからの信号はバックグ
    ラウンド放射過程の発生を示しそして上記過程中の上記
    第一および第二位置測定チャンバーからの信号の記録を
    妨げる、特許請求の範囲第(1)項記載の装置。
  27. (27)さらに、上記シンチレーションカウンターが、
    上記線源材料からの全ての荷電粒子放出を停止するよう
    な組成および厚みの吸収体プレートを含み、この吸収体
    プレートを上記線源材料の方の上記シンチレーションカ
    ウンター側に置く、特許請求の範囲第(26)項記載の
    装置。
  28. (28)一つ以上のシンチレーションカウンターを、上
    記イオン化検知部材から離れた側で上記線源材料に隣接
    させてあるいは上記線源材料から離れた側で上記イオン
    化検知部材の最後のものに隣接させて置き、上記シンチ
    レーションカウンターは、放射線で活性化すると光信号
    を出す固体シンチレーター材料のプレートよりなり、こ
    の光信号は光変換器によって電気信号に変わり、上記シ
    ンチレーションカウンターは上記線源材料表面と実質的
    に同一の広がりを持つ領域または上記表面より広い領域
    をカバーしそしてこれに対して実質的に平行な配向を有
    し、上記シンチレーションカウンターからの信号はバッ
    クグラウンド放射過程の発生を示しそして上記過程中の
    上記イオン化検知部材からの信号の記録を妨げる、特許
    請求の範囲第(13)項記載の測定方法。
  29. (29)さらに、上記シンチレーションカウンターが、
    上記線源材料からの全ての荷電粒子放出を止めるような
    組成および厚みの吸収体プレートを含み、この吸収体プ
    レートを上記線源材料の方の上記シンチレーションカウ
    ンター側に置く、特許請求の範囲第(28)項記載の測
    定方法。
  30. (30)上記位置測定チャンバーからの信号が、予じめ
    決められた時間間隔内で、上記の予じめ決められたレベ
    ルを越えるとき、および上記測定位置が最大角度での推
    定放出路に関する制限値を越えないとき、コントローラ
    ーが、上記第一および第二位置測定チャンバーからの情
    報を記録させる、特許請求の範囲第(1)項記載の装置
  31. (31)上記位置測定チャンバーからの信号が、予じめ
    決められた時間間隔内で、上記の予じめ決められたレベ
    ルを越えるとき、上記測定位置が最大角度での推定放出
    路に関する制限値を越えないとき、および上記第三イオ
    ン化感応チャンバーからの信号が予じめ決められた範囲
    内のエネルギーを有する放出を示すとき、コントローラ
    ーが、上記第一および第二位置測定チャンバーからの情
    報を記録させる、特許請求の範囲第(6)項記載の装置
  32. (32)上記位置測定チャンバーからの信号が、予じめ
    決められた時間間隔内で、上記の予じめ決められたレベ
    ルを越えるとき、上記測定位置が最大角度での推定放出
    路に関する制限値を越えないとき、および上記光変換器
    からの信号が予じめ決められた範囲内のエネルギーを有
    する放出を示すとき、コントローラーが、上記第一およ
    び第二位置測定チャンバーからの情報を記録させる、特
    許請求の範囲第(7)項記載の装置。
  33. (33)上記イオン化検知部材からの信号が、予じめ決
    められた時間間隔内で、上記の予じめ決められたレベル
    を越えるとき、および上記荷電粒子放出の方向が、最大
    角度での推定放出路に関する制限角度値を越えないとき
    、上記イオン化検知部材からの情報を記録させるコント
    ローラーを用いる、特許請求の範囲第(13)項記載の
    測定方法。
  34. (34)上記イオン化検知部材からの信号が、予じめ決
    められた時間間隔内で、上記の予じめ決められたレベル
    を越えるとき、上記荷電粒子放出の方向が、最大角度で
    の推定放出路に関する制限角度値を越えないとき、およ
    び上記線源材料から最も遠い上記イオン化検知部材から
    の信号が、予じめ決められた範囲内のエネルギーを有す
    る放出を示すとき、上記イオン化検知部材からの情報を
    記録させるコントローラーを用いる、特許請求の範囲第
    (15)項記載の測定方法。
  35. (35)上記イオン検知部材からの信号が、予じめ決め
    られた時間間隔内で、上記の予じめ決められたレベルを
    越えるとき、上記荷電粒子放出の方向が最大角度での推
    定放出路に関する制限角度値を越えないとき、および上
    記エネルギー測定イオン化検知部材からの信号が、予じ
    め決められた範囲内のエネルギーを有する放出を示すと
    き、上記イオン化検知部材からの情報を記録させるコン
    トローラーを用いる、特許請求の範囲第(16)項記載
    の測定方法。
  36. (36)上記位置測定チャンバーからの信号を読むため
    のそして上記位置測定チャンバーの電極電圧を調整する
    ことによっておよび上記の予じめ決められた信号レベル
    、上記の予じめ決められた時間間隔、および最大投影角
    度での推定放出路に関する上記制限値をセットすること
    によって上記位置測定チャンバーの操作を制御するため
    の、そして上記線源材料表面からの放射性放出物の上記
    座標の地図またはイメージを作図し、記録し、分析しあ
    るいは表示するための、上記位置測定チャンバーに接続
    したおよび上記コントローラーに接続したデータ取得プ
    ロセッサー手段を有する、特許請求の範囲第(30)項
    記載の装置。
  37. (37)上記位置測定チャンバーからの信号を読むため
    のそして上記位置測定チャンバーの電極電圧を調整する
    ことによっておよび上記の予じめ決められた信号レベル
    、上記の予じめ決められた時間間隔、最大投影角度での
    推定放出路に関する上記制限値および上記放出エネルギ
    ーの予じめ決められた範囲をセットすることによって上
    記位置測定チャンバーの操作を制御するための、そして
    上記線源材料表面からの放射性放出物の上記座標の地図
    またはイメージを作図し、記録し、分析しあるいは表示
    するための、上記位置測定チャンバーに接続したおよび
    上記コントローラーに接続したデータ取得プロセッサー
    手段を有する、特許請求の範囲第(31)項記載の装置
  38. (38)上記位置チャンバーからの信号を読むためのそ
    して上記位置チャンバーの電極電圧を調整することによ
    っておよび上記の予じめ決められた信号レベル上記の予
    じめ決められた時間間隔、最大投影角度での推定放出路
    に関する上記制限値および上記放出エネルギーの予じめ
    決められた範囲をセットすることによって上記位置測定
    チャンバーの操作を制御するための、そして上記線源材
    料表面からの放射性放出の上記座標の地図またはイメー
    ジを作図し、記録し、分析しあるいは表示するための、
    上記位置測定チャンバーに接続したおよび上記コントロ
    ーラーに接続したデータ取得プロセッサー手段を有する
    、特許請求の範囲第(32)項記載の装置。
  39. (39)上記イオン化検知部材に接続したおよび上記コ
    ントローラーに接続したデータ取得プロセッサーを用い
    、このデータ取得プロセッサーは、上記イオン化検知部
    材からの信号を読みそして上記イオン化検知部材の電極
    電圧を調整することによって、および上記の予じめ決め
    られた信号レベル、上記予じめ決められた時間間隔、お
    よび最大投影角度での推定放出路に関する上記制限角度
    値をセットすることによって、上記イオン化検知部材の
    操作を制御し、そしてこのデータ取得プロセッサーは、
    上記線源材料表面からの荷電粒子放出の上記推定源の地
    図およびイメージを作図し、記録し、分析しあるいは表
    示する、特許請求の範囲第(33)項記載の測定方法。
  40. (40)上記イオン検知部材に接続したおよび上記コン
    トローラーに接続したデータ取得プロセッサーを用い、
    このデータ取得プロセッサーは、上記イオン検知部材か
    らの信号を読みそして上記イオン化検知部材の電極電圧
    を調整することによって、および上記の予じめ決められ
    た信号レベル、上記の予じめ決められた時間間隔、最大
    投影角度での推定放出路に関する上記制限角度値および
    上記放出エネルギーの予じめ決められた範囲をセットす
    ることによって、上記イオン化検知部材の操作を制御し
    、そしてこのデータ取得プロセッサーは、上記線源材料
    表面からの荷電粒子放出の上記推定源の地図およびイメ
    ージを作図し、記録し、分析しあるいは表示する、特許
    請求の範囲第(34)または(35)項記載の測定方法
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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JP2007071602A (ja) * 2005-09-05 2007-03-22 Kyoto Univ 放射線検出器
WO2019208477A1 (ja) * 2018-04-26 2019-10-31 三菱マテリアル株式会社 α線測定装置

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