JPS6322721Y2 - - Google Patents

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JPS6322721Y2
JPS6322721Y2 JP1932682U JP1932682U JPS6322721Y2 JP S6322721 Y2 JPS6322721 Y2 JP S6322721Y2 JP 1932682 U JP1932682 U JP 1932682U JP 1932682 U JP1932682 U JP 1932682U JP S6322721 Y2 JPS6322721 Y2 JP S6322721Y2
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circuit
bias supply
stub
supply circuit
phase shifter
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  • Waveguide Switches, Polarizers, And Phase Shifters (AREA)

Description

【考案の詳細な説明】 本考案は、マイクロストリツプライン型ダイオ
ード移相器に関するものである。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION The present invention relates to a microstripline diode phase shifter.

第1図は従来のマイクロストリツプライン型ダ
イオード移相器の例を示したものである。この位
相器は、マイクロ波入出力用の端子1と端子2と
をつなぐ入出力ライン3にθ0(約90゜)なる電気角
をへだてて第1と第2のスタブ回路4,5を分岐
接続し、各スタブ回路4,5にはそれぞれダイオ
ード6,7をそのアノードを入出力ライン3側に
向けて直列接続し、各スタブ回路4,5の先端を
それぞれ接続し、且つ入出力ライン3にはバイア
ス端子8を低域通過炉波器9を介して接続した構
造となつている。
FIG. 1 shows an example of a conventional microstripline diode phase shifter. This phase shifter branches the first and second stub circuits 4 and 5 by setting an electrical angle of θ 0 (approximately 90°) to the input/output line 3 that connects the microwave input/output terminals 1 and 2. Diodes 6 and 7 are connected in series to each stub circuit 4 and 5 with their anodes facing the input/output line 3 side, and the tips of each stub circuit 4 and 5 are connected to the input/output line 3 side. The structure is such that a bias terminal 8 is connected via a low-pass wave generator 9.

なお、この出願で入出力ラインとは、移相処理
を受けるマイクロ波が通り抜けるラインを言う。
Note that in this application, the input/output line refers to a line through which microwaves subjected to phase shift processing pass.

このようなマイクロストリツプ型ダイオード移
相器の位相角は、各ダイオード6,7に対する順
方向バイアス時における端子1から端子2への透
過係数の位相角と、逆方向バイアス時における端
子1から端子2への透過係数の位相角の差で規定
される。
The phase angle of such a microstrip diode phase shifter is determined by the difference between the phase angle of the transmission coefficient from terminal 1 to terminal 2 when each diode 6, 7 is forward biased and the phase angle of the transmission coefficient from terminal 1 to terminal 2 when each diode is reverse biased.

このようなダイオード移相器においては、端子
1又は端子2から入力されたマイクロ波がバイア
ス端子8に漏れ込むと、移相器としての特性が劣
化する。そこで従来は、この漏れ込みを防ぐため
に図示のように低域通過炉波器9を介してバイア
ス端子8を入出力ライン3に接続するか或いはイ
ンピーダンスが非常に大きい集中定数素子(コイ
ル)を介してバイアス端子8を入出力ライン3に
接続していた。
In such a diode phase shifter, when the microwave input from terminal 1 or terminal 2 leaks into bias terminal 8, the characteristics as a phase shifter deteriorate. Conventionally, in order to prevent this leakage, the bias terminal 8 was connected to the input/output line 3 via a low-pass wave generator 9 as shown in the figure, or via a lumped constant element (coil) with a very large impedance. The bias terminal 8 was connected to the input/output line 3.

しかしながら、前者の構造では回路が大型にな
る欠点がある。また、後者の構造では、集中定数
素子の接続位置や接続の仕方により安定した特性
が得られない欠点があつた。
However, the former structure has the disadvantage that the circuit becomes large. Furthermore, the latter structure has the disadvantage that stable characteristics cannot be obtained depending on the connection position and connection method of the lumped constant elements.

本考案の目的は、大型化をまねかず、且つ特性
を悪化させずにバイアス端子へのマイクロ波の漏
れ込みを防止できるマイクロストリツプライン型
ダイオード移相器を提供することにある。
An object of the present invention is to provide a microstripline type diode phase shifter that can prevent microwaves from leaking into the bias terminal without increasing the size or deteriorating the characteristics.

本考案は、入出力ラインに高周波開放・直流短
絡部を分岐接続し、ダイオードを有するスタブ回
路を前記入出力ラインの途中に対にしてそれぞれ
接続し、前記各スタブ回路の末端に高周波短絡・
直流遮断部をそれぞれ設け、前記各スタブ回路に
バイアス供給回路を接続したマイクロストリツプ
ライン型ダイオード移相器において、前記バイア
ス供給回路は対になつた前記各スタブ回路の前記
ダイオードと前記高周波短絡・直流遮断部との各
接続点間を相互に接続する相互接続ライン部分
と、該相互接続ライン部分の中間点とバイアス端
子間を結ぶ共通ライン部分とを備え、且つ該バイ
アス供給回路の前記各接続点から前記中間点をそ
れぞれみたインピーダンスは該バイアス供給回路
が帯域阻止炉波器として機能する大きさにそれぞ
れ定められていることを特徴とする。
In the present invention, a high frequency open/DC short circuit is branch-connected to the input/output line, a stub circuit having a diode is connected in pairs in the middle of the input/output line, and a high frequency short/DC short circuit is connected to the terminal of each stub circuit.
In a microstripline diode phase shifter, each of which is provided with a DC cutoff portion and has a bias supply circuit connected to each of the stub circuits, the bias supply circuit connects the diode of each of the paired stub circuits to the high frequency short circuit. The bias supply circuit includes an interconnection line portion that interconnects each connection point with the DC cutoff portion, and a common line portion that connects the intermediate point of the interconnection line portion and the bias terminal, and each of the connections of the bias supply circuit. The bias supply circuit is characterized in that the impedances seen from each of the points to the intermediate points are determined to have a magnitude such that the bias supply circuit functions as a band-stop reactor.

以下本考案の一実施例を図面を参照して詳細に
説明する。第2図は本考案の第1実施例を示した
ものである。本実施例のマイクロストリツプライ
ン型ダイオード移相器は、マイクロ波入出力用の
端子1と端子2とをつなぐ入出力ライン3にθ0
(約90゜)なる電気角をへだてて第1、第2のスタ
ブ回路4,5を対にして分岐接続し、角スタブ回
路4,5にはそれぞれダイオード6,7をそのカ
ソードを入出力ライン3に向けて直列接続し、各
ダイオード6,7のアノード側は高周波短絡・直
流遮断部を形成するコンデンサ10,11を介し
てそれぞれ接地している。対になつた第1、第2
のスタブ回路4,5のダイオード6,7のアノー
ド側に共通のバイアス供給回路12を接続し、バ
イアス端子8から各ダイオード6,7にバイアス
をかけるようにしている。該バイアス供給回路1
2は、対になつた第1、第2のスタブ回路4,5
のダイオード6,7と高周波短絡・直流遮断部1
0,11との各接続点a,c間を相互に接続する
相互接続ライン部分12Aと、該相互接続ライン
部分の中間点bとバイアス端子8間を結ぶ共通ラ
イン部分12Bとにより構成している。また、該
バイアス供給回路12の各接続点a,cから中間
点bをそれぞれみたインピーダンスは、該バイア
ス供給回路12が帯域阻止炉波器として機能する
大きさにそれぞれ定めている。このようにバイア
ス供給回路12を設けるに伴つて、入出力ライン
3は高周波開放・直流短絡部を形成するλ/4の
接地線13で接地している。
An embodiment of the present invention will be described in detail below with reference to the drawings. FIG. 2 shows a first embodiment of the present invention. The microstripline diode phase shifter of this embodiment has a θ 0
The first and second stub circuits 4 and 5 are connected as a pair with an electrical angle of about 90 degrees separated, and diodes 6 and 7 are connected to the square stub circuits 4 and 5, respectively, and their cathodes are connected to input/output lines. 3, and the anode sides of the diodes 6 and 7 are respectively grounded via capacitors 10 and 11 forming a high frequency short circuit/DC cutoff section. Paired first and second
A common bias supply circuit 12 is connected to the anode sides of the diodes 6 and 7 of the stub circuits 4 and 5, and a bias is applied to each of the diodes 6 and 7 from the bias terminal 8. The bias supply circuit 1
2 is a pair of first and second stub circuits 4 and 5;
diodes 6 and 7 and high frequency short circuit/DC cutoff section 1
0 and 11, and a common line portion 12B that connects the intermediate point b of the interconnection line portions and the bias terminal 8. . Further, the impedances of the bias supply circuit 12 when viewed from the connection points a and c to the intermediate point b are determined to be such that the bias supply circuit 12 functions as a band-stop reactor. With the provision of the bias supply circuit 12 in this manner, the input/output line 3 is grounded by a λ/4 grounding wire 13 that forms a high frequency open/DC shorted portion.

このようなマイクロストリツプライン型ダイオ
ード移相器を4端子回路で示すと第3図に示すよ
うになる。なお、Lは実装の際発生するボンデン
グワイヤーのリアクタンス、θ1はバイアス供給回
路12のb点−a点間及びb点−c点間の各電気
角、θ2はバイアス供給回路12のb点とバイアス
端子8間の電気角、θ3はλ/4の接地線13の電
気角、Z1はバイアス供給回路12のb点−a点間
及びb点−c点間の線路の特性インピーダンス、
Z2はバイアス供給回路12のb点とバイアス端子
8間の開放線路の特性インピーダンス、Z3は接地
線13からなる終端短絡線路の特性インピーダン
スである。
Such a microstripline type diode phase shifter is shown in FIG. 3 as a four-terminal circuit. In addition, L is the reactance of the bonding wire that occurs during mounting, θ 1 is the electrical angle between points b and a and between points b and c of the bias supply circuit 12, and θ 2 is the b of the bias supply circuit 12. θ 3 is the electrical angle of the grounding wire 13 of λ/4, and Z 1 is the characteristic impedance of the line between points b and a and between points b and c of the bias supply circuit 12. ,
Z 2 is the characteristic impedance of the open line between point b of the bias supply circuit 12 and the bias terminal 8, and Z 3 is the characteristic impedance of the short-circuited line at the end consisting of the ground line 13.

さて、このような回路において、端子1,1′
から入力されたマイクロ波が2つのスタブ回路
4,5を通つて端子2,2′に出力される過程で
バイアス供給回路12の影響を受けないために
は、a,a′点からb,b′点側を、及びc,c′点か
らb,b′点側をみたインピーダンスを充分大きく
すればよい。即ち、L,Z1,Z2,θ1,θ2を第4図
に示すインピーダンスを有するように決めてやれ
ばよい。換言すれば、バイアス供給回路12をを
帯域阻止炉波器で形成すればよい。なお、第4図
において、12はマイクロストリツプライン型
ダイオード移相器の下限及び上限周波数、0は中
心周波数、Zは第3図においてa,a′点からb,
b′点側をみたインピーダンスである。
Now, in such a circuit, terminals 1 and 1'
In order to avoid the influence of the bias supply circuit 12 during the process in which the microwave input from the stub circuits 4 and 5 are output to the terminals 2 and 2', it is necessary to move the microwaves from points a and a' to b and b. It is only necessary to make the impedance sufficiently large when viewed from point '' and from point c, c' to point b, b'. That is, L, Z 1 , Z 2 , θ 1 , and θ 2 may be determined to have the impedance shown in FIG. 4. In other words, the bias supply circuit 12 may be formed of a band-stop reactor. In addition, in Fig. 4, 1 and 2 are the lower and upper limit frequencies of the microstripline diode phase shifter, 0 is the center frequency, and Z is the distance from points a and a' to b,
This is the impedance when looking at point b'.

なお、上記実施例では本考案をローデイツドラ
イン型のマイクロストリツプライン型ダイオード
移相器に適用した場合について説明したが、本考
案はこれに限定されるものではなく、方向性結合
器を用いた反射型のマイクロストリツプライン型
ダイオード移相器等にも同様に適用できるもので
ある。
Although the above embodiment describes the case where the present invention is applied to a low date line type microstripline type diode phase shifter, the present invention is not limited to this, and can also be applied to a directional coupler. The present invention can be similarly applied to reflective microstripline diode phase shifters and the like.

第5図はこの方向性結合器を用いた反射側のマ
イクロストリツプライン型ダイオード移相器の例
を示したものである。なお、第2図と対応する部
分には同一符号をつけて示している。本実施例で
は入出力ライン3の途中に3dB結合のブランチラ
イン型方向性結合器14を図示のように接続して
いる。
FIG. 5 shows an example of a microstripline type diode phase shifter on the reflective side using this directional coupler. Note that parts corresponding to those in FIG. 2 are designated by the same reference numerals. In this embodiment, a branch line type directional coupler 14 with 3 dB coupling is connected in the middle of the input/output line 3 as shown in the figure.

このような反射型のマイクロストリツプライン
型ダイオード移相器においては、端子1から入力
されたマイクロ波は方向性結合器14により1/2
に分割され、該方向性結合器14の結合端に接続
された第1のスタブ回路4と、通過端に接続され
た第2のスタブ回路5とにそれぞれ供給される。
マイクロ波が供給された第1、第2のスタブ回路
4,5は、ダイオード6,7に印加されるバイア
スの方向(順方向、逆方向)により固有の位相角
を有するインピーダンス素子として置き換えられ
る。これらインピーダンス素子としてのスタブ回
路4,5で反射された各反射波は、再び方向性結
合器14に戻り、合成され、端子2に出力され
る。
In such a reflective microstripline diode phase shifter, the microwave input from terminal 1 is divided by 1/2 by the directional coupler 14.
and is supplied to the first stub circuit 4 connected to the coupling end of the directional coupler 14 and the second stub circuit 5 connected to the pass-through end.
The first and second stub circuits 4 and 5 supplied with microwaves are replaced as impedance elements having a unique phase angle depending on the direction (forward direction, reverse direction) of the bias applied to the diodes 6 and 7. The reflected waves reflected by the stub circuits 4 and 5 as impedance elements return to the directional coupler 14 again, are combined, and are output to the terminal 2.

このような反射型のマイクロストリツプライン
型ダイオード移相器の位相角は、前述したローデ
イツドライン型のマイクロストリツプライン型方
向性結合器と同様に、順方向バイアス時と逆方向
バイアス時における端子1から端子2への透過係
数の位相角の差で規定される。
The phase angle of such a reflective microstrip line diode phase shifter is determined by the difference in phase angle of the transmission coefficient from terminal 1 to terminal 2 when forward biased and when reverse biased, similar to the above-mentioned rhodated line type microstrip line directional coupler.

以上説明したように本考案に係るマイクロスト
リツプライン型ダイオード移相器においては、バ
イアス供給回路を帯域阻止炉波器で構成したの
で、大型化をまねかずにマイクロ波がバイアス端
子に漏れ込むのを防止することができる。従つ
て、本考案によれば、小型で安定した特性のマイ
クロストリツプライン型ダイオード移相器を提供
することができる。
As explained above, in the microstripline diode phase shifter according to the present invention, the bias supply circuit is constructed with a band-stop reactor, so that microwaves can be prevented from leaking into the bias terminal without increasing the size. can be prevented. Therefore, according to the present invention, it is possible to provide a microstripline type diode phase shifter that is small and has stable characteristics.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of the drawing]

第1図は従来のダイオード移相器の回路図。第
2図は本考案に係るダイオード移相器のローデイ
ツドライン型のものの例を示す回路図、第3図は
第2図の回路を4端子回路で示した回路図、第4
図は本実施例におけるバイアス供給回路の周波数
特性図、第5図は本考案に係るダイオード移相器
の反射型のものの例を示す回路図である。 1,2……端子、3……入出力ライン、4,5
……スタブ回路、6,7……ダイオード、8……
バイアス端子、10,11……コンデンサ、12
……バイアス供給回路、12A……相互接続ライ
ン部分、12B……共通ライン部分。
FIG. 1 is a circuit diagram of a conventional diode phase shifter. Fig. 2 is a circuit diagram showing an example of a low date line type diode phase shifter according to the present invention; Fig. 3 is a circuit diagram showing the circuit of Fig. 2 as a four-terminal circuit;
The figure is a frequency characteristic diagram of the bias supply circuit in this embodiment, and FIG. 5 is a circuit diagram showing an example of a reflective type diode phase shifter according to the present invention. 1, 2... terminal, 3... input/output line, 4, 5
...Stub circuit, 6,7...Diode, 8...
Bias terminal, 10, 11... Capacitor, 12
...Bias supply circuit, 12A...interconnection line section, 12B...common line section.

Claims (1)

【実用新案登録請求の範囲】[Scope of utility model registration request] 入出力ラインに高周波開放・直流短絡部を分岐
接続し、ダイオードを有するスタブ回路を前記入
出力ラインの途中に対にしてそれぞれ接続し、前
記各スタブ回路の末端に高周波短絡・直流遮断部
をそれぞれ設け、前記各スタブ回路にバイアス供
給回路を接続したマイクロストリツプライン型ダ
イオード移相器において、前記バイアス供給回路
は対になつた前記各スタブ回路の前記ダイオード
と前記高周波短絡・直流遮断部との各接続点間を
相互に接続する相互接続ライン部分と、該相互接
続ライン部分の中間点とバイアス端子間を結ぶ共
通ライン部分とを備え、且つ該バイアス供給回路
の前記各接続点から前記中間点をそれぞれみたイ
ンピーダンスは該バイアス供給回路が帯域阻止炉
波器として機能する大きさにそれぞれ定められて
いることを特徴とするマイクロストリツプライン
型ダイオード移相器。
A high-frequency open/DC short-circuit part is branch-connected to the input/output line, a stub circuit having a diode is connected in pairs in the middle of the input/output line, and a high-frequency short-circuit/DC cut-off part is connected at the end of each stub circuit. A microstripline diode phase shifter is provided, in which a bias supply circuit is connected to each of the stub circuits, and the bias supply circuit connects the diodes of each of the stub circuits and the high frequency short circuit/DC cutoff section in pairs. an interconnection line portion that interconnects each connection point, and a common line portion that connects an intermediate point of the interconnection line portion and a bias terminal, and from each of the connection points of the bias supply circuit to the intermediate point. A microstripline type diode phase shifter, characterized in that the impedance of each of the bias supply circuits is determined to have a size such that the bias supply circuit functions as a band-stop reactor.
JP1932682U 1982-02-16 1982-02-16 Microstripline diode phase shifter Granted JPS58123605U (en)

Priority Applications (1)

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JP1932682U JPS58123605U (en) 1982-02-16 1982-02-16 Microstripline diode phase shifter

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JPS58123605U JPS58123605U (en) 1983-08-23
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