JPS63226852A - マグネトロン用陰極構体 - Google Patents
マグネトロン用陰極構体Info
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- JPS63226852A JPS63226852A JP6061687A JP6061687A JPS63226852A JP S63226852 A JPS63226852 A JP S63226852A JP 6061687 A JP6061687 A JP 6061687A JP 6061687 A JP6061687 A JP 6061687A JP S63226852 A JPS63226852 A JP S63226852A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- cathode
- filament
- magnetron
- end shield
- shield
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- Pending
Links
- WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N lead(0) Chemical compound [Pb] WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 4
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 4
- QVQLCTNNEUAWMS-UHFFFAOYSA-N barium oxide Chemical compound [Ba]=O QVQLCTNNEUAWMS-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 4
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 3
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 2
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 abstract description 2
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 abstract description 2
- RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);zirconium(4+) Chemical compound [O-2].[O-2].[Zr+4] RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 2
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 abstract description 2
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 abstract description 2
- 229910001928 zirconium oxide Inorganic materials 0.000 abstract description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 3
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005219 brazing Methods 0.000 description 2
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 2
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 2
- JYJXGCDOQVBMQY-UHFFFAOYSA-N aluminum tungsten Chemical compound [Al].[W] JYJXGCDOQVBMQY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- OUFGXIPMNQFUES-UHFFFAOYSA-N molybdenum ruthenium Chemical compound [Mo].[Ru] OUFGXIPMNQFUES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 1
- WLTSUBTXQJEURO-UHFFFAOYSA-N thorium tungsten Chemical compound [W].[Th] WLTSUBTXQJEURO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000003466 welding Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Microwave Tubes (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は低電圧で駆動するマグネトロンに適した陰極構
体に関するものである。
体に関するものである。
従来の技術
従来のマグネトロン用陰極構体は第３図に示すヨウニト
リラムタングステンからなるフィラメント１の一端部を
支持固定する第１のエンドシールド２は、凹状の絶縁ス
テムａの底板部３ａを貫通した第１のリード線４の先端
部に固着されている。
リラムタングステンからなるフィラメント１の一端部を
支持固定する第１のエンドシールド２は、凹状の絶縁ス
テムａの底板部３ａを貫通した第１のリード線４の先端
部に固着されている。
またフィラメント１の他端部を支持固定する第２のエン
ドシールド５は、底抜部３ａ、第１のエンドシールド２
およびフィラメント１を貫通した第２のリード線６の先
端部に固着されている。
ドシールド５は、底抜部３ａ、第１のエンドシールド２
およびフィラメント１を貫通した第２のリード線６の先
端部に固着されている。
第１、第２のエンドシールド２．５および第１、第２の
リード線４．６はモリブデン等の高融点金属からな９、
それぞれはろう付け、または溶接により相互に固着され
ている。フィラメント１もルテニウム−モリブデン等の
ろう材を使用してエンドシールド２，５にろう付されて
いる。また第１、第２のリード線４，６はセラミックか
らなる凹状絶縁ヌテム３の底板部３ａに気密封着され、
底板部３ａの下端面にて陰極端子７，８と固着されてい
る。絶縁ステム３の開口端面には、図外の磁極片および
陰極構体を支持するだめの金属環９が気密封着されてい
る。
リード線４．６はモリブデン等の高融点金属からな９、
それぞれはろう付け、または溶接により相互に固着され
ている。フィラメント１もルテニウム−モリブデン等の
ろう材を使用してエンドシールド２，５にろう付されて
いる。また第１、第２のリード線４，６はセラミックか
らなる凹状絶縁ヌテム３の底板部３ａに気密封着され、
底板部３ａの下端面にて陰極端子７，８と固着されてい
る。絶縁ステム３の開口端面には、図外の磁極片および
陰極構体を支持するだめの金属環９が気密封着されてい
る。
発明が解決しようとする問題点
しかしながら上記のような陰極構体を使用して低電圧で
駆動するマグネトロンを製造すると熱電子放出量が不足
する、フィラメント温度が高いという問題点を有してい
た。
駆動するマグネトロンを製造すると熱電子放出量が不足
する、フィラメント温度が高いという問題点を有してい
た。
本発明はかかる従来の問題点を解消するもので、フィラ
メント温度が低くくても十分な熱電子放出量が得られる
低電圧駆動マグネトロン用の陰極構体を提供することを
目的とする。
メント温度が低くくても十分な熱電子放出量が得られる
低電圧駆動マグネトロン用の陰極構体を提供することを
目的とする。
問題点を解決するための手段
上記問題点を解決するために本発明の陰極構体はエンド
シールドで固着したフィラメントを包囲する筒状含浸型
カソードを設け、両端のうち少なくとも一方を絶縁被膜
を介してエンドシールドに取付けた構成とした。
シールドで固着したフィラメントを包囲する筒状含浸型
カソードを設け、両端のうち少なくとも一方を絶縁被膜
を介してエンドシールドに取付けた構成とした。
作 用
上記構成によって低温度で高い熱電子放出する含浸型カ
ソードを°フィラメント電源から絶縁して配設した陰極
構体が製造できるようになる。
ソードを°フィラメント電源から絶縁して配設した陰極
構体が製造できるようになる。
実施例
以下、本発明の実施例を添付図面にもとづいて説明する
。第１．２図において１０は直径０．５ｆｌのタングス
テン線を外径４ ｍ 、高さ１４．５１１１１１巻数１
１に加工したらせん状のフィラメントで、両端はエンド
シールド１１．１２にろう付されている。第１のエンド
シールド１１は凹状の絶縁ステム３の底板部３ａを貫通
した第１のリード線４の先端部に固着され、第２のエン
ドシールド１２は凹状の絶縁ステム３の底板部３ａ、第
１のエンドシールド１１、フィラメント１０を貫通した
第２のリード線６と溶接されている。第２のエンドシー
ルド１２は第２図の要部拡大断面図に示すように厚さ０
．０５ｆｌの酸化ジルコニウムの絶縁被膜１ａで被覆さ
れた凹部を有し、ここで含浸型カソード１４とかん合す
る。１４はフィラメント１０を包囲する内径５ｆｌ、外
径５ ｒａ １高さ１１．５ｊｌ’ｌｌのモリブデン管
１５の外周に多孔質タングステンに酸化バリウムを含浸
した電子放射面１６をろう付した含浸型カソードで一方
の端部は第１のエンドシールド１１にろう付され、他の
端は第２のエンドシールド１２とかん合して配設されて
いる。
。第１．２図において１０は直径０．５ｆｌのタングス
テン線を外径４ ｍ 、高さ１４．５１１１１１巻数１
１に加工したらせん状のフィラメントで、両端はエンド
シールド１１．１２にろう付されている。第１のエンド
シールド１１は凹状の絶縁ステム３の底板部３ａを貫通
した第１のリード線４の先端部に固着され、第２のエン
ドシールド１２は凹状の絶縁ステム３の底板部３ａ、第
１のエンドシールド１１、フィラメント１０を貫通した
第２のリード線６と溶接されている。第２のエンドシー
ルド１２は第２図の要部拡大断面図に示すように厚さ０
．０５ｆｌの酸化ジルコニウムの絶縁被膜１ａで被覆さ
れた凹部を有し、ここで含浸型カソード１４とかん合す
る。１４はフィラメント１０を包囲する内径５ｆｌ、外
径５ ｒａ １高さ１１．５ｊｌ’ｌｌのモリブデン管
１５の外周に多孔質タングステンに酸化バリウムを含浸
した電子放射面１６をろう付した含浸型カソードで一方
の端部は第１のエンドシールド１１にろう付され、他の
端は第２のエンドシールド１２とかん合して配設されて
いる。
第１、第２のリード線４．６は従来例と同様セラミック
からなる凹状絶縁ステム３の底板部３＆に気密封着され
、底板部３＆の下端面にて陰極端子７．８と固着されて
いる。絶縁ステム３の開口端面には、図外の磁極片およ
び陽極構体を支持するだめの金属環９が気密封着されて
いる。
からなる凹状絶縁ステム３の底板部３＆に気密封着され
、底板部３＆の下端面にて陰極端子７．８と固着されて
いる。絶縁ステム３の開口端面には、図外の磁極片およ
び陽極構体を支持するだめの金属環９が気密封着されて
いる。
上記構成の陰極構体を２Ｘ１０ｕ角の銅製ベイ７１０枚
（受電流面積２００ｆｆりからなる陽極構体と溶接し、
内部を５Ｘ１０５Ｐａ以上の高真空に排気、気密封着し
た後、らせん状フィラメント１０に通電し、熱電子放出
体１３を１１５０°Ｋ に加熱して陰極−陽極間に３４
０ （Ｖｌの電圧を印加すると約１．８Ａの電流が流れ
た。これに対し、従来の陰極構体ではトリウムタングス
テンフィラメントの温度を１８００°Ｋに加熱して本実
施例と同じ電圧を印加して電流を測定すると約０．２５
ＡＬか流このため従来の陰極構体は４ＫＶで駆動し、出
カフ００〜９００Ｗのマグネトロンには使用できるが駆
動電圧の低いマグネトロンでは使用できない。
（受電流面積２００ｆｆりからなる陽極構体と溶接し、
内部を５Ｘ１０５Ｐａ以上の高真空に排気、気密封着し
た後、らせん状フィラメント１０に通電し、熱電子放出
体１３を１１５０°Ｋ に加熱して陰極−陽極間に３４
０ （Ｖｌの電圧を印加すると約１．８Ａの電流が流れ
た。これに対し、従来の陰極構体ではトリウムタングス
テンフィラメントの温度を１８００°Ｋに加熱して本実
施例と同じ電圧を印加して電流を測定すると約０．２５
ＡＬか流このため従来の陰極構体は４ＫＶで駆動し、出
カフ００〜９００Ｗのマグネトロンには使用できるが駆
動電圧の低いマグネトロンでは使用できない。
また駆動電圧を低くすると陽極−陰極間隔は狭くしなけ
ればならないため陰極温度はベイン材料である銅の融点
１３５６’Ｋ より低いことが望ましい。
ればならないため陰極温度はベイン材料である銅の融点
１３５６’Ｋ より低いことが望ましい。
例えば４ＫＶ駆動のマグネトロンでは陽極−陰極間隔が
２．５ｆｆであるのに対しＩ ＫＶ駆動にするためには
前記間隔を０．６ｆｌにする必要があり、この点からも
従来の陰極構体を低電圧マグネトロンに使用することが
できない。
２．５ｆｆであるのに対しＩ ＫＶ駆動にするためには
前記間隔を０．６ｆｌにする必要があり、この点からも
従来の陰極構体を低電圧マグネトロンに使用することが
できない。
発明の効果
以上のように本発明により低温度で高い熱電子放出する
含浸型カソードをフィラメント電源から絶縁して配設し
た陰極構体が製造でき、これにより低電圧駆動マグネト
ロンが製造できるという効果がある。
含浸型カソードをフィラメント電源から絶縁して配設し
た陰極構体が製造でき、これにより低電圧駆動マグネト
ロンが製造できるという効果がある。
第１図は本発明の一実施例におけるマグネトロン用陰極
構体の側断面図、第２図は同要部拡大図、第３図は従来
の陰極構体の側断面図である。
構体の側断面図、第２図は同要部拡大図、第３図は従来
の陰極構体の側断面図である。
３・・・・・・絶縁ステム、４，６・・・リード線、１
０・・・・・・フィラメン）、１１．１２ ・・エン
ドシールド、１３・・・・・・絶縁被膜、１４・・・・
・含浸型カンード。
０・・・・・・フィラメン）、１１．１２ ・・エン
ドシールド、１３・・・・・・絶縁被膜、１４・・・・
・含浸型カンード。
代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名３″
−絶縁ステム ４．６ − リ − ド 線 １０′−フィラメント ＋ １．１２−エンドシールド Ｊ３°−ｊ＋！Ｍ積履 １４−一合ン兼里Ｉソード 第１図 ４．６−リード線 ＪＩＡ２−エンドシールド １３−紀縁ａ臘 １４−合浸型刀ソード 第２図 第３図
−絶縁ステム ４．６ − リ − ド 線 １０′−フィラメント ＋ １．１２−エンドシールド Ｊ３°−ｊ＋！Ｍ積履 １４−一合ン兼里Ｉソード 第１図 ４．６−リード線 ＪＩＡ２−エンドシールド １３−紀縁ａ臘 １４−合浸型刀ソード 第２図 第３図
Claims (1)
- フィラメントの一端部を支持固定する第１のエンドシー
ルドを設け、絶縁ステムの底板部を貫通した第１のリー
ド線の一部に前記第１のエンドシールドを固着し、前記
フィラメントの他端部を支持固定する第２のエンドシー
ルドを設け、前記底板部、前記第１のエンドシールドお
よび前記フィラメントを貫通した第２のリード線の一部
に前記第２のエンドシールドを固着し、前記フィラメン
トを包囲する筒状の含浸型カソードを設け、前記含浸型
カソードはその両端のうち少なくとも一方が絶縁被膜を
介してそれぞれ前記第１、第２のエンドシールドに取付
けたマグネトロン用陰極構体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6061687A JPS63226852A (ja) | 1987-03-16 | 1987-03-16 | マグネトロン用陰極構体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6061687A JPS63226852A (ja) | 1987-03-16 | 1987-03-16 | マグネトロン用陰極構体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63226852A true JPS63226852A (ja) | 1988-09-21 |
Family
ID=13147386
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6061687A Pending JPS63226852A (ja) | 1987-03-16 | 1987-03-16 | マグネトロン用陰極構体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63226852A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6329753B1 (en) | 1998-01-08 | 2001-12-11 | Litton Systems, Inc. | M-type microwave device with slanted field emitter |
| US6388379B1 (en) | 1998-01-08 | 2002-05-14 | Northrop Grumman Corporation | Magnetron having a secondary electron emitter isolated from an end shield |
| CN102637565A (zh) * | 2012-03-30 | 2012-08-15 | 安徽华东光电技术研究所 | 一种用于杆控微波管的阴极及其制备方法 |
| JP2019087339A (ja) * | 2017-11-02 | 2019-06-06 | 新日本無線株式会社 | マグネトロンカソード |
-
1987
- 1987-03-16 JP JP6061687A patent/JPS63226852A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6329753B1 (en) | 1998-01-08 | 2001-12-11 | Litton Systems, Inc. | M-type microwave device with slanted field emitter |
| US6388379B1 (en) | 1998-01-08 | 2002-05-14 | Northrop Grumman Corporation | Magnetron having a secondary electron emitter isolated from an end shield |
| CN102637565A (zh) * | 2012-03-30 | 2012-08-15 | 安徽华东光电技术研究所 | 一种用于杆控微波管的阴极及其制备方法 |
| JP2019087339A (ja) * | 2017-11-02 | 2019-06-06 | 新日本無線株式会社 | マグネトロンカソード |
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