JPS63217764A - Laser recorder - Google Patents

Laser recorder

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JPS63217764A
JPS63217764A JP62051001A JP5100187A JPS63217764A JP S63217764 A JPS63217764 A JP S63217764A JP 62051001 A JP62051001 A JP 62051001A JP 5100187 A JP5100187 A JP 5100187A JP S63217764 A JPS63217764 A JP S63217764A
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semiconductor laser
light
laser
command signal
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Takashi Shiyouji
たか志 荘司
Hideo Watanabe
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Abstract

PURPOSE:To make the loop gain of an APC circuit constant by applying the gain adjustment so as to compensate the differentiation quantization efficiency of a semiconductor laser and the sensitivity difference of a photodetector. CONSTITUTION:A picture signal S1 is converted into a luminous level command signal 55 by a correction table 40, subjected to D/A conversion 16 and inputted to a summing point 2 of an APC circuit 8 as a command signal Vref. Then a light beam 4 having an intensity corresponding to the signal Vref is radiated from the semiconductor laser 1. A gain regulating means 50 and an LPF 51 are provided in a path from the summing point 2 to a V/I convertion amplifier 3 and a gain regulating means 52 is provided in a path from an I/V conversion amplifier 7 to the summing point 2. Then the nonlinearity of the lighting level command signal versus laser optical output characteristic is corrected linear by a V-P characteristic correction table to make the loop gain of the APC circuit 8 constant.

Description

【発明の詳細な説明】 (産業上の利用分野) 本発明は、画像信号に基づいて変調されたレーザビーム
を感光材料上に走査させて連続調画像を記録するレーザ
記録装置、特に詳細にはレーザビームの光強度をアナロ
グ的に変調して高階調の画像を記録できるようにしたレ
ーザ記録装置に関するものである。
Detailed Description of the Invention (Industrial Application Field) The present invention relates to a laser recording device that records a continuous tone image by scanning a photosensitive material with a laser beam modulated based on an image signal. The present invention relates to a laser recording device capable of recording high-gradation images by modulating the light intensity of a laser beam in an analog manner.

(従来の技術) 従来より、光ビームを光偏向器により偏向して感光材料
上に走査させ、該感光材料に画像を記録する光走査記録
装置が広く実用に供されている。
(Prior Art) Conventionally, optical scanning recording apparatuses have been widely put into practical use, which record an image on a photosensitive material by deflecting a light beam using an optical deflector and scanning the photosensitive material.

このような光走査記録装置において光ビームを発生する
手段の1つとして、半導体レーザが従来から用いられて
いる。この半導体レーザは、ガスレーザ等に比べれば小
型、安価で消費電力も少なく、また駆動電流を変えるこ
とによって直接変調が可能である等、数々の長所を有し
ている。
A semiconductor laser has conventionally been used as one of the means for generating a light beam in such an optical scanning recording device. This semiconductor laser has many advantages, such as being smaller, cheaper, and consumes less power than gas lasers, and can be directly modulated by changing the drive current.

しかしながら、その反面この半導体レーザは、第2図に
示すように駆動電流に対する光出力特性が、LED領域
(自然発光領域)とレーザ発振領域とで極端に変わるの
で、連続調画像の記録には適用困難であるという問題が
有る。すなわち上記の駆動電流対光出力特性が線形であ
るレーザ発振領域のみを利用して強度変調を行なうと、
光出力のダイナミックレンジがたかだか2桁程度しかと
れない。周知のように、この程度のダイナミックレンジ
では高品位の連続調画像を得ることは不可能である。
However, on the other hand, as shown in Figure 2, the optical output characteristics of this semiconductor laser with respect to the drive current vary drastically between the LED region (natural light emitting region) and the laser oscillation region, so it is not suitable for continuous tone image recording. The problem is that it is difficult. In other words, if intensity modulation is performed using only the laser oscillation region where the drive current vs. optical output characteristic is linear,
The dynamic range of optical output is only about 2 digits at most. As is well known, it is impossible to obtain a high quality continuous tone image with this level of dynamic range.

そこで例えば特開昭56−115077号、同56−1
52372号等に示されるように、半導体レーザの光出
力は一定とするとともに、該半導体レーザを連続的に0
N−OFFさせて走査ビームをパルス光とし、このパル
スの数あるいは幅を各画素毎に制御して走査光量を変化
させることにより連続調画像を記録する試みもなされて
いる。
For example, JP-A-56-115077 and JP-A-56-1
As shown in No. 52372, etc., the optical output of the semiconductor laser is kept constant, and the semiconductor laser is continuously switched to zero.
Attempts have also been made to record a continuous tone image by turning off the scanning beam to make the scanning beam pulsed light, and controlling the number or width of the pulses for each pixel to change the amount of scanning light.

ところが上記のようなパルス数変調あるいはパルス幅変
調を行なう場合には、例えば画素クロック周波数がIM
Hzのとき、濃度スケールすなわち走査光量の分解能を
10bit(約3桁)確保しようとすると、パルスの周
波数は少なくとも1Gf−1zと極めて高く設定しなけ
ればならない。半導体レーザ自体はこの程度の周波数で
0N−OFFすることも可能であるが、パルス数制御あ
るいはパルス幅制御のためのパルスカウント回路等はこ
のような高周波数に対応して作動し得ず、結局は画素ク
ロック周波数を上記の値よりも大幅に下げなければなら
ない。従って装置の記録速度を大巾に下げざるをえない
However, when performing pulse number modulation or pulse width modulation as described above, for example, if the pixel clock frequency is IM
In the case of Hz, if the resolution of the density scale, that is, the amount of scanning light is to be maintained at 10 bits (approximately 3 digits), the pulse frequency must be set extremely high, at least 1 Gf-1 z. The semiconductor laser itself can be turned on and off at this frequency, but pulse count circuits for pulse number control or pulse width control cannot operate at such high frequencies, and in the end, requires the pixel clock frequency to be significantly lower than the above values. Therefore, the recording speed of the device has to be significantly reduced.

さらに上記の方法にあっては、各画素の記録期間中に出
力されるパルスの数あるいは幅に依存して半導体レーザ
チップの発熱量が変化し、そのために半導体レーザの駆
動電流対光出力特性が変化し、1パルス当りの露光量が
変動してしまうこともある。こうなると記録画像の階調
にズレが生じ、高品位の連続調画像を得ることは不可能
となる。
Furthermore, in the above method, the amount of heat generated by the semiconductor laser chip changes depending on the number or width of pulses output during the recording period of each pixel, and as a result, the drive current versus light output characteristics of the semiconductor laser changes. The exposure amount per pulse may vary. If this happens, the gradation of the recorded image will shift, making it impossible to obtain a high-quality continuous tone image.

一方、例えば特開昭56−71374号に示されるよう
に、上記パルス数変調あるいはパルス幅変調と、前述し
た光強度変調とを組み合わせて高階調画像を記録する方
法も提案されている。しかしこの場合にも、上記のよう
にパルスの数あるいは幅に依存して半導体レーザチップ
の発熱量が変化し、その結果1パルス当りの露光量が変
動してしまうという問題が同様に生じる。
On the other hand, as shown in, for example, Japanese Patent Application Laid-open No. 71374/1983, a method has also been proposed in which a high-gradation image is recorded by combining the above-mentioned pulse number modulation or pulse width modulation with the above-mentioned light intensity modulation. However, in this case as well, the problem arises that the amount of heat generated by the semiconductor laser chip changes depending on the number or width of pulses as described above, and as a result, the amount of exposure per pulse changes.

上記のことを鑑みると、例えば濃度スケール10bit
つまり1024階調程度の高階調画像を記録するには、
前述の第2図に示したLED領域とレーザ発振領域とに
亘って光強度変調を行なって、光出力のダイナミックレ
ンジを3衝程度確保可能とすることが望まれる。しかし
上記2つの領域に亘ると、半導体レーザの駆動電流対光
出力特性は当然線形ではなくなるので、高l@i調画像
を容易かつ精度良く記録できるように画像信号の一定量
変化に対して等濃度間隔で画像濃度を制御可能とするた
めには、上記の特性を何らかの方法で補償して半導体レ
ーザの発光レベル指令信号と光出力との関係を線形に変
える必要がある。
Considering the above, for example, the density scale is 10 bits.
In other words, to record a high gradation image of about 1024 gradations,
It is desirable to perform optical intensity modulation across the LED region and the laser oscillation region shown in FIG. 2 described above to ensure a dynamic range of optical output of approximately three ranges. However, in the above two regions, the driving current vs. optical output characteristic of the semiconductor laser naturally becomes non-linear, so in order to easily and accurately record high l@i tone images, it is necessary to In order to be able to control the image density at density intervals, it is necessary to compensate for the above characteristics by some method to linearly change the relationship between the light emission level command signal of the semiconductor laser and the optical output.

上記半導体レーザの発光レベル指令信号と光出力との関
係を線形にする回路として従来より、レーザビームの光
強度を検出し、この検出された光強度に対応する帰還信
号を半導体レーザの発光レベル指令信号にフィードバッ
クさせる光出力安定化回路(以下、APC回路と称する
)が知られている。第3図はこのAPC回路の一例を示
すものであり、以下、この第3図を参照してAPC回路
について説明する。半導体レーザ1の発光強度を指令す
る発光レベル指令信号Vrefは、加算点2を通して電
圧−電流変換アンプ3に入力され、該アンプ3はこの指
令信号V refに比例した駆動電流を半導体レーザ1
に供給する。半導体レーザ1から前方に出射された光ビ
ーム4は、図示しない走査光学系を通して感光材料走査
に利用される。
Conventionally, as a circuit that linearizes the relationship between the light emission level command signal of the semiconductor laser and the optical output, it detects the light intensity of the laser beam and sends a feedback signal corresponding to the detected light intensity to the semiconductor laser light emission level command. An optical output stabilization circuit (hereinafter referred to as an APC circuit) that feeds back a signal is known. FIG. 3 shows an example of this APC circuit, and the APC circuit will be explained below with reference to FIG. A light emission level command signal Vref that commands the light emission intensity of the semiconductor laser 1 is input to the voltage-current conversion amplifier 3 through the addition point 2, and the amplifier 3 supplies a drive current proportional to this command signal Vref to the semiconductor laser 1.
supply to. A light beam 4 emitted forward from the semiconductor laser 1 is used to scan a photosensitive material through a scanning optical system (not shown).

一方半導体レーザ1の後方側に出射された光ビーム5の
強度は、例えば半導体レーザのケース内に設置された光
量モニタ用のビンフォトダイオード6によって検出され
る。こうして検出される光ビーム5の強度は、実際に画
像記録に利用される上記光ビーム4の強度と比例関係に
ある。該光ビーム5の強度、すなわち光ビーム4の強度
を示すフォトダイオード6の出力電流は、電流−電圧変
換アンプ7によって帰還信号(電圧信号)Vpdに変換
され、該帰還信号Vpdは前述の加算点2に入力される
。この加算点2からは、上記発光レベル指令信号■re
fと帰還信号Vpdとの偏差を示す偏差信号Veが出力
され、該偏差信号Veは前記電圧−電流変換アンプ3に
よって電流に変換され、半導体レーザ1を駆動する。
On the other hand, the intensity of the light beam 5 emitted to the rear side of the semiconductor laser 1 is detected by, for example, a bin photodiode 6 for monitoring the amount of light installed inside the case of the semiconductor laser. The intensity of the light beam 5 thus detected is proportional to the intensity of the light beam 4 actually used for image recording. The intensity of the light beam 5, that is, the output current of the photodiode 6 indicating the intensity of the light beam 4, is converted into a feedback signal (voltage signal) Vpd by a current-voltage conversion amplifier 7, and the feedback signal Vpd is input to the above-mentioned addition point. 2 is input. From this addition point 2, the light emission level command signal ■re
A deviation signal Ve indicating the deviation between f and the feedback signal Vpd is output, and the deviation signal Ve is converted into a current by the voltage-current conversion amplifier 3 to drive the semiconductor laser 1.

(発明が解決しようとする問題点) 上述の加算点2から電圧−電流変換アンプ3、半導体レ
ーザ1、フォトダイオード6、電流−電圧変換アンプ7
を経て加算点2に戻るループで構成されるA10回路の
ループゲインが十分大きく確保されれば、発光レベル指
令信号対半導体レーザ光出力の関係は線形となる。
(Problems to be Solved by the Invention) From the above-mentioned addition point 2 to the voltage-current conversion amplifier 3, the semiconductor laser 1, the photodiode 6, and the current-voltage conversion amplifier 7
If the loop gain of the A10 circuit, which includes a loop that returns to addition point 2 through , is ensured to be sufficiently large, the relationship between the light emission level command signal and the semiconductor laser light output becomes linear.

A10回路のループゲインは、そこに含まれるアンプの
ゲインや、光検出器、そして半導体レーザ自身のゲイン
等によって決まるが、このループゲインは、同一の回路
要素を使用しても各APC回路毎にまちまちになること
が多い。つまりアンプのゲインは一定に抑えやすいもの
の、半導体し一ザのゲインとなる微分量子効率や、フォ
トダイオード等の光検出器の感度に比較的大きな個体差
が存在するので、A10回路のループゲインがまちまち
になるのである。
The loop gain of the A10 circuit is determined by the gain of the amplifier included therein, the photodetector, and the gain of the semiconductor laser itself, but this loop gain varies for each APC circuit even if the same circuit elements are used. It often varies. In other words, although it is easy to keep the gain of the amplifier constant, there are relatively large individual differences in the differential quantum efficiency, which is the gain of semiconductors, and the sensitivity of photodetectors such as photodiodes, so the loop gain of the A10 circuit is It will vary.

このようにA10回路のループゲインにバラツキがある
と、記録画像の鮮鋭度が各レーザ記録装置毎にまちまち
になってしまう。つまりA10回路のループゲインが高
い場合には半導体レーザの発光応答性が良くなるので画
像の鮮鋭度が高まるが、このループゲインが低い場合に
は発光応答性が悪化して画像の鮮鋭度が低くなる。また
A10回路のループゲインにバラツキがあると、発光レ
ベル指令信号に対する半導体レーザの光出力の対応もま
ちまちになるので、精度良く光量制御を行なうことが不
可能となる。
If there is variation in the loop gain of the A10 circuit in this way, the sharpness of the recorded image will vary from one laser recording device to another. In other words, when the loop gain of the A10 circuit is high, the light emission response of the semiconductor laser improves and the image sharpness increases, but when this loop gain is low, the light emission response worsens and the image sharpness decreases. Become. Further, if there are variations in the loop gain of the A10 circuit, the response of the optical output of the semiconductor laser to the light emission level command signal will also vary, making it impossible to control the light amount with high precision.

さらにA10回路のループゲインにバラツキがあって、
設計値よりも高くなり過ぎていると、A10回路の動作
が不安定になって発振を起こすこともある。
Furthermore, there are variations in the loop gain of the A10 circuit,
If the value is too high than the designed value, the operation of the A10 circuit may become unstable and oscillation may occur.

本発明は上記のような事情に鑑みてなされたものであり
、A10回路のループゲインのバラツキを無くして、上
記種々の問題を解決することができるレーザ記録装置を
提供することを目的とするものである。
The present invention has been made in view of the above circumstances, and an object of the present invention is to provide a laser recording device that can solve the various problems mentioned above by eliminating variations in the loop gain of the A10 circuit. It is.

(問題点を解決するための手段) 本発明のレーザ記録装置は、半導体ループと、該半導体
レーザから射出された光ビームを感光材料上に走査させ
るビーム走査系と、画像信号に対応した発光レベル指令
信号を生成し、該信号に基づいて前記半導体レーザの駆
動電流を制御してレーザビームの光強度を変調するレー
ザ動作制御回路とを備えたレーザ記録装置において、上
記レーザ動作制御回路に、前述したA10回路を設ける
とともに、このAPC回路内にゲイン調節手段を設けた
ことを特徴とするものである。
(Means for Solving the Problems) The laser recording device of the present invention includes a semiconductor loop, a beam scanning system that scans a light beam emitted from the semiconductor laser onto a photosensitive material, and a light emission level corresponding to an image signal. A laser recording device comprising: a laser operation control circuit that generates a command signal, controls the drive current of the semiconductor laser based on the signal, and modulates the light intensity of the laser beam; This APC circuit is characterized in that it is provided with an A10 circuit and a gain adjustment means is provided within this APC circuit.

(作  用) 上記のようなゲイン調節手段が設けられていれば、半導
体レーザの微分量子効率や光検出器の感度差を補償する
ように該ゲイン調節手段のゲインを設定することにより
、A10回路のループゲインを一定に揃えることができ
る。
(Function) If the gain adjustment means as described above is provided, the A10 circuit can be adjusted by setting the gain of the gain adjustment means to compensate for the differential quantum efficiency of the semiconductor laser and the sensitivity difference of the photodetector. It is possible to keep the loop gains constant.

(実 施 例) 以下、図面に示す実施例に基づいて本発明の詳細な説明
する。
(Example) Hereinafter, the present invention will be described in detail based on an example shown in the drawings.

第1図は本発明の一実施例によるレーザ記録装置を示す
ものである。画像信号発生器10は、連続調画像を担持
する画像信号S1を発生する。この画像信号S1は一例
として1Qbitの濃度スケールの連続調画像を示すデ
ジタル信号である。画像信号発生器10は後述するライ
ンクロックS2に基づいて1主走査ライン分の信号を切
り換え、また画素りOツクS3に基づいて各画素毎の画
像信号S1を出力する。本例において画素クロック周波
数はIMH21換言すれば1画素記録時間は1μsec
  (秒)に設定される。
FIG. 1 shows a laser recording apparatus according to an embodiment of the present invention. Image signal generator 10 generates an image signal S1 carrying a continuous tone image. This image signal S1 is, for example, a digital signal representing a continuous tone image with a density scale of 1Qbit. The image signal generator 10 switches signals for one main scanning line based on a line clock S2, which will be described later, and outputs an image signal S1 for each pixel based on a pixel clock S3. In this example, the pixel clock frequency is IMH21. In other words, the recording time for one pixel is 1 μsec.
(seconds).

上述の画像信号S1はマルチプレクサ11を通し、RA
Mからなる補正テーブル40において後述する補正を受
けて、例えば16bitの発光レベル指令信号S5に変
換される。この発光レベル指令信号S5はマルチプレク
サ15を介してD/A変換器16に入力され、ここでア
ナログの電圧信号からなる発光レベル指令信号Vref
に変換される。この発光レベル指令信号V refは、
APC回路8の加算点2に入力される。APC回路8の
電圧−電流変換アンプ3、半導体レーザ1、フォトダイ
オード6、電流−電圧変換アンプ7はそれぞれ、先に説
明した第3図の回路における電圧−電流変換アンプ3、
半導体レーザ1、フォトダイオード6、電流−電圧変換
アンプ7と同様に作動するものであり、したがって半導
体レーザ1からは発光レベル指令信号V refに対応
したくつまり画像信号S1に対応した)強度の光ビーム
4が発せられる。
The above-mentioned image signal S1 passes through the multiplexer 11 and is sent to the RA
After being subjected to a correction described later in a correction table 40 consisting of M, it is converted into, for example, a 16-bit light emission level command signal S5. This light emission level command signal S5 is inputted to the D/A converter 16 via the multiplexer 15, and here the light emission level command signal Vref consisting of an analog voltage signal is inputted to the D/A converter 16.
is converted to This light emission level command signal V ref is
It is input to the addition point 2 of the APC circuit 8. The voltage-current conversion amplifier 3, semiconductor laser 1, photodiode 6, and current-voltage conversion amplifier 7 of the APC circuit 8 are respectively the voltage-current conversion amplifier 3 and the voltage-current conversion amplifier 3 in the circuit of FIG.
It operates in the same way as the semiconductor laser 1, the photodiode 6, and the current-voltage conversion amplifier 7, and therefore, the semiconductor laser 1 emits light with an intensity corresponding to the light emission level command signal Vref (that is, corresponding to the image signal S1). Beam 4 is emitted.

なお本装置においては、第3図の回路と異なって、加算
点2から電圧−電流変換アンプ3への経路にゲイン調節
手段50とローパスフィルタ51がこの順に配置され、
また電流−電圧変換アンプ7から加算点2への経路にも
ゲイン調節手段52が配置されているが、これらの作用
については後に説明する。
In this device, unlike the circuit shown in FIG. 3, a gain adjustment means 50 and a low-pass filter 51 are arranged in this order on the path from the addition point 2 to the voltage-current conversion amplifier 3.
A gain adjustment means 52 is also arranged on the path from the current-voltage conversion amplifier 7 to the summing point 2, and the effects thereof will be explained later.

上記光ビーム4はコリメータレンズ17に通されて平行
ビームとされ、次に例えばポリゴンミラー等の光偏向器
18に入射してそこで反射偏向される。
The light beam 4 is passed through a collimator lens 17 to become a parallel beam, and then enters an optical deflector 18, such as a polygon mirror, where it is reflected and deflected.

こうして偏向された光ビーム4は、通常fθレンズから
なる集束レンズ19に通されて感光材料20上において
微小なスポットに集束し、該感光材料20上をX方向に
走査(主走査)する。感光材料20は図示しない移送手
段により、上記主走査方向Xと略直角なY方向に移送さ
れ、それによって光ビーム4の副走査がなされる。こう
して感光材料20は光ビーム4によって2次元的に走査
され、感光する。前述したように光ビーム4は画像信号
S1に基づいて強度変調されているので、この感光材料
20上には、画像信号S1が担持する連続調画像が写真
潜像として記録される。なお上記のように光ビーム4が
感光材料20上を走査するとき、主走査の始点を該ビー
ム4が通過したことが光検出器21によって検出され、
該光検出器21が出力する始点検出信@S6がクロック
ジェネレータ36に入力される。クロックジェネレータ
36はこの始点検出信号$6の入力タイミングに同期さ
せて、前述のラインクロックS2および画素クロックS
を出力する。
The light beam 4 thus deflected is passed through a focusing lens 19, which is usually an fθ lens, focused on a minute spot on the photosensitive material 20, and scans the photosensitive material 20 in the X direction (main scan). The photosensitive material 20 is transported by a transport means (not shown) in the Y direction substantially perpendicular to the main scanning direction X, thereby causing the light beam 4 to perform sub-scanning. In this way, the photosensitive material 20 is two-dimensionally scanned by the light beam 4 and exposed. As described above, since the light beam 4 is intensity-modulated based on the image signal S1, a continuous tone image carried by the image signal S1 is recorded on the photosensitive material 20 as a photographic latent image. Note that when the light beam 4 scans the photosensitive material 20 as described above, the photodetector 21 detects that the beam 4 has passed through the starting point of the main scan.
The start point detection signal @S6 output from the photodetector 21 is input to the clock generator 36. The clock generator 36 generates the aforementioned line clock S2 and pixel clock S in synchronization with the input timing of this start point detection signal $6.
Output.

次に感光材料20は現像@22に通されて、そこで現像
処理を受ける。それにより感光材料20上には、上記連
続調画像が可視像として記録される。
The photosensitive material 20 is then passed through a developer@22 where it undergoes a development process. As a result, the continuous tone image is recorded on the photosensitive material 20 as a visible image.

ここで、前述の補正テーブル40における画像信@S1
の補正について説明する。該補正テーブル40は階調補
正テーブル12、逆log変換テーブル13、および半
導体レーザ1の発光レベル指令信号対光出力特性を線形
に補正する補正テーブル(以下、V−P特性補正テーブ
ルと称する)14からなる。
Here, the image signal @S1 in the above-mentioned correction table 40
The correction will be explained below. The correction table 40 includes a gradation correction table 12, an inverse log conversion table 13, and a correction table (hereinafter referred to as a V-P characteristic correction table) 14 for linearly correcting the light output characteristic of the semiconductor laser 1 relative to the light emission level command signal. Consisting of

上記階調補正テーブル12は、感光材料20およびその
現像処理系の階調特性を補正する公知のものである。こ
の階調補正テーブル12は、補正特性が固定のものが用
いられてもよいが、本実施例においては、感光材料20
の階調特性がロット毎に変化したり、あるいは現像@2
2中の現像液特性が経時変化すること等を考慮して、実
際の階調特性に対応して補正特性を適宜修正可能に構成
されている。
The gradation correction table 12 is a known one for correcting the gradation characteristics of the photosensitive material 20 and its development processing system. Although this gradation correction table 12 may have fixed correction characteristics, in this embodiment, the gradation correction table 12 has fixed correction characteristics.
gradation characteristics change from lot to lot, or development@2
In consideration of the fact that the characteristics of the developing solution in 2 change with time, etc., the correction characteristics are configured to be able to be modified as appropriate in accordance with the actual gradation characteristics.

すなわちテストパターン発生回路26からは、感光材料
20上における何段階か(例えば16段階)の画像濃度
を担持するテストパターン信号S4が出力され、該信号
S4はマルチプレクサ11に入力される。この際マルチ
プレクサ11は、前述のように画像信号S1を補正テー
ブル40に入力させる画像記録時の状態から切り換えら
れて、上記テストパターン信号S4を補正テーブル40
に入力させる状態とされる。半導体レーザ1はこのテス
トパターン信号S4に基づいて前述のように駆動され、
したがって光ビーム4が強度変調される。それにより感
光材料20上には、段階的に濃度が変化する例えば16
個のステップウェッジ(テストパターン)が写真潜像と
して記録される。この感光材料20は現像機22に送ら
れ、上記ステップウェッジが現像される。現像後この感
光材料20は濃度計23にセットされ、上記ステップウ
ェッジの各々の光学濃度が測定される。こうして測定さ
れた光学濃度は、各ステップウェッジと対応付けて濃度
値入力手段24に入力され、該濃度値入力手段24から
は各ステップウェッジの光学濃度を示す濃度信号S7が
出力される。この濃度信号S7はテーブル作成手段37
に入力され、該テーブル作成手段37はこの濃度信号S
7と前記テストパターン信号S4とに基づいて、所定の
画像信号S1の値によって所定の画像濃度が得られる階
調補正テーブルを作成する。
That is, the test pattern generation circuit 26 outputs a test pattern signal S4 carrying several levels (for example, 16 levels) of image density on the photosensitive material 20, and this signal S4 is input to the multiplexer 11. At this time, the multiplexer 11 is switched from the image recording state in which the image signal S1 is input to the correction table 40 as described above, and the test pattern signal S4 is input to the correction table 40.
The state is such that the input is made. The semiconductor laser 1 is driven as described above based on this test pattern signal S4,
The light beam 4 is therefore intensity modulated. As a result, the density changes stepwise on the photosensitive material 20, for example, 16
step wedges (test patterns) are recorded as photographic latent images. This photosensitive material 20 is sent to a developing machine 22, and the step wedge is developed. After development, the photosensitive material 20 is placed in a densitometer 23, and the optical density of each of the step wedges is measured. The optical densities thus measured are input to the density value input means 24 in association with each step wedge, and the density value input means 24 outputs a density signal S7 indicating the optical density of each step wedge. This concentration signal S7 is generated by the table creation means 37.
and the table creating means 37 receives this concentration signal S.
7 and the test pattern signal S4, a gradation correction table is created that allows a predetermined image density to be obtained with the value of the predetermined image signal S1.

この階調補正テーブルは前述のように16段階程度の画
像信号値をそれぞれ所定の画像濃度値に対応させるもの
である。この階調補正テーブルを示すデータ$8はデー
タ補間手段38に入力され、ここで補間処理がなされて
、1024段階(−10bit)の画像信号S1に対応
できる階調補正テーブルが得られる。この階調補正テー
ブルを示すデータS9に基づいて、前述の階調補正テー
ブル12が形成される。
As described above, this gradation correction table associates approximately 16 levels of image signal values with respective predetermined image density values. Data $8 indicating this gradation correction table is input to the data interpolation means 38, where interpolation processing is performed to obtain a gradation correction table that can correspond to the 1024-step (-10 bit) image signal S1. The aforementioned gradation correction table 12 is formed based on the data S9 indicating this gradation correction table.

画像信号S1に基づく画像記録時には、マルチプレクサ
11を介して階調補正テーブル12に入力された画像信
号S1が、この階調補正テーブル12によって信号81
’に変換され、次いで逆log変換テーブル13により
発光レベル指令信号S1”に変換される。
When recording an image based on the image signal S1, the image signal S1 input to the tone correction table 12 via the multiplexer 11 is converted into a signal 81 by the tone correction table 12.
', and then converted into a light emission level command signal S1'' by the inverse log conversion table 13.

次にV−P特性補正テーブル14について説明する。A
PC回路8において、帰還信号Vpdを加算点2にフィ
ードバックさせても、発光レベル指令信号と光ビーム4
の強度との関係を理想的なもの(第4図の実線表示の関
係)とすることは困難である。すなわちこの理想的な関
係を得るためには、APC回路8のループゲインを70
dB程度と極めて高く設定することが必要であるが、現
状ではこのような高いループゲインを実現することは極
めて難しい。V−P特性補正テーブル14は、上記の理
想的な関係を得るために設けられている。すなわち、発
光レベル指令信号Vrefと半導体レーザ1の光出力と
の理想的な関係を第5図にaで示す直線とし、実際の関
係を同じく第5図にbで示す曲線とすると、V−P特性
補正テーブル14は、発光レベル指令信号81″がその
ままD/A変換された場合の電圧値がVinであったと
仮定すると、この電圧値VinをVなる値に変換するよ
うに形成されている。つまり発光レベル指令信号■re
fの値がVinであったとすると、P′の光強度しか得
られないが、上記の変換がなされていれば、電圧値■i
nに対してPoの光強度が得られる。すなわち発光レベ
ル指令信号S1”に対応する電圧値■inと光出力Pf
との関係は、線形なものとなる。
Next, the VP characteristic correction table 14 will be explained. A
In the PC circuit 8, even if the feedback signal Vpd is fed back to the addition point 2, the light emission level command signal and the light beam 4
It is difficult to establish an ideal relationship between the intensity and the intensity (the relationship indicated by the solid line in FIG. 4). That is, in order to obtain this ideal relationship, the loop gain of the APC circuit 8 must be set to 70.
Although it is necessary to set the loop gain extremely high, on the order of dB, it is currently extremely difficult to achieve such a high loop gain. The V-P characteristic correction table 14 is provided to obtain the above-mentioned ideal relationship. That is, if the ideal relationship between the light emission level command signal Vref and the optical output of the semiconductor laser 1 is a straight line shown as a in FIG. 5, and the actual relationship is a curve shown as b in FIG. The characteristic correction table 14 is formed so as to convert the voltage value Vin into a value V, assuming that the voltage value when the light emission level command signal 81'' is directly D/A converted is Vin. In other words, the light emission level command signal ■re
If the value of f is Vin, only the light intensity of P' can be obtained, but if the above conversion is done, the voltage value ■i
The light intensity of Po is obtained for n. In other words, the voltage value ■in corresponding to the light emission level command signal S1'' and the optical output Pf
The relationship is linear.

このようになっていれば、画像信号S1を所定量変化さ
せることにより、感光材料20における濃度を等間隔で
制御できる。また第5図の特性曲線すは、前述したよう
に半導体レーザ1をそのLED領域とレーザ発振領域に
亘って駆動させた場合のものであり、このようにすれば
3衝程度の光出力ダイナミックレンジが確保されるから
、前述のように1024段階程度の高階調画像を、容易
にかつ高精度で記録できるようになる。
With this configuration, the density in the photosensitive material 20 can be controlled at equal intervals by changing the image signal S1 by a predetermined amount. The characteristic curve in FIG. 5 is obtained when the semiconductor laser 1 is driven across its LED region and laser oscillation region as described above. Since this is ensured, a high gradation image of about 1024 levels can be recorded easily and with high precision as described above.

以上述べたように、半導体レーザ1の駆動電流対光出力
特性が非線形であることに起因する発光レベル指令信号
対レーザ光出力特性の非線形性を、V−P特性補正テー
ブル14によって線形に補正すれば、電圧−電流変換ア
ンプ3、半導体レーザ1、フtトダイオード6、電流−
電圧変換アンプ7から加算点2に戻る系で構成されるA
PC回路8のループゲインには、上記非線形性を補正す
るのに必要なゲインを含まなくて済むようになる。すな
わちこのループゲインは、半導体レーザ1の動作中に生
じる過渡的温度変化、あるいは半導体レーザ1のケース
温度一定化制御の誤差による半導体レーザ1の駆動電流
対光出力特性からのズレを補正するため、さらにはアン
プ等のドリフトを補正するために必要なだけ確保されて
いればよい。具体的には、例えば画素クロック周波数が
IMHzで、半導体レーザ1が光出力3mWで作動して
いる状態において、上記ループゲインは30dB程度確
保されていれば十分である。この程度のループゲインは
、現在の技術水準で容易に確保可能である。
As described above, the nonlinearity of the light emission level command signal versus laser light output characteristic caused by the nonlinear drive current versus light output characteristic of the semiconductor laser 1 is linearly corrected by the V-P characteristic correction table 14. For example, voltage-current conversion amplifier 3, semiconductor laser 1, foot diode 6, current-
A consisting of a system returning from the voltage conversion amplifier 7 to the addition point 2
The loop gain of the PC circuit 8 no longer needs to include the gain necessary to correct the nonlinearity. That is, this loop gain is used to correct deviations from the drive current vs. optical output characteristics of the semiconductor laser 1 due to transient temperature changes that occur during the operation of the semiconductor laser 1 or errors in the case temperature constant control of the semiconductor laser 1. Furthermore, it is only necessary to secure as much as necessary to correct the drift of the amplifier, etc. Specifically, for example, when the pixel clock frequency is IMHz and the semiconductor laser 1 is operating with an optical output of 3 mW, it is sufficient that the loop gain is maintained at about 30 dB. This level of loop gain can be easily achieved with the current state of the art.

ここで上記V−P特性補正テーブル14の作成について
説明する。第1図の装置には、テーブル作成装置35が
適宜接続されうるようになっている。
Here, the creation of the VP characteristic correction table 14 will be explained. A table creation device 35 can be connected to the device shown in FIG. 1 as appropriate.

このテーブル作成装@35は、テスト信号発生回路27
、テーブル作成回路28およびメモリ29からなる。
This table creation device @35 includes the test signal generation circuit 27
, a table creation circuit 28 and a memory 29.

V−P特性補正テーブル14を作成する際には、上記テ
スト信号発生回路27からレベル可変のデジタルテスト
信号S10が出力され、マルチプレクサ15に入力され
る。この際該マルチプレクサ15は、前述のように発光
レベル指令信号S5をD/A変換器16に送る画像記録
時の状態から切り換えて、テスト信号$10をD/A変
換器16に送る状態とされる。またテーブル作成回路2
8は、APC回路8の電流−電圧変換アンプ7が出力す
る帰還信号Vpdが入力されるように接続される。テス
ト信号810は、段階的にレベルが増大あるいは減小す
るように出力される。そしてこのときテーブル作成回路
28は、内蔵するレベル可変信号発生器から、まず最低
の光出力に対応する基準信号を発生させ、該基準信号と
帰還信号Vpdとを比較する。この基準信号は、第5図
における電圧値■inを有するものである。そしてテー
ブル作成回路28は、これら両信号が一致したときのテ
スト信号810の値をラッチする。このラッチされたテ
スト信号310が示す電圧値は、第5図における電圧値
■に相当するものであるから、上記電圧値■inとVと
の関係が分かる。テーブル作成回路28は上記基準信号
の値を1024通りに変えて、それぞれの場合の電圧値
Vinと■との関係を求める。それにより、先に述べた
ように1024段階の電圧値Vinを■に変換する補正
テーブルが作成される。こうして作成された補正テーブ
ルはメモリ29に−たん記憶された後、V−P特性補正
テーブル14として設定される。
When creating the V-P characteristic correction table 14, a level-variable digital test signal S10 is output from the test signal generation circuit 27 and input to the multiplexer 15. At this time, the multiplexer 15 is switched from the image recording state in which it sends the light emission level command signal S5 to the D/A converter 16 as described above, to the state in which it sends the test signal $10 to the D/A converter 16. Ru. Also table creation circuit 2
8 is connected so that the feedback signal Vpd output from the current-voltage conversion amplifier 7 of the APC circuit 8 is input. The test signal 810 is output so that the level increases or decreases in steps. At this time, the table creation circuit 28 first generates a reference signal corresponding to the lowest optical output from the built-in variable level signal generator, and compares the reference signal with the feedback signal Vpd. This reference signal has a voltage value ■in in FIG. Then, the table creation circuit 28 latches the value of the test signal 810 when these two signals match. Since the voltage value indicated by this latched test signal 310 corresponds to the voltage value ■ in FIG. 5, the relationship between the voltage value ■in and V can be seen. The table creation circuit 28 changes the value of the reference signal in 1024 ways and finds the relationship between the voltage value Vin and ■ in each case. As a result, as described above, a correction table is created that converts the voltage value Vin of 1024 steps into ■. The correction table created in this way is temporarily stored in the memory 29 and then set as the VP characteristic correction table 14.

こうしてV−P特性補正テーブル14を作成した後、テ
ーブル作成装置35はAPC回路8から切り離される。
After creating the VP characteristic correction table 14 in this manner, the table creation device 35 is disconnected from the APC circuit 8.

次にAPC回路8のループゲインを一定に設定する点に
ついて説明する。前記ゲイン調節手段50および52は
、例えばトリマー抵抗からなるアッテネータであり、こ
れらのゲイン調節手段50.52を調整することにより
、APC回路8のループゲインが変えられる。本実施例
においては特に、フォトダイオード6の感度バラツキが
ゲイン調節手段52によって解消されるようになってい
る。この感度調整に際しては、発光レベル指令信号V 
refの代わりに、レベル可変のテスト信号V tes
が入力される。このテスト信号V tesは、例えば前
記テスト信号発生回路27を利用する等して入力される
Next, the point of setting the loop gain of the APC circuit 8 to be constant will be explained. The gain adjustment means 50 and 52 are attenuators made of trimmer resistors, for example, and by adjusting these gain adjustment means 50 and 52, the loop gain of the APC circuit 8 can be changed. In this embodiment, in particular, variations in sensitivity of the photodiode 6 are eliminated by the gain adjustment means 52. When adjusting this sensitivity, the light emission level command signal V
Instead of ref, a variable level test signal V tes
is input. This test signal V tes is input using, for example, the test signal generation circuit 27 .

このとき、光ビーム4の強度を例えば光パワーメータ等
で測定し、所定の光強度P tesが得られるようにテ
スト信号y tesの値を設定する。そしてゲイン調節
手段52から出力される帰還信号Vpdをモニタしなが
ら、該信号Vl)dと上記光強度p tesが所定の関
係となるようにゲイン調節手段52を調整する。こうす
ることにより、フォトダイオード6の感度バラツキが補
償される。
At this time, the intensity of the light beam 4 is measured using, for example, an optical power meter, and the value of the test signal y tes is set so that a predetermined light intensity P tes is obtained. Then, while monitoring the feedback signal Vpd output from the gain adjustment means 52, the gain adjustment means 52 is adjusted so that the signal Vl)d and the light intensity p tes have a predetermined relationship. By doing this, variations in sensitivity of the photodiode 6 are compensated for.

上記の調整を行なった後、ゲイン調節手段50によりA
PC回路8のループゲインを所定値に設定する調整を行
なう。この調整に際しては所定の発光レベル指令信号V
 refを加算点2に入力し、該加算点2からの出力す
なわち偏差信号Veをモニタする。APC回路8のルー
プゲインをGoとすると、 Ve = ’J ref / (1+Go )となるか
ら、上式を満足する偏差信号Veが得られるようにゲイ
ン調節手段50を調整する。また発光レベル指令信号y
rerとしてステップ入力を与え、そのオーバーシュー
ト量および行き過ぎ時間などを観察することにより調整
することもできる。
After performing the above adjustment, the gain adjustment means 50
Adjustment is performed to set the loop gain of the PC circuit 8 to a predetermined value. When making this adjustment, a predetermined light emission level command signal V
ref is input to addition point 2, and the output from addition point 2, that is, the deviation signal Ve, is monitored. If the loop gain of the APC circuit 8 is Go, then Ve = 'J ref / (1+Go), so the gain adjustment means 50 is adjusted so that the deviation signal Ve that satisfies the above equation is obtained. Also, the light emission level command signal y
Adjustment can also be made by giving a step input as rer and observing the overshoot amount and overshoot time.

なお上記ループゲインの調整は、半導体レーザ1の微分
量子効率が高いレーザ発振領域において行なわなくては
ならない。
Note that the loop gain adjustment described above must be performed in a laser oscillation region where the semiconductor laser 1 has a high differential quantum efficiency.

上記ループゲインをさらに正確に所定値に合せ込むには
、前述のフォトダイオード6の感度バラツキ補償を行な
った後、ゲイン調節手段52と加算点2との間でAPC
回路8のループを開き、発光レベル指令信号V ref
に正弦波を重畳させて、帰還信号Vpdに表われる正弦
波の振幅と上記正弦波の振幅とを比較し、それらの比が
所望のループゲインと等しくなるようにゲイン調節手段
50を調整してもよい。
In order to more accurately adjust the loop gain to a predetermined value, after compensating for the sensitivity variation of the photodiode 6 described above, the APC
Opening the loop of circuit 8, the light emission level command signal V ref
A sine wave is superimposed on the feedback signal Vpd, and the amplitude of the sine wave appearing in the feedback signal Vpd is compared with the amplitude of the sine wave, and the gain adjustment means 50 is adjusted so that the ratio thereof becomes equal to the desired loop gain. Good too.

なお上記実施例においては、発光レベル指令信号81″
対光出力Pfの関係を線形にするV−P補正テーブル1
4が設けられているが、APC回路8のゲインを例えば
70dB程度と十分に大きく確保できれば、このAPC
回路8のみにより第4図の実線で示す理想的な関係が得
られるから、特に上記のようなV−P補正テーブル14
を設ける必要はない。
In the above embodiment, the light emission level command signal 81''
V-P correction table 1 that makes the relationship of optical output Pf linear
4 is provided, but if the gain of the APC circuit 8 can be secured to be sufficiently large, for example, about 70 dB, this APC
Since the ideal relationship shown by the solid line in FIG. 4 can be obtained only by the circuit 8, especially the V-P correction table 14 as described above
There is no need to provide

また、光ビーム4を走査させるビーム走査系には、入射
光強度射光透過率特性が非線形な光学素子、例えば偏光
フィルタや干渉フィルタ、あるいは開口制限板等が設け
られることがあるが、このような場合にはV−P補正テ
ーブル14を、上記非線形性も補償するように形成する
のが好ましい。
In addition, the beam scanning system that scans the light beam 4 may be provided with an optical element whose incident light intensity/output light transmittance characteristic is nonlinear, such as a polarizing filter, an interference filter, or an aperture limiting plate. In this case, it is preferable to form the VP correction table 14 so as to also compensate for the above-mentioned nonlinearity.

また上記実施例においては、2つのゲイン調節手段50
.52が設けられているが、本発明のレーザ記録装置に
おいては、1つあるいは3つ以上のゲイン調節手段が設
けられてもよい。
Further, in the above embodiment, two gain adjustment means 50
.. 52, however, the laser recording apparatus of the present invention may be provided with one or three or more gain adjustment means.

(発明の効果) 以上詳細に説明した通り本発明のレーザ記録装置におい
ては、APC回路のループゲインを所望値に揃えること
ができるから、発光レベル指令信号対半導体レーザ光出
力の関係を個体差無く一定に設定して、光量制御を精度
良く行なえるようになり、またAPC回路のループゲイ
ンが設計値よりも高くなり過ぎて該回路が発振を起こす
ことも防止できる。さらに、APC回路のループゲイン
が各レーザ記録装置間で揃っていれば、半導体レーザの
発光応答性が各レーザ記録装置間で一定に揃うようにな
り、したがって記録画像の鮮鋭度を好ましい一定値に合
わせることが可能となり、レーザ記録装置の商品価値を
高めることが可能となる。
(Effects of the Invention) As explained in detail above, in the laser recording device of the present invention, the loop gain of the APC circuit can be adjusted to a desired value, so the relationship between the light emission level command signal and the semiconductor laser light output can be maintained without individual differences. By setting it constant, it is possible to control the amount of light with high precision, and it is also possible to prevent the loop gain of the APC circuit from becoming too high than the designed value and causing the circuit to oscillate. Furthermore, if the loop gain of the APC circuit is the same between each laser recording device, the light emission response of the semiconductor laser will be uniform among the laser recording devices, and therefore the sharpness of the recorded image will be maintained at a desirable constant value. This makes it possible to increase the commercial value of the laser recording device.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of the drawing]

第1図は本発明の一実施例によるレーザ記録装置を示す
概略図、 第2図は半導体レーザの駆動電流対光出力特性を示すグ
ラフ、 第3図は半導体レーザ光出力安定化回路の一例を示すブ
ロック図、 第4図は発光レベル指令信号と半導体レーザ光出力との
関係を示すグラフ、 第5図は上記実施例装置におけるV−P特性補正テーブ
ルの作用を説明するグラフである。 1・・・半導体レーザ   2・・・加算点3・・・電
圧−電流変換アンプ 4.5・・・光ビーム   6・・・フォトダイオード
7・・・電流−電圧変換アンプ 8・・・APC回路    10・・・画像信号発生器
14・・・V−P特性補正テーブル 16・・・D/A変換器   17・・・コリメータレ
ンズ18・・・光偏向器     19・・・集束レン
ズ20・・・感光材料     35・・・テーブル作
成装置50.52・・・ゲイン調節手段 Sl・・・画
像信号S5、V ref・・・発光レベル指令信号Vp
d・・・帰還信号    ■e・・・偏差信号第2図 第4図 第5図 第3図
Fig. 1 is a schematic diagram showing a laser recording device according to an embodiment of the present invention, Fig. 2 is a graph showing the driving current versus optical output characteristics of a semiconductor laser, and Fig. 3 is an example of a semiconductor laser optical output stabilizing circuit. FIG. 4 is a graph showing the relationship between the light emission level command signal and the semiconductor laser light output, and FIG. 5 is a graph explaining the effect of the V-P characteristic correction table in the apparatus of the above embodiment. 1... Semiconductor laser 2... Summing point 3... Voltage-current conversion amplifier 4.5... Light beam 6... Photodiode 7... Current-voltage conversion amplifier 8... APC circuit 10... Image signal generator 14... V-P characteristic correction table 16... D/A converter 17... Collimator lens 18... Light deflector 19... Converging lens 20... Photosensitive material 35...Table creation device 50.52...Gain adjustment means Sl...Image signal S5, V ref...Emission level command signal Vp
d...Feedback signal ■e...Difference signal Figure 2 Figure 4 Figure 5 Figure 3

Claims (1)

【特許請求の範囲】 光ビームを発する半導体レーザと、 前記光ビームを感光材料上に走査させるビーム走査系と
、 画像信号に対応した発光レベル指令信号を生成し、該信
号に基づいて前記半導体レーザの駆動電流を制御して前
記光ビームの強度を変調するレーザ動作制御回路とを有
するレーザ記録装置において、 前記レーザ動作制御回路が、前記光ビームの強度を検出
し、この検出された光強度に対応する帰還信号を前記発
光レベル指令信号にフィードバックさせる光出力安定化
回路を有し、 この光出力安定化回路内にゲイン調節手段が設けられて
いることを特徴とするレーザ記録装置。
[Scope of Claims] A semiconductor laser that emits a light beam; a beam scanning system that scans the light beam onto a photosensitive material; and a beam scanning system that generates a light emission level command signal corresponding to an image signal and controls the semiconductor laser based on the signal. and a laser operation control circuit that modulates the intensity of the light beam by controlling a drive current of the laser, the laser operation control circuit detects the intensity of the light beam and modulates the intensity of the light beam. What is claimed is: 1. A laser recording apparatus comprising: a light output stabilizing circuit that feeds back a corresponding feedback signal to the light emission level command signal; and a gain adjusting means is provided within the light output stabilizing circuit.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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JPS57136382A (en) * 1981-02-17 1982-08-23 Ricoh Co Ltd Output stabilising method of semiconductor laser
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