JPS63215551A - Electric resistor and manufacture - Google Patents

Electric resistor and manufacture

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JPS63215551A
JPS63215551A JP62045613A JP4561387A JPS63215551A JP S63215551 A JPS63215551 A JP S63215551A JP 62045613 A JP62045613 A JP 62045613A JP 4561387 A JP4561387 A JP 4561387A JP S63215551 A JPS63215551 A JP S63215551A
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resistor
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niobium
molybdate
tantalum
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JP62045613A
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敏光 本多
山田 忠彦
鬼形 和治
正一 登坂
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Taiyo Yuden Co Ltd
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Taiyo Yuden Co Ltd
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
(57) [Summary] This bulletin contains application data before electronic filing, so abstract data is not recorded.

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は、固定チップ抵抗器あるいは回路配線基板等に
設けられる厚膜タイプの電気抵抗体、特に非酸化性雰囲
気中で焼成して得られることが可能な電気抵抗体及びそ
の製造方法に関する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION Field of Industrial Application The present invention relates to a thick film type electrical resistor provided on a fixed chip resistor or a circuit wiring board, etc., and particularly to a thick film type electrical resistor that can be obtained by firing in a non-oxidizing atmosphere. This invention relates to a possible electrical resistor and its manufacturing method.

従来の技術 電子機器の電気回路は、抵抗、コンデンサ、ダイオード
、トランジスタ等の各種電気素子が回路基板に実装され
て構成されることが良く行なわれているが、電子機器の
小型化に伴ってこれらの電気素子の実装密度をさらに高
めることができる回路基板が多く用いられるようになっ
てきた。
Conventional technology The electrical circuits of electronic devices are often constructed by mounting various electrical elements such as resistors, capacitors, diodes, and transistors on circuit boards, but as electronic devices become smaller, these Circuit boards that can further increase the packaging density of electrical elements have come into widespread use.

これらの回路基板に設けられる抵抗体には、抵抗体材料
ペーストを回路上に直接印刷して焼付けることにより形
成した厚膜抵抗体、あるいは角板状セラミックチップの
両端に一対の電極を形成し、双方の電極に跨がるように
前記厚膜抵抗体を形成した固定チップ抵抗器等がある。
The resistors installed on these circuit boards are either thick film resistors formed by printing and baking resistor material paste directly onto the circuit, or a pair of electrodes formed at both ends of a square plate-shaped ceramic chip. There are also fixed chip resistors in which the thick film resistor is formed so as to span both electrodes.

このような厚膜抵抗体を回路基板に設けるには、従来、
例えば1500℃前後で焼成して得られたアルミナ基板
の表面にAgあるいはag−Pd等の導体材料ペースト
を塗布し、焼付けした後、例えばRuO□を抵抗体材料
として含有するペーストをスクリーン印刷等により塗布
し、ついで750〜850℃で焼付け、さらに必要に応
じてトリミング等により抵抗値の調整を行なうやり方が
一般的である。
Conventionally, in order to provide such a thick film resistor on a circuit board,
For example, a conductive material paste such as Ag or ag-Pd is coated on the surface of an alumina substrate obtained by firing at around 1500°C, and after baking, a paste containing RuO□ as a resistor material is applied by screen printing, etc. A common method is to apply the film, then bake it at 750 to 850°C, and then adjust the resistance value by trimming or the like if necessary.

しかしながら近年、電子機器等に対する軽薄・短小化、
低コスト化の要求がさらに強まってきており、回路基板
に対しても一層の小型化、低コスト化の検討が行われる
ようになってきた。
However, in recent years, electronic devices have become lighter, thinner, and smaller.
The demand for lower costs has become even stronger, and efforts are being made to further reduce the size and cost of circuit boards.

前者の小型化のための具体的な対応としては、第1に回
路基板の多層化、第2に抵抗体の内装化が行なわれてい
る。回路基板を多層化する例としては、AgあるいはA
g−Pd系等の導体材料ペーストを印刷したセラミック
グリーンシート(生シート)を積層、圧着した後、大気
中800〜1100℃で同時焼成して得られる多層配線
基板が挙げられ、また、抵抗体を内装化した例としては
、前記導体材料ペーストを印刷したセラミックグリーン
シート上にさらにRuO□系抵抗系材抗体材料ペースト
し、前記と同様に積層、圧着した後、同時焼成して得ら
れる抵抗体内装多層配線基板等が知られている。
As concrete measures to reduce the size of the former, firstly, the circuit board is multilayered, and secondly, the resistor is built inside. Examples of multilayer circuit boards include Ag or A.
Examples include multilayer wiring boards obtained by laminating and crimping ceramic green sheets (green sheets) printed with conductor material paste such as g-Pd, and then simultaneously firing them in the atmosphere at 800 to 1100°C; As an example of internalization, a RuO□ resistance material antibody material paste is further applied on a ceramic green sheet printed with the conductor material paste, laminated and crimped in the same manner as above, and then co-fired to create a resistor body. Multilayer wiring boards and the like are known.

また、後者の低コスト化のための具体的な対応としては
、AgあるいはAg−Pd系材料のような高価な貴金属
系の導体材料に代わって、安価なNiあるいはCu等の
卑金属系の導体材料を用い、これらを窒素ガスあるいは
水素を含む窒素ガス中等、その酸化による高抵抗化を避
けることができるような中性あるいは還元性の非酸化性
雰囲気中、800〜1100℃でグリーンセラミックと
同時焼成して得られる多層配線基板が実用化されている
。また、特開昭56−153702号公報に記載されて
いるように、Mo5iz−TaSiz及びガラスからな
る抵抗体材料を、銅(Cu)導体を有するアルミナ基板
上に塗布し、熱処理して得られる厚膜抵抗体等も知られ
ている。
In addition, as a specific measure to reduce the cost of the latter, in place of expensive noble metal conductor materials such as Ag or Ag-Pd materials, inexpensive base metal conductor materials such as Ni or Cu can be used. These are co-fired with green ceramics at 800-1100℃ in a neutral or reducing non-oxidizing atmosphere such as nitrogen gas or nitrogen gas containing hydrogen, which can avoid high resistance due to oxidation. Multilayer wiring boards obtained by this method have been put into practical use. Furthermore, as described in Japanese Patent Application Laid-Open No. 153702/1982, a resistor material made of Mo5iz-TaSiz and glass is coated on an alumina substrate having a copper (Cu) conductor, and the thickness obtained by heat treatment is Film resistors and the like are also known.

発明が解決しようとする問題点 しかしながら、回路基板の小型化と低コスト化を同時に
行なうようにすると、Ru01系抵抗体材料は窒素ガス
あ゛るいは水素を含む窒素ガス雰囲気中でグリーンセラ
ミックと同時焼成したときに還元反応が起こり、抵抗値
が低くなって抵抗体としての特性を示さなくなる。
Problems to be Solved by the Invention However, in order to reduce the size and cost of circuit boards at the same time, Ru01-based resistor materials cannot be used simultaneously with green ceramics in nitrogen gas or nitrogen gas atmospheres containing hydrogen. When fired, a reduction reaction occurs, resulting in a low resistance value and no longer exhibiting properties as a resistor.

また、MO5iz−TaSig及びガラスからなる抵抗
体材料を非酸化性雰囲気中でグリーンセラミックシート
と同時焼成すると、両者の膨張率、収縮率の相違による
ずれにより焼成体に反りが生じたり、MoSig−Ta
Sitの分解反応によりガスが発生して焼成体にふくれ
が生じ易いと云う問題点がある。これを改善するために
、特開昭60−198703号公報に記載されているよ
うに、Mo5iz−弗化金属塩(例えば弗化カルシウム
)及びガラスよりなる抵抗体材料を用いる例か知られて
おり、これについては上記のような焼成時の反りやふく
れは見られない。
Furthermore, when a resistor material made of MO5iz-TaSig and glass is co-fired with a green ceramic sheet in a non-oxidizing atmosphere, the fired body may warp due to the difference in expansion and contraction rates between the two, and the MoSig-TaSig
There is a problem that gas is generated due to the decomposition reaction of Sit, which tends to cause blisters in the fired product. In order to improve this, it is known that a resistor material made of Mo5iz-metal fluoride (e.g. calcium fluoride) and glass is used, as described in JP-A-60-198703. , No warping or blistering during firing as mentioned above was observed.

しかしながら、このMo5iz−弗化金属及びガラスよ
りなる抵抗体材料をグリーンセラミックシートに塗布し
、同時焼成して得られた厚膜抵抗体は、95%相対湿度
中に1000時間放置すると、5〜10%の抵抗値の増
加が見られ、抵抗体としての所定の機能を果たすことが
できない。
However, when the thick film resistor obtained by coating this Mo5iz-metal fluoride and glass resistor material on a green ceramic sheet and co-firing it, the resistance of 5 to 10 % increase in resistance value is observed, and the prescribed function as a resistor cannot be performed.

また、上記の従来の電気抵抗体は、その抵抗値の温度変
化係数が1000 ppm/ ’Cよりは小さくならず
、精密な動作を必要とする回路の抵抗体素子としては問
題があった。
Further, the above-mentioned conventional electric resistor has a temperature change coefficient of resistance value not smaller than 1000 ppm/'C, which is problematic as a resistor element for a circuit that requires precise operation.

そこで、本願と同日の他の出願で、固定チップ抵抗器ニ
使用できるのみならず卑金属導体を用いた回路基板に設
けて積層し、これを焼成して多層基板に内装化しても抵
抗値の安定な電気抵抗体を得られることを示した。
Therefore, in another application filed on the same day as the present application, fixed chip resistors can not only be used, but also be provided on a circuit board using base metal conductors, laminated, baked, and incorporated into a multilayer board to maintain a stable resistance value. It was shown that it is possible to obtain an electrical resistor.

しかしながら、この電気抵抗体の抵抗値の温度変化係数
をさらに小さくすることが望まれていた。
However, it has been desired to further reduce the temperature change coefficient of the resistance value of this electrical resistor.

本発明の目的は、固定チップ抵抗器あるいは一般の回路
基板等に使用できるのみならず、卑金属導体材料ととも
に積層し、多層基板に内装化することのできる電気抵抗
体であって、その抵抗の温度変化係数を小さくすること
のできる電気抵抗体を提供することにある。
An object of the present invention is to provide an electrical resistor that can not only be used in fixed chip resistors or general circuit boards, but also can be laminated with base metal conductor materials and incorporated into multilayer boards, and which The object of the present invention is to provide an electrical resistor that can reduce the coefficient of change.

また、本発明の他の目的は、上記電気抵抗体の特性を向
上させることのできる製造法を提供することにある。
Another object of the present invention is to provide a manufacturing method that can improve the characteristics of the electrical resistor.

問題点を解決するための手段 本発明は、上記問題点を解決するために、ニオブ及び/
又はタンタルのモリブデン酸塩と、アルカリ土類金属の
弗化物を含有する焼成体を有することを特徴とする電気
抵抗体を提供するものである。
Means for Solving the Problems The present invention solves the above problems by using niobium and/or
Alternatively, the present invention provides an electrical resistor characterized by having a fired body containing tantalum molybdate and an alkaline earth metal fluoride.

また、本発明は、主成分にニオブ及び/又はタンタルの
モリブデン酸塩及びその前駆体の内の少なくとも一種と
、アルカリ土類金属の弗化物を主成分に含有する抵抗体
材料を熱処理し、この熱処理して得られた抵抗体材料を
用いて焼成し、ニオブ及び/又はタンタルのモリブデン
酸塩及びアルカリ土類金属の弗化物を含有する焼成体か
らなる電気抵抗体を得ることを特徴とする電気抵抗体の
製造方法を提供するものである。
Further, the present invention heat-treats a resistor material containing as a main component at least one of molybdate of niobium and/or tantalum and its precursor, and a fluoride of an alkaline earth metal as a main component. An electric resistor comprising firing a resistor material obtained by heat treatment to obtain an electric resistor comprising a fired body containing niobium and/or tantalum molybdate and alkaline earth metal fluoride. A method for manufacturing a resistor is provided.

次に本発明の詳細な説明する。Next, the present invention will be explained in detail.

本発明におけるニオブ及び/又はタンタルのモリブデン
酸塩には、例えばNbJozO+4、TaJozOt4
等の単独物質あるいはこれらの混合物が例示される。ま
たこれらの金属の複数からなるモリブデン酸塩も使用で
き、例えば (Nbz Tay )MOsO+a 、但しx +y 
=2等が例示され、これらは単独あるいは複数、さらに
は前記の各単独物質、混合物質と混合して用いられる。
In the present invention, molybdates of niobium and/or tantalum include, for example, NbJozO+4, TaJozOt4
Examples include single substances such as these or mixtures thereof. Molybdates consisting of a plurality of these metals can also be used, for example (Nbz Tay )MOsO+a, where x +y
=2, etc., and these can be used alone or in combination with a plurality of substances, or in combination with each of the above-mentioned individual substances or mixed substances.

このようなニオブ及び/又はタンタルのそりブデン酸塩
は、それぞれの金属の酸化物と酸化モリブデン(MOO
3)の熱処理によって合成することができるが、その前
駆体を用いて熱処理することにより合成することもでき
る。
Such niobium and/or tantalum sibdates are composed of oxides of the respective metals and molybdenum oxide (MOO
Although it can be synthesized by heat treatment in 3), it can also be synthesized by heat treatment using its precursor.

本発明においてはバインダーを用いることが好ましく、
これにはガラスが挙げられが、このガラスとしては一角
に知られているガラスが用いられ、特定の組成のガラス
に限定されるものではないが、Pb3O4、Bi2O2
% 5nOz、CdOのような酸化物は、これらを含む
抵抗体材料を非酸化性雰囲気中で焼成するときに還元さ
れて金属化することがあり、この金属は抵抗値を変化さ
せるので、このようなことが起こることが好ましくない
場合にはこれらの酸化物を含有しないことが好ましい。
In the present invention, it is preferable to use a binder,
Examples of this include glass, and the glass used is one that is well known, and is not limited to glasses with specific compositions, such as Pb3O4, Bi2O2
% 5nOz, CdO can be reduced and metallized when resistor materials containing them are fired in a non-oxidizing atmosphere, and this metal changes the resistance value. It is preferable not to contain these oxides in cases where it is undesirable for such occurrence to occur.

ガラス成分としては、Sing、th03、ZnO、C
aO1SrO5zrO2などが好ましく、これらの酸化
物の組成比は、 5i(h 12〜33  重量% Bt0320〜35  重量% ZnO又はSrO13〜33  重量%CaOlO〜2
5  重量% Zr0t 15〜45  重量% が好ましい。
Glass components include Sing, th03, ZnO, C
aO1SrO5zrO2 etc. are preferable, and the composition ratio of these oxides is as follows: 5i (h 12-33 wt% Bt0320-35 wt% ZnO or SrO13-33 wt% CaOlO-2
5% by weight Zr0t 15-45% by weight is preferred.

これら酸化物の組成物からガラスを製造するには、前記
組成比になるようにそれぞれの酸化物を秤量し、混合す
る。この混合物を坩堝に入れ、1200〜1500℃の
温度にて溶融した後、溶融液を例えば水中に投入し、急
冷させ、ガラス粗粉を得る。
In order to manufacture glass from a composition of these oxides, the respective oxides are weighed and mixed to achieve the above composition ratio. This mixture is placed in a crucible and melted at a temperature of 1200 to 1500°C, and then the melt is poured into water, for example, and rapidly cooled to obtain coarse glass powder.

この粗粉を例えばボールミル、振動ミルなどの粉砕手段
を用いて所望の粒度(例えば10μm以下)になるまで
粉砕すると、ガラス粉末が得られる。
Glass powder is obtained by pulverizing this coarse powder to a desired particle size (for example, 10 μm or less) using a pulverizing means such as a ball mill or a vibration mill.

前記は純粋の酸化物を混合して用いたが、これに限らず
結果的に各酸化物の混合物からなるガラスになれば良く
、各酸化物の前駆体をその一部又は全部に用い、これを
溶融してガラスにしても良い。例えばCaO(酸化カル
シウム)はCaC01(炭酸カルシウム) 、BzOi
(酸化硼素)はホウ酸(HJOs)の熱処理により得ら
れるので、CaO、BzOiの一部又はその全部の代わ
りにそれぞれCaCO3、HtB(hを用いることがで
きる。その他の成分の酸化物についても同様である。
In the above, a mixture of pure oxides was used, but the glass is not limited to this, as long as the result is a mixture of each oxide. It may be melted to make glass. For example, CaO (calcium oxide) is CaC01 (calcium carbonate), BzOi
(Boron oxide) is obtained by heat treatment of boric acid (HJOs), so CaCO3 and HtB (h) can be used in place of part or all of CaO and BzOi, respectively.The same applies to oxides of other components. It is.

また、本発明において用いられるアルカリ土類金属の弗
化物は、Meを金属としたときMeF zの一般式で表
され、Meとしてアルカリ土類金属、すなわちMg、 
Ca、 Srs Baを用い、これらの各金属塩の一種
又は二種以上を混合して用いることが好ましい。
In addition, the alkaline earth metal fluoride used in the present invention is represented by the general formula MeFz when Me is a metal, and Me is an alkaline earth metal, that is, Mg,
It is preferable to use Ca, Srs Ba, and use one or more of these metal salts in combination.

しかし、これらアルカリ土類金属の弗化物に限らず、他
の金属の弗化物も使用できる。
However, not only these alkaline earth metal fluorides but also other metal fluorides can be used.

上記のようにして得られるニオブ及び/又はタンタルの
モリブデン酸塩、ガラス粉末及びアルカリ土類金属等の
弗化物は混合され、そのまま抵抗体材料として用いても
良いが、これを熱処理して粉砕したものを抵抗体材料と
することがこれを焼成して得た抵抗体の抵抗温度特性の
上で好ましい。
The niobium and/or tantalum molybdates, glass powder, and alkaline earth metal fluorides obtained as described above may be mixed and used as a resistor material as is, but they may be heat-treated and pulverized. It is preferable to use this material as a resistor material in view of the resistance temperature characteristics of a resistor obtained by firing it.

この熱処理温度としては、800℃〜1200℃が好ま
しく、これより外れると抵抗体材料を電気抵抗体に加工
する各工程の作業条件等による組成比の微妙な変動に対
し、出来上がった抵抗体の抵抗値が影響を受は易(、所
望の抵抗値を安定して得ることが難しい、この熱処理は
非酸化性雰囲気が望ましく、窒素ガスその信子活性ガス
のみならず、これらに水素ガスを含有させた混合ガスを
用いることが好ましい。
The temperature for this heat treatment is preferably 800°C to 1200°C, and if the temperature is outside this range, the resistance of the finished resistor will increase due to subtle fluctuations in the composition ratio caused by the working conditions of each step of processing the resistor material into an electrical resistor. It is difficult to stably obtain the desired resistance value, so it is desirable to use a non-oxidizing atmosphere for this heat treatment. Preferably, a mixed gas is used.

抵抗体材料の各成分の組成比は、ニオブ及び/又はタン
タルのモリブデン酸塩50〜95重量%、ガラス粉末4
.5〜49.5重量%、アルカリ土類金属の弗化物0.
5〜25重量%が好ましい。この範囲よりニオブ及び/
又はタンタルのモリブデン酸塩が少な過ぎ、ガラスが多
過ぎると、焼成して出来上がった電気抵抗体の抵抗値が
高くなり過ぎ好ましくない場合があり、また、逆にニオ
ブ及び/又はタンタルのモリブデン酸塩が多過ぎ、ガラ
スが少な過ぎると焼成時の焼結性が悪くなり回路基板に
安定に保持できないことがある。しかし、抵抗体を回路
基板を積層して埋め込むような場合にはニオブ及び/又
はタンタルのモリブデン酸塩及びアルカリ土類金属の弗
化物が上記範囲より多く、100%でも良い。また、ア
ルカリ土類金属の弗化物は0.5重量%より少な過ぎて
も、25重量%より多過ぎても出来上がった電気抵抗体
の温度変化係数が±500 ppn+/”Cより大きく
なり、好ましくない場合がある。しかし、この範囲以外
のものも抵抗の温度変化係数の改善が見られる範囲で使
用できる。
The composition ratio of each component of the resistor material is 50 to 95% by weight of niobium and/or tantalum molybdate, 4% by weight of glass powder, and 4% by weight of glass powder.
.. 5-49.5% by weight, alkaline earth metal fluoride 0.
5 to 25% by weight is preferred. Niobium and/or
Alternatively, if the amount of molybdate of tantalum is too small and the amount of glass is too large, the resistance value of the electrical resistor obtained by firing may become too high, which is undesirable. If the amount of glass is too large and the amount of glass is too small, the sinterability during firing may deteriorate and it may not be possible to stably hold it on the circuit board. However, when the resistor is embedded in a laminated circuit board, the amount of niobium and/or tantalum molybdate and alkaline earth metal fluoride may be greater than the above range, and may be 100%. Furthermore, even if the alkaline earth metal fluoride is less than 0.5% by weight or more than 25% by weight, the temperature change coefficient of the finished electrical resistor will be greater than ±500 ppn+/''C, which is preferable. However, materials outside this range can also be used as long as the temperature change coefficient of resistance is improved.

このようにして得られた抵抗体材料粉末から固定チップ
抵抗器あるいは厚膜抵抗体のための抵抗体を作成するに
は、例えばセラミックグリーンシートにこれらの抵抗体
材料粉末を塗布し、焼成するが、この塗布を行うために
例えばシルクスクリーン印刷ができるようにこれら抵抗
体材料粉末にビヒクルが混合され塗液が調整される。こ
のビヒクルは、焼成の前段階で焼失できるようなものが
好ましく、このためには有機物ビヒクル、すなわち有機
溶剤に樹脂を溶解又は分散させ、必要に応じて可塑剤、
分散剤等の各種添加剤を加えたものが好ましい、この有
機溶剤にはプチルカービトールアセテート、プチルカー
ビトール、テレピン油などが挙げられ、樹脂としてはエ
チルセルローズ、ニトロセルローズ等のセルローズ誘導
体、その他の樹脂が挙げられる。
To create a resistor for a fixed chip resistor or a thick film resistor from the resistor material powder obtained in this way, for example, the resistor material powder is applied to a ceramic green sheet and fired. In order to carry out this coating, a vehicle is mixed with these resistor material powders to prepare a coating liquid so that, for example, silk screen printing can be performed. This vehicle is preferably one that can be burned out in the pre-firing stage, and for this purpose, the resin is dissolved or dispersed in an organic vehicle, that is, an organic solvent, and if necessary, a plasticizer,
It is preferable to add various additives such as a dispersant. Examples of the organic solvent include butyl carbitol acetate, butyl carbitol, turpentine oil, etc., and examples of the resin include cellulose derivatives such as ethyl cellulose and nitrocellulose, and other organic solvents. Examples include resin.

この有機物ビヒクルと抵抗体材料粉末との使用割合は使
用する有機溶剤、樹脂等により変わるが、有機溶剤と樹
脂との使用割合は前者が20〜50重量%、後者が80
〜50重量%が適当である。これらの成分は例えば三本
ロールミル、らいかい器などの混合手段を用いてペース
ト状にされる。
The usage ratio of this organic vehicle and the resistor material powder varies depending on the organic solvent, resin, etc. used, but the usage ratio of the organic solvent and resin is 20 to 50% by weight for the former and 80% for the latter.
~50% by weight is suitable. These components are made into a paste using a mixing means such as a three-roll mill or a sieve.

このようにして得られた抵抗体材料ペーストが基板に塗
布され、さらに後述の処理を施されて抵抗体が作成され
るが、この基板にはセラミックグリーンシートを導体材
料や抵抗体材料とともに焼成して作成するもののみなら
ず、予めセラミックグリーンシートを焼成し、これにさ
らに抵抗体材料、導体材料を塗布した後焼成する方法で
も良い。
The resistor material paste obtained in this way is applied to a substrate and further processed as described below to create a resistor.This substrate is coated with a ceramic green sheet that is fired together with conductor material and resistor material. In addition to the method in which a ceramic green sheet is fired in advance, a resistor material and a conductor material are further applied thereto, and then fired.

これらは積層体を形成する場合にも適用できる。These can also be applied when forming a laminate.

前記セラミックグリーンシートとしては、例えば酸化ア
ルミニウム(a i zOi)35〜45重量%、酸化
珪素(S10□)25〜35重量%、酸化硼素(B2(
h) 10〜15重量%、酸化カルシウム(Cab) 
7〜13重量%、酸化マグネシウム(MgQ) 7〜1
0重量%等のセラミック構成成分の酸化物混合物を有機
物ビヒクルとボールミル等で混合したスラリーをドクタ
ーブレード等によりシート化したものが挙げられる。こ
の際、ニオブ及び/又はタンタルのモリブデン酸塩にガ
ラスを併用しないときは、前記セラミックグリーンシー
トにガラス分を多く含ませガラスを併用したと同様の効
果を出すようにしても良い。前記有機物ビヒクルには、
アクリル酸エステル等のアクリル樹脂、ポリビニルブチ
ラール等の樹脂、グリセリン、フタル酸ジエチル等の可
塑剤、カルボン酸塩等の分散剤、水、有機溶剤等の溶剤
から構成される。
The ceramic green sheets include, for example, 35 to 45% by weight of aluminum oxide (AizOi), 25 to 35% by weight of silicon oxide (S10□), and boron oxide (B2(
h) 10-15% by weight, calcium oxide (Cab)
7-13% by weight, magnesium oxide (MgQ) 7-1
For example, a slurry prepared by mixing 0% by weight of an oxide mixture of ceramic constituents with an organic vehicle using a ball mill or the like may be formed into a sheet using a doctor blade or the like. At this time, when glass is not used in combination with niobium and/or tantalum molybdate, the ceramic green sheet may contain a large amount of glass to produce the same effect as when glass is used in combination. The organic vehicle includes:
It is composed of acrylic resins such as acrylic esters, resins such as polyvinyl butyral, plasticizers such as glycerin and diethyl phthalate, dispersants such as carboxylic acid salts, and solvents such as water and organic solvents.

上記抵抗体材料ペーストはセラミックグリーンシートに
例えばシルクスクリーン印刷等の手段により塗布され、
乾燥後、400〜500℃で熱処理されて樹脂成分が分
解・燃焼されるのが好ましい。
The resistor material paste is applied to a ceramic green sheet by means such as silk screen printing,
After drying, it is preferable that the resin component is decomposed and burned by heat treatment at 400 to 500°C.

この際、同時にNtあるいはCu等の卑金属導体材料あ
るいはAg又はAg−Pdの貴金属導体材料のペースト
も抵抗体材料ペースト塗膜と同様にセラミックグリーン
シートに塗布され、抵抗体材料ペーストの塗布物と同様
に処理される。
At this time, a paste of a base metal conductor material such as Nt or Cu or a noble metal conductor material such as Ag or Ag-Pd is also applied to the ceramic green sheet in the same way as the resistor material paste coating film, and the paste is also applied to the ceramic green sheet in the same manner as the resistor material paste coating. will be processed.

このNtあるいはCu等の卑金属導体材料あるいはAg
又はAg−Pdの貴金属導体材料のペースト組成物とし
ては、各々の金属粉末98〜85重量%にガラスフリフ
トを2〜15重量%加えたものが例示される。
This base metal conductor material such as Nt or Cu or Ag
Alternatively, a paste composition of Ag-Pd noble metal conductor material is exemplified by adding 2 to 15 weight % of glass flift to 98 to 85 weight % of each metal powder.

このようにしてセラミックグリーンシートに抵 −抗体
材料及び/又は導体材料が組み込まれるが、固定チップ
抵抗器の場合にはこの未焼成基板の表面のみ、多層基板
の厚膜抵抗体の場合には前記抵抗体材料、導体材料を未
焼成状態で組み込んだものをさらに積層して所定の回路
を構成するようにしてから焼成する。この焼成により導
体材料及び/又は厚膜抵抗体材料を基板と同時に焼成体
にすることができる。
In this way, the resistor material and/or conductor material is incorporated into the ceramic green sheet, but in the case of a fixed chip resistor, only the surface of this unfired substrate is incorporated, and in the case of a thick film resistor of a multilayer substrate, the above-mentioned material is incorporated into the ceramic green sheet. A resistor material and a conductor material incorporated in an unfired state are further laminated to form a predetermined circuit, and then fired. By this firing, the conductor material and/or the thick film resistor material can be made into a fired body at the same time as the substrate.

この場合、NiあるいはCu等の卑金属導体材料が導体
材料に用いられるときは、その酸化による高抵抗値化を
防止するために、非酸化性雰囲気中で焼成することが好
ましく、その焼成温度は、例えば800℃〜1100℃
、0.5時間〜2時間が例示される。非酸化性雰囲気と
しては、窒素ガスその他事活性ガス、これらに水素ガス
を含有させた混合ガスも用いられる。また、Ag又はA
g−Pdの貴金属導体材料を用いるときは空気等の酸化
性雰囲気中で焼成することもできる。
In this case, when a base metal conductor material such as Ni or Cu is used as the conductor material, it is preferable to sinter it in a non-oxidizing atmosphere in order to prevent the resistance value from increasing due to oxidation, and the sintering temperature is as follows: For example, 800℃~1100℃
, 0.5 hours to 2 hours. As the non-oxidizing atmosphere, nitrogen gas and other active gases, as well as mixed gases containing these gases and hydrogen gas, can be used. Also, Ag or A
When g-Pd noble metal conductor material is used, it can also be fired in an oxidizing atmosphere such as air.

前記のようにして導体及び/又は抵抗体を組み込んだ回
路配線基板が出来上がるが、焼成基板と導体の間は勿論
のこと、焼成基板と抵抗体との間にも焼成に伴ってクラ
ックや歪、ふくれを生じることがないとともに、抵抗体
は高湿度雰囲気中に1000時間以上放置されてもその
抵抗値が±2%以内の変化に抑制され、その高い信頼性
を確保することができるとともに、抵抗値の温度変化係
数も例えば±500ppm/ ”c以下にすることがで
きる。これは抵抗体が導体及び焼成基板と良くマツチン
グするためと、ニオブ及び/又はタンタルのモリブデン
酸塩及びアルリ土類金属の弗化物とガラスの焼成体から
なる抵抗体の独特の耐湿性に基づくものと考えられるが
詳細は明らかでない、なお、X線回折分析により前記抵
抗体中にニオブ及び/又はタンタルのモリブデン酸塩と
アルカリ土類金属の弗化物を認めることができる。
A circuit wiring board incorporating a conductor and/or a resistor is completed as described above, but cracks, distortions, and distortions may occur not only between the fired board and the conductor but also between the fired board and the resistor due to firing. In addition to not causing blistering, the resistance value of the resistor is suppressed to change within ±2% even if it is left in a high humidity atmosphere for more than 1000 hours, ensuring high reliability. The temperature change coefficient of the value can also be set to less than ±500 ppm/''c, for example. This is because the resistor matches well with the conductor and the fired substrate, and because of the resistance of niobium and/or tantalum molybdates and alkaline earth metals. This is thought to be due to the unique moisture resistance of the resistor, which is made of a fired body of fluoride and glass, but the details are not clear. Alkaline earth metal fluorides can be recognized.

本発明においては、上記の如くニオブ及び/又はタンタ
ルのモリブデン酸塩を用いても良いが、このニオブ及び
/又はタンタルのモリブデン酸塩の代わりに熱処理によ
りニオブ及び/又はタンタルのモリブデン酸塩となる前
駆体を一部又は全部用いることもできる。これらのいず
れの場合もガラスと混合して熱処理したものを粉砕し、
抵抗体材料とすることが好ましいが、この熱処理を行わ
す゛上述の有機物ビヒクル等と混合して作成したペース
トを例えばグリーンセラミックシートに塗布してから、
有機物除去の加熱処理を経て焼成し、直接抵抗体を作成
することもできる。
In the present invention, a molybdate of niobium and/or tantalum may be used as described above, but instead of this molybdate of niobium and/or tantalum, it becomes a molybdate of niobium and/or tantalum by heat treatment. It is also possible to use some or all of the precursors. In both of these cases, the mixture is mixed with glass and heat treated, then crushed.
Although it is preferable to use the material as a resistor material, this heat treatment is performed by applying a paste prepared by mixing it with the above-mentioned organic vehicle etc. to a green ceramic sheet, for example.
It is also possible to directly create a resistor by firing after heat treatment to remove organic matter.

また、ガラスはこれを構成する酸化物の混合材料がニオ
ブ及び/又はタンタルのモリブデン酸塩及びアルカリ土
類金属の弗化物とともに結果的に焼成される状態におか
れれば良く、これらの酸化物の前駆体をニオブ及び/又
はタンタルのモリブデン酸塩及び/又はその前駆体、ア
ルカリ土類金属の弗化物とともにこの酸化物の一部又は
全部を上述したようにペースト状態にし、これを基板に
塗布して有機物の燃焼、その後の焼成のいずれの過程で
上記のガラス成分からなるガラスになり、これとニオブ
及び/又はタンタルのモリブデン酸塩及び/又はその前
駆体と、アルカリ土類金属の弗化物と焼成されことによ
り抵抗体を作製できるものであれば良い。例えば、ガラ
スの材料の成分であるCaO(酸化カルシウム)はCa
C0z (炭酸カルシウム)の加熱、BzOs(酸化硼
素)はホウ酸(HJ(h)の加熱から得られるので、C
aO、B2O3の一部又は全部の代わりにそれぞれCa
C0= 、HzB(hを用いることができる。本発明に
おける抵抗体材料とはその処理の過程で結果的にニオブ
及び/又はタンタルのモリブデン酸塩とガラスとアルカ
リ土類金属の弗化物を主成分にするものであれば良い。
In addition, the glass may be placed in a state where the mixed material of oxides constituting it is fired together with niobium and/or tantalum molybdate and alkaline earth metal fluoride, and these oxides A precursor of niobium and/or tantalum molybdate and/or its precursor, a part or all of this oxide together with a fluoride of an alkaline earth metal are made into a paste state as described above, and this is applied to a substrate. In the process of burning organic matter and subsequent calcination, it becomes a glass consisting of the above glass components, and this, niobium and/or tantalum molybdate and/or its precursor, and alkaline earth metal fluoride. Any material may be used as long as it can be fired to produce a resistor. For example, CaO (calcium oxide), which is a component of glass material, is Ca
Heating C0z (calcium carbonate), BzOs (boron oxide) is obtained from heating boric acid (HJ(h), so C
Ca in place of part or all of aO, B2O3, respectively
C0=, HzB (h can be used.The resistor material in the present invention is mainly composed of molybdate of niobium and/or tantalum, glass, and fluoride of alkaline earth metal as a result of the treatment process. It's fine as long as it's something you can do.

実施例 次に本発明の詳細な説明する。Example Next, the present invention will be explained in detail.

実施例1 酸化物に換算して表1に示される組成になるように各成
分を秤量し、混合した。
Example 1 Each component was weighed and mixed to have the composition shown in Table 1 in terms of oxide.

表1 表中、単位は重量%。Table 1 In the table, the unit is weight%.

ガラスA1ガラスBのそれぞれの混合物を各別にアルミ
ナ坩堝中で1400℃で溶融し、その溶融液を水中に投
入し、急冷させた。この急冷物を取り出してエタノール
とともにボットミルの中に入れ、アルミナボールで24
時間粉砕し、粒径10μm以下のガラス粉末を得た。
Each mixture of glass A and glass B was individually melted in an alumina crucible at 1400° C., and the melt was poured into water and rapidly cooled. Take out this quenched material, put it in a bot mill with ethanol, and use an alumina ball for 24 hours.
The glass powder was pulverized for a period of time to obtain a glass powder with a particle size of 10 μm or less.

また、酸化モリブデンとニオブの酸化物からニオブのモ
リブデン酸塩を得た。
Niobium molybdate was also obtained from molybdenum oxide and niobium oxide.

次に、前記で得たガラスA、ガラスBのそれぞれのガラ
ス粉末と前記で得たニオブのモリブデン酸塩及びアルカ
リ土類金属の弗化物を表2に示す割合になるように秤量
し、混合した。
Next, the glass powders of Glass A and Glass B obtained above, the niobium molybdate and alkaline earth metal fluoride obtained above were weighed and mixed in the proportions shown in Table 2. .

(この頁以下余白) 害2Cニオブのモリプデfiと弗化物を併用する場合>
m表 2(つづき) 前記各試料を窒素(Nz) 98.5 vo1%、水素
(H2)1.5 vo1%のガス雰囲気中、1000℃
、1時間熱処理し、しかる後にエタノールとともにポッ
トミルにて粉砕し、乾燥して10μl以下のガラスとモ
リブデン酸塩と弗化物の熱処理粉末の抵抗体材料粉末を
得た。
(Margins below this page) When using 2C niobium molypde fi and fluoride together>
Table 2 (Continued) Each sample was heated at 1000°C in a gas atmosphere containing 98.5 vol% nitrogen (Nz) and 1.5 vol% hydrogen (H2).
The resultant was heat-treated for 1 hour, then ground with ethanol in a pot mill, and dried to obtain resistor material powder of less than 10 μl of heat-treated powder of glass, molybdate, and fluoride.

次に各試料の抵抗体材料粉末100重量部に有機物ビヒ
クル(プチルカービトール90重量部、エチルセルロー
ズ10重量部)25重量部を加え、ロールミルで混合し
、抵抗体材料ペーストを得た。
Next, 25 parts by weight of an organic vehicle (90 parts by weight of butyl carbitol, 10 parts by weight of ethyl cellulose) were added to 100 parts by weight of the resistor material powder of each sample and mixed in a roll mill to obtain a resistor material paste.

一方、A l tax 40.0重量%、SiO□35
.0重量%、n2oz13.0重量%、Ca07.0重
量%、MgO5,0重量%からなるセラミック原料粉末
100重量部にボリビニルブチラール8重量部、フタル
酸ジエチル8重量部、オレイン酸0.5重量部、アセト
ン10重量部、イソプロピルアルコール20重量部及び
メチルエチルケトン20重量部を加えてボールミルによ
り混合してスラリーを作製し、脱泡処理した後にドクタ
ーブレード法により厚さ200 pmの長尺のセラミッ
クグリーンシートを作製した。このセラミックグリーン
シートから縦9鰭横9mのグリーンシート片と、縦6龍
横9鶴のグリーンシート片とを切り抜いた。
On the other hand, Al tax 40.0% by weight, SiO□35
.. To 100 parts by weight of ceramic raw powder consisting of 0% by weight, 13.0% by weight of n2oz, 07.0% by weight of Ca, and 5.0% by weight of MgO, 8 parts by weight of borivinyl butyral, 8 parts by weight of diethyl phthalate, and 0.5 parts by weight of oleic acid. 10 parts by weight of acetone, 20 parts by weight of isopropyl alcohol, and 20 parts by weight of methyl ethyl ketone were added and mixed in a ball mill to prepare a slurry. After defoaming treatment, a long ceramic green sheet with a thickness of 200 pm was prepared using a doctor blade method. was created. A green sheet piece with a length of 9 fins and a width of 9 m, and a green sheet piece with a length of 6 dragons and a width of 9 cranes were cut out from this ceramic green sheet.

次に第1図に示す如く、前記の縦9關横9flのグリー
ンシート片1上に銅粉・未95重量部、ガラスフリフト
5重量部に、有機物ビヒクルとしてブチルカルピトール
20重量部、エチルセルロース5重量部を加え、これら
を三本ロールミルにより混合した導体材料ペーストをシ
ルクスクリーン印刷し、125℃、10分間乾燥させて
厚膜導体材料塗膜2を形成した0次いで、前記で得た抵
抗体材料ペーストを前記グリーンシート片1に前記と同
様にシルクスクリーン印刷し、125℃、10分間乾燥
させて抵抗体材料塗膜3を形成した。
Next, as shown in FIG. 1, 95 parts by weight of copper powder, 5 parts by weight of glass lift, 20 parts by weight of butyl calpitol as an organic vehicle, and ethyl cellulose were placed on the above-mentioned green sheet piece 1 measuring 9 vertical by 9 fl. 5 parts by weight were added, and the conductive material paste was mixed using a three-roll mill, and the conductive material paste was silk screen printed and dried at 125° C. for 10 minutes to form a thick conductive material coating 2.Next, the resistor obtained above was The material paste was silk screen printed on the green sheet piece 1 in the same manner as described above and dried at 125° C. for 10 minutes to form a resistor material coating film 3.

次にグリーンシート片1上に前記で得た縦6鶴横9鰭の
グリーンシート片4を図示鎖線で示すように重ね、10
0℃、150Kg/ criで熱圧着する0次いで、こ
れを大気等の酸化性雰囲気中、400〜500℃で加熱
してグリーンシート片1.4、導体材料塗膜2、抵抗体
材料塗膜3のそれぞれの残留有機物を分解・燃焼させる
Next, on top of the green sheet piece 1, the green sheet piece 4 having 6 cranes vertically and 9 fins horizontally obtained above is stacked as shown by the chain line in the figure.
The green sheet pieces 1.4, the conductor material coating 2, and the resistor material coating 3 are then heated at 400 to 500℃ in an oxidizing atmosphere such as air to form green sheet pieces 1.4, conductor material coating 2, and resistor material coating 3. Decompose and burn each residual organic matter.

このようにして有機物を除去した後、Nt 98.5v
o1%、Hz 1.5 vo1%の混合ガス中で、95
0℃、1時間焼成し、第2図に示すようにグリーンシー
ト片1の焼成体の磁器層1a、グリーンシート片4の焼
成体の磁器層4aの間に導体材料塗膜2の焼成体の厚膜
導体2a、抵抗体材料塗膜3の焼成体の厚膜抵抗体3a
を有する多層セラミック基板を完成させた。この多層基
板には、後述する第3図、第4図に示されるような反り
、ふくれは見られなかった。
After removing organic matter in this way, Nt 98.5v
o1%, Hz 1.5 vo1% mixed gas, 95
After firing at 0° C. for 1 hour, as shown in FIG. Thick film conductor 2a, thick film resistor 3a of fired body of resistor material coating 3
We have completed a multilayer ceramic substrate with In this multilayer substrate, no warpage or bulges as shown in FIGS. 3 and 4, which will be described later, were observed.

このようにして得られた焼成体く試料No1)の多層セ
ラミック基板を層方向に研磨して抵抗体層を露出させ、
この露出した抵抗体層をに線回折(CuKα線)により
分析し、得られた結果を第5図に示す、これにより供試
体中のモリブデン酸塩の種類及び弗化物の種類を確認す
ることができた。
The multilayer ceramic substrate of fired sample No. 1) thus obtained was polished in the layer direction to expose the resistor layer,
This exposed resistor layer was analyzed by line diffraction (CuKα radiation), and the obtained results are shown in Figure 5. From this, it was possible to confirm the type of molybdate and the type of fluoride in the specimen. did it.

次にこの多層セラミック基板3aの25℃における抵抗
値(R□)と、125℃に加熱したときの抵抗値(R,
□、)をデジタルマルチメータで測定し、抵抗の温度係
数<TCR)を次式により求めた。
Next, the resistance value (R□) of this multilayer ceramic substrate 3a at 25°C and the resistance value (R,
□, ) was measured with a digital multimeter, and the temperature coefficient of resistance <TCR) was determined by the following formula.

2に示した。Shown in 2.

また、上記で得られた多層セラミック基板を60℃、9
5%相対湿度のもとに1000時間放置した後の25℃
の抵抗値を測定し、その変化率を求めた結果を表2に示
す。
In addition, the multilayer ceramic substrate obtained above was heated at 60°C for 9
25℃ after 1000 hours under 5% relative humidity
Table 2 shows the results of measuring the resistance value and calculating the rate of change.

なお、各試料磁の試料からアルカリ土類金属の弗化物を
除いた試料を用いて作られた電気抵抗体のそれぞれにつ
いて上記と同様に測定し、求めた結果を表2の試料隘に
対応させてそれぞれ表3に示す。
In addition, each electrical resistor made using a sample from which the alkaline earth metal fluoride was removed was measured in the same manner as above, and the obtained results were compared to the sample size in Table 2. are shown in Table 3.

実施例2 実施例1において、ニオブのモリブデン酸塩の代わりに
タンタルのモリブデン酸塩を用いた以外は同様にして表
4に示す抵抗体材料から多層セラミック基板を作製し、
実施例1と同様にRlS、TCP 、抵抗値変化率を求
めこれらを表4に示す。
Example 2 A multilayer ceramic substrate was produced from the resistor materials shown in Table 4 in the same manner as in Example 1 except that tantalum molybdate was used instead of niobium molybdate.
As in Example 1, RlS, TCP, and resistance change rate were determined and are shown in Table 4.

なお、上記と同様にアルカリ土類金属の弗化物を除いた
抵抗体材料を用いて多層セラミック基板を作製し、上記
と同様に測定した測定値、計算値を上記と同様に試料N
Oを対応させて表5に示す。
Note that a multilayer ceramic substrate was fabricated using a resistor material excluding the alkaline earth metal fluoride in the same manner as above, and the measured values and calculated values were measured in the same manner as above for sample N.
Table 5 shows the correspondence of O.

実施例3 実施例1において、ニオブのモリブデン酸塩の代わりに
ニオブのモリブデン酸塩、タンタルのモリブデン酸塩の
混合物を用いた以外は同様にして表6に示す抵抗体材料
から多層セラミック基板を作製し、実施例1と同様にR
□、TCR5抵抗値変化率を求めこれらを表6に示す。
Example 3 A multilayer ceramic substrate was produced from the resistor materials shown in Table 6 in the same manner as in Example 1, except that a mixture of niobium molybdate and tantalum molybdate was used instead of niobium molybdate. However, as in Example 1, R
□, TCR5 resistance value change rate was determined and these are shown in Table 6.

なお、実施例3において、アルカリ土類金属の弗化物を
含まない表6の各試料に対応する抵抗体材料を用いた以
外は同様にして多層セラミック基板を作製し、実施例1
と同様にR2,、TCR、抵抗値変化率を求めこれらを
試料NOを対応させて表7に示す。
In addition, in Example 3, a multilayer ceramic substrate was produced in the same manner as in Example 1, except that the resistor material corresponding to each sample in Table 6, which does not contain alkaline earth metal fluoride, was used.
Similarly, R2, TCR, and resistance change rate were determined and shown in Table 7 in correspondence with the sample numbers.

実施例4 実施例1において、ニオブのモリブデン酸塩のニオブの
一部をタンタルで置換した表8に示すモリブデン酸塩を
使用した以外は同様にしてこの表8に示す抵抗体材料か
ら多層セラミック基板を作製し、実施例1と同様にR2
,、TCP 、抵抗値変化率を求めこれらを表8に示す
Example 4 A multilayer ceramic substrate was produced from the resistor materials shown in Table 8 in the same manner as in Example 1, except that a molybdate shown in Table 8 in which part of the niobium in the niobium molybdate was replaced with tantalum was used. was prepared and R2 was prepared in the same manner as in Example 1.
,,TCP, and the rate of change in resistance value were determined and shown in Table 8.

なお、実施例4においてアルカリ土類金属の弗化物を含
まない表8の各試料に対応する抵抗体材料を用いた以外
は同様にして多層セラミック基板を作製し、実施例1と
同様にRzs 、 TCR、抵抗値変化率番求めこれら
を試料NOを対応させて表9に示す。
In addition, in Example 4, a multilayer ceramic substrate was produced in the same manner as in Example 1, except that the resistor material corresponding to each sample in Table 8, which did not contain alkaline earth metal fluoride, was used, and as in Example 1, Rzs, The TCR and resistance value change rate numbers were determined and shown in Table 9 in correspondence with the sample numbers.

実施例5 実施例1において、モリブデン酸塩、アルカリ土類金属
の弗化物及びガラス粉末の混合物について窒素(Nz)
9B、5vo1%、水素(Ih) 1.5vo1%のガ
ス雰囲気中、1000℃、1時間の熱処理を行わなかっ
た以外は同様にして表13に示す抵抗体材料から多層セ
ラミック基板を作成し、実施例1と同様にRts 、T
CR、抵抗値変化率を求め表10に示す。
Example 5 In Example 1, nitrogen (Nz) for the mixture of molybdate, alkaline earth metal fluoride and glass powder
A multilayer ceramic substrate was prepared from the resistor materials shown in Table 13 in the same manner except that no heat treatment was performed at 1000°C for 1 hour in a gas atmosphere containing 9B, 5vo1%, and hydrogen (Ih) 1.5vo1%. Similar to Example 1, Rts, T
CR and resistance change rate were determined and shown in Table 10.

なお、図示省略したが、前記それぞれの実施例の焼成体
についてX線回折分析によりモリブデン酸塩の種類、弗
化物の種類を確認できる。
Although not shown, the type of molybdate and the type of fluoride can be confirmed by X-ray diffraction analysis of the fired bodies of each of the examples.

(この頁以下余白) 表3(ニオブのモリブデン酸塩に弗化物を併用しない場
合)(この頁以下余白) 表 4(タンタルのモリブデン酸塩と弗化物を併用する
場合)頓迦ζ■14(つづき) 表 5(タンタルのモリブデ肩に弗化物を併用しない場
合)表716の弗化物がない場合) 表 9(婁3の弗rE物がない場合) 値 事 〕 比較例1 (MoSi2−TaSizガラス系抵抗体材
料)MoSiz 16重量部、Ta5iz 9重量部の
混合物を空中1400℃で加熱し、その生成物をエタノ
ールとともにボットミル中アルミナボールで24時間粉
砕し、乾燥させて10μm以下の微粉末を得た。このよ
うにして得た微粉末25重量部に対し、BaOs Bz
O,、MgO、CaO、SiO□からなるガラスフリフ
ト75重量部と、有機物ビヒクル(ブチルカルピトール
20重量部、エチルセルロース5重量部)25重量部と
を加え、ロールミルで混合して抵抗体材料ペーストを得
た。
(Space below this page) Table 3 (When fluoride is not used in combination with niobium molybdate) (Space below this page) Table 4 (When fluoride is used in combination with tantalum molybdate) (Continued) Table 5 (When fluoride is not added to the molybdenum shoulder of tantalum) Table 9 (When there is no fluoride in Table 716) Table 9 (When there is no fluoride in Table 3) Comparative example 1 (MoSi2-TaSiz glass Resistor material) A mixture of 16 parts by weight of MoSiz and 9 parts by weight of Ta5iz was heated in the air at 1400°C, and the product was ground with ethanol in an alumina ball in a bot mill for 24 hours, and dried to obtain a fine powder of 10 μm or less. Ta. BaOs Bz
75 parts by weight of a glass lift consisting of O, MgO, CaO, and SiO□ and 25 parts by weight of an organic vehicle (20 parts by weight of butyl calpitol, 5 parts by weight of ethyl cellulose) are mixed in a roll mill to form a resistor material paste. I got it.

この抵抗体材料ペーストを用いた以外は実施例1と同様
にして多層セラミック基板を得た。
A multilayer ceramic substrate was obtained in the same manner as in Example 1 except that this resistor material paste was used.

その結果、セラミックグリーンシートに抵抗体材料塗膜
を形成し、これを加熱処理して有機物を除去した後に同
時焼成して得たものは、両者の焼成体に膨張率、収縮率
が異なることにより第3図に示すように反りが見られ、
また、Mo5iz 、TaSiの分解反応でSin、気
体が発生することにより第4図に示すようにふくれが生
じ、実用に供することができなかった。なお、llaは
上記磁器層1as 14aは上記磁器層4a、13aは
上記厚膜抵抗体3aにそれぞれ対応する磁器層、厚膜抵
抗体である。
As a result, the ceramic green sheet was coated with a resistor material coating, heat-treated to remove organic matter, and then fired simultaneously. As shown in Figure 3, warpage is observed,
In addition, the decomposition reaction of Mo5iz and TaSi generated Sin and gas, causing blistering as shown in FIG. 4, making it impossible to put it to practical use. Note that lla is the ceramic layer 1as, 14a is the ceramic layer 4a, and 13a is the ceramic layer and thick film resistor corresponding to the thick film resistor 3a, respectively.

比較例2(MoSiz−BaFzガラス系抵抗系材抗体
材料Siz 70重量部、8aFz 20重量部と、5
iOts Zn。
Comparative Example 2 (MoSiz-BaFz glass-based resistance material antibody material Siz 70 parts by weight, 8aFz 20 parts by weight,
iOts Zn.

ZrO,、Ca0z、A l t(hからなるガラスフ
リフト10重量部とをボールミルで混合し、得られた粉
末をアルゴン(Ar)ガス雰囲気中1200℃で熱処理
した後、これをエタノールとともにボットミル中アルミ
ナボールで24時間粉砕し、乾燥させて10μm以下の
微粉末を得た。
After mixing 10 parts by weight of a glass lift consisting of ZrO, Ca0z, Alt(h) in a ball mill and heat-treating the obtained powder at 1200°C in an argon (Ar) gas atmosphere, it was mixed with ethanol in a bot mill. It was ground with an alumina ball for 24 hours and dried to obtain a fine powder of 10 μm or less.

この抵抗体材料ペーストを用いた以外は実施例1と同様
にして多層セラミック基板を得た。
A multilayer ceramic substrate was obtained in the same manner as in Example 1 except that this resistor material paste was used.

この多層セラミック基板の厚膜抵抗体についても実施例
1と同様にして求めたRzs 、TCR及び抵抗値の変
化率を表11に示す。
Table 11 shows the Rzs, TCR, and rate of change in resistance value obtained for the thick film resistor of this multilayer ceramic substrate in the same manner as in Example 1.

表11 上記結果より、実施例の多層セラミック基板はいずれも
反り、ふくれがなく、抵抗値の変化率も±2%以内であ
り、さらにTCRも特に抵抗体材料を熱処理したものは
±500ppm/ ’Cであるのに対し、比較例1の多
層セラミック基板は反りが見られ、比較fH2の多層セ
ラミック基板は抵抗体の抵抗値の変化率が4倍も大きい
ことがわかる。
Table 11 From the above results, all of the multilayer ceramic substrates of the examples have no warping or blistering, and the rate of change in resistance value is within ±2%, and the TCR is ±500 ppm/' especially when the resistor material is heat-treated. In contrast, the multilayer ceramic substrate of Comparative Example 1 shows warpage, and the multilayer ceramic substrate of Comparative fH2 has a rate of change in the resistance value of the resistor that is four times larger.

発明の効果 本発明によれば、ニオブ及び/又はタンタルのモリブデ
ン酸塩及びアルカリ土類金属の弗化物を含有する電気抵
抗体を供給できるので、ニオブ及び/又はタンタルのモ
リブデン酸塩及びアルカリ土類金属の弗化物を主成分に
有する組成の抵抗体材料を用いて、例えば卑金属導体材
料とともに非酸化性雰囲気中でセラミックグリーンシー
トと同時に焼成することにより抵抗体を形成するように
すると、焼成により焼成体に反りやふくれが生じるよう
なことはなく、また、抵抗体の温度変化を小さくできる
のみならず、抵抗体の抵抗値の温度変化係数を例えば±
500 ppm/”C以下にすることができる。
Effects of the Invention According to the present invention, it is possible to supply an electrical resistor containing a molybdate of niobium and/or tantalum and a fluoride of an alkaline earth metal. If a resistor material having a composition containing metal fluoride as a main component is used, for example, to form a resistor by simultaneously firing a ceramic green sheet together with a base metal conductor material in a non-oxidizing atmosphere, the firing The body does not warp or bulge, and not only can the temperature change of the resistor be reduced, but the temperature change coefficient of the resistance value of the resistor can be reduced by, for example, ±
It can be reduced to 500 ppm/''C or less.

これにより、抵抗体を組み込んだ回路基板の小型化、コ
ストの低減の両方の要求を満たすことができるとともに
、精密な動作を必要とする電子機器に優れた電子部品を
提供することができる。
As a result, it is possible to meet the demands for both miniaturization and cost reduction of circuit boards incorporating resistors, and it is also possible to provide excellent electronic components for electronic devices that require precise operation.

また、ニオブ及び/又はタンタルのモリブデン酸塩及び
アルカリ土類金属の弗化物を熱処理すると、これを行わ
ないものに比べ、抵抗体の温度変化係数の絶対値を小さ
くでき、精密な動作を必要とする電気回路に優れた性能
を付加できる。
In addition, by heat treating niobium and/or tantalum molybdates and alkaline earth metal fluorides, the absolute value of the temperature change coefficient of the resistor can be reduced compared to those that are not treated, and precision operation is not required. It can add excellent performance to electrical circuits.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of the drawing]

第1図は本発明の電気抵抗体を製造するときの焼成前の
抵抗体材料塗膜と電極材料塗膜を基板に形成し、多層構
造にしようとする状態の一例を示す図、第2図はその焼
成体の断面図、第3図は従来の抵抗体材料を使用して多
層構造にしたときの焼成体の断面図、第4図はその焼成
体にガスが発生したときの説明図、第5図は本発明の一
実施例の電気抵抗体のX線回折図である。 図中、1.4はグリーンシート片、2は導体材料塗膜、
3は抵抗体材料塗膜、1a、4aは磁器層、2aは厚膜
導体、3aは厚膜抵抗体である。 昭和6Z年02月28日 第1図 第3図 第4図 第5図 X線回折図 20Gieg)
Fig. 1 is a diagram showing an example of a state in which a resistor material coating film and an electrode material coating film before firing are formed on a substrate to form a multilayer structure when manufacturing the electrical resistor of the present invention, and Fig. 2 is a cross-sectional view of the fired body, FIG. 3 is a cross-sectional view of the fired body formed into a multilayer structure using conventional resistor material, and FIG. 4 is an explanatory diagram when gas is generated in the fired body. FIG. 5 is an X-ray diffraction diagram of an electrical resistor according to an embodiment of the present invention. In the figure, 1.4 is a green sheet piece, 2 is a conductive material coating,
3 is a resistor material coating, 1a and 4a are ceramic layers, 2a is a thick film conductor, and 3a is a thick film resistor. February 28, 1932 Figure 1 Figure 3 Figure 4 Figure 5 X-ray diffraction diagram 20 Gieg)

Claims (5)

【特許請求の範囲】[Claims] (1)ニオブ及び/又はタンタルのモリブデン酸塩と、
アルカリ土類金属の弗化物を含有する焼成体を有するこ
とを特徴とする電気抵抗体。
(1) Niobium and/or tantalum molybdate;
An electrical resistor characterized by having a fired body containing an alkaline earth metal fluoride.
(2)焼成体はニオブ及び/又はタンタルのモリブデン
酸塩及びその前駆体の内の少なくとも一種と、アルカリ
土類金属の弗化物を主成分に含有する抵抗体材料から焼
成されることを特徴とする特許請求の範囲第1項記載の
電気抵抗体。
(2) The fired body is fired from a resistor material containing at least one of niobium and/or tantalum molybdate and its precursor, and an alkaline earth metal fluoride as a main component. An electrical resistor according to claim 1.
(3)抵抗体材料の主成分はニオブ及び/又はタンタル
のモリブデン酸塩及びその前駆体の内の少なくとも一種
を当該ニオブ及び/又はタンタルのモリブデン酸塩に換
算して50〜95重量%と、アルカリ土類金属の弗化物
0.5〜25重量%と、ガラス4.5〜49.5重量%
とからなることを特徴とする特許請求の範囲第2項記載
の電気抵抗体。
(3) The main component of the resistor material is 50 to 95% by weight of at least one of niobium and/or tantalum molybdate and its precursor in terms of the niobium and/or tantalum molybdate; 0.5-25% by weight of alkaline earth metal fluoride and 4.5-49.5% by weight of glass
An electrical resistor according to claim 2, characterized in that it consists of:
(4)主成分にニオブ及び/又はタンタルのモリブデン
酸塩及びその前駆体の内の少なくとも一種と、アルカリ
土類金属の弗化物を主成分に含有する抵抗体材料を熱処
理し、この熱処理して得られた抵抗体材料を用いて焼成
し、ニオブ及び/又はタンタルのモリブデン酸塩及びア
ルカリ土類金属の弗化物を含有する焼成体からなる電気
抵抗体を得ることを特徴とする電気抵抗体の製造方法。
(4) Heat-treating a resistor material containing at least one of molybdates of niobium and/or tantalum and their precursors as main components and fluorides of alkaline earth metals as main components; An electric resistor characterized in that the obtained resistor material is fired to obtain an electric resistor comprising a fired body containing niobium and/or tantalum molybdate and alkaline earth metal fluoride. Production method.
(5)熱処理前の抵抗体材料の主成分はニオブ及び/又
はタンタルのモリブデン酸塩及びその前駆体の内の少な
くとも一種を当該ニオブ及び/又はタンタルのモリブデ
ン酸塩に換算して50〜95重量%と、アルカリ土類金
属の弗化物0.5〜25重量%と、ガラス4.5〜49
.5重量%とからなることを特徴とする特許請求の範囲
第4項記載の電気抵抗体の製造方法。
(5) The main component of the resistor material before heat treatment is niobium and/or tantalum molybdate and at least one of its precursors, which weighs 50 to 95% in terms of the niobium and/or tantalum molybdate. %, alkaline earth metal fluoride 0.5-25% by weight, glass 4.5-49%
.. 5. The method of manufacturing an electrical resistor according to claim 4, wherein the content is 5% by weight.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH02210801A (en) * 1989-02-10 1990-08-22 Shoei Chem Ind Co Conductive composite powder and resistance composition using same

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