JPS63213927A - Exposure system - Google Patents

Exposure system

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JPS63213927A
JPS63213927A JP62046783A JP4678387A JPS63213927A JP S63213927 A JPS63213927 A JP S63213927A JP 62046783 A JP62046783 A JP 62046783A JP 4678387 A JP4678387 A JP 4678387A JP S63213927 A JPS63213927 A JP S63213927A
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JP
Japan
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light
laser
amount
light amount
diameter
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JP62046783A
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Japanese (ja)
Inventor
Ikuo Hikima
郁雄 引間
Akira Miyaji
章 宮地
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Nikon Corp
Original Assignee
Nikon Corp
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  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)

Abstract

PURPOSE:To enable stable exposure with appropriate quantity of light for a long time by increasing or reducing the diameter of a laser light beam by monitoring the variation of the quantity of laser light from the set quantity of light according to the detected output of the laser light. CONSTITUTION:When laser light is transmitted from an excimer laser equipment 10, the laser light is detected by a photodetector 100 provided behind a reflecting mirror 42 and the information of the light is sent to a quantity-of-light monitor 110. When the monitored quantity of light by the quantity of light monitor 110 is less than a set value, a controller 120 sends an instruction to reduce the diameter of a laser beam to a beam diameter increasing or reducing unit 20 and the diameter of the laser beam is reduced according to the instruction. When the diameter of the laser beam is reduced, the density of the quantity of light is increased. When the quantity of light by the quantity of light monitor 110 is more than the set value, the diameter of the laser beam is increased by the beam diameter increasing or reducing unit 20, so the quantity of light is reduced.

Description

【発明の詳細な説明】 [産業上の利用分野] 本発明は、例えば半導体集積回路の製造工程においてマ
スクパターンを半導体ウェハに焼き付ける場合に使用す
る露光装置にかかるものであり、特にその光源の改良に
関するものである。
Detailed Description of the Invention [Field of Industrial Application] The present invention relates to an exposure apparatus used, for example, when printing a mask pattern onto a semiconductor wafer in the manufacturing process of semiconductor integrated circuits, and particularly relates to an improvement of the light source thereof. It is related to.

[従来の技術] 半導体集積回路の製造工程の1つであるフォトリソグラ
フィ工程においては、露光装置を用いてフォトマスクの
回路パターンの半導体ウェハへの転写が行なわれる。近
年、半導体集積回路はますます高集積化が進み、露光装
置の微細パターン焼き付は精度に対しても高度なものが
要求されるようになっている。
[Prior Art] In a photolithography process, which is one of the manufacturing processes for semiconductor integrated circuits, a circuit pattern on a photomask is transferred onto a semiconductor wafer using an exposure device. 2. Description of the Related Art In recent years, semiconductor integrated circuits have become increasingly highly integrated, and exposure devices are now required to print fine patterns with high precision.

そこで最近では、マスクパターンを縮小して露光する縮
小投影型露光装置が用いられるようになった。この縮小
投影型露光装置においては、投影レンズの解像度Rはほ
ぼo、61λ/ N 、 Aで決定される。ここで、人
は露光光の波長、N、A、は開口数である。
Therefore, recently, a reduction projection type exposure apparatus that reduces a mask pattern and exposes it to light has come into use. In this reduction projection type exposure apparatus, the resolution R of the projection lens is approximately determined by o, 61λ/N,A. Here, N is the wavelength of the exposure light, and N and A are the numerical apertures.

従って、解像度Rを向上させるためには、露光波長λを
小さくするか、または開口数N、A、を大きくするれば
よいことになる。
Therefore, in order to improve the resolution R, it is sufficient to reduce the exposure wavelength λ or increase the numerical apertures N and A.

一方、焦点深度は、 FD=±(1/2)λ/ (N、A、) 2で表わされ
る。この焦点深度が深いほど、すなわちその値が大きい
ほど結像が容易になる。
On the other hand, the depth of focus is expressed as FD=±(1/2)λ/(N, A,) 2. The deeper the depth of focus, that is, the larger its value, the easier it is to form an image.

このため、仮に解像度を向上するために開口数NAを大
きくすると、焦点深度FDは浅くなり、結像が難しくな
る。従って、焦点深度を深く保ちながら解像度を向上す
るためには、短波長の光を光源として用いることにより
対処する必要がある。
For this reason, if the numerical aperture NA is increased in order to improve resolution, the depth of focus FD becomes shallow and imaging becomes difficult. Therefore, in order to improve resolution while maintaining a deep depth of focus, it is necessary to use short wavelength light as a light source.

かかる理由から、現在では、比較的波長の短いHg(水
銀)ランプのg線(波長436nm)あるいはi線(波
長365nm)等の紫外光が光源として一般に使用され
ている。また、最近は前記の紫外光に比較してさらに波
長が短く、しかも強度の非常に大きな紫外光を出力する
レーザ、特にエキシマレーザが光Z原として着目されて
いる。
For this reason, at present, ultraviolet light such as g-line (wavelength 436 nm) or i-line (wavelength 365 nm) from an Hg (mercury) lamp, which has a relatively short wavelength, is generally used as a light source. Recently, lasers, especially excimer lasers, which output ultraviolet light with a shorter wavelength and much higher intensity than the above-mentioned ultraviolet light, have been attracting attention as light Z sources.

[発明が解決しようとする問題点] エキシマレーザ装置は、ハロゲン及び希ガスとからなる
混合物のレーザ媒質に、放電によりエネルギーを与えて
やることによりレーザ発振するが、高電圧の放電によっ
て励起されるため、1パルスごとの出力を安定にするこ
とは原理的に難しい。
[Problems to be Solved by the Invention] Excimer laser devices emit laser light by applying energy to a laser medium of a mixture of halogen and rare gas through electric discharge, but the laser is excited by high voltage electric discharge. Therefore, it is theoretically difficult to stabilize the output for each pulse.

このため、一般にパワーロック機構(レーザの印加電圧
を制御する機構)か用いられるが、これを用いても±5
〜10%程度の光ユのばらつきか生じる。
For this reason, a power lock mechanism (a mechanism that controls the applied voltage of the laser) is generally used, but even with this, ±5
There is a variation in light intensity of about 10%.

一方、半導体ウェハ上では、必要露光量の誤差を±1%
以下に制御する必要がある。このため、適切な露光量を
確保するために、レーザ出力(光量)を調整しながら複
数ショットのパルスで露光を行って露光量を制御しなけ
ればならないが、かかる方法によっても十分な精度の光
量調整を行うことができないという問題点があった。
On the other hand, on semiconductor wafers, the error in the required exposure amount is ±1%.
It is necessary to control the following. Therefore, in order to ensure an appropriate amount of exposure, it is necessary to control the exposure amount by performing exposure with multiple shot pulses while adjusting the laser output (light amount), but even with this method, it is not possible to obtain a sufficient amount of light with sufficient precision. There was a problem in that adjustments could not be made.

また、エキシマレーザ装置は、長時間使用すると、ガス
の劣化等によりレーザ出力が低下する。
Further, when an excimer laser device is used for a long time, the laser output decreases due to gas deterioration or the like.

通常、使用ガスがXeC1の場合はレーザ発振を107
シヨツト程度、Kr Fの場合は106シヨツト程度行
うと、その出力が50%程度に低下する。このため長時
間安定した露光を行うことができないという問題点があ
った。
Normally, when the gas used is XeC1, the laser oscillation is
After about 106 shots in the case of KrF, the output drops to about 50%. For this reason, there was a problem in that stable exposure could not be performed for a long period of time.

本発明は、かかる問題点を解決するためになされたもの
で、エキシマレーザ等出力の安定しないレーザ光源を用
いた場合でも、適切な光量でかつ長時間にわたり安定し
た露光が可能な露光装置を得ることを目的とするもので
ある。
The present invention has been made to solve these problems, and provides an exposure apparatus that can perform stable exposure over a long period of time with an appropriate amount of light even when using a laser light source with unstable output such as an excimer laser. The purpose is to

[問題点を解決するための手段] 本発明は、レーザ光源から出力されたレーザ光の光を検
出する光検出手段と;該手段の検出出力に基づいて、あ
らかじめ定められた設定光量値に対するレーザ光光量の
変動をモニターする光量モニター手段と;前記レーザ光
源から出力されるレーザ光のビーム径の拡大、縮小を行
うことによって該レーザ光の光量変更を行う光量変更手
段し 、 9力・!:JjL3エ − カ − キrル
小 エ − h −王士 1)J呼 ましン(いて、前
記レーザ光光量が前記設定光量値となるように、前記゛
光量変更手段のビーム径を制御する制御手段とを備えた
ことを技術的要点とするものである。
[Means for Solving the Problems] The present invention includes a light detection means for detecting laser light output from a laser light source; a light amount monitoring means for monitoring fluctuations in the amount of light; a light amount changing means for changing the amount of laser light by expanding or contracting the beam diameter of the laser light output from the laser light source; 1) Control the beam diameter of the light amount changing means so that the laser light amount becomes the set light amount value. The technical point is that the system is equipped with a control means.

[作用] 本発明においては、まず、光検出手段によってレーザ光
が検出され、その変動が光量モニター手段によってモニ
ターされる。
[Operation] In the present invention, first, the laser beam is detected by the photodetecting means, and its fluctuation is monitored by the light amount monitoring means.

このモニターは、例えば複数ショットの光量平均値をと
ることによって行われる。
This monitoring is performed, for example, by taking the average value of the light amount of a plurality of shots.

モニター結果は、制御手段に送られる。制御手段では、
かかるモニター結果と設定値とを比較して、光量変更手
段に制御指令を行う。
The monitoring results are sent to the control means. In the control means,
The monitor results are compared with the set value, and a control command is issued to the light amount changing means.

光量変更手段は、かかる制御指令に基づいて、入射レー
ザ光のビーム径を拡大又は縮小し、レーザ光の光量が前
記設定値となるように光量変更する。
The light amount changing means expands or reduces the beam diameter of the incident laser light based on the control command, and changes the light amount so that the light amount of the laser light becomes the set value.

[実施例] 以下、添付図面を参照しながら、本発明の一実施例につ
いて説明する。
[Example] Hereinafter, an example of the present invention will be described with reference to the accompanying drawings.

ます、第1図を参照しながら本実施例の構成について説
明する。図において、10はエキシマレーザ装置、20
はビーム径拡大・縮小部である。このビーム径拡大・縮
小部20は、エキシマレーザ装置10から発振出力され
たレーザ光のビーム径を拡大または縮小するもので、例
えば第2図に示すズームエキスパンダーによって構成さ
れている。
First, the configuration of this embodiment will be explained with reference to FIG. In the figure, 10 is an excimer laser device, 20
is the beam diameter expansion/reduction part. The beam diameter enlarging/reducing section 20 enlarges or reduces the beam diameter of the laser beam oscillated and output from the excimer laser device 10, and is constituted by, for example, a zoom expander shown in FIG. 2.

次に、30はビームの広がりを適当径に制限するアパー
チャー、40及び41は反射ミラー、42は光の一部が
透通ずる例えば透過率の低いビームスプリッタ等からな
る反射ミラーである。
Next, 30 is an aperture that limits the spread of the beam to an appropriate diameter, 40 and 41 are reflecting mirrors, and 42 is a reflecting mirror made of, for example, a beam splitter with low transmittance through which a portion of the light passes.

また、50及び51は照明系レンズ、60は投影露光さ
れる回路パターンが形成されたレチクル、70は投影レ
ンズ、80は半導体ウェハ、90は露光ステージである
Further, 50 and 51 are illumination system lenses, 60 is a reticle on which a circuit pattern to be projected and exposed is formed, 70 is a projection lens, 80 is a semiconductor wafer, and 90 is an exposure stage.

ここで、以上のような光学系におけるレーザ光の光路に
ついて説明する。エキシマレーザ装置10から発振出力
したパルス状のレーザ光は、ビーム径拡大・縮小部20
によりそのビーム径の拡大または縮小か行われる。
Here, the optical path of the laser beam in the above optical system will be explained. The pulsed laser beam oscillated and output from the excimer laser device 10 is transmitted to a beam diameter expansion/reduction unit 20.
The beam diameter is expanded or decreased depending on the size of the beam.

拡大または縮小されたレーザ光は、アパーチャー30を
通過することによってその拡がりか一定値に規定され、
さらに反射ミラー40及び41による反射によって照明
系レンズ50に入射する。
The enlarged or reduced laser beam passes through the aperture 30 and its spread is regulated to a constant value,
Further, the light is reflected by reflection mirrors 40 and 41 and enters the illumination system lens 50.

更に、レーザ光は、反射ミラー42により、例えばシリ
ンドリカルレンズあるいはフライアイレンズ等から構成
される照明系レンズ51に送られる。そしてレーザ光は
、レチクル60を透過し、投影レンズ70を通って半導
体ウェハ(30上に到達し、レチクルの回路パターンか
半導体ウニへ80上に転写されるようになっている。
Further, the laser beam is sent by the reflecting mirror 42 to an illumination system lens 51 composed of, for example, a cylindrical lens or a fly's eye lens. The laser beam then passes through the reticle 60, passes through the projection lens 70, and reaches the semiconductor wafer (30), whereupon the circuit pattern of the reticle is transferred onto the semiconductor wafer 80.

次に、100は光検出器、110は光量モニタ、120
は制御部である。光検出器100にはレーザ光の一部が
上述した反射ミラー42を透過して入射するようになっ
ており、該レーザ光の光量は、光量モニタ110でモニ
タされて、その結果が制御部120に人力されるように
構成されている。この制御部120は、あらかじめ定め
られた設定光量値とレーザ光の光量の変動とに対応して
、前記ビーム径拡大・縮小部20によるビーム径変更の
程度を制御する機能を有する。
Next, 100 is a photodetector, 110 is a light amount monitor, 120
is the control section. A portion of the laser light is incident on the photodetector 100 after passing through the above-mentioned reflecting mirror 42, and the light intensity of the laser light is monitored by a light intensity monitor 110, and the result is sent to the control unit 120. It is configured to be manually operated. This control section 120 has a function of controlling the degree of beam diameter change by the beam diameter enlarging/reducing section 20 in accordance with a predetermined set light amount value and fluctuations in the light amount of the laser beam.

なお、レーザ出力は各パルス間でばらつきがあるので、
前記光量モニタ110では、複数ショットの平均値をと
るようにして光量モニタを行うようにすると都合がよい
。また、制御部120は、設定光量値とは独立にビーム
径の拡大・縮小を行うことができるようにすると都合が
よい。
Note that the laser output varies between each pulse, so
It is convenient for the light amount monitor 110 to monitor the amount of light by taking the average value of a plurality of shots. Further, it is convenient if the control unit 120 is able to expand or reduce the beam diameter independently of the set light amount value.

次に、上述したビーム径拡大・緬小部20の構成例を、
第2図を参照して説明する。
Next, an example of the configuration of the beam diameter enlargement and small part 20 described above is as follows.
This will be explained with reference to FIG.

この例は、ビーム径拡大・縮小部20が例えばズームエ
キスパンダーである場合であり、図はその概略を示す構
成図である。図において、21゜22及び23は例えば
石英又はホタル石等からなる凸レンズであり、これらの
うち凸レンズ21はズームレンズ部を構成する。24は
駆動用のモータ、25は位置検出用のエンコーダである
。かかる系においてビーム径を変化させると、単位面積
あたりのパワー(光エネルギー)を大きなレンジで可変
にすることができる。
In this example, the beam diameter enlarging/reducing section 20 is, for example, a zoom expander, and the figure is a schematic configuration diagram thereof. In the figure, reference numerals 21, 22, and 23 are convex lenses made of, for example, quartz or fluorite, and among these, the convex lens 21 constitutes a zoom lens section. 24 is a driving motor, and 25 is a position detection encoder. By changing the beam diameter in such a system, the power (light energy) per unit area can be varied over a wide range.

以上のような装置の動作について説明すると、上述した
制御部120からモータ24へ光軸方向の移I!thI
量に関する情報が送られ、エンコーダ25によって回転
量をモニターしつつ、対応する時間または回転数だけモ
ータ24を回転させる。モータ24は、凸レンズ21を
含むズームレンズ部を光軸方向に移動させ、入射するレ
ーザビーム径を拡大または縮小する。この構成により、
ビーム径の拡大・縮小の微調整を迅速に行うことかでき
る。
To explain the operation of the device as described above, the optical axis direction is shifted from the above-mentioned control section 120 to the motor 24. thI
Information regarding the amount is sent, and the motor 24 is rotated for the corresponding time or number of rotations while monitoring the amount of rotation by the encoder 25. The motor 24 moves the zoom lens section including the convex lens 21 in the optical axis direction to enlarge or reduce the diameter of the incident laser beam. With this configuration,
It is possible to quickly make fine adjustments to enlarge or reduce the beam diameter.

なお、エンコーダ25によって得られる光軸方向の移動
量に関する値と、光量モニタ110上の光量値との関係
は、光量値設定制御上リニアであることが望ましい。
Note that the relationship between the value related to the amount of movement in the optical axis direction obtained by the encoder 25 and the light amount value on the light amount monitor 110 is preferably linear for light amount value setting control.

次に、上記実施例における全体の光重調整動作について
説明する。エキシマレーザ装置10からレーザ光が出力
されると、反射ミラー42の後方に置かれた光検出器工
OOによりレーザ光が検出され、その光情報(強度値)
は光量モニタ110へ送られる。
Next, the overall light weight adjustment operation in the above embodiment will be explained. When a laser beam is output from the excimer laser device 10, the laser beam is detected by a photodetector placed behind the reflecting mirror 42, and its optical information (intensity value) is detected.
is sent to the light amount monitor 110.

そして、該光量モニタ110てレーザ光の光量か計算さ
れ、その光量情報は制御部120へ送られる。該制御部
120は、光量モニタ110からの情報を、あらかじめ
設定された光量値と比較して光量の適否を判断し、その
結果に対応する指令をビーム径拡大・縮小部20に送る
。ビーム径拡大・縮小部20は、制御部120からの指
令に基づいてビーム径を拡大または縮小する。
Then, the light intensity of the laser beam is calculated by the light intensity monitor 110, and the light intensity information is sent to the control section 120. The control section 120 compares the information from the light amount monitor 110 with a preset light amount value to determine whether the light amount is appropriate, and sends a command corresponding to the result to the beam diameter expansion/reduction section 20. The beam diameter enlarging/reducing section 20 enlarges or reduces the beam diameter based on a command from the control section 120.

例えば、光量モニタ110の光量モニター値が設定値よ
りも少ないときは、制御部120は、ビーム径を縮小す
る指令をビーム径拡大・縮小部20に送り、該ビーム径
拡大・縮小部20は、それに基づいてレーザビーム径を
縮小する。
For example, when the light amount monitor value of the light amount monitor 110 is less than the set value, the control section 120 sends a command to reduce the beam diameter to the beam diameter enlargement/reduction section 20, and the beam diameter enlargement/reduction section 20: Based on this, the laser beam diameter is reduced.

ビーム径が縮小されると光量密度、すなわち単位面積当
たりの光量(光エネルギー)は大きくなる。他方、レチ
クル60に照射されるレーザ光の径は、アパーチャー3
0によって一定に保たれている。従って、露光部へ供給
される光量は増加することとなる。
When the beam diameter is reduced, the light density, that is, the light amount (light energy) per unit area increases. On the other hand, the diameter of the laser beam irradiated onto the reticle 60 is determined by the diameter of the aperture 3.
It is kept constant by 0. Therefore, the amount of light supplied to the exposure section increases.

また、光量モニタ110の光量か設定値よりも多い場合
は、上記と逆の動作によりビーム径拡大・縮小部20は
ビーム径を拡大するので、光量の減少が行われることと
なる。
Further, if the light amount of the light amount monitor 110 is greater than the set value, the beam diameter enlarging/reducing section 20 expands the beam diameter by the operation opposite to the above, so that the light amount is reduced.

以上のようにして、光量モニタ110の光量か設定値に
なるまでビーム径の拡大あるいは縮小のフィードバック
をくり返すことにより、所定の光量が得られることにな
る。
As described above, a predetermined light amount can be obtained by repeating the feedback of expanding or reducing the beam diameter until the light amount of the light amount monitor 110 reaches the set value.

ところで、ビーム径の拡大、縮小を行う場合には、その
ビーム径内の一定の領域について考えてみると、ビーム
の光強度分布が変化する。一般にこの種のレーザ光はガ
ウス分布となるため、そのままでは強度分布の均一性が
問題となる。しかし、本発明のように、ビーム径の拡大
を行い、かつそのうちの極狭い領域を使用するようにす
れば、はぼ均一とみなせる光束領域を得ることができる
。このため露光の際の解像不良が生じにくいといった利
点も得られることになる。
By the way, when expanding or contracting the beam diameter, considering a certain region within the beam diameter, the light intensity distribution of the beam changes. Generally, this type of laser light has a Gaussian distribution, so the uniformity of the intensity distribution becomes a problem if left as is. However, if the beam diameter is expanded and a very narrow area of the beam is used as in the present invention, a luminous flux area that can be considered to be almost uniform can be obtained. Therefore, there is an advantage that poor resolution is less likely to occur during exposure.

なお、本発明は何ら上記実施例に限定されるものではな
く、例えば、エキシマレーザ装置10の長時間の使用等
によりレーザ出力が低下した場合は、上述の動作により
ビーム径の拡大倍率を初期設定より下げ(ビーム径の縮
小)、設定光量値を保つようにすれば、適切な光量が得
られることはいうまでもない。
Note that the present invention is not limited to the above-mentioned embodiments. For example, if the laser output decreases due to long-term use of the excimer laser device 10, the beam diameter expansion magnification may be initialized by the above-described operation. It goes without saying that an appropriate amount of light can be obtained by lowering it further (reducing the beam diameter) and maintaining the set light amount value.

また、アパーチャー30の径の大ぎさを可変にできるよ
うにすれば、以上説明したビーム径拡大・縮小部20と
組合わせて使用することにより、光量調整領域をさ゛ら
に拡張することができることは明らかである。
Furthermore, it is clear that if the diameter of the aperture 30 is made variable, the light amount adjustment area can be further expanded by using it in combination with the beam diameter expansion/reduction unit 20 described above. It is.

さらに、半導体ウェハへの露光中に順次ビーム径の拡大
・縮小を行って半導体ウェハへの適正露光量を調整、又
は補正する場合に、第2図の光学系を用いてもよい。こ
の場合は、光検出器100による光l検出を省略して、
例えばレーザパルスの周期に基づいて時間制御でビーム
径を変化させてもよい。
Further, the optical system shown in FIG. 2 may be used when adjusting or correcting the appropriate exposure amount to the semiconductor wafer by sequentially expanding or contracting the beam diameter during exposure of the semiconductor wafer. In this case, the light detection by the photodetector 100 is omitted,
For example, the beam diameter may be changed by time control based on the period of the laser pulse.

[発明の効果] 本発明は以上説明した通り、光源からのレーザビーム光
量を、レーザ発振器外部に配置されるとともに、ビーム
径の拡大縮小を行うことによって光量制御可能な光量調
整手段によって、フィードバック制御により調整するこ
ととしたので、レーザ出力が変動しても、露光部へ供給
されるレーザ光は適切な光量となり、良好な光量条件で
長時間安定した露光を行うことができるという効果があ
る。
[Effects of the Invention] As explained above, the present invention provides feedback control of the amount of laser beam from the light source by means of a light amount adjusting means that is disposed outside the laser oscillator and is capable of controlling the amount of light by expanding and contracting the beam diameter. Therefore, even if the laser output fluctuates, the laser light supplied to the exposure section will have an appropriate amount of light, resulting in the effect that stable exposure can be performed for a long time under good light amount conditions.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of the drawing]

第1図は本発明の一実施例を示す構成図、第2図は第1
図のビーム径拡大・縮小部の一例を示す構成図である。 [主要部分の符号の説明コ
FIG. 1 is a configuration diagram showing one embodiment of the present invention, and FIG.
FIG. 3 is a configuration diagram showing an example of the beam diameter expansion/reduction section shown in the figure. [Explanation code for symbols of main parts]

Claims (2)

【特許請求の範囲】[Claims] (1)レーザ光源から出力されたパルス状のレーザ光に
より、マスクの回路パターンを感光基板上に投影露光す
る露光装置において、 前記レーザ光を検出する光検出手段と、 該光検出手段の検出出力に基づいて、あらかじめ定めら
れた設定光量値に対するレーザ光光量の変動をモニター
する光量モニター手段と、 前記レーザ光源から出力されるレーザ光のビーム径の拡
大、縮小を行うことによって該レーザ光の光量変更を行
う光量変更手段と、 前記光量モニター手段のモニター結果に基づいて、前記
レーザ光光量が前記設定光量値となるように、前記光量
変更手段のビーム径を制御する制御手段とを備えたこと
を特徴とする露光装置。
(1) An exposure apparatus that projects and exposes a circuit pattern of a mask onto a photosensitive substrate using pulsed laser light output from a laser light source, comprising: a light detection means for detecting the laser light; and a detection output of the light detection means. a light amount monitoring means for monitoring fluctuations in the amount of laser light with respect to a predetermined set light amount value based on the amount of light emitted from the laser light source; and a control means for controlling the beam diameter of the light amount changing means so that the laser light amount becomes the set light amount value based on the monitoring result of the light amount monitoring means. An exposure device featuring:
(2)前記光量変更手段は、ズームエキスパンダーを含
むことを特徴とする特許請求の範囲第1項記載の露光装
置。
(2) The exposure apparatus according to claim 1, wherein the light amount changing means includes a zoom expander.
JP62046783A 1987-03-03 1987-03-03 Exposure system Pending JPS63213927A (en)

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JP62046783A JPS63213927A (en) 1987-03-03 1987-03-03 Exposure system

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JP62046783A JPS63213927A (en) 1987-03-03 1987-03-03 Exposure system

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JPS63213927A true JPS63213927A (en) 1988-09-06

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JP62046783A Pending JPS63213927A (en) 1987-03-03 1987-03-03 Exposure system

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JP (1) JPS63213927A (en)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007011288A (en) * 2005-03-28 2007-01-18 Fujifilm Holdings Corp Light quantity adjustment method, image recording method and device

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