JPS63204187A - Semiconductor radiation detector - Google Patents
Semiconductor radiation detectorInfo
- Publication number
- JPS63204187A JPS63204187A JP62036496A JP3649687A JPS63204187A JP S63204187 A JPS63204187 A JP S63204187A JP 62036496 A JP62036496 A JP 62036496A JP 3649687 A JP3649687 A JP 3649687A JP S63204187 A JPS63204187 A JP S63204187A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- electrode
- amplifier
- radiation detection
- semiconductor radiation
- detection element
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 230000005855 radiation Effects 0.000 title claims abstract description 60
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 42
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims abstract description 48
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 claims abstract description 15
- 238000000605 extraction Methods 0.000 claims description 10
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 9
- 101100484930 Saccharomyces cerevisiae (strain ATCC 204508 / S288c) VPS41 gene Proteins 0.000 abstract description 3
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 4
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000006698 induction Effects 0.000 description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 3
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052793 cadmium Inorganic materials 0.000 description 1
- BDOSMKKIYDKNTQ-UHFFFAOYSA-N cadmium atom Chemical compound [Cd] BDOSMKKIYDKNTQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 238000003745 diagnosis Methods 0.000 description 1
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 1
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- QKEOZZYXWAIQFO-UHFFFAOYSA-M mercury(1+);iodide Chemical compound [Hg]I QKEOZZYXWAIQFO-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000009206 nuclear medicine Methods 0.000 description 1
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 1
- 229910000077 silane Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052714 tellurium Inorganic materials 0.000 description 1
- PORWMNRCUJJQNO-UHFFFAOYSA-N tellurium atom Chemical compound [Te] PORWMNRCUJJQNO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Landscapes
- Measurement Of Radiation (AREA)
- Light Receiving Elements (AREA)
Abstract
Description
【発明の詳細な説明】
〈産業上の利用分野〉
本発明は、核医学診断または理工学測定等の分野におい
て用いられる半導体放射線検出装置に関するものである
。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION <Industrial Application Field> The present invention relates to a semiconductor radiation detection device used in fields such as nuclear medicine diagnosis and science and engineering measurement.
〈従来の技術とその問題点〉
斯る分野において放射線を検出する場合、放射線の入射
位置をも検知したいことがあり、この目的を達成するた
めには、多数の半導体放射線検出素子をドツトマトリッ
クス状に配列する必要がある。この半導体放射線検出素
子は、放射線の入射により微少電流を出力するのみであ
るから、この出力電流をアンプで増幅しなければならな
い。そこで、ドツトマトリックス状に配列した半導体放
射線検出素子の行毎および列毎にアンプを配置すること
が考えられるが、インピーダンスの高い半導体放射線検
出素子からの出力信号線をド・ノトマトリソクスの行端
および列端のアンプの入力部まで長く引き回すと、雑音
の影響を受は易く、測定自体が不可能になる恐れがある
。これを解消するものとして、各半導体放射線検出素子
にそれぞれ個別のアンプを接続する放射線検出装置が提
案されているが、これを実用化するための具体的な実装
手段が見つからないのが実状である。また、もう一つの
課題として、アンプとしては入力インピーダンスの高い
ものを用いる必要があり、この場合、アンプの人力段に
ＦＥＴを用いるのが最善の方法であるが、オペアンプ等
において−・般的に用いられているようにＦＥＴとバイ
ポーラトランジスタとが混在した回路を構成すると、以
下のような問題がある。即ち、半導体放射線検出素子の
ように雑音が大きく微少電流の出力信号を扱う回路では
、ＦＥＴとしてＭＯＳ型のものを用いるのが困難であり
、必然的に接合型Ｆ ＥＴを用いることになるが、この
接合型ＦＢＴを前述のよう（７、ニハイボーラトランジ
スタ等と混在した回路に作製すると、片体として作製し
た接合型ＦＥＴに比較しζ、ｐチャンネルに比し７相互
コンダクタンス等の特性が良好なｎチャンネルのものを
作ることができず、基板濃度が深いことに起因して入力
容量が大きくなり、アイソ１／−シラン領域が存在する
ために基板裏面に電極を設しすることがてきず、入力容
量が大きくなる等の種々の問題がある。<Prior art and its problems> When detecting radiation in this field, it is sometimes desirable to also detect the incident position of the radiation, and in order to achieve this purpose, a large number of semiconductor radiation detection elements are arranged in a dot matrix. It is necessary to arrange it in . Since this semiconductor radiation detection element only outputs a small amount of current upon incidence of radiation, this output current must be amplified by an amplifier. Therefore, it is conceivable to arrange an amplifier for each row and column of the semiconductor radiation detection elements arranged in a dot matrix, but the output signal line from the semiconductor radiation detection elements with high impedance is connected to the row end and column of the dot matrix. If the cable is routed too long to the input section of the amplifier at the end, it will be susceptible to noise, and measurement itself may become impossible. As a solution to this problem, a radiation detection device that connects an individual amplifier to each semiconductor radiation detection element has been proposed, but the reality is that no concrete implementation method has been found to put this into practical use. . Another issue is that it is necessary to use an amplifier with high input impedance, and in this case, the best way is to use FETs in the human power stage of the amplifier, but in operational amplifiers etc. If a circuit is constructed in which FETs and bipolar transistors are mixed together, as is currently used, the following problems arise. That is, in a circuit such as a semiconductor radiation detection element that handles output signals with large noise and minute currents, it is difficult to use a MOS type FET, and a junction type FET is inevitably used. As mentioned above (7), when this junction FBT is fabricated in a circuit in which it is mixed with a Ni-high Bolar transistor, etc., it has better characteristics such as ζ compared to a junction FET fabricated as a single unit, and better mutual conductance than a p-channel (7). It is not possible to create an n-channel type, the input capacitance is large due to the deep substrate concentration, and the presence of the iso1/-silane region makes it difficult to provide an electrode on the back surface of the substrate. There are various problems such as an increase in input capacity.
〈発明の目的〉
本発明は、このような従来の課題に鑑みなされたもので
、高インピーダンスの半導体放射線検出素子の出力つま
り信号取り出し側電極を配線の引き回し、無しく、こア
ンプの入力段の接合型ＦＥＴに接続できるとともに、こ
の接合型ＦＥＴをアンプの他のトランジスタから分離で
きる−ようになった半導体放射線検出装置の掃供を目的
とするものである。<Objective of the Invention> The present invention has been made in view of the above-mentioned problems in the prior art. The purpose of this invention is to provide a semiconductor radiation detection device which can be connected to a junction FET and which can be separated from other transistors of an amplifier.
〈問題点を解決するための手段〉
本発明の半導体放射線検出装置は、前記目的を達成する
ために、半導体放射線検出素子の高インピーダンスの出
力を入力段の接合型ＦＥＴを介ｊ−でアンプに入力する
構成となった半導体放射線検出装置において、基板十に
形成され）こ前記アンプの入力側電極に、前記接合型Ｆ
ＥＴの一面のソース電極およびドレイン電極をそれぞれ
半田バンプを介して電気的に接続し、この接合型ＦＥＴ
の他面のバックゲート電極に、一面に放射線の入射側と
なるバ・イアス側電極を有する前記半導体放射線検出素
子の他面の信号取り出し側電極を崖田ハンプを介して電
気的に接続し、前記アンプ、接合型ＦＥＴおよび半導体
放射線検出素子を三層構造に結合した構成を特徴とする
ものである。<Means for Solving the Problems> In order to achieve the above object, the semiconductor radiation detection device of the present invention connects the high impedance output of the semiconductor radiation detection element to the amplifier via the junction FET in the input stage. In the semiconductor radiation detection device configured to receive input, the junction type F is connected to the input side electrode of the amplifier (formed on the substrate).
The source electrode and drain electrode on one side of the ET are electrically connected via solder bumps, and this junction type FET
A signal extraction side electrode on the other side of the semiconductor radiation detection element having a bias side electrode on one side serving as a radiation incident side is electrically connected to the back gate electrode on the other side via a Kakita hump; The present invention is characterized by a configuration in which the amplifier, junction type FET, and semiconductor radiation detection element are combined into a three-layer structure.
〈作用〉
アンプに半導体放射線検出素子が接合型ＦＥＴを介在し
て重ね合わされるとともに、これらの各対応する電極が
半田バンプにより互いに電気的接続されているから、高
インピーダンス部分である半導体放射線検出素子の信号
取り出し側電極と接合型ＦＥＴのバンクゲーＩ・電極と
が、引き回し配線を全く用いることなく半田バンプで直
接接続され、誘導や振動に対するノイズの影響を殆んど
受けない。また、接合型ＦＥＴが半田バンプによりアン
プの構成要素であるトランジスタと完全に分離されてい
るため、このＦＥＴとして例えば低い基板濃度のウェハ
を使用したｎチャンネルのものを用いることができる。<Function> Since the semiconductor radiation detection element is superimposed on the amplifier with a junction FET interposed therebetween, and the corresponding electrodes are electrically connected to each other by solder bumps, the semiconductor radiation detection element which is a high impedance part The signal extraction side electrode of the junction type FET and the bank gate I electrode of the junction type FET are directly connected by solder bumps without using any wiring, and are hardly affected by noise on induction or vibration. Further, since the junction FET is completely separated from the transistor which is a component of the amplifier by a solder bump, an n-channel type FET using a wafer with a low substrate concentration, for example, can be used as this FET.
〈実施例〉
以下、本発明の好ましい実施例を図面に基づいて詳細に
説明づる。<Example> Hereinafter, preferred examples of the present invention will be described in detail based on the drawings.
第１図は本発明の一実施例の縦断面図、第２図は同電気
回路図をそれぞれ示す。先ず第２図について説明すると
、半導体放射線検出素子１が入力段の接合型Ｆ Ｅ Ｔ
２を介してアンプ３に接続されている。半導体放射線
検出素子１ば、放射線の入射側となるバイアス側電極１
Ａに高電圧ＨＶが印加され、放射線が入射することによ
り信号取り出し側電極ＩＢから微少な検出信号が出力さ
れ、この出力信号が接合型ＦＥＴ２のゲート電極Ｇに入
力される。この接合型ＦＥ７２にはフィードバック用高
抵抗ＦＲが内蔵されており、ドレイン電極Ｄ、ソース電
極Ｓおよびフィードバック電極Ｆがそれぞれアンプ３の
各入力側電極１１．Ｉ２，１３に接続されζいる。アン
プ３は、カスコード接続のベース接地の１−ランジスタ
Ｑｌ出力段のトランジスタＱ２．２個の定電流源ＳＣ１
，ＳＣ２およびＩ・ランジスタＱ１のエミッタ抵抗Ｒを
回路構成部品として構成されており、電源供給用電極０
１゜０３間に直流電源が供給されて駆動し、出力側電６
一
極０２から出力４−るちのであり、接地用電極０４は接
地されている。FIG. 1 is a longitudinal sectional view of an embodiment of the present invention, and FIG. 2 is an electrical circuit diagram thereof. First, referring to FIG. 2, the semiconductor radiation detection element 1 is a junction type FET in the input stage.
2 to the amplifier 3. The semiconductor radiation detection element 1 has a bias side electrode 1 which is the radiation incident side.
When a high voltage HV is applied to A and radiation is incident, a minute detection signal is output from the signal extraction side electrode IB, and this output signal is input to the gate electrode G of the junction FET 2. This junction type FE 72 has a built-in high resistance FR for feedback, and the drain electrode D, the source electrode S, and the feedback electrode F are connected to each input side electrode 11. of the amplifier 3, respectively. It is connected to I2 and 13. Amplifier 3 includes a cascode-connected base-grounded 1-transistor Ql output stage transistor Q2, and two constant current sources SC1.
, SC2 and the emitter resistor R of the I transistor Q1 are configured as circuit components, and the power supply electrode 0
DC power is supplied between 1°03 and driven, and the output side power 6
The output is from one pole 02 to 4, and the grounding electrode 04 is grounded.
この電気回路の実装手段を示した第１図Ｃごおいて、ア
ンプ２ばシリコンまたはセラミック基板４上に形成され
、上面の所定位置にそれぞれ入力側電極Ｉｔ、１２．１
３が形成され、両側上面に配設されたアルミニウムから
なる配線パターン５に電気的接続されたリード端子ビン
６が下方に導出されており、この各リード端子ピン６に
より出力側電極０２や電源供給側電極０１，０３が外部
に取り出されている。In FIG. 1C showing the mounting means of this electric circuit, an amplifier 2 is formed on a silicon or ceramic substrate 4, and input side electrodes It, 12.1 are respectively placed at predetermined positions on the upper surface.
3 is formed, and lead terminal pins 6 electrically connected to wiring patterns 5 made of aluminum arranged on both upper surfaces are led out downward, and each lead terminal pin 6 connects the output side electrode 02 and power supply. Side electrodes 01 and 03 are taken out to the outside.
接合型ＦＥＴ２は、この出力側のドレイン電極Ｄ、ソー
ス電極Ｓおよびフィードバック電極Ｆをそれぞれアンプ
３の各入力側電極ＩＩ、１２．Ｉ３に対向させ且つ半田
ハンプ７により電気的に接続することにより、アンプ３
に対しこれに重ね合わせた状態に結合されている。この
接合型ＦＥＴ２ば他面にバックゲート電極Ｇを有し、こ
のハ・２クゲート電極Ｇに、一面に矢印で示す放射線の
入力側となるバイアス側電極ＩＡを有する半導体放射綿
栓出素子１の他面の信号取り出し側電極ＩＢが半田バン
プ７により電気的に接続され、アンプ３に接合型Ｆ Ｅ
Ｔ ２および半導体放射線検出素子１が順次重ね合わ
されて全体として三層構造になっている。The junction FET 2 connects the drain electrode D, source electrode S, and feedback electrode F on the output side to the input side electrodes II, 12 . By facing I3 and electrically connecting it with solder hump 7, the amplifier 3
It is connected in a state where it is superimposed on this. This junction type FET 2 has a back gate electrode G on the other side, and the semiconductor radiation plugging element 1 has a bias side electrode IA, which is the input side of radiation, on one side of the back gate electrode G, which is indicated by an arrow on one side. The signal extraction side electrode IB on the other side is electrically connected to the amplifier 3 by the solder bump 7, and the junction type F E
The T 2 and the semiconductor radiation detection element 1 are sequentially stacked to form a three-layer structure as a whole.
ごのよ・うな構成において、高インピーダンスとなる部
分は、半導体放射線検出素子１の出力側の信−号取り出
し側電極１Ｂ、接合型ＦＥＴ２のバックゲート電極Ｇお
よびこれらの間に介在する半田ハンプ７であるが、これ
らの電気的接続に対し接続用配線が何ら引き回されてい
ないため、誘導や振動に対する７ノイスの影否を受ける
ことが極めて少なく、放射線の検出信号を高感度に且つ
正確に取り出して増幅することができる。In this configuration, the high impedance portions are the signal extraction side electrode 1B on the output side of the semiconductor radiation detection element 1, the back gate electrode G of the junction FET 2, and the solder hump 7 interposed between them. However, since no connection wiring is routed for these electrical connections, there is extremely little interference from noise caused by induction or vibration, and radiation detection signals can be detected with high sensitivity and accuracy. It can be extracted and amplified.
また、接合型ＦＥＴ２は、アンプ３から分離されてアン
プ３とは個別の回路構成素子となっているから、バイポ
ーラ１−ランジスタと混在した回路構成に作製されるも
のに比し極めて高性能なものを作製できる。即ち、低い
基板濃度のウェハを使用でき、相互コンダクタンスの良
好なｎチャンネルとすることができ、基板裏面にハノク
ゲ−１・電極Ｇを形成することができる。しかも、この
接合型ＦＥＴ以外のアンプ３の回路構成要素のトランジ
スタを、接合型ＦＥＴ２と分離していることによ、って
、ＭＯ８型ＦＥＴで構成することもできる。これにより
消費電力の低減およびアンプ３の小型化延いては装置全
体の小型化を図れる利点がある。In addition, since the junction FET 2 is separated from the amplifier 3 and is a separate circuit component from the amplifier 3, it has extremely high performance compared to one manufactured in a circuit configuration that includes a bipolar transistor 1 and a transistor. can be created. That is, a wafer with a low substrate concentration can be used, an n-channel with good mutual conductance can be obtained, and the electrode G can be formed on the back surface of the substrate. Furthermore, by separating the transistors of the circuit components of the amplifier 3 other than the junction FET from the junction FET 2, it is possible to configure the amplifier 3 with an MO8 type FET. This has the advantage of reducing power consumption, making the amplifier 3 smaller, and ultimately making the entire device smaller.
次に、前記実施例装置の製造工程について説明する。今
仮に、前記装置を４個連設した放射線ラインセンサーを
例示して説明するが、同様のものを多数連設する構成と
することもできるのは言うまでもない。先ず、第３図に
示すように１′、導体放射線検出素子１を偏平で細長い
矩形状として、これの一方の面に４個の信号取り出し用
電極Ｉ Ｉ３をドソｉ・マトリックスの各画素に対応す
る配置で蒸着する。この半導体放射線検出素子１の素材
としては、常温による加工を行なう場合にカドミウム・
テルルまたはヨウ化水銀を用い、液体窒素で冷却すれば
シリコンやゲルマニュームを用いることもできる。一方
、４個の接合型ＦＥＴ２を半導体放射線検出素子１の各
電極１Ｂの配置に対応して配設した接合型ＦＥＴアレイ
２０を作製する。この接合型ＦＥＴアレイ２０の製造に
は、既存の単体としての接合型ＦＥＴと同様の製造工程
を用いる。この各接合型Ｆ Ｅ Ｔ２のゲート電極Ｇは
他方の而のバックゲート電極Ｇと共通になっており、こ
のゲート電極Ｇに高抵抗ＦＲが接続された構成になって
いる。そして、半導体放射線検出素子１の各信号取り出
し側電極ＩＢにそれぞれ半田バンプ７を付着するととも
に、接合型ＦＢＴアレイ２０を各半田ハンプ７により半
導体放射線検出素子１に電気的接続状態に結合する。Next, the manufacturing process of the device of the embodiment will be explained. Although a radiation line sensor in which four of the above-mentioned devices are installed in series will now be described as an example, it goes without saying that a configuration in which many similar devices are installed in series is also possible. First, as shown in FIG. 3, the conductor radiation detection element 1 is formed into a flat and elongated rectangular shape, and four signal extraction electrodes I and I3 are connected to each pixel of the dosso I matrix on one side of the element 1. Deposit with corresponding arrangement. The material of this semiconductor radiation detection element 1 is cadmium,
Silicon or germanium can also be used if tellurium or mercury iodide is used and cooled with liquid nitrogen. On the other hand, a junction FET array 20 in which four junction FETs 2 are arranged corresponding to the arrangement of each electrode 1B of the semiconductor radiation detection element 1 is manufactured. This junction FET array 20 is manufactured using the same manufacturing process as for existing single junction FETs. The gate electrode G of each junction type FET2 is common to the back gate electrode G of the other one, and a high resistance FR is connected to this gate electrode G. Then, solder bumps 7 are attached to each signal extraction side electrode IB of the semiconductor radiation detection element 1, and the bonded FBT array 20 is electrically connected to the semiconductor radiation detection element 1 by each solder hump 7.
その後、半導体放射線検出素子１に重ね合わせた状態で
結合された接合型ＦＥＴアレイ２０を、第４図に示すよ
うに、ダイシング手段により個々の接合型ＦＥＴ２に分
離する。この各接合型ＦＥＴ２はバックゲートがとれる
構造になっていて、個々の接合型Ｆ Ｅ Ｔ ２の下面
のバンクゲート電極Ｇが、分離することにより半導体放
射線検出素Ｔ−１の各画素に対応する各信号取り出し側
電極ＩＢにそれぞれ個別に接続されたことになる。Thereafter, the junction-type FET array 20 coupled to the semiconductor radiation detection element 1 in an overlapping state is separated into individual junction-type FETs 2 by dicing means, as shown in FIG. Each junction type FET 2 has a structure in which a back gate can be removed, and the bank gate electrode G on the lower surface of each junction type FET 2 corresponds to each pixel of the semiconductor radiation detection element T-1 by being separated. This means that they are individually connected to each signal extraction side electrode IB.
第５図に示すように、接合型ＦＥＴ２以外の１ヘランジ
スタを１枚のシリコン基板上に構成したアンプアレイ３
０を作製し、このアンプアレイ３０に、半導体放射線検
出素子１に接続固着した各接合型ＦＥＴ２を位置決めし
て半田ハンプ７により接続する。ここで、半導体放射線
検出素子１の放射線の入射側のバイアス側電極ＩＡは各
画素に対し共通になっている。このモジュールｌとなっ
た放射線検出装置を２次元に配列することて放射線面セ
ンザーを容易に構成することができる。As shown in FIG. 5, an amplifier array 3 includes one transistor other than the junction FET 2 on one silicon substrate.
Each junction type FET 2 connected and fixed to the semiconductor radiation detection element 1 is positioned and connected to this amplifier array 30 by a solder hump 7. Here, the bias side electrode IA on the radiation incident side of the semiconductor radiation detection element 1 is common to each pixel. A radiation surface sensor can be easily constructed by arranging the radiation detection apparatuses serving as the module 1 in two dimensions.
〈発明の効果〉
以上詳述したように本発明の半導体放射線検出装置よる
と、アンプと、このアンプの入力段の接合型ＦＥＴおよ
び半導体放射線検出素子を三層構造に重ね合わせるとと
もに、これらの各対応する電極を半田バンプを介在させ
て相互に電気的接続する構成としたので、高インピーダ
ンスの半導体放射線検出素子の出力側と接合型ＦＥＴの
入力側とを接続用配線を何ら引き回すことなく直接接続
することができ、誘導や振動に対するノイズの影舌を除
去することができ、半導体放射線検出素子の微少電流の
検出信号を精度よく取り出すことができる。<Effects of the Invention> As detailed above, according to the semiconductor radiation detection device of the present invention, an amplifier, a junction FET in the input stage of this amplifier, and a semiconductor radiation detection element are stacked in a three-layer structure, and each of these Since the corresponding electrodes are electrically connected to each other through solder bumps, the output side of the high-impedance semiconductor radiation detection element and the input side of the junction FET can be directly connected without running any connection wiring. Therefore, it is possible to eliminate the effects of noise on induction and vibration, and it is possible to accurately extract the detection signal of the minute current of the semiconductor radiation detection element.
また、アンプの入力段の接合型ＦＥＴがアンプの構成要
素である他のトランジスタと完全に分離された構成であ
るため、接合型ＦＥＴとして高性能なものを設計するこ
とができるとともに、接合型ＦＥＴ以外のアンプのトラ
ンジスタをＭＯ３型ＦＥＴで構成することもでき、これ
により消費電力の低減とアンプの小型化と三層構造にし
たこととにより、装置全体の小型化を図ることができる
。In addition, since the junction FET in the input stage of the amplifier is completely separated from other transistors that are the components of the amplifier, it is possible to design a high-performance junction FET, and Transistors in the amplifier other than those described above can also be configured with MO3 type FETs, thereby reducing power consumption, downsizing the amplifier, and adopting a three-layer structure, thereby making it possible to downsize the entire device.
第１図は本発明の半導体放射線検出装置の一実施例の縦
断面図、
第２図は第１図の電気回路図、
第３図及至第５図はそれぞれ第１図の製造過程を順に示
した斜視図である。
１・・・半導体放射線検出素子
１Ａ・・・バイアス側電極
１Ｂ・・・信号取り出し側電極
２・・・接合型ＦＥＴ
Ｇ・・・バックゲート電極
Ｄ・・・ドレイン電極
Ｓ・・・ソース電極
３・・・アンプ
Ｉｔ、１２．Ｉ３・・・入力端電極
４・・・基板
７・・・半田ハンプFIG. 1 is a vertical cross-sectional view of an embodiment of the semiconductor radiation detection device of the present invention, FIG. 2 is an electric circuit diagram of FIG. 1, and FIGS. 3 to 5 show the manufacturing process of FIG. 1 in order. FIG. 1... Semiconductor radiation detection element 1A... Bias side electrode 1B... Signal extraction side electrode 2... Junction type FET G... Back gate electrode D... Drain electrode S... Source electrode 3 ...Amplifier It, 12. I3...Input end electrode 4...Board 7...Solder hump
Claims (1)
を入力段の接合型ＦＥＴを介してアンプに入力する構成
となった半導体放射線検出装置において、基板上に形成
された前記アンプの入力側電極に、前記接合型ＦＥＴの
一面のソース電極およびドレイン電極をそれぞれ半田バ
ンプを介して電気的に接続し、この接合型ＦＥＴの他面
のバックゲート電極に、一面に放射線の入射側となるバ
イアス側電極を有する前記半導体放射線検出素子の他面
の信号取り出し側電極を半田バンプを介して電気的に接
続し、前記アンプ、接合型ＦＥＴおよび半導体放射線検
出素子を三層構造に結合したことを特徴とする半導体放
射線検出装置(1) In a semiconductor radiation detection device configured to input a high impedance output of a semiconductor radiation detection element to an amplifier via a junction FET in an input stage, an input side electrode of the amplifier formed on a substrate, The source electrode and drain electrode on one side of the junction FET are electrically connected via solder bumps, and the back gate electrode on the other side of the junction FET is provided with a bias side electrode on the side where radiation is incident. A signal extraction side electrode on the other side of the semiconductor radiation detection element having the semiconductor radiation detection element is electrically connected via a solder bump, and the amplifier, junction FET, and semiconductor radiation detection element are combined into a three-layer structure. Radiation detection device
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62036496A JPS63204187A (en) | 1987-02-18 | 1987-02-18 | Semiconductor radiation detector |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62036496A JPS63204187A (en) | 1987-02-18 | 1987-02-18 | Semiconductor radiation detector |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63204187A true JPS63204187A (en) | 1988-08-23 |
Family
ID=12471437
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62036496A Pending JPS63204187A (en) | 1987-02-18 | 1987-02-18 | Semiconductor radiation detector |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63204187A (en) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004317226A (en) * | 2003-04-15 | 2004-11-11 | Shimadzu Corp | Bump inspection device |
| JP2007155562A (en) * | 2005-12-07 | 2007-06-21 | Acrorad Co Ltd | Radiation image detection module and radiation image detection device |
| WO2011111467A1 (en) * | 2010-03-10 | 2011-09-15 | 株式会社日立製作所 | Radiation measurement device and nuclear medicine diagnosis device |
-
1987
- 1987-02-18 JP JP62036496A patent/JPS63204187A/en active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004317226A (en) * | 2003-04-15 | 2004-11-11 | Shimadzu Corp | Bump inspection device |
| JP2007155562A (en) * | 2005-12-07 | 2007-06-21 | Acrorad Co Ltd | Radiation image detection module and radiation image detection device |
| WO2011111467A1 (en) * | 2010-03-10 | 2011-09-15 | 株式会社日立製作所 | Radiation measurement device and nuclear medicine diagnosis device |
| JP2011185803A (en) * | 2010-03-10 | 2011-09-22 | Hitachi Ltd | Radiation measuring apparatus and nuclear medicine diagnostic equipment |
| US8664613B2 (en) | 2010-03-10 | 2014-03-04 | Hitachi, Ltd. | Radiation measurement device and nuclear medicine diagnosis system |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP4351632B2 (en) | Sensor arrangement and sensor arrangement driving method | |
| US20240036096A1 (en) | Charge detection sensor and potential measurement system | |
| JPS63204187A (en) | Semiconductor radiation detector | |
| US6639395B2 (en) | Current sensor with input/output isolation | |
| US20050016283A1 (en) | Transconductance circuit for piezoelectric transducer | |
| Perić et al. | Hybrid pixel detector based on capacitive chip to chip signal-transmission | |
| CN107764874A (en) | A kind of new active noise controlling biology sensor | |
| JPH06295949A (en) | Inspecting device and method and semiconductor device | |
| Clark | Split-drain MOSFET magnetic sensor arrays | |
| US3501654A (en) | Miniature pressure transducer | |
| CN102549402B (en) | Compact infrared light detector and method for producing the same, and an infrared light detector system comprising the infrared light detector | |
| KR101805122B1 (en) | Pin-compatible infrared light detector having improved thermal stability | |
| JP2621159B2 (en) | Semiconductor radiation position detector | |
| JPH0267737A (en) | Integrated circuit and its manufactrue | |
| JPS6021781Y2 (en) | infrared detector | |
| JPS6344135A (en) | Array infrared rays detector | |
| EP0275283B1 (en) | Low noise preamplification stage | |
| JPS5927678Y2 (en) | Isothermal device | |
| JP3130540B2 (en) | Signal detection circuit | |
| JPH04157394A (en) | Semiconductor device for detecting radiation | |
| JP3012227B2 (en) | Semiconductor device | |
| JP2577187Y2 (en) | Pyroelectric element | |
| Lungu et al. | Design, fabrication, and characterization of a family of active pixel CID imagers | |
| Niewiadomski et al. | CMOS read-out IC with op-amp pixel amplifier for infrared focal plane arrays | |
| JPS60175444A (en) | Semiconductor device |