JPS63202923A - Applicator for sog film - Google Patents
Applicator for sog filmInfo
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- JPS63202923A JPS63202923A JP3625487A JP3625487A JPS63202923A JP S63202923 A JPS63202923 A JP S63202923A JP 3625487 A JP3625487 A JP 3625487A JP 3625487 A JP3625487 A JP 3625487A JP S63202923 A JPS63202923 A JP S63202923A
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- chuck
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Landscapes
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- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、半導体装置の製造工程で使用するＳＯＧ膜塗
布装置に関する。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Field of Industrial Application] The present invention relates to an SOG film coating apparatus used in the manufacturing process of semiconductor devices.
従来、この種のＳＯＧ膜塗布装置は第２図に示すように
構成されている。これを同図に基づいて説明すると、同
図において、符号１で示すものは半導体ウェハ２を吸着
可能な水平吸着面１ａを有する回転チャック、３はこの
回転チャック１の近傍に設けられ拡散材料を含有するＳ
ＯＧ液４をその内部に貯溜する容器である。また、５は
前記水平吸着面ｌａ上の半導体ウェハ２にＳＯＧ液４を
滴下する液供給部５ａを有するパイプである。Conventionally, this type of SOG film coating apparatus has been constructed as shown in FIG. To explain this based on the same figure, in the same figure, the reference numeral 1 denotes a rotary chuck having a horizontal suction surface 1a capable of suctioning a semiconductor wafer 2, and the reference numeral 3 denotes a rotary chuck provided in the vicinity of the rotary chuck 1, which collects the diffusion material. Contains S
This is a container that stores the OG liquid 4 inside. Further, 5 is a pipe having a liquid supply section 5a for dropping the SOG liquid 4 onto the semiconductor wafer 2 on the horizontal suction surface la.
このように構成されたＳＯＧ膜塗布装置においては、回
転チャック１の水平吸着面ｌａ上に半導体ウェハ２を吸
着させ、この半導体ウェハ２上にＳＯＧ液４を滴下して
回転チャック１を高速回転させることにより、半導体ウ
ェハ２の表面上にＳＯＧ膜４ａを塗布することができる
。In the SOG film coating apparatus configured as described above, the semiconductor wafer 2 is attracted onto the horizontal suction surface la of the rotary chuck 1, the SOG liquid 4 is dropped onto the semiconductor wafer 2, and the rotary chuck 1 is rotated at high speed. This allows the SOG film 4a to be applied onto the surface of the semiconductor wafer 2.
ところで、この種のＳＯＧ膜塗布装置においては、膜塗
布時に回転チャック１の周囲が高湿度雰囲気であると、
ＳＯＧ液４中に拡散材料を含有する場合ＳＯＧ液４が乾
燥前に雰囲気中のＨ，Ｏと反応していた。この結果、半
導体ウェハに対しＳＯＧ液４中の拡散材料が拡散材料と
して機能しなくなり、ウェハ品質上の信頼性が低下する
という問題があった。By the way, in this type of SOG film coating device, if there is a high humidity atmosphere around the rotary chuck 1 during film coating,
When the SOG liquid 4 contains a diffusion material, the SOG liquid 4 reacts with H and O in the atmosphere before drying. As a result, the diffusion material in the SOG liquid 4 no longer functions as a diffusion material for the semiconductor wafer, resulting in a problem in that reliability in terms of wafer quality deteriorates.
本発明はこのような事情に鑑みなされたもので、半導体
ウェハに対しＳＯＧ液中の拡散材料を十分に機能させる
ことができ、もってウェハ品質上の信頼性を向上させる
ことができるＳＯＧ膜塗布装置を提供するものである。The present invention has been made in view of the above circumstances, and provides an SOG film coating device that can fully function the diffusion material in the SOG liquid on semiconductor wafers, thereby improving reliability in terms of wafer quality. It provides:
本発明においては、回転チャックの上方に設けられその
内部に乾燥ガスを供給可能なチャックカバーを備え、こ
のチャックカバーの内部には半導体ウェハにＳＯＧ液を
滴下する液供給部が位置付けられているものである。In the present invention, a chuck cover is provided above the rotating chuck and capable of supplying drying gas into the chuck cover, and a liquid supply section for dripping SOG liquid onto the semiconductor wafer is positioned inside the chuck cover. It is.
本発明においては、膜塗布時に回転チャックの周囲を低
湿度雰囲気に形成することができる。In the present invention, a low humidity atmosphere can be created around the rotary chuck during film coating.
第１図は本発明に係るＳＯＧ膜塗布装置を示す断面図で
、同図において第２図と同一の部材については同一の符
号を付し、詳細な説明は省略する。FIG. 1 is a cross-sectional view showing an SOG film coating apparatus according to the present invention. In this figure, the same members as in FIG. 2 are designated by the same reference numerals, and detailed description thereof will be omitted.
同図において、符号１１で示すものは下方に開口するチ
ャックカバーで、前記回転チャック１の上方に設けられ
ており、その内部には乾燥ガスを供給可能なチャンバー
１１２が形成されている。このカバー１１の上端部には
乾燥ガス供給装置（図示せず）に接続するガス導入口１
２が設けられている。そして、チャックカバー１１のチ
ャンバー１１ａ内には、半導体ウェハ２にＳＯＧ液を滴
下する前記パイプ５の液供給部５ａが位置付けられてい
る。In the figure, the reference numeral 11 designates a chuck cover that opens downward and is provided above the rotary chuck 1, and a chamber 112 to which dry gas can be supplied is formed inside the chuck cover. The upper end of this cover 11 has a gas inlet 1 connected to a dry gas supply device (not shown).
2 is provided. In the chamber 11a of the chuck cover 11, a liquid supply section 5a of the pipe 5 that drips the SOG liquid onto the semiconductor wafer 2 is positioned.
このように構成されたＳＯＧ膜塗布装置においては、半
導体ウェハ２に対する膜塗布時に、ガス導入口１２から
チャンバー１１ａ内に乾燥ガスを供給することにより、
回転チャック１の周囲を低湿度雰囲気に形成することが
できる。In the SOG film coating apparatus configured as described above, when coating the semiconductor wafer 2 with a film, by supplying dry gas into the chamber 11a from the gas inlet 12,
A low-humidity atmosphere can be created around the rotating chuck 1.
したがって、膜塗布時にＳＯＧ液４中に含有する拡散材
料とＨ２Ｏとの反応を確実に抑制することができる。す
なわち、乾燥ガスによってチャンバー１１ａ内の雰囲気
中に含有するＨ、Ｏを除去することができるからである
。Therefore, it is possible to reliably suppress the reaction between the diffusion material contained in the SOG liquid 4 and H2O during film coating. That is, this is because the dry gas can remove H and O contained in the atmosphere within the chamber 11a.
なお、本発明におけるガス導入口１２の取付位置は前述
した実施例に限定されるものではなく、＝３−
例えば側方でもよく、その取付位置は適宜変更すること
が自由である。The mounting position of the gas inlet 12 in the present invention is not limited to the above-mentioned embodiment, but may be, for example, on the side, and the mounting position can be changed as appropriate.
因に、本発明におけるＳＯＧ膜塗布装置も従来技術と同
様にして使用することにより、半導体ウェハ２に対しＳ
ＯＧ膜を塗布することができる。Incidentally, by using the SOG film coating apparatus in the present invention in the same manner as in the prior art, SOG film coating equipment can be applied to the semiconductor wafer 2.
An OG film can be applied.
すなわち、回転チャック１の水平吸着面ｌａ上に半導体
ウェハ２を吸着させ、この半導体ウェハ２の表面上にＳ
ＯＧ液４を滴下して回転チャック１を高速回転させるの
である。That is, the semiconductor wafer 2 is sucked onto the horizontal suction surface la of the rotary chuck 1, and S is placed on the surface of the semiconductor wafer 2.
The OG liquid 4 is dropped and the rotary chuck 1 is rotated at high speed.
以上説明したように本発明によれば、半導体ウェハを吸
着可能な水平吸着面を有する回転チャ・２りと、この回
転チャックの上方に設けられその内部に乾燥ガスを供給
可能なチャックカバーとを備え、このチャックカバーの
チャンバー内には半導体ウェハにＳＯＧ液を滴下する液
供給部が位置付けられているので、膜塗布時に回転チャ
ックの周囲を低湿度雰囲気に形成することができる。し
たがって、膜形成時に半導体ウェハに対しＳＯＧ液中の
拡散材料を十分に機能させることができるか一５＝
ら、ウェハ品質上の信耗性を確実に向上させることがで
きる。As explained above, according to the present invention, there are provided two rotary chucks each having a horizontal suction surface capable of suctioning a semiconductor wafer, and a chuck cover provided above the rotary chuck and capable of supplying drying gas into the chuck. Since a liquid supply unit for dropping SOG liquid onto the semiconductor wafer is located in the chamber of the chuck cover, a low-humidity atmosphere can be created around the rotating chuck during film coating. Therefore, since the diffusion material in the SOG liquid can be made to function sufficiently for the semiconductor wafer during film formation, reliability in terms of wafer quality can be reliably improved.
第１図は本発明に係るＳＯＧ膜塗布装置を示す断面図、
第２図は従来のＳＯＧ膜塗布装置を示す断面図である。
１・・・・回転チャック、１ａ・・・・水平吸着面、２
・・・・半導体ウェハ、３・・・・容器、４・・・・Ｓ
ＯＧ液、５・・・・パイプ、５ａ・・・・液供給部、１
１・・・・チャックカバー、１１ａ・・・・チャンバー
。
代 理 人 大岩増雄FIG. 1 is a sectional view showing an SOG film coating apparatus according to the present invention;
FIG. 2 is a sectional view showing a conventional SOG film coating apparatus. 1...Rotating chuck, 1a...Horizontal suction surface, 2
...Semiconductor wafer, 3...Container, 4...S
OG liquid, 5...pipe, 5a...liquid supply section, 1
1... Chuck cover, 11a... Chamber. Agent Masuo Oiwa
Claims (1)
ャックと、この回転チャックの上方に設けられその内部
に乾燥ガスを供給可能なチャックカバーとを備え、この
チャックカバーの内部には前記半導体ウェハにＳＯＧ液
を滴下する液供給部が位置付けられていることを特徴と
するＳＯＧ膜塗布装置。It is equipped with a rotary chuck having a horizontal suction surface capable of suctioning a semiconductor wafer, and a chuck cover provided above the rotary chuck and capable of supplying dry gas into the chuck cover. An SOG film coating device characterized in that a liquid supply section for dropping a liquid is positioned.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3625487A JPS63202923A (en) | 1987-02-18 | 1987-02-18 | Applicator for sog film |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3625487A JPS63202923A (en) | 1987-02-18 | 1987-02-18 | Applicator for sog film |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63202923A true JPS63202923A (en) | 1988-08-22 |
Family
ID=12464636
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3625487A Pending JPS63202923A (en) | 1987-02-18 | 1987-02-18 | Applicator for sog film |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63202923A (en) |
-
1987
- 1987-02-18 JP JP3625487A patent/JPS63202923A/en active Pending
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