JPS63198386A - レ−ザ−発振装置 - Google Patents
レ−ザ−発振装置Info
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- JPS63198386A JPS63198386A JP3117987A JP3117987A JPS63198386A JP S63198386 A JPS63198386 A JP S63198386A JP 3117987 A JP3117987 A JP 3117987A JP 3117987 A JP3117987 A JP 3117987A JP S63198386 A JPS63198386 A JP S63198386A
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- laser oscillation
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- 230000010355 oscillation Effects 0.000 title claims abstract description 26
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims abstract description 51
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims abstract description 21
- XBJJRSFLZVLCSE-UHFFFAOYSA-N barium(2+);diborate Chemical compound [Ba+2].[Ba+2].[Ba+2].[O-]B([O-])[O-].[O-]B([O-])[O-] XBJJRSFLZVLCSE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 abstract description 13
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract description 5
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 4
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 21
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 11
- 230000001427 coherent effect Effects 0.000 description 6
- XSQUKJJJFZCRTK-UHFFFAOYSA-N Urea Chemical compound NC(N)=O XSQUKJJJFZCRTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000004202 carbamide Substances 0.000 description 4
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 3
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 2
- 238000006552 photochemical reaction Methods 0.000 description 2
- XDTMQSROBMDMFD-UHFFFAOYSA-N Cyclohexane Chemical compound C1CCCCC1 XDTMQSROBMDMFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000007836 KH2PO4 Substances 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- -1 argon ion Chemical class 0.000 description 1
- UIZLQMLDSWKZGC-UHFFFAOYSA-N cadmium helium Chemical compound [He].[Cd] UIZLQMLDSWKZGC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 238000005372 isotope separation Methods 0.000 description 1
- 229910052743 krypton Inorganic materials 0.000 description 1
- DNNSSWSSYDEUBZ-UHFFFAOYSA-N krypton atom Chemical compound [Kr] DNNSSWSSYDEUBZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 229910000402 monopotassium phosphate Inorganic materials 0.000 description 1
- 235000019796 monopotassium phosphate Nutrition 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- GNSKLFRGEWLPPA-UHFFFAOYSA-M potassium dihydrogen phosphate Chemical compound [K+].OP(O)([O-])=O GNSKLFRGEWLPPA-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 238000004611 spectroscopical analysis Methods 0.000 description 1
- 230000000087 stabilizing effect Effects 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
- H01S3/10—Controlling the intensity, frequency, phase, polarisation or direction of the emitted radiation, e.g. switching, gating, modulating or demodulating
- H01S3/106—Controlling the intensity, frequency, phase, polarisation or direction of the emitted radiation, e.g. switching, gating, modulating or demodulating by controlling devices placed within the cavity
- H01S3/108—Controlling the intensity, frequency, phase, polarisation or direction of the emitted radiation, e.g. switching, gating, modulating or demodulating by controlling devices placed within the cavity using non-linear optical devices, e.g. exhibiting Brillouin or Raman scattering
- H01S3/109—Frequency multiplication, e.g. harmonic generation
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
光咀Ω技五圀皿
本発明は、レーザー発振装置に係り、さらに詳しくは、
レーザー光を第2高調波発生素子としての非線形光学結
晶体に入射させてその波長を変換させるようにしたレー
ザー発振装置に関する。
レーザー光を第2高調波発生素子としての非線形光学結
晶体に入射させてその波長を変換させるようにしたレー
ザー発振装置に関する。
−EIノー、r1北” ”u ニ” (7) IJ”f
f近年、レーザー光の各種分野への応用は益々盛んにな
っており、そのなかで、レーザー光の波長を変換しよう
とする試みが盛んになされている。
f近年、レーザー光の各種分野への応用は益々盛んにな
っており、そのなかで、レーザー光の波長を変換しよう
とする試みが盛んになされている。
例えば、レーザー光の波長を変換することによっユニJ
てコヒーレントな紫外線を得ることができ、コヒーレン
トな紫外線は、基礎研究用光源としてばかりでなく、光
化学反応、アイソトープの分離、バイオフノロジー等の
各社分野での用途が期待されている。特に最近、超LS
Iの目覚ましい進歩に伴って、周辺計測装置の精密化の
要請からコヒーレントな紫外線の利用が望まれていると
ともに、単導体製造工程における各種微細加工装置への
応用も考えられている。例えば、DRAM (DVna
−mic Randam Access )lemor
y)は、1990年までに4〜16Mbitのものが出
現すると予想されており、0.5μmの精度の微細加工
をエキシマレーザ−を代表とする紫外線レーザーを用い
たステッパー(逐次移動式露光装置)を用いて実現しよ
うとの計画が各所において進行中である。
トな紫外線は、基礎研究用光源としてばかりでなく、光
化学反応、アイソトープの分離、バイオフノロジー等の
各社分野での用途が期待されている。特に最近、超LS
Iの目覚ましい進歩に伴って、周辺計測装置の精密化の
要請からコヒーレントな紫外線の利用が望まれていると
ともに、単導体製造工程における各種微細加工装置への
応用も考えられている。例えば、DRAM (DVna
−mic Randam Access )lemor
y)は、1990年までに4〜16Mbitのものが出
現すると予想されており、0.5μmの精度の微細加工
をエキシマレーザ−を代表とする紫外線レーザーを用い
たステッパー(逐次移動式露光装置)を用いて実現しよ
うとの計画が各所において進行中である。
−fflに、コヒーレントな短波長の紫外線を得る方法
としては、二つの異なった波長のレーザー光を空間的に
重ね合せた後、特定の複屈折率を有する単結晶体、例え
ば、KH2PO4の単結晶体やKB50g ・4H2O
の単結晶体、あるいは尿素の単結晶体等に通過させる方
法が知られている。
としては、二つの異なった波長のレーザー光を空間的に
重ね合せた後、特定の複屈折率を有する単結晶体、例え
ば、KH2PO4の単結晶体やKB50g ・4H2O
の単結晶体、あるいは尿素の単結晶体等に通過させる方
法が知られている。
ところが、これらの結晶体は、潮解性が強いという問題
点があり、特に尿素単結晶体においては、室内で数時間
で使用不能になってしまうこともある。すなわち、レー
ザ光を入射させるために単結晶体の端面を光学研磨して
いても、その研磨面が潮解により劣化して使用不能とな
ってしまうこととなり、実用上大きな問題となっている
。
点があり、特に尿素単結晶体においては、室内で数時間
で使用不能になってしまうこともある。すなわち、レー
ザ光を入射させるために単結晶体の端面を光学研磨して
いても、その研磨面が潮解により劣化して使用不能とな
ってしまうこととなり、実用上大きな問題となっている
。
しかも、上述した単結晶体は、いずれも温度によって屈
折率が変化することがある。このため、従来から、単結
晶体を常時冷却して所定温度に維持しておき、紫外線の
吸収による温度上昇を防止して位相整合条件が破壊され
ないようにしている。
折率が変化することがある。このため、従来から、単結
晶体を常時冷却して所定温度に維持しておき、紫外線の
吸収による温度上昇を防止して位相整合条件が破壊され
ないようにしている。
しかし、この温度許容幅は0.1℃以下と極めて狭く、
操作条件は非常に複雑になってしまっている。
操作条件は非常に複雑になってしまっている。
このような問題点を解決するため、化学的に安定で、か
つ、取扱の容易なベータ型ホウ酸バリウム(β−B a
B2O4 )の単結晶体を第2高調波素子として用い
、可視レーザー光からコヒーレントな紫外線を得ようと
する試みが本発明者等によって既に提案されている。し
かし、ベータ型ホウ酸バリウムの単結晶体を第2高調波
素子として用いる従来のレーザー発振装置においては、
第2高調波素子すなわちベータ型ホウ酸バリウムの単結
晶体を共振器の外部に設置したものであり、得られる紫
外線レーザーの出力レベルは非常に低いものとなってい
るとともに、良質なレーザービームが得られないという
問題がある。これは、共振器の外部における光フィール
ドの強度が低いことや、共振器の外部では、内部におけ
るような繰返し効果が得らないこと等の理由によるもの
である。
つ、取扱の容易なベータ型ホウ酸バリウム(β−B a
B2O4 )の単結晶体を第2高調波素子として用い
、可視レーザー光からコヒーレントな紫外線を得ようと
する試みが本発明者等によって既に提案されている。し
かし、ベータ型ホウ酸バリウムの単結晶体を第2高調波
素子として用いる従来のレーザー発振装置においては、
第2高調波素子すなわちベータ型ホウ酸バリウムの単結
晶体を共振器の外部に設置したものであり、得られる紫
外線レーザーの出力レベルは非常に低いものとなってい
るとともに、良質なレーザービームが得られないという
問題がある。これは、共振器の外部における光フィール
ドの強度が低いことや、共振器の外部では、内部におけ
るような繰返し効果が得らないこと等の理由によるもの
である。
また−最に、連続波(CW)であるアルゴンレーザー光
等における光強度は、QスイッチレーザーやQスイッチ
レーザー励起色素レーザー等のパルスレーザ−光のピー
ク出力強度に比して、その出力レベルは極端に低い。こ
れに対して、第2高調波素子の変換動作効率は、入射レ
ーザー光の密度に比例して高くなる性質がある。したが
って、レーザー共振器の外部で波長変換を行なう場合の
変換動作効率を高めるには、レーザー光の出力レベルを
高くしなければならないこととなる。このため従来から
、焦点距離の短いレンズを用いてレーザー光を強力に集
光さぜな上で第2高調波素子に入射させ、レーザー光の
出力密度を上げるようにしている。しかし、ベータ型ホ
ウ酸バリウムの単結晶体は、波長変換に際しての許容角
度が極めて狭いことが知られており、上記のようにレン
ズを用いて集光させると変換ロスが大きくなってしまい
、変換効率が低下せざるを得ないという間だがある。例
えば、これまでのIW比出力アルゴンレーザーにおける
第2高調波への変換効率は、せいぜい0.02%程度で
しかない。
等における光強度は、QスイッチレーザーやQスイッチ
レーザー励起色素レーザー等のパルスレーザ−光のピー
ク出力強度に比して、その出力レベルは極端に低い。こ
れに対して、第2高調波素子の変換動作効率は、入射レ
ーザー光の密度に比例して高くなる性質がある。したが
って、レーザー共振器の外部で波長変換を行なう場合の
変換動作効率を高めるには、レーザー光の出力レベルを
高くしなければならないこととなる。このため従来から
、焦点距離の短いレンズを用いてレーザー光を強力に集
光さぜな上で第2高調波素子に入射させ、レーザー光の
出力密度を上げるようにしている。しかし、ベータ型ホ
ウ酸バリウムの単結晶体は、波長変換に際しての許容角
度が極めて狭いことが知られており、上記のようにレン
ズを用いて集光させると変換ロスが大きくなってしまい
、変換効率が低下せざるを得ないという間だがある。例
えば、これまでのIW比出力アルゴンレーザーにおける
第2高調波への変換効率は、せいぜい0.02%程度で
しかない。
光■ム且旬
本発明は、上記のような問題点を解決しようとするもの
であって、高い変換効率を得ることができるとともに、
良質なレーザービームを得ることができるようにした第
2高調波素子を備えてなるレーザー発振装置を提供する
ことを目的とする。
であって、高い変換効率を得ることができるとともに、
良質なレーザービームを得ることができるようにした第
2高調波素子を備えてなるレーザー発振装置を提供する
ことを目的とする。
−哩ム概ヌ
上記目的を達成するため本発明は、共振器から発生され
るレーザー光を、非線形光学結晶体から形成される第2
高調波発生素子に入射させることによりレーザー光の波
長を変換させるようにしたレーザー発振装置において、
前記第2高調波素子を構成する非線形光学結晶体が、ベ
ータ型ホウ酸バリウム(β−B a B2O4)の単結
晶体から形成されているとともに、該非線形光学結晶体
は、共振器の内部に設置されていることを特徴としてい
る。
るレーザー光を、非線形光学結晶体から形成される第2
高調波発生素子に入射させることによりレーザー光の波
長を変換させるようにしたレーザー発振装置において、
前記第2高調波素子を構成する非線形光学結晶体が、ベ
ータ型ホウ酸バリウム(β−B a B2O4)の単結
晶体から形成されているとともに、該非線形光学結晶体
は、共振器の内部に設置されていることを特徴としてい
る。
このような構成からなるレーザー発振装置では、共振器
内部における高強度の光フィールドにおいて波長変換が
行なわれるとともに、共振器内部での繰返し効果により
光強度が高められることとなる。
内部における高強度の光フィールドにおいて波長変換が
行なわれるとともに、共振器内部での繰返し効果により
光強度が高められることとなる。
見哩ム具体皿説朋
以下、本発明の実施例を図面に基づいて詳細に説明する
。
。
第1図に示す実施例は、CWレーザーおよびモードロッ
クCWレーザーの典型的な例としてのアルゴンイオンレ
ーザ−発振装置の共振器に本発明を適用した場合を示し
たものである。この共振器におけるレーザー管1内には
、レーザー物質としてのアルゴンガスが封入されており
、このレーザー管1の両端部にブルースター窓2,2が
取付けられている。さらに、上記各ブルースター窓2゜
2に対向するようにして曲率半径6mの出力ミラー3お
よび平面全反射ミラー4が設置されている。
クCWレーザーの典型的な例としてのアルゴンイオンレ
ーザ−発振装置の共振器に本発明を適用した場合を示し
たものである。この共振器におけるレーザー管1内には
、レーザー物質としてのアルゴンガスが封入されており
、このレーザー管1の両端部にブルースター窓2,2が
取付けられている。さらに、上記各ブルースター窓2゜
2に対向するようにして曲率半径6mの出力ミラー3お
よび平面全反射ミラー4が設置されている。
上記出力ミラー3の前面には、アルゴンレーザーの発振
線の波長領域である514.5nmから457.9nm
までの半波長に対応する257.2nmから228゜9
nmにわたって無反射コーティングが施されているとと
もに、該出力ミラー3の後面には、514.5n…から
457.9nmの範囲の光を全反射し、かつその半波長
である257.2nmから228.9nmの範囲の光を
できるだけ透過せしめるように誘電体多層膜蒸着が施さ
れている。一方、上記全反射ミラー4にも誘電体多層膜
蒸着が施されており、514.5nmから457.90
mの範囲の光およびその半波長である257.2nmか
ら228.9nmの範囲の光をすべて全反射するように
なされている。
線の波長領域である514.5nmから457.9nm
までの半波長に対応する257.2nmから228゜9
nmにわたって無反射コーティングが施されているとと
もに、該出力ミラー3の後面には、514.5n…から
457.9nmの範囲の光を全反射し、かつその半波長
である257.2nmから228.9nmの範囲の光を
できるだけ透過せしめるように誘電体多層膜蒸着が施さ
れている。一方、上記全反射ミラー4にも誘電体多層膜
蒸着が施されており、514.5nmから457.90
mの範囲の光およびその半波長である257.2nmか
ら228.9nmの範囲の光をすべて全反射するように
なされている。
さらに、上記のような共振器の内部には、レーザー光の
波長変換機能を備える非線形光学結晶体から形成された
第2高調波発生素子5が設置されている。この第2高調
波発生素子5は、前記ブルースター窓2と出力ミラー3
との間部分く実線図示部分〉あるいはブルースター窓2
と平面全反射ミラー4との間部分く一点鎖線図示部分)
に配置されている。該第2高調波発生素子5を構成する
非線形光学結晶体としては、ベータ型ホウ酸バリウムく
β−B a B2O4>の単結晶体が採用されている。
波長変換機能を備える非線形光学結晶体から形成された
第2高調波発生素子5が設置されている。この第2高調
波発生素子5は、前記ブルースター窓2と出力ミラー3
との間部分く実線図示部分〉あるいはブルースター窓2
と平面全反射ミラー4との間部分く一点鎖線図示部分)
に配置されている。該第2高調波発生素子5を構成する
非線形光学結晶体としては、ベータ型ホウ酸バリウムく
β−B a B2O4>の単結晶体が採用されている。
上記第2高調波発生素子5は、本実施例では単一固定波
長の第2高調波を発生ずるように設定されており、例え
ば波長514.5nmの波長に対応した位相整合条件を
満足するように結晶加工および設置が行なわれている。
長の第2高調波を発生ずるように設定されており、例え
ば波長514.5nmの波長に対応した位相整合条件を
満足するように結晶加工および設置が行なわれている。
結晶加工条件の一つは、光の透過面である結晶表面を光
学研磨するとともに、この結晶表面が、該結晶のY軸に
平行で、かつZ軸とのなす角度(位相整合角)Oが50
,1°となるように加工することであり、この場合には
第2図に示すように、結晶表面に対して、波長514.
5nmに対応する反射防止膜5aが一層蒸着されるとと
もに、結晶素子が光の進行方向に対して垂直となるよう
に設置されることとなる。結晶加工条件の他の一つは、
光の透過面である結晶表面を光学研磨するとともに、こ
の結晶表面が、該結晶のY軸に平行で、かつZ軸とのな
す角度θが50.1°となり、しかも結晶のX7面との
なす角度(ブリュースター角)Φが59.2°となるよ
うに加工することであり、この場合には第3図に示すよ
うに、結晶素子が光の進行方向に対して59.2°をな
ずように設置されることとなる。
学研磨するとともに、この結晶表面が、該結晶のY軸に
平行で、かつZ軸とのなす角度(位相整合角)Oが50
,1°となるように加工することであり、この場合には
第2図に示すように、結晶表面に対して、波長514.
5nmに対応する反射防止膜5aが一層蒸着されるとと
もに、結晶素子が光の進行方向に対して垂直となるよう
に設置されることとなる。結晶加工条件の他の一つは、
光の透過面である結晶表面を光学研磨するとともに、こ
の結晶表面が、該結晶のY軸に平行で、かつZ軸とのな
す角度θが50.1°となり、しかも結晶のX7面との
なす角度(ブリュースター角)Φが59.2°となるよ
うに加工することであり、この場合には第3図に示すよ
うに、結晶素子が光の進行方向に対して59.2°をな
ずように設置されることとなる。
また、アルゴンレーザー装置から発生されるレーザー光
には、その他に、457.9nm、476.50m、4
88、 Onm、501.7nm等の各波長線があるが
、このうち比較的強い線である488. Onmのもの
に対しては、Z軸とのなす角度Oが54.5°、X7面
とのなす角度Φが59.2°の角度設定が最も良好であ
る。
には、その他に、457.9nm、476.50m、4
88、 Onm、501.7nm等の各波長線があるが
、このうち比較的強い線である488. Onmのもの
に対しては、Z軸とのなす角度Oが54.5°、X7面
とのなす角度Φが59.2°の角度設定が最も良好であ
る。
その他の波長に対する最適角度は、それぞれ次の通りで
ある。501 、7nmの波長の場合には、θは52.
1°であり、Φは59,2°である。また496.50
mの波長の場合には、θは53.0’であり、Φは59
.2’である。さらに476.5nmの波長の場合には
、θは5G、8°であり、Φは59.2°である。さら
にまた457.9nmの波長の場合には、θは61.1
°であり、Φは5つ、3°である。
ある。501 、7nmの波長の場合には、θは52.
1°であり、Φは59,2°である。また496.50
mの波長の場合には、θは53.0’であり、Φは59
.2’である。さらに476.5nmの波長の場合には
、θは5G、8°であり、Φは59.2°である。さら
にまた457.9nmの波長の場合には、θは61.1
°であり、Φは5つ、3°である。
なお、結晶の大きさは、レーザービームの径に依存する
ものであるが、おおむねレーザービームの径の2倍程度
であれば差支えない。また、レーザービーム径を1.4
mmΦとした場合、長さ方向の大きさは、Walk−o
ff効果で限定される長さ8.3mmの結晶が用いられ
ている。また図示には、直流電源や放電安定化抵抗等は
省略している。
ものであるが、おおむねレーザービームの径の2倍程度
であれば差支えない。また、レーザービーム径を1.4
mmΦとした場合、長さ方向の大きさは、Walk−o
ff効果で限定される長さ8.3mmの結晶が用いられ
ている。また図示には、直流電源や放電安定化抵抗等は
省略している。
このような実施例においては、共振器内部における高強
度の光フィールドにおいて波長変換が行なわれるととも
に、共振器内部での繰返し効果により光強度が高められ
ることとなる。例えば、出力IW(ワット)のCW(連
続波)アルゴンレーザーの場合には、5mWの第2高調
波が得られた。
度の光フィールドにおいて波長変換が行なわれるととも
に、共振器内部での繰返し効果により光強度が高められ
ることとなる。例えば、出力IW(ワット)のCW(連
続波)アルゴンレーザーの場合には、5mWの第2高調
波が得られた。
さらに、アルゴンレーザーをモードロックシステムに替
えて出力を測定したところ、8mWの第2高調波が得ら
れた。
えて出力を測定したところ、8mWの第2高調波が得ら
れた。
第4図に示す実施例は、整合液11が充填されたセル容
器12内に、回転移動台13を介して第2高調波発生素
子らが保持されるようにしたものであり、セル容器12
の壁部に設置された光学窓14を通してレーザービーム
が第2高調波発生素子5に当てられるようになっている
。整合液11としては、シクロヘキサンが用いられてい
るとともに、光学窓14の整合液と触れない側の表面上
に、510nm〜450nmの波長範囲に対応する反射
防止膜が蒸着されている。
器12内に、回転移動台13を介して第2高調波発生素
子らが保持されるようにしたものであり、セル容器12
の壁部に設置された光学窓14を通してレーザービーム
が第2高調波発生素子5に当てられるようになっている
。整合液11としては、シクロヘキサンが用いられてい
るとともに、光学窓14の整合液と触れない側の表面上
に、510nm〜450nmの波長範囲に対応する反射
防止膜が蒸着されている。
このようなセル容器内12に保持された第2高調波発生
素子5を共振器内に設置し、該第2高調波発生素子5が
、アルゴンレーザーの514.5nmから457.9n
mに至る8本の発振線に対して位相整合するように回転
移動台13を回転させたところ、すべての発振線に対し
て高い変換効率で第2高調波を得ることができた。すな
わち、このような実施例では、出力波長にしたがって最
適な発振条件を常時維持することができ、単一波長のみ
ならず波長可変の場合にも好適に採用することができる
ものである。
素子5を共振器内に設置し、該第2高調波発生素子5が
、アルゴンレーザーの514.5nmから457.9n
mに至る8本の発振線に対して位相整合するように回転
移動台13を回転させたところ、すべての発振線に対し
て高い変換効率で第2高調波を得ることができた。すな
わち、このような実施例では、出力波長にしたがって最
適な発振条件を常時維持することができ、単一波長のみ
ならず波長可変の場合にも好適に採用することができる
ものである。
また本発明は、アルゴンレーザー、クリプトンレーザー
、ヘリウム−カドニウムレーザー等のCW(連続波)イ
オンレーザ−の他、これらにモードロック機能を付与し
てなるモードロックCWレーザー、CW色素レーザー、
リング色素レーザー、CWモモ−ロックNd;YAGレ
ーザー励起色素レーザー、CWモモ−ロツタアルゴンレ
ーザー励起色素レーザー等にも好適に適用することが可
能である。
、ヘリウム−カドニウムレーザー等のCW(連続波)イ
オンレーザ−の他、これらにモードロック機能を付与し
てなるモードロックCWレーザー、CW色素レーザー、
リング色素レーザー、CWモモ−ロックNd;YAGレ
ーザー励起色素レーザー、CWモモ−ロツタアルゴンレ
ーザー励起色素レーザー等にも好適に適用することが可
能である。
灸咀ぬガ呈
以上述べたように本発明におけるレーザー発振装置は、
共振器の内部に、ベータ型ホウ酸バリウム(β−B a
B2O4)の単結晶体から形成されてなる第2高調波
素子を設置するようにしたから、高い変換効率により第
2高調波を得ることができる。特に、従来のエキシマレ
ーザ−等のパルスレーザ−としてではなく、安定的にC
W(連続)発振し、しかも良質でコヒーレントな紫外線
レーザーを発振することができるようにしたレーザー発
振装置を得ることができる。そして、このようなレーザ
ー発振装置は、学術界においては生物学や化学等の分野
で使用されるスペクトロスコピーや光化学反応等の基礎
研究用光源として、また、産業界においては各種精密加
工用光源あるいは精密計測用光源等として大いに利用さ
れるものと期待されるものである。
共振器の内部に、ベータ型ホウ酸バリウム(β−B a
B2O4)の単結晶体から形成されてなる第2高調波
素子を設置するようにしたから、高い変換効率により第
2高調波を得ることができる。特に、従来のエキシマレ
ーザ−等のパルスレーザ−としてではなく、安定的にC
W(連続)発振し、しかも良質でコヒーレントな紫外線
レーザーを発振することができるようにしたレーザー発
振装置を得ることができる。そして、このようなレーザ
ー発振装置は、学術界においては生物学や化学等の分野
で使用されるスペクトロスコピーや光化学反応等の基礎
研究用光源として、また、産業界においては各種精密加
工用光源あるいは精密計測用光源等として大いに利用さ
れるものと期待されるものである。
第1図は本発明の一実施例におけるレーザー発振装置の
概略構成説明図、第2図、第3図および第4図は第2高
調波発生素子の配置関係を示した説明的断面図である。 1・・・レーザー管、2・・・ブルースター窓2.3・
・・出力ミラー、4・・・全反射ミラー、5・・・第2
高調波発生素子。 代理人 弁理士 銘木 俊一部 第 2 図 ζ 第 3 図 第 4 図
概略構成説明図、第2図、第3図および第4図は第2高
調波発生素子の配置関係を示した説明的断面図である。 1・・・レーザー管、2・・・ブルースター窓2.3・
・・出力ミラー、4・・・全反射ミラー、5・・・第2
高調波発生素子。 代理人 弁理士 銘木 俊一部 第 2 図 ζ 第 3 図 第 4 図
Claims (4)
- (1)共振器から発生されるレーザー光を、非線形光学
結晶体から形成される第2高調波発生素子に入射させて
上記レーザー光の波長変換を行なうようにしたレーザー
発振装置において、前記第2高調波素子として用いられ
る非線形光学結晶体が、ベータ型ホウ酸バリウム(β−
BaB_2O_4)の単結晶体から形成されているとと
もに、該非線形光学結晶体は、共振器の内部に設置され
ていることを特徴とするレーザー発振装置。 - (2)第2高調波素子として用いられる非線形光学結晶
体は、レーザー発振波長に対応するブリュースター角を
満足するように所定量傾斜して設置されていることを特
徴とする特許請求の範囲第1項記載のレーザー発振装置
。 - (3)第2高調波素子として用いられる非線形光学結晶
体の表面には、レーザー光の反射防止膜が蒸着されてい
るとともに、該第2高調波素子は、その結晶素子が光の
進行方向に対して垂直となるように設置されていること
を特徴とする特許請求の範囲第1項記載のレーザー発振
装置。 - (4)共振器として、CW(連続波)およびモードロッ
クCWレーザー共振器が用いられていることを特徴とす
る特許請求の範囲第1項記載のレーザー発振装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP3117987A JPS63198386A (ja) | 1987-02-13 | 1987-02-13 | レ−ザ−発振装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP3117987A JPS63198386A (ja) | 1987-02-13 | 1987-02-13 | レ−ザ−発振装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS63198386A true JPS63198386A (ja) | 1988-08-17 |
Family
ID=12324219
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP3117987A Pending JPS63198386A (ja) | 1987-02-13 | 1987-02-13 | レ−ザ−発振装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS63198386A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7400063B2 (en) | 2002-11-27 | 2008-07-15 | Sharp Kabushiki Kaisha | Switched-mode power supply |
US8823207B2 (en) | 2011-08-09 | 2014-09-02 | Denso Corporation | Power conversion apparatus |
-
1987
- 1987-02-13 JP JP3117987A patent/JPS63198386A/ja active Pending
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7400063B2 (en) | 2002-11-27 | 2008-07-15 | Sharp Kabushiki Kaisha | Switched-mode power supply |
US8823207B2 (en) | 2011-08-09 | 2014-09-02 | Denso Corporation | Power conversion apparatus |
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