JPS6319775A - 半導体電極と多核錯体から成る光蓄電池 - Google Patents

半導体電極と多核錯体から成る光蓄電池

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JPS6319775A
JPS6319775A JP61162851A JP16285186A JPS6319775A JP S6319775 A JPS6319775 A JP S6319775A JP 61162851 A JP61162851 A JP 61162851A JP 16285186 A JP16285186 A JP 16285186A JP S6319775 A JPS6319775 A JP S6319775A
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    • H01ELECTRIC ELEMENTS
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    • H01G9/00Electrolytic capacitors, rectifiers, detectors, switching devices, light-sensitive or temperature-sensitive devices; Processes of their manufacture
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、太陽光や電燈などの光で充電可能な光蓄電池
に関するものである。
〔従来の技術〕
光蓄電池は、太陽光エネルギーを電力に変換した後、そ
の電力を直接貯蔵する、太陽光エネルギー変換・貯蔵シ
ステムとして有効に利用できる。
石油・石炭に依存しない、永続的でクリーンなエネルギ
ー資源の開発は急を要する社会的課題で、この観点から
太陽光エネルギーの変換・有効利用が極めて注目される
。しかしながら太陽光エネルギーは非定常的な資源であ
るために、変換したエネルギーの貯蔵が重要課題である
〔発明の目的〕
従って本発明の目的は、光エネルギーの電力への変換と
貯蔵を一体化したシステムを提供することである。本発
明の他の目的は、光情報の記憶、再生にも利用でき、光
情報素子としての価櫨も極めて高い、光蓄電システムを
提供することである。
り発明の構成〕 本発明の目的は下記の光蓄電池により達成される。
少くとも一方の電極を半導体とし、組成式(1)で表わ
される混合原子価または混合金属多核錯体を正・負両極
の活物質として用い、半導体電極上に光を照射して光電
流を発生させることにより充電を行なうことを特徴とす
る光蓄電池。
ただし、Ml、MIIは同じであることを妨げない周期
律表の■A1■A1■、IB、、IIB、IIIBおよ
びIVB族から選ばれる金属イオン、ISmは金属イオ
ンの価数、a、bは1〜4の整数、Cは0を含む任意の
整数、またa、b、l、mは(2)の関係式を満足する
(6x a = (5−m ) x b       
  (2)本発明の特徴は、半導体に接合を形成させて
光電池を構成し、光照射により光電流を生せしめると同
時に、半導体電極および対極上で蓄電池の充電反応に相
当する反応を起させ、電力を電荷エネルギーとして蓄積
することにあり、このときの蓄電体としては多核錯体を
用いる。半導体は通常はオーミック電極としては作動し
ないので、充電後に放電反応で電力を1昇るためには、
半導体電極に近接して放電用の電極を設ける必要がある
。しかし、半導体電極表面の一部にオーミック接触をと
らせて放電時の用に供することができれば、別に放電用
の電極を設ける必要はない。電池のセルは、多核錯体の
溶液を用いる溶液型、多核錯体の膜を固相で用いる全固
体型、多核錯体膜を電解質溶液中で用いる膜/湿式型、
多核錯体膜と多核錯体溶液を用いる膜/溶液型とに分け
られる。
半導体としては、無機半導体としてTiO□、ZnO1
SnO,、SiC5SrTi03、CdS 、 CdS
e、 Si、 GaAs、’GaP 5InPなどが挙
げられる。これら半導体を溶液中に浸漬して用いる場合
には、無機半導体のうちではTlO2、ZnO,5n0
2、SiC、5rTi03などのバンドギャップの大き
い、従って紫外光しか吸収利用できない半導体が安定に
使用できる。しかしながら、無機半導体のうち、バンド
ギャップの小さい、従って可視光も吸収利用できるCd
S 5CdSe。
Si、GaAs5GaP 、 InPなどは、特にその
n型は、水中光照射条件下では劣化するため、高分子膜
などを被覆して安定化することを要する場合がある。
しかしこのような半導体でも、固相条件ならば安定に用
いることができる。
光電池の電極は、少くとも一方は半導体を用いるが、両
方とも半導体であってもよい。後者の場合は、n型およ
びp型半導体をそれぞれ電極として用いる。一方のみ半
導体を用いる場合には、対極としてはネサガラス(透明
電極)、炭素、金属などの電極を用いる。半導体電極は
、単結晶や多結晶の材料をそのまま用いるが、あるいは
半導体を他の電極たとえばネサガラス、炭素、金属など
の電極上に被覆して用いてもよい。放電反応を行なうた
めには、半導体電極側に、半導体表面と接触して、ある
いは半導体から離れた位置に、他の電極、たとえばネサ
ガラス、炭素、金属などの電極を設けるか、あるいは半
導体表面の一部にオーミック接触的特性を持たせれば、
半導体をそのまま放電用の電極としても兼用できる。
たとえば半導体表面の一部に金属あるいは金属酸化物を
被覆することにより一部オーミック接触的性質を持たせ
ることができる場合がある。
光照射を半導体裏面より行なう場合には、半導体表面に
充分光が届くように半導体またはこれを被覆する電極は
光透過性でなければならない。
一方、半導体表面より光を照射するためには、半導体表
面に充分光が当たるように電池の構成を工夫するべきで
あることは言うまでもない。
本発明においては蓄電用の活物質として多核型金属錯体
を用いる。これは通常の二次電池でいえば、正負両極の
活物質に相当する。多核型金属錯体の組成は(1)式で
表わされる。
ただしここでMI、MIIは同じであることを妨げない
、周期律表のVIA、■A1■、rB、IIB。
IBおよびI’VB族から選ばれる金属イオン、11m
は金属イオンの価数、a、bは1〜4の整数、Cは0を
含む任意の整数を表わし、またa、b。
fSmは式(2)の関係式を満足する。
42 X a = (6−m ) X b      
   (2)式(2)の条件は、錯体中の負電荷と陽電
荷の数が等しくなければならない理由に基づく。
MI  、Mn=としては、たとえばF e 2 +、
F O3−1Ru2−1Ru3゛、○s2”、O53゛
、M n”、M n 3 +、Cr”、Cr2−1(u
2−1Δg +−1Sn”、S n 4 +、Mo”、
Mo”、Af”、Pb”、Pb”  などが挙げられる
混合原子価錯体としてはたとえば代表例としてプルシア
ンブルー(以下PBと略す)が挙げられ、その組成は式
(3)で表わされる。
(Fe”)< CFe (II ) (CN)sビ・c
H,0(3)このような多核錯体は可逆的に三種のレド
ックス状態をとりうる。たとえばPBを例にとると、P
B自身はFe 2 * −Fe 30の混合原子価状態
であるが、これを酸化するとFe’“−F、、2−のい
わゆるベルリングリーン(以下BGと略する)と呼ばれ
る酸化状5をとり、またPBを還元するとFe2°−F
e”のいわゆるプルシアンホワイト(PWと略する)と
呼ばれる還元状態をとる。しかもこれら三種のレドック
ス状態を可逆的にとり得るため、中間レドックス状態(
この例ではPB)の化合物を原料とすると、これは正・
負側電荷を蓄積する活物質として用いることができ、蓄
電池としての構成は極めて簡単になる。
本発明で用いる多核錯体のもう一つの特徴は、高分子量
型の錯体であるために、容易に電極上に膜として固定し
たり、あるいはコロイド粒子として用いることができる
ことにある。活物質を電極に固定できるということは、
溶液を用いるよりはるかに高い濃度で用いることができ
る、あるいは陽極活物質と陰極活物質の接触を極めて容
易に防ぐことができる、固体型の素子として用いられる
、などの重要な利点を生ずる。
混合金属錯体としては(4)で表わされる、いわゆるル
テニウムパープル(’RPと略記する)が挙げられる。
(Fe”)< CRu (II ) (CN)6  〕
”−(4)コ PBのコロイド溶液を調製するには、フェリシアン化カ
リウムと第一鉄塩の水溶液を混合するか、あるいはフェ
ロシアン化カリウムと第二鉄塩の水、溶液を混合すれば
よい。混合後直ちにPBのコロイド溶液が生成する。あ
るいはフェロシアン化カリウムと第一鉄塩の混合水溶液
を、空気や他の酸化剤で酸化するか、あるいはフェリシ
アン化カリウムと第二鉄塩の混合水溶液を還元すること
により、FBのコロイド水溶液が得られる。このような
コロイド水溶液は、コロイドが凝集しないような条件で
は透明青色の水溶液であるが、濃度が高いとコロイドの
凝集が容易に起るので、深青色の不透明液となる。前述
の場合、酸化剤や還元剤を用いる代りに、電気化学的な
酸化または還元によりPBを生成せしめることも可能で
、このときFBは膜として電極面に付着する。他の錯体
の溶液や皮膜もほぼ同様にして調製される。たとえばR
Pは、ヘキサシアノルテニウム(II)塩を第二鉄塩水
溶液と混合することにより、紫色のコロイド溶液として
得られる。
その他の混合金属錯体の例としては、Fe”−Co”系
錯体、Fe’°−(u2−系錯体、Fe”−Mn”系錯
体等が挙げられる。
多核錯体膜を電極に被覆するためには、たとえば電解還
元法による場合は、まず酸化型の多核錯体水溶液を調製
する。PBの例ではフェリシアン化カリウムと第二鉄塩
水溶液を等モルずつ混合するとBG水溶液ができる。こ
れにカリウム、ルビジウム、セシウムあるいはアンモニ
ウムなどのカチオンを含む電解質(たとえば塩化カリウ
ム、硫酸ルビジウム、塩化アンモニウムなど)を共存さ
せ、電極に0〜−10 V (vs−NHε (標準水
素電極基準))の範囲の電圧を引加すると還元が起ると
ともに多核錯体くたとえばPB)が電極上に析出して皮
膜を形成する。
光蓄電池の活物質としての多核錯体は、溶液(コロイド
溶液)または膜として固定化した形で用いられ、これら
を適宜組み合せてもよい。膜として用いるばあいの膜厚
は1000人〜10μmが適当であり、また溶液として
用いるばあいの濃度は0.1mM〜IMが適当である。
媒体としては通常水が用いられる。両極の活物質の中間
には通常層膜を設けて、両温物質が接触しないようにす
る。
しかしながら、両温物質とも固定化した形態で用い、か
つこれらを電解質水溶液に浸漬して用いる場合には、両
温物質は直接接触しないので、隔膜は必要ない。多核錯
体を膜として用いる場合には、直接電極上に前述の方法
に従って析出、膜化させてもよいし、あるいは合成、天
然高分子の膜中に多核錯体を分散させて用いてもよい。
この場合、この膜中にはカリウム、ルビジウム、セシウ
ムあるいはアンモニウムなどのカチオンを含む電解質塩
が共存していることが望ましい。全固体型素子で用いら
れる隔膜も、あるいは溶液型で用いる場合の溶液も、こ
れらカリウム、ルビジウム、セシウムあるいはアンモニ
ウムなどのカチオンを共存させて用いることが望ましい
。これら電解質塩、カチオンの濃度は0.1mM〜IM
が適当である。
前述したように、無機半導体のうちn型でバンドギャッ
プの小さい可視域半導体は、水中光照射下では劣化して
しまうので、水中で用いる場合には安定化するた必に高
分子膜を被覆する。高分子膜としてはポリピロール、ポ
リチェニレン、ポリアニリンなどのほか、トリス(2,
2’−ビピリジン)ルテニウム(It)錯体(Ru (
bpy) 3  と略す)をペンダント基として有する
高分子などが用いられる。このような高分子の一例を式
(5)に示す。
三 (ただし、「−)は2,2′−ビピリジルを表わす。更
にx、y、zはそれぞれの繰り返し単位のモル分率で、
x+y+z=lを満足し、Xは0〜0.99、yは0〜
0,5.2は0.01〜0.90の範囲の値をとる。) 半導体に被覆した高分子膜中又は膜表面で光照射下でレ
ドックス反応を行なわせて多核錯体に充電することにな
るが、この場合膜中に白金、ルテニウム、パラジウム、
ロジウムなどの貴金属やその酸化物のような触媒を膜成
分に対して0.01〜lO重量%の割合で分散させてお
くと、水中光照射下での半導体の安定化および光充電反
応の効果が高い。
光源としては太陽光、タングステンランプ、ケイ光灯、
プロジェクタ−ランプ、水銀灯、ハロゲンランプなど何
でもよい。
以上のようにして構成した光蓄電池の一例を第1図に示
す。
以下実施例を以て本発明を説明する。
実施例1 n−CdS単結晶(表面積7.3mm’)の表面に、安
定化のため高分子ペンダント型Ru(bpy) 3(式
(5)においてX=0.905、y=0.047、Z=
0.048のもの)のジメチルホルムアミド溶液からキ
ャスト法により約1μmの厚さの膜を形成し、さらに触
媒としてRun、を膜中に分散させるために、該被覆C
dSをRun、水溶液に浸漬せしめることにより、Ru
O□として析出分散させた。
カチオン交換膜(ナフィオン(登録商標)膜使用)を隔
膜とする二基型セルの夫々に、PBの1mM(鉄単位の
濃度)溶液を夫々0.8−ずつ入れ、セルの片方に上記
CdS I!極を浸漬し、その表面は光入射側の近くに
おいて充分光が照射されるようにし、セルの片方には白
金(1ci )を浸漬して対極とした。被覆CdS表面
に、500Wキセノンランプからの光を照射するとアノ
ード光電流を初期には約180μA / ctlの大き
さで生じ、23時間後には14μA / cdとなった
。このとき流れた電荷量は0.13 Cで、この光電流
にともない、CdS極側のPBは酸化されてBGに、対
極側のPBは還元されてFWとなり、これらは溶液の可
視吸収スペクトルから確かめられた。光蓄電後に、Cd
S極室側に浸漬した白金極と対極との間に起電力250
mMを生じ、短絡により放電が起った。このような光蓄
電、放電は可逆的に繰り返し行なわれた。
実施例2 実施例1において、対極の白金にFBを約2μmの厚さ
に電着法で被覆せしめた電極を用い、かつ対極側室の水
溶液中にはFBの代りにKClを0.5M5HCj2を
0.01 M含むものを用いたほかは実施例1と同様に
して光蓄電を行なったところ、CdS極側室では水中の
PBが酸化されてBGとなり、対極上のFB膜は還元さ
れてFW膜となり、両室間の開放起電力として約300
mVを与えた。
このような光蓄電、放電(家可逆的に繰り返し行なわれ
た。
実施例3 n −CdS 単結晶上にRun2微粉末を乗せ、スパ
ーチルでこすった後、実施例1と同様にして高分子Ru
 (bpy)ン錯体膜を被覆し、これを0.01 Mの
BG水溶液に浸漬して−1,5V (vs−SC巳)を
かけることにより、FBの膜を析出せしめて被膜とした
。別にPBを被覆したネサガラスを作製し、にC1水溶
液をしみ込ませたナフィオン膜にそれぞれPB表面が接
触するようにはさみ込んで画定し、固体型光蓄電池とし
た。ネサガラス側からCdS表面に向けて太陽光を照射
すると、アノード光電流が生じ、同時にCdS上のFB
はBGに酸化され、ネサガラス上のPBは還元されてP
Wとなった。
CdS上に接触させたRub、はオーミック接触特性を
持つので、CdSは放電用の電極としても機能し、光蓄
電後に対極との間に開放起電力約25 QmVを生じ、
電池として作動した。
実施例4 1 M Cd50.水溶液、2Mアンモニア水溶液、お
よび1Mチオ尿素水溶液を1:5:1(容積比)の割合
で混合し、この混合水溶液にネサガラスを浸漬して溶液
を80〜90℃に加熱することにより、CdS膜をネサ
ガラスの電導性膜上に析出させた後、取り出して水洗し
た。このCdS膜上に、放電用の電極として白金網をの
せた後、BG水溶液に浸漬し、CdS極に−1■(vs
−5CE)をかけることによりCdS と白金網上にF
B膜を被覆せしめた。
この電極を用いて、実施例3と同様にして固体型光蓄電
池とし、CdSを被覆したネサガラスの裏側からプロジ
ェクタ−よりの光を照射するとアノード光電流が生ずる
とともに、CdS上のPBはBGとなり、対極上のPB
はPWとなった。光N電機、白金網と対極の間に起電力
線25 QmVを生じ、蓄電池として機能した。
実施例5 p−1nP電極をBG水溶液に浸漬し、−0,3V(v
s−5CE)をかけて表面に光照射すると、BGが光電
気化学的に還元されてFBとなり、同時にFB膜として
析出する。このPB被覆p−1nP電極と、PBを被覆
した白金対極とをo、 5 M K2SO4とO,OQ
 I M H2SO,とを含む水溶液に浸漬し、両極間
に隔壁を設けることなく、p−InP上に500Wキセ
ノンランプからの光を照射すると、カソード光電流が流
れてp −InP 上のPBは還元されてPWに、対極
上のPBは酸化されてBGとなった。
光蓄電機に、p−1nP上のPWに接触させた白金線と
対極との間の開放起電力は200mMとなり、光蓄電池
として機能した。
実施例6 イオン交換膜の隔壁で仕切った二定型セルの一方にPB
の10mM水溶液を入れてこれにn −Tie2電極を
浸漬し、片方にはに2SO4水溶液を入れてこれにFB
膜を被覆したグラファイト対極を浸漬した。TiO□表
面に水銀灯からの紫外光を照射するとアノード光電流が
生じ、Tin□極室のPBは酸化されてBGになり、対
極グラファイト上のPBは還元されてPWになった。光
蓄電機、TiO□側溶液中に浸漬したグラファイト極と
対極との間に開放起電力的300mMを生じ、蓄電池と
して機能した。
実施例7 実施例1において、PBの代りにRPを用いたほかは実
施例1と同様に光蓄電池を構成して光照射したところ、
CdS極側のRPは酸化されてFe”−Ru3−型錯体
となり、対極側のRPは還元されてFe 2°−Ru”
型錯体となり、光蓄電機に同様にして起電力を取り出し
たところ、開放起電力的27 QmVが得られた。
実施例8 実施例1のようにして安定化したn−Cd5単結晶電極
上にPBを被覆した電極と、実施例5のようにしてFB
膜を被覆させた電極とを、0.1MKClと1mM  
HCj2とを含む水溶液に浸漬し、電極間に隔壁は設け
ず、該CdS とInP電極上に太陽光を照射すると、
p−1nP電極からn−Cd5電極に向って外部回路を
光電流が流れ、同時にCdS上のFB膜は酸化されてB
Gに、InP上のFB膜は還元されてPWになった。光
蓄電機に、BG膜およびPW膜夫々に白金電極を接触さ
せて起電力をはかると、開放起電力として約260mM
が得られ、電流を生じて電池として作動した。このよう
な光M電、放電は繰り返し行なうことができた。
実施例9 n −GaAs単結晶電極上に放電用の白金網電極を置
いた上にFB膜を被覆させた電極と、FB膜を被覆した
ネサガラス対極とで、塩化アンモニウム水溶液をしみ込
ませたナフィオン膜をはさんで固体型光蓄電池とし、ネ
サガラス側から500Wキセノンランプからの光を照射
するとアノード光電流が生じ、同時にn−GaAs上の
PBはBGに酸化され、ネサガラス上のPBはPWに還
元された。
光蓄電機、白金m電極と対極間に開放起電力的290m
Mを生じ、光蓄電池として繰り返し作動し実施例10 実施例4のようにして調製したCdS膜被覆電極上に放
電用の白金網電極をのせた後、ゼラチンとPBを溶解し
た水溶液を流して乾燥することにより、FBを分散した
ゼラチン膜を被覆し、一方ネサガラス上に同様にしてP
Bを分散したゼラチン膜を被覆し、両電極で、K、SO
,水溶液をしみ込ませたゼラチン膜をはさんで固体型光
蓄電池を構成した。CdS極のネサガラス側から太陽光
を照射するとアノード光電流が生じ、CdS上のFBは
BGに、ネサガラス上のFBはPWになった。光蓄電機
、白金網と対極ネサガラス間に開放起電力的3 QQm
Vを生じ、繰り返し光蓄電池として作動した。
実施例11 実施例10において、ゼラチンの代りにポリビニルアル
コールを用いた他は、実施例10と全く同様に光蓄電池
を構成し、はぼ同様の結果を得た。
〔発明の効果〕
本発明は、光エネルギーの電力への変換と貯蔵を一体化
した全く新しいシステムを提供するものであり、その社
会的、経済的意義は極めて大きい。
本発明の光蓄電池は、光蓄電、放電を可逆的に繰り返し
行うことができる。したがって、本発明の光蓄電システ
ムは光情報の記憶、再生にも利用でき、光情報素子とし
ての価値も極めて高い。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の光蓄電池の一具体例を示す概念図であ
る。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 少くとも一方の電極を半導体とし、組成式(1)で表わ
    される混合原子価または混合金属多核錯体を正・負両極
    の活物質として用い、半導体電極上に光を照射して光電
    流を発生させることにより充電を行なうことを特徴とす
    る光蓄電池。 (M I )_a〔MII(CN)_6〕_b・cH_2O
    (1)ただし、M I 、MIIは同じであることを妨げな
    い、周期律表のVIA、VIIA、VIII、 I B、IIB、III
    BおよびIVB族から選ばれる金属イオン、l、mは金属
    イオンの価数、a、bは1〜4の整数、cは0を含む任
    意の整数、またa、b、l、mは(2)の関係式を満足
    する。 l×a=(6−m)×b(2)
JP61162851A 1986-07-10 1986-07-10 半導体電極と多核錯体から成る光蓄電池 Expired - Lifetime JP2523283B2 (ja)

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Cited By (6)

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