JPS63195991A - Radio frequency heater - Google Patents

Radio frequency heater

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Publication number
JPS63195991A
JPS63195991A JP2741187A JP2741187A JPS63195991A JP S63195991 A JPS63195991 A JP S63195991A JP 2741187 A JP2741187 A JP 2741187A JP 2741187 A JP2741187 A JP 2741187A JP S63195991 A JPS63195991 A JP S63195991A
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JP
Japan
Prior art keywords
control circuit
door
power source
power
switching element
Prior art date
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Pending
Application number
JP2741187A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
均 栗田
晃久 高野
雅士 矢野
藤井 康照
治雄 末永
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Panasonic Holdings Corp
Original Assignee
Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Matsushita Electric Industrial Co Ltd filed Critical Matsushita Electric Industrial Co Ltd
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Priority to EP19880101729 priority patent/EP0280100B1/en
Priority to DE3853733T priority patent/DE3853733T2/en
Priority to US07/153,411 priority patent/US4888461A/en
Priority to CA 558506 priority patent/CA1299253C/en
Priority to AU11615/88A priority patent/AU591377B2/en
Priority to KR1019880001237A priority patent/KR910000830B1/en
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  • Control Of High-Frequency Heating Circuits (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
(57) [Summary] This bulletin contains application data before electronic filing, so abstract data is not recorded.

Description

【発明の詳細な説明】 (産業上の利用分野) 本発明は、インバータ電源を有する高周波加熱装置に関
するものである。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION (Field of Industrial Application) The present invention relates to a high frequency heating device having an inverter power supply.

(従来の技術) 高周波加熱装置のマグネトロン駆動用電源においては、
交流−次側電源を余波整流平滑して、半導体スイッチン
グ素子により超可聴周波数の交流電圧を得て高圧トラン
スで昇圧して高圧を得るという半導体を利用した電子昇
圧回路方式へと移行する傾向にある。
(Prior art) In the power supply for driving the magnetron of high frequency heating equipment,
There is a trend toward an electronic step-up circuit method using semiconductors, in which after-effect rectification and smoothing of the alternating current power supply is performed, a semiconductor switching element is used to obtain an alternating current voltage with an ultra-audible frequency, and the voltage is boosted by a high-voltage transformer to obtain high voltage. .

さらに、前記動作に加えてマグネ1−ロンに供給する電
力を制御して等測的に高周波出力を制御する電力制御回
路も生まれている。また、装置全体のシステム制御には
、マイクロコンピュータを用いて、高周波加熱装置全体
の制御をして(Xる。以上のように、マグネトロンを発
振させるために多くの電子部品、電子回路を用いている
。そのため、個々の半導体の信頼性が今まで以上に要求
されてきているとともに、1つの半導体の故障がマグネ
トロンの異常発振等も起こしかねない状況になっている
Furthermore, in addition to the above-mentioned operation, a power control circuit has also been developed which controls the power supplied to the magnetron to isometrically control the high-frequency output. In addition, a microcomputer is used to control the entire system of the high-frequency heating device (X).As mentioned above, many electronic components and circuits are used to oscillate the magnetron. Therefore, reliability of each semiconductor is required more than ever before, and a failure of one semiconductor may cause abnormal oscillation of the magnetron.

(発明が解決しようとする問題点) 上記構成により、半導体部品個々の信頼性をさらに向上
させるとともに、二重、三重の安全回路を付加させるな
ど、かえって@雑な回路構成になリ、原価高になる欠点
があった。
(Problems to be Solved by the Invention) The above configuration not only further improves the reliability of each semiconductor component, but also adds double or triple safety circuits, which results in a more complex circuit configuration and higher costs. It had some drawbacks.

本発明の目的は、従来の欠点を解消し、原価が低くて安
全性の高い高周波加熱装置を提供することである。
An object of the present invention is to eliminate the conventional drawbacks and provide a high-frequency heating device that is low in cost and highly safe.

(問題点を解決するための手段) 本発明の高周波加熱装置は、その前面部に設けられたド
アーと、このドアーの開閉に伴いON−OFFするドア
ースイッチと、交流−次電源を全波整流平滑した直流電
源にマグネトロン駆動トランスと半導体スイッチング素
子とが直列に接続されたインバータ装置と、半導体スイ
ッチング素子の電力を制御する電力制御回路部と、この
動力制御回路部に電圧を供給する駆動電源とを有し、こ
のl駆動電源ラインの途中に、前記ドアースイッチを介
在させたものである。
(Means for Solving the Problems) The high-frequency heating device of the present invention includes a door provided on the front side thereof, a door switch that turns on and off as the door opens and closes, and a full-wave rectified AC power source. An inverter device in which a magnetron drive transformer and a semiconductor switching element are connected in series to a smoothed DC power supply, a power control circuit unit that controls the power of the semiconductor switching element, and a drive power supply that supplies voltage to the power control circuit unit. The door switch is interposed in the middle of this l drive power supply line.

(作 用) 本発明では、半導体スイッチング素子と、その電力制御
する電力制御回路部の駆動電源をドアーの開閉に伴い入
切するため、ドアー開時に高周波が発振してしまう等の
問題は全くなく、極めて安全性の高い回路構成を提供で
きるものである。
(Function) In the present invention, since the drive power of the semiconductor switching element and the power control circuit unit that controls the power thereof is turned on and off as the door opens and closes, there is no problem such as high frequency oscillation when the door is opened. , it is possible to provide an extremely safe circuit configuration.

(実施例) 本発明の一実施例を第1図および第2図に基づいて説明
する。
(Example) An example of the present invention will be described based on FIGS. 1 and 2.

第1図は、本発明の高周波加熱装置の回路図である。同
図において、交流−次電源(商用電源)1から高周波加
熱装置の前面開口部に設けられたドアーに連動して動く
第1のドアースイッチ2を経て、全波整流器3および平
滑用コンデンサ4により約140 VのDC電圧を得て
いる。マグネ1−ロン5を駆動する昇圧用の駆動トラン
ス6の一次側巻線6aと、共振用コンデンサ7によりり
、C共振回路を構成している。半導体スイッチング素子
である高耐圧トランジスタ8を約30KI(zないし5
0に1(zの超可聴同波数領域でON−OFFさせるこ
とにより、その交流エネルギーが駆動トランス6により
約3500 Vに昇圧され、マグネトロン5に印加され
、高周波を出力する。9は高耐圧トランジスタ8の保護
ダイオードであり、lOはフィルタ用のチョークコイル
である。
FIG. 1 is a circuit diagram of the high frequency heating device of the present invention. In the figure, an AC-order power source (commercial power source) 1 passes through a first door switch 2 that moves in conjunction with a door provided at the front opening of the high-frequency heating device, and is then connected to a full-wave rectifier 3 and a smoothing capacitor 4. A DC voltage of approximately 140 V is obtained. The primary winding 6a of the step-up drive transformer 6 that drives the magnetron 5 and the resonance capacitor 7 constitute a C resonance circuit. The high-voltage transistor 8, which is a semiconductor switching element, is approximately 30KI (z to 5
By turning the AC energy on and off in the ultra-audible same wave frequency region of 0 to 1 (z), the AC energy is boosted to about 3500 V by the drive transformer 6 and applied to the magnetron 5, which outputs a high frequency. 9 is a high voltage transistor. 8 is a protection diode, and lO is a filter choke coil.

高耐圧トランジスタ8の電力制御は、電力制御回路部1
1によって行なわれる。電力制御回路部11への電源は
、低圧トランス12の第1の二次巻線13により、ドア
ーの開閉でON−OFFする第2のドアースイッチ14
を経て供給される。したがって、ドアー開閉時には電力
制御回路部11に電源は供給されず、動作は全くしない
構成になっている。低圧1〜ランス12の第2の二次巻
線15により、システム制御回路部16に電源が供給さ
れている。電力制御回路部11とシステム制御回路部1
6との信号のやりとりは、リレー、フォトカプラー等の
手段を用いて行なわれる。したがって、互いに絶縁され
ている。また、低圧トランス12の第1の二次巻線13
と第2の二次巻線15とは、これも互いに絶縁されてい
る。システム制御回路部16にはマイクロコンピュータ
を備え、ドアーの開閉状況、センサ、キーボードスイッ
チ等の情報入力と、表示装置への表示出力および電力制
御回路部11への制御信号を出力している。17はイン
バータ装置である。
Power control of the high voltage transistor 8 is performed by the power control circuit section 1
This is done by 1. The power to the power control circuit unit 11 is supplied by a first secondary winding 13 of a low voltage transformer 12, and a second door switch 14 that is turned on and off by opening and closing the door.
It is supplied through. Therefore, when the door is opened or closed, power is not supplied to the power control circuit section 11, and the structure is such that it does not operate at all. Power is supplied to the system control circuit 16 by the second secondary winding 15 of the low voltage 1 to the lance 12 . Power control circuit section 11 and system control circuit section 1
The exchange of signals with 6 is performed using means such as relays and photocouplers. Therefore, they are insulated from each other. In addition, the first secondary winding 13 of the low voltage transformer 12
and the second secondary winding 15 are also insulated from each other. The system control circuit unit 16 is equipped with a microcomputer, and inputs information such as door opening/closing status, sensors, keyboard switches, etc., outputs display output to a display device, and outputs control signals to the power control circuit unit 11. 17 is an inverter device.

第2図は、低圧トランス12の二次側の回路の一部を紹
介したもので、第2のドアースイッチ14を経て平滑用
コンデンサ18により平滑され、定電圧素子19により
DC:5Vを得ている。この電圧は、電力制御回路部(
第1図の電源を除< )11 aに供給される。DC5
Vラインはフォトカプラー20が配設され、第2のドア
ースイッチ14の開閉により、その信号がシステム制御
回路部16の入力部に入力され、ドアーの開閉状態を認
識する。21は保護ダイオードである。
Figure 2 shows a part of the circuit on the secondary side of the low-voltage transformer 12. It is smoothed by a smoothing capacitor 18 through the second door switch 14, and DC: 5V is obtained by a constant voltage element 19. There is. This voltage is applied to the power control circuit (
Except for the power supply shown in FIG. DC5
A photocoupler 20 is disposed on the V line, and when the second door switch 14 is opened or closed, its signal is input to the input section of the system control circuit section 16, and the open/closed state of the door is recognized. 21 is a protection diode.

(発明の効果) 本発明によれば、ドアースイッチをスイッチング素子を
電力制御する回路へ電源を供給するラインに配設してい
るため、万一電力制御回路部やマイクロコンピュータを
備えたシステム制御回路部が故障等の異常をきたしても
、ドアーが開状態ではスイッチング素子を動作させるこ
とができないので、非常に安全である。また、第2のド
アースイッチはメイン電流(15A)が流れる回路に挿
入されていないので、数十mA程度の弱い電流ラインに
挿入され、スイッチ自身の耐久性も向上するとともに、
原価の安いスイッチが使用できる等種々の効果がある。
(Effects of the Invention) According to the present invention, since the door switch is disposed in the line that supplies power to the circuit that controls the power of the switching element, the power control circuit section and the system control circuit equipped with the microcomputer Even if there is an abnormality such as a failure in the part, the switching element cannot be operated while the door is open, so it is extremely safe. In addition, since the second door switch is not inserted into the circuit where the main current (15A) flows, it is inserted into a weak current line of about several tens of mA, which improves the durability of the switch itself.
There are various effects such as being able to use inexpensive switches.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of the drawing]

第1図は本発明の一実施例による高周波加熱装置の回路
図、第2図は同低圧トランス二次側の回路図である。 1・・・商用電源、  2・・・第1のドアースイッチ
、 3・・・全波整流器、 4.18・・・平滑用コン
デンサ、  5・・・マグネトロン、  6・・・駆動
トランス、 6a・・・駆動トランスの一次側巻線、 
 7・・・共振用コンデンサ、 8・・・高耐圧トラン
ジスタ、9.21・・・保護ダイオード、 10・・・
フィルタ用チョークコイル、 11. lla・・・電
力制御回路部、 12・・・低圧トランス、 13・・
・低圧トランスの第1の二次巻線、 14・・・第2の
ドアースイッチ、15・・・低圧トランスの第2の二次
巻線、 16・・・システム制御回路部、 17・・・
インバータ装置、 19・・・定電圧素子、 20・・
・フォトカプラー。 第1図
FIG. 1 is a circuit diagram of a high-frequency heating device according to an embodiment of the present invention, and FIG. 2 is a circuit diagram of the secondary side of the low-voltage transformer. 1...Commercial power supply, 2...First door switch, 3...Full wave rectifier, 4.18...Smoothing capacitor, 5...Magnetron, 6...Drive transformer, 6a.・Primary winding of drive transformer,
7... Resonance capacitor, 8... High voltage transistor, 9.21... Protection diode, 10...
Choke coil for filter, 11. lla...Power control circuit section, 12...Low voltage transformer, 13...
- First secondary winding of the low voltage transformer, 14... Second door switch, 15... Second secondary winding of the low voltage transformer, 16... System control circuit section, 17...
Inverter device, 19... constant voltage element, 20...
・Photo coupler. Figure 1

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] 高周波加熱装置の前面部に設けられたドアーと、前記ド
アーの開閉に伴いON−OFFするドアースイッチと、
交流一次電源を全波整流平滑した直流電源に、マグネト
ロン駆動トランスと半導体スイッチング素子とが直列に
接続されたインバータ装置と、前記半導体スイッチング
素子の電力を制御する電力制御回路部と、前記制御回路
部に電圧を供給する駆動電源とを有し、前記駆動電源ラ
インの途中に、前記ドアースイッチを介在させたことを
特徴とする高周波加熱装置。
a door provided on the front side of the high-frequency heating device; a door switch that turns on and off as the door opens and closes;
an inverter device in which a magnetron drive transformer and a semiconductor switching element are connected in series to a direct current power source obtained by full-wave rectification and smoothing of an alternating current primary power source; a power control circuit section that controls the power of the semiconductor switching element; and the control circuit section. 1. A high-frequency heating device comprising: a drive power source for supplying a voltage to the drive power source, and the door switch is interposed in the middle of the drive power source line.
JP2741187A 1987-02-10 1987-02-10 Radio frequency heater Pending JPS63195991A (en)

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