JPS63192222A - Open-close structure of opening section of chamber for dry process semiconductor production device - Google Patents

Open-close structure of opening section of chamber for dry process semiconductor production device

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Publication number
JPS63192222A
JPS63192222A JP62025404A JP2540487A JPS63192222A JP S63192222 A JPS63192222 A JP S63192222A JP 62025404 A JP62025404 A JP 62025404A JP 2540487 A JP2540487 A JP 2540487A JP S63192222 A JPS63192222 A JP S63192222A
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JP
Japan
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chamber
wafer
opening
opening section
block
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Pending
Application number
JP62025404A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Kazumasa Makiguchi
巻口 一誠
Isao Yokomizo
横溝 勲
Osamu Matsumoto
治 松本
Yoshihide Endo
遠藤 好英
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Kokusai Electric Corp
Original Assignee
Kokusai Electric Corp
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Filing date
Publication date
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Publication of JPS63192222A publication Critical patent/JPS63192222A/en
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Abstract

PURPOSE:To equalize the conditions of the inner wall of an opening section by conforming the shape of the inserting inner end surface of a block cover arranged to the opening section communicated with the outside in an inserting and detaching-free manner to the shape of the inner circumferential surface of a chamber and mounting the block cover to a parallel link disposed in a derricking-free manner toward the opening section. CONSTITUTION:An opening section 22 communicated with the outside is formed to a chamber 20, a block cover 30 is arranged to the opening section 22 in an inserting and detaching-free manner and the shape of the inserting inner end surface (a) of the block cover 30 is conformed to the shape of the inner circumferential surface (b) of the chamber 20 and shaped, and a parallel link B is disposed in a derricking-free manner toward the opening section 22 and the block cover 30 is set up to the parallel link B. Accordingly, the block cover 30 is moved in the direction of the opening section 22 by the parallel link B and opens and closes the opening section 22, and the shape of the inserting inner end surface (a) of the block cover 30 is conformed to the shape of the inner circumferential surface (b) of the chamber 20 and formed, thus equalizing the conditions of the inner wall of the chamber 20.

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、ドライエツチング、CVD (ケミカル・ベ
ーパー・デポジション)、ホトレジストアッシングなど
のドライプロセス半導体製造装置のチャンバ開口部の開
閉構造の改良に関する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Field of Industrial Application] The present invention relates to an improvement in the opening/closing structure of a chamber opening in dry process semiconductor manufacturing equipment such as dry etching, CVD (chemical vapor deposition), and photoresist ashing. .

〔従来技術〕[Prior art]

本件出願人は第1.2図示のようにド・ライプロセス半
導体製造装置を、ローダ/アンローダブロック2、ウェ
ハー搬送ブロック3、ウェハー処理ブロック5、制御ブ
ロック6に分割したものを提案した。このうちローダ/
アンローダブロック2は未処理のウェハー1を受は取り
、ウェハー搬送ブロック3にウェハー1を供給し、又は
、処理済みウェハー1を受は取ってライン外にウェハー
1を供給するものである。ウェハー搬送ブロック3は上
記ローダ/アンローダブロック2から受は取ったウェハ
ー1を保持して前後左右いずれの方向にも移動してウェ
ハー1の供給・受は取りを行うことが出来るウェハー搬
送装置4を持つものである。ウェハー処理ブロック5は
ウェハー搬送ブロック3から受は取ったウェハー1を処
理するものである。
The applicant has proposed a dry process semiconductor manufacturing apparatus divided into a loader/unloader block 2, a wafer transport block 3, a wafer processing block 5, and a control block 6, as shown in Figure 1.2. Of these, loader/
The unloader block 2 receives and receives unprocessed wafers 1 and supplies the wafers 1 to the wafer transport block 3, or receives and receives processed wafers 1 and supplies the wafers 1 outside the line. The wafer transport block 3 holds the wafer 1 received from the loader/unloader block 2, and has a wafer transport device 4 which can move in any direction, front, rear, left or right to supply and receive the wafer 1. It is something you have. The wafer processing block 5 processes the wafer 1 received from the wafer transport block 3.

このウェハー処理ブロック5には、例えば、ドライエツ
チング装置、CVD装置、ホトレジストアッシング装置
、ディベロソバ−などの半導体製造ドライプロセス装置
があり、ドライエツチング装置としては、例えば a)  RIE/PPE(リアクタ イオン エツチン
グ/プレーナ プラズマ エツチング)型エツチング装
置、 b)  ECR(エレクトロン サイクロトロンレゾナ
ンス)型エツチング装置、 c)  TROI D型エツチング装置、d)  RI
BE(リアクティブ イオン ビームエツチング)型エ
ツチング装置など が挙げられる。
The wafer processing block 5 includes, for example, semiconductor manufacturing dry process equipment such as a dry etching equipment, a CVD equipment, a photoresist ashing equipment, and a developer. Examples of the dry etching equipment include a) RIE/PPE (reactor ion etching/ Planar plasma etching) type etching device, b) ECR (electron cyclotron resonance) type etching device, c) TROI D type etching device, d) RI
Examples include a BE (reactive ion beam etching) type etching device.

CVD装置としては、例えば、マイクロ ウェーブ プ
ラズマ CVD装置が挙げられる。
Examples of the CVD device include a microwave plasma CVD device.

制御ブロック6は上記ブロック2.3.5をコントロー
ルするものである。これらのブロックの内、ローダ/ア
ンローダブロック2、ウェハー搬送ブロック3、ウェハ
ー処理ブロック5の3ブロツクは直接連結されて使用さ
れるため、その外形寸法(′f11・横・高さ)は勿論
、ウェハー1の搬送路など主要寸法は統一されている。
Control block 6 controls block 2.3.5 above. Three of these blocks, loader/unloader block 2, wafer transport block 3, and wafer processing block 5, are directly connected and used, so their external dimensions ('f11, width, height), The main dimensions, such as the conveyance path in No. 1, are unified.

各ブロックは連通筒21にて連通されており、常圧下は
勿論減圧下でも稼動されるものである。
Each block is communicated with each other through a communication tube 21, and can be operated not only under normal pressure but also under reduced pressure.

而して従来のドライプロセスに使用されるチャンバ20
の概略断面は第9図の通りである。
Thus, the chamber 20 used in the conventional dry process
A schematic cross-section of is shown in FIG.

即ち、チャンバ20内に上下一対の電極40.40が配
置され、チャンバ20の開口部22から挿入されたウェ
ハー1がその一対の上下電極40.40間に配置され、
各種の半導体ガスを電極40間に均一に流入させつつグ
ロー放電を生起させ、ウェハー1のドライ処理を行うも
のである。
That is, a pair of upper and lower electrodes 40.40 are arranged in the chamber 20, and the wafer 1 inserted through the opening 22 of the chamber 20 is arranged between the pair of upper and lower electrodes 40.40.
The wafer 1 is dry-processed by causing glow discharge while uniformly flowing various semiconductor gases between the electrodes 40.

〔発明が解決しようとする問題点〕[Problem that the invention seeks to solve]

しかし、このチャンバ20の開口部22を開閉するため
のIE30は第7.8図に示すように、単に横方向にス
ライドする平板状のIE30に過ぎず、開口部22の外
側を開閉するとき開口部22の方向に対し直角方向に動
くのでチャンバ20内の内壁条件を不均一にした。その
ため、グロー放電が不安定になりやすいとかウェハー1
表面を流れる半導体ガスにわずかながらでも乱流が発生
し、その結果ウェハー1表面処理に「処理むら」が発生
することが有るなど、各種の欠点が有った。近年のよう
にウェハーlが次第に大径口化する事により、これらの
欠点は製品歩留まりに大きな影響を与える事になり、深
刻化しつつある問題である。
However, as shown in FIG. 7.8, the IE 30 for opening and closing the opening 22 of the chamber 20 is simply a flat plate-shaped IE 30 that slides in the horizontal direction. Since the movement is perpendicular to the direction of the section 22, the inner wall conditions within the chamber 20 are made non-uniform. Therefore, the glow discharge tends to become unstable and the wafer 1
There were various drawbacks, such as the occurrence of even a slight turbulence in the semiconductor gas flowing over the surface, resulting in "uneven treatment" in the surface treatment of the wafer 1. As the diameter of wafers l has gradually increased in recent years, these defects have a large impact on product yield, and are a problem that is becoming more serious.

本発明は、上記欠点を除去するために為されたもので、
その目的とする処は、チャンバの開口部を完全に閉塞し
て内壁条件を均一にする事が出来るドライプロセス半導
体製造装置のチャンバ開口部の開閉構造を提供するもの
である。
The present invention has been made to eliminate the above-mentioned drawbacks.
The object of the present invention is to provide an opening/closing structure for a chamber opening of a dry process semiconductor manufacturing apparatus, which can completely close the chamber opening and make the inner wall conditions uniform.

本発明にかかるドライプロセス半導体製造装置のチャン
バ開口部の開閉構造は上記ブロックの内ウェハー搬送ブ
ロック3に設置されているものである。
The opening/closing structure for the chamber opening of the dry process semiconductor manufacturing apparatus according to the present invention is installed in the wafer transfer block 3 of the blocks described above.

〔問題点を解決するための手段〕[Means for solving problems]

本発明のドライプロセス半導体製造装置のチャンバ開口
部の開閉構造において、チャンバ20には外界と連通ず
る開口部22を形成し、開口部22に閉塞蓋30を挿・
脱自在に配置し、閉塞蓋30の挿入内端面aの形状をチ
ャンバ20の内周面すの形状に一致させて形成し、開口
部22に向かって平行リンクBを起倒自在に配置し、こ
の平行リンクBに閉塞蓋30を装着してなる事を特徴と
する。
In the opening/closing structure of a chamber opening of a dry process semiconductor manufacturing apparatus according to the present invention, an opening 22 communicating with the outside world is formed in the chamber 20, and a closing lid 30 is inserted into the opening 22.
The shape of the insertion inner end surface a of the closing lid 30 is formed to match the shape of the inner circumferential surface of the chamber 20, and the parallel link B is arranged so as to be freely tiltable toward the opening 22. A feature is that a closing lid 30 is attached to this parallel link B.

〔作 用〕[For production]

閉塞蓋30は平行リンクBにより開口部22の方向に動
いて開口部22を開閉する。而してその際閉塞蓋30の
挿入内端面aの形状をチャンバ20の内周面すの形状に
一敗させて形成しているのでチャンバ20の内壁条件を
均一にする。開口部22の開放時には閉塞蓋30は平行
リンクBによりその開口部22の上或いは下の位置に保
持されるのでウェハー1の出入の邪魔にならない。
The closing lid 30 moves in the direction of the opening 22 by the parallel link B to open and close the opening 22. At this time, since the shape of the insertion inner end surface a of the closing lid 30 is formed to match the shape of the inner peripheral surface of the chamber 20, the inner wall conditions of the chamber 20 are made uniform. When the opening 22 is opened, the closing lid 30 is held in a position above or below the opening 22 by the parallel link B, so that it does not interfere with the movement of the wafer 1 in and out.

〔実施例〕〔Example〕

以下、本発明を第3〜6図示の実施例に従って説明する
Hereinafter, the present invention will be explained according to the embodiments shown in the third to sixth figures.

ウェハー搬送ブロック3は第3〜6図示のようにウェハ
ー処理ブロック5と開口部22にて連通しており、ウェ
ハー搬送ブロック3側に開閉機構Aが設置されている。
As shown in the third to sixth figures, the wafer transfer block 3 communicates with the wafer processing block 5 through an opening 22, and an opening/closing mechanism A is installed on the wafer transfer block 3 side.

即ち、ウェハー搬送ブロック3のベース23上にはその
開口部22の左右両側方に一対の主軸取付板24.24
が立設されており、この主軸取付板24の下部には横方
向に延びる主軸25が回動すべく挿通されている。第3
,4図示のようにこの主軸25の一端には副主軸26が
カップリングを介して連結されており、副主軸26は軸
受け27によりベース23の側面に支持されている。第
5.6図示のように主軸25の両端には主アーム28の
下部が固着されている。第3同左部と第5図示のように
主軸取付板24には主アーム28に平行に延びる副アー
ム29の下端が主軸取付板24に軸35により枢着され
、主アーム28と副アーム29との上端はピン36゜3
7によりリンク38に枢着され、これら全体で平行リン
クBを構成している。
That is, on the base 23 of the wafer transfer block 3, there are a pair of spindle mounting plates 24, 24 on both left and right sides of the opening 22.
is erected, and a horizontally extending main shaft 25 is inserted through the lower part of the main shaft mounting plate 24 so as to rotate. Third
, 4, a sub-main shaft 26 is connected to one end of the main shaft 25 via a coupling, and the sub-main shaft 26 is supported by a bearing 27 on the side surface of the base 23. As shown in Figure 5.6, the lower part of the main arm 28 is fixed to both ends of the main shaft 25. As shown in the third left part and the fifth figure, the lower end of a sub arm 29 extending parallel to the main arm 28 is pivotally connected to the main shaft mounting plate 24 by a shaft 35, and the main arm 28 and sub arm 29 are connected to each other. The upper end of the pin is 36°3
7 is pivotally connected to the link 38, and these altogether constitute a parallel link B.

閉塞蓋30の外形形状は第3.5図に示すように、チャ
ンバ20の開口部22に合わせて形成されている。
The outer shape of the closing lid 30 is formed to match the opening 22 of the chamber 20, as shown in FIG. 3.5.

即ち、その内端面aでは弧状に形成されており、チャン
バ20の内周面すに一敗するようになっている。又、閉
塞蓋30の突出部31の縦断面形状はチャンバ20の開
口部22の断面形状に一致しており、それより外方に突
出する背板部32にはOリング33が嵌め込まれており
、閉塞時、開口部22を完全に閉塞するようになってい
る。閉塞蓋30の背部両側上部はピン39によりリンク
38に枢着されている。リンク38には調節螺子45を
介してストッパ34が調整すべく設けられている。この
ストッパ34には前記閉塞蓋30の背面下部が当接して
いる。これにより、閉塞M30の首振り動作の規制をし
ている。
That is, the inner end surface a is formed in an arc shape, and the inner circumferential surface of the chamber 20 is completely bent. Further, the longitudinal cross-sectional shape of the protruding portion 31 of the closing lid 30 matches the cross-sectional shape of the opening portion 22 of the chamber 20, and an O-ring 33 is fitted into the back plate portion 32 that protrudes outward from the protruding portion 31. , when the opening 22 is closed, the opening 22 is completely closed. The upper portions of both sides of the back of the closing lid 30 are pivotally connected to links 38 by pins 39. The link 38 is provided with a stopper 34 for adjustment via an adjustment screw 45. This stopper 34 is in contact with the lower part of the back surface of the closing lid 30 . This restricts the swinging motion of the blockage M30.

次に第1〜5図につき上記装置の全動作を説明する。The overall operation of the device will now be described with reference to FIGS. 1-5.

ローダ/アンローダブロック2の前扉11を開き、カセ
ット移動台8を外部に移動させ、未処理ウェハー1を収
納したカセット7をカセット移動台8に載置する。する
と、カセット7を載置したカセット移動台8がローダ/
アンローダブロック2内に戻り、これと同時に前扉11
が閉まる。
The front door 11 of the loader/unloader block 2 is opened, the cassette moving table 8 is moved outside, and the cassette 7 containing unprocessed wafers 1 is placed on the cassette moving table 8. Then, the cassette moving table 8 on which the cassette 7 is placed moves to the loader/
Return to the unloader block 2, and at the same time open the front door 11.
closes.

然る後、構成ブロック内の排気が始まり、所定圧力まで
減圧される。かかる減圧下で未処理ウェハー1のハンド
リングが為されるのであるが、まず、ハンドリングアー
ム9がカセット7側に移動してきてウェハー1をカセッ
ト7から取り出す。
After that, evacuation of the inside of the component block begins and the pressure is reduced to a predetermined pressure. The unprocessed wafer 1 is handled under such reduced pressure. First, the handling arm 9 moves toward the cassette 7 and takes out the wafer 1 from the cassette 7.

ウェハー1を取り出したハンドリングアーム9はオリフ
ラ位置合わせ機構10の所まで移動し、この位置でウェ
ハー1を移載する。移載されたウェハー1は回転されて
オリエンテーション・フラットが一定方向に正確に揃え
られる。
The handling arm 9 that has taken out the wafer 1 moves to the orientation flat alignment mechanism 10, and transfers the wafer 1 at this position. The transferred wafer 1 is rotated so that its orientation flat is accurately aligned in a certain direction.

オリエンテーション・フラットの位置合わせが完了する
とウェハー搬送ブロフク3内のウェハー搬送装置4がロ
ーダ/アンローダブロック2内のオリフラ位置合わせ機
構10に向かって移動してくる。即ち、ウェハー搬送ブ
ロック3内の回転台12がオリフラ位置合わせ機構10
に向かって回転し、ウェハー授受ハンド15がオリフラ
位置合わせ機構10側に正確に向いた所で停止する。続
いて、駆動アーム16が回転してスライダ17をスライ
ドさせて平行リンク13を回転させる。すると平行リン
ク13の回転に連れて支持アーム14がローダ/アンロ
ーダブロック2内のオリフラ位置合わせ機構10に向か
って略直線状に延びていく。この間、ウェハー1は持ち
上げられていてウェハー授受ハンド15が未処理ウェハ
ー1の下側に入り込むようになる。
When the alignment of the orientation flat is completed, the wafer transfer device 4 in the wafer transfer block 3 moves toward the orientation flat alignment mechanism 10 in the loader/unloader block 2. That is, the rotating table 12 in the wafer transport block 3 is the orientation flat alignment mechanism 10.
The wafer transfer hand 15 rotates toward the orientation flat positioning mechanism 10 and stops when the wafer transfer hand 15 is accurately facing the orientation flat alignment mechanism 10 side. Subsequently, the drive arm 16 rotates to slide the slider 17 and rotate the parallel link 13. Then, as the parallel link 13 rotates, the support arm 14 extends substantially linearly toward the orientation flat positioning mechanism 10 within the loader/unloader block 2. During this time, the wafer 1 is lifted and the wafer transfer hand 15 enters under the unprocessed wafer 1.

ウェハー授受ハンド15が丁度ウェハー1の真下に来る
とウェハー授受ハンド15が停止し、続いてウェハー1
が降下してウェハー授受ハンド15上に正確に載置され
る。
When the wafer transfer hand 15 comes to just below the wafer 1, the wafer transfer hand 15 stops, and then the wafer 1
is lowered and accurately placed on the wafer transfer hand 15.

ウェハー1の載置が完了するとウェハー搬送ブロック3
内のスライダ17が逆方向にスライドし、ウェハー1を
ウェハー搬送ブロック3内に取り込むように屈曲する。
When the placement of the wafer 1 is completed, the wafer transport block 3
The inner slider 17 slides in the opposite direction and bends so as to take the wafer 1 into the wafer transport block 3.

続いて回転台12がウェハー処理ブロック5の側に回転
し、チャンバ2oの開口部22に一致した処で停止する
。この時、第4.6図に示すように主アーム28、副ア
ーム29で構成された平行リンクBが倒れ、チャンバ2
0の開口部22がら閉塞蓋30が抜き出され、開口部2
2は開放していると共にその閉塞M30は開口部22よ
り下方の位置に折り畳まれるように配置されている。
Subsequently, the rotating table 12 rotates toward the wafer processing block 5 and stops when it coincides with the opening 22 of the chamber 2o. At this time, as shown in Fig. 4.6, the parallel link B composed of the main arm 28 and the sub arm 29 collapses, and the chamber
The closing lid 30 is pulled out from the opening 22 of the opening 2.
2 is open and its closure M30 is arranged so as to be folded to a position below the opening 22.

このような状態の下で、前述と同様の動作でウェハー授
受ハンド15が延びて開口部22からウェハー処理ブロ
ック5内のチャンバ20内にウェハー1を送り込む。ウ
ェハー処理ブロック5のチャンバ20内には第9図示の
ように上下一対の電極40.40が配置されており、ウ
ェハー1はこの電極40.40間の中央に移送されてく
る。下部電極4oは2重電極となっており、その中央の
電極40aが昇降するようになっている。従って、ウェ
ハー1が電極40の中央に移送されて停止すると中央の
電極40aが上昇してウェハー1をウェハー授受ハンド
15から持ち上げる。ウェハー1の持ち上げがなされて
いる間にウェハー授受ハンド15は前述の動作にてウェ
ハー処理ブロック5から出、ウェハー搬送ブロック3内
に戻る。
Under such conditions, the wafer transfer hand 15 extends and feeds the wafer 1 into the chamber 20 in the wafer processing block 5 through the opening 22 in the same manner as described above. In the chamber 20 of the wafer processing block 5, a pair of upper and lower electrodes 40.40 are arranged as shown in FIG. 9, and the wafer 1 is transferred to the center between these electrodes 40.40. The lower electrode 4o is a double electrode, and the central electrode 40a moves up and down. Therefore, when the wafer 1 is transferred to the center of the electrode 40 and stopped, the center electrode 40a rises and lifts the wafer 1 from the wafer transfer hand 15. While the wafer 1 is being lifted, the wafer transfer hand 15 moves out of the wafer processing block 5 and returns to the wafer transfer block 3 by the above-described operation.

ウェハー授受ハンド15がウェハー処理ブロック5のチ
ャンバ20から出ると中央の電極40aは降下して下部
電極40の中央に正確にウェハー1を載置する。これと
同時に平行リンクBが起き上がり、第3,5図のように
閉塞M30は開口部22を完全に閉塞する。この時、閉
塞130はビン固定であるために開口部22に合わせて
首振り動作をする事ができ、開口部22内に正確に挿入
される。これによりチャンバ20の内壁はほぼ完全な円
筒状になる。
When the wafer transfer hand 15 exits the chamber 20 of the wafer processing block 5, the central electrode 40a descends to accurately place the wafer 1 in the center of the lower electrode 40. At the same time, the parallel link B rises, and the blockage M30 completely blocks the opening 22 as shown in FIGS. At this time, since the closure 130 is fixed to the bottle, it can swing in accordance with the opening 22 and is inserted into the opening 22 accurately. This makes the inner wall of the chamber 20 almost completely cylindrical.

然る後、高真空排気系にチャンバ20を接続してチャン
バ20内を高真空にし、続いて上部電極からチャンバ2
0内に半導体ガスを供給しつつグロー放電を電極40.
40間に生起させ、ウェハー1のドライ処理を行う。ウ
ェハー1のドライ処理が完了するとグロー放電を停止さ
せると共にチャンバ20内の排ガスを完全に排出する。
After that, the chamber 20 is connected to a high vacuum evacuation system to make the inside of the chamber 20 a high vacuum, and then the upper electrode is connected to the chamber 20.
While supplying semiconductor gas into the electrode 40.0, glow discharge is generated.
The wafer 1 is subjected to dry processing. When the dry processing of the wafer 1 is completed, the glow discharge is stopped and the exhaust gas in the chamber 20 is completely exhausted.

前述と同様に平行リンクBを倒して第4.6図示のよう
に開口部22から閉塞M30を抜き出し、開口部22を
開放する。続いて、中央電極40aを再び上昇させて処
理済みウェハー1を持ち上げ、再びウェハー搬送ブロッ
ク3内のウェハー授受ハンド15をチャンバ20内に挿
入する。ウェハー授受ハンド15がウェハー1の真下に
位置すると中央電極40aが降下してウェハーlをウェ
ハー授受ハンド15上に再び載置する。するとウェハー
授受ハンド15はウェハー1を載置したままチャンバ2
0から出ていき、ウェハー搬送ブロック3内に戻る。
Similarly to the above, the parallel link B is collapsed and the blockage M30 is pulled out from the opening 22 as shown in Figure 4.6 to open the opening 22. Subsequently, the central electrode 40a is raised again to lift the processed wafer 1, and the wafer transfer hand 15 in the wafer transfer block 3 is inserted into the chamber 20 again. When the wafer transfer hand 15 is located directly below the wafer 1, the central electrode 40a is lowered and the wafer I is placed on the wafer transfer hand 15 again. Then, the wafer transfer hand 15 transfers the wafer 1 to the chamber 2 with the wafer 1 placed thereon.
0 and returns to the inside of the wafer transport block 3.

次いで回転台12が回転してローダ/アンローダブロッ
ク2側に移動して停止し、続いてウェハー授受ハンド1
5がローダ/アンローダブロック2のオリフラ位置合わ
せ機構10に向かって延びてい(。
Next, the rotary table 12 rotates, moves to the loader/unloader block 2 side and stops, and then the wafer transfer hand 1
5 extends toward the orientation flat alignment mechanism 10 of the loader/unloader block 2 (.

ウェハー授受ハンド15がオリフラ位置合わせ機構10
の上方に位置した処で停止し、続いて処理済みウェハー
1がオリフラ位置合わせ機構10に移載された後、ハン
ドリングアーム9に引き取られ、カセット7の空き部分
に移載される。
The wafer transfer hand 15 is the orientation flat alignment mechanism 10
The processed wafer 1 is then transferred to the orientation flat alignment mechanism 10, taken up by the handling arm 9, and transferred to an empty part of the cassette 7.

このような操作を繰り返してウェハー処理行う。Wafer processing is performed by repeating such operations.

ウェハー1全数の処理が完了するとブロック内の気圧が
大気圧に戻され、続いてローダ/アンローダブロック2
の前扉11が開き、カセット7を載置したカセット移動
台8がローダ/アンローダブロック2から機外に出てく
る。この処理済みウェハー1を収納したカセット7と未
処理ウェハー1を収納した新しいカセット7とを交換し
、前述の操作を繰り返してウェハー1のドライ処理を行
う。
When processing of all wafers 1 is completed, the pressure inside the block is returned to atmospheric pressure, and then the loader/unloader block 2
The front door 11 of the machine opens, and the cassette moving table 8 on which the cassette 7 is placed comes out of the machine from the loader/unloader block 2. The cassette 7 containing the processed wafers 1 is replaced with a new cassette 7 containing the unprocessed wafers 1, and the above-described operations are repeated to dry-process the wafers 1.

第10.11図のような数多くのブロックを接続したシ
ーケンシャル処理型の場合例えばウェハー1を一方通行
にて処理する場合、一端のローダ用のローダ/アンロー
ダブロック2aから他端のアンローダ用のローダ/アン
ローダブロック2bまで処理→搬送を繰り返せば、例え
ば、Al→Ti/W→アッシングというようにドライ処
理を能率よく施すことができる。
In the case of a sequential processing type in which a number of blocks are connected as shown in Fig. 10.11, for example, when processing a wafer 1 in one direction, from the loader/unloader block 2a for the loader at one end to the loader/unloader block 2a for the unloader at the other end. By repeating the process→transfer to the unloader block 2b, it is possible to efficiently perform a dry process such as, for example, Al→Ti/W→ashing.

〔効 果〕〔effect〕

本発明は畝上のように1.閉塞蓋30の挿入内端面aの
形状をチャンバ20の内周面の形状すに一致させて形成
しであるので、閉塞時、チャンバ20の内面形状は完全
な円筒状態になり、電極においてウェハー1に供給され
る半導体ガスの流れが完全に均一状態になり、しかも電
極間に形成されるグロー放電が全く安定な状態になり、
極めて均一なウェハーのドライ処理を行う事ができる。
The present invention is as follows: 1. Since the shape of the insertion inner end surface a of the closing lid 30 is formed to match the shape of the inner circumferential surface of the chamber 20, the inner surface shape of the chamber 20 becomes a perfect cylinder when it is closed, and the wafer 1 is placed at the electrode. The flow of the semiconductor gas supplied to the electrode becomes completely uniform, and the glow discharge formed between the electrodes becomes completely stable.
Extremely uniform dry processing of wafers can be performed.

またチャンバ20において外界と連通ずる開口部22を
開閉する閉塞蓋30は開口部22に挿・脱自在に配置さ
れ、開口部に向かって平行リンクを起倒自在に配置しこ
の平行リンクに上記閉塞蓋30を装着しであるので、装
着時には閉塞蓋30は正確に開口部22に嵌め込まれ、
また離脱時には開口部22より下(又は上)の位置に保
持されるので、開口部22を通って出し入れされるウェ
ハー1の邪魔にならない利点も有るものである。
Further, in the chamber 20, a closing lid 30 that opens and closes the opening 22 communicating with the outside world is arranged so as to be inserted into and removed from the opening 22, and a parallel link is arranged so as to be tiltable toward the opening. Since the lid 30 is attached, the closing lid 30 is accurately fitted into the opening 22 when attached.
Furthermore, since it is held at a position below (or above) the opening 22 when removed, there is an advantage that it does not interfere with the wafer 1 being taken in and out through the opening 22.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of the drawing]

第1図は本発明を適用するチャンバ開口部22の開閉構
造を適用したドライプロセス半導体製造装置の外観斜視
図、第2図はその概略平断面図、第3図は本発明の開閉
機構の一実施例の閉塞時の平断面図、第4図はその開放
時の平断面図、第5図はその閉塞時の縦断面図、第6図
はその開放時の縦断面図、第7図は従来例の開閉機構の
閉塞時の平断面図、第8図はその閉塞時の縦断面図、第
9図はウェハー処理ブロックのチャンバの縦断面図、第
10図は本発明を適用する他のシーケンシャル処理型ド
ライプロセス半導体製造装置の外観斜視図、第11図は
その概略平面図である。 20・・・・・・チャンバ、22・・・・・・開口部、
30・・・・・・閉塞蓋、B・・・・・・平行リンク、
a・・・・・・閉塞蓋30の挿入内端面、b・・・・・
・チャンバ20の内周面。 箋2圀 箋5活 箋θ画 $BΩ し、−
FIG. 1 is an external perspective view of a dry process semiconductor manufacturing apparatus to which an opening/closing structure for a chamber opening 22 to which the present invention is applied, FIG. 2 is a schematic plan cross-sectional view thereof, and FIG. 3 is an illustration of an opening/closing mechanism of the present invention. FIG. 4 is a plan sectional view of the embodiment when it is closed, FIG. 5 is a longitudinal sectional view when it is closed, FIG. 6 is a longitudinal sectional view when it is opened, and FIG. FIG. 8 is a vertical cross-sectional view of the conventional opening/closing mechanism when it is closed, FIG. 9 is a vertical cross-sectional view of the chamber of the wafer processing block, and FIG. 10 is a cross-sectional view of another example to which the present invention is applied. FIG. 11 is a perspective view of the external appearance of a sequential processing type dry process semiconductor manufacturing apparatus, and a schematic plan view thereof. 20...chamber, 22...opening,
30...Occluded lid, B...Parallel link,
a...Insertion inner end surface of the closing lid 30, b...
- Inner peripheral surface of chamber 20. Paper 2 Paper 5 Letter paper θ picture $BΩ し、-

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] チャンバには外界と連通する開口部を形成し、開口部に
閉塞蓋を挿・脱自在に配置し、閉塞蓋の挿入内端面の形
状をチャンバの内周面の形状に一致させて形成し、開口
部に向かって平行リンクを起倒自在に配置し、この平行
リンクに閉塞蓋を装着してなる事を特徴とするドライプ
ロセス半導体製造装置のチャンバ開口部の開閉構造。
An opening communicating with the outside world is formed in the chamber, a closing lid is arranged in the opening so as to be insertable and removable, and the shape of the insertion inner end surface of the closing lid is formed to match the shape of the inner peripheral surface of the chamber, 1. An opening/closing structure for a chamber opening of a dry process semiconductor manufacturing equipment, characterized in that a parallel link is arranged so as to be able to rise and fall toward the opening, and a closing cover is attached to the parallel link.
JP62025404A 1987-02-04 1987-02-04 Open-close structure of opening section of chamber for dry process semiconductor production device Pending JPS63192222A (en)

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JP (1) JPS63192222A (en)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0252427A (en) * 1988-08-16 1990-02-22 Tokuda Seisakusho Ltd Plasma etching apparatus
JPH0281805A (en) * 1988-09-19 1990-03-22 Nisshin Kogyo Kk Exhaust port switchgear of storage emission device

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