JPS63191951A - Ｘ線分光素子 - Google Patents
Ｘ線分光素子Info
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- JPS63191951A JPS63191951A JP62023788A JP2378887A JPS63191951A JP S63191951 A JPS63191951 A JP S63191951A JP 62023788 A JP62023788 A JP 62023788A JP 2378887 A JP2378887 A JP 2378887A JP S63191951 A JPS63191951 A JP S63191951A
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- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 30
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- INAHAJYZKVIDIZ-UHFFFAOYSA-N boron carbide Chemical compound B12B3B4C32B41 INAHAJYZKVIDIZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 12
- 238000000441 X-ray spectroscopy Methods 0.000 claims description 3
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Landscapes
- Analysing Materials By The Use Of Radiation (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明はＸ線分光素子に関し、特にピーク反射率を向上
させたＸ線分光素子に関する。
させたＸ線分光素子に関する。
［従来技術］
Ｘ線マイクロアナライザーや蛍光Ｘ線分析装置において
は、ベリリウム（Ｂｅ）やホウ素（Ｂ）や炭素（Ｃ）を
分析する場合、ＢｅＫα線（波長λ＝１１４人）やＢｋ
α線（波長λ＝６７．６人）やＣｋα線（波長λ＝４４
．７人）の分光には、従来よりＬａｎｇｍｕ ｉ ｒ−
Ｂ ｌ ｏｄｑｅｔｔ法で作られた分光結晶、例えば鉛
セロテート（Ｌｅａｄ Ｃｅｒｏｔａｔｅ：ＣＥＲと
略称）、鉛すグノセレート（Ｌｅａｄ Ｌｉｑｎｏｃ
ｅｒａｔｅ：ＬＩＧと略称）、鉛ステアレート（Ｌｅａ
ｄＳｔｅａｒａｔｅ ：ＳＴＥと略称）等が用いられて
いるが、Ｐｅａｋ反射率があまり高くなく、従って、分
析する試料に上記元素が微量に含まれている場合には精
度良く分析することが難しかった。
は、ベリリウム（Ｂｅ）やホウ素（Ｂ）や炭素（Ｃ）を
分析する場合、ＢｅＫα線（波長λ＝１１４人）やＢｋ
α線（波長λ＝６７．６人）やＣｋα線（波長λ＝４４
．７人）の分光には、従来よりＬａｎｇｍｕ ｉ ｒ−
Ｂ ｌ ｏｄｑｅｔｔ法で作られた分光結晶、例えば鉛
セロテート（Ｌｅａｄ Ｃｅｒｏｔａｔｅ：ＣＥＲと
略称）、鉛すグノセレート（Ｌｅａｄ Ｌｉｑｎｏｃ
ｅｒａｔｅ：ＬＩＧと略称）、鉛ステアレート（Ｌｅａ
ｄＳｔｅａｒａｔｅ ：ＳＴＥと略称）等が用いられて
いるが、Ｐｅａｋ反射率があまり高くなく、従って、分
析する試料に上記元素が微量に含まれている場合には精
度良く分析することが難しかった。
このようなことから、近年スパッタリング等のコーティ
ング技術と膜厚制御技術の進歩により「Ｎ元素材料」と
「軽元素材料」を、各々の目的の膜厚に制御しつつ交互
にコーティングして作られる所謂人工超格子がＸ線分光
素子として使用されつつある。
ング技術と膜厚制御技術の進歩により「Ｎ元素材料」と
「軽元素材料」を、各々の目的の膜厚に制御しつつ交互
にコーティングして作られる所謂人工超格子がＸ線分光
素子として使用されつつある。
［発明が解決しようとする問題点１
ところで、現在これらの人工超格子の分光素子の、「重
元素材料」としてはタングステン（Ｗ＞やモリブデン（
Ｍｏ）、又、「軽元素材料」としては炭素（Ｃ）やシリ
コン（Ｓ ｉ ） 、炭化ホウ素（Ｂ４Ｃ）などが用い
られ、前記ＣＥＲやＬＩＧやＳＴＥよりも高いＰｅａｋ
反射率が得られることが知られている。
元素材料」としてはタングステン（Ｗ＞やモリブデン（
Ｍｏ）、又、「軽元素材料」としては炭素（Ｃ）やシリ
コン（Ｓ ｉ ） 、炭化ホウ素（Ｂ４Ｃ）などが用い
られ、前記ＣＥＲやＬＩＧやＳＴＥよりも高いＰｅａｋ
反射率が得られることが知られている。
しかしながら、人工超格子のＸ線分光素子でも前記した
材料の組み合せではいまだ充分なＰｅａｋ反射率が得ら
れず、特に測定波長がＢｅＫαの場合には微量のＢｅが
精度良く分析できるほどにＰｅａｋ反射率が向上してい
ない欠点があった。
材料の組み合せではいまだ充分なＰｅａｋ反射率が得ら
れず、特に測定波長がＢｅＫαの場合には微量のＢｅが
精度良く分析できるほどにＰｅａｋ反射率が向上してい
ない欠点があった。
本発明は以上の点に鑑みなされたもので、その目的はベ
リリウム（Ｂｅ）やホウ素（Ｂ）や炭素（Ｃ）を分析す
る場合の、ＢｅＫα線や３にα線やＣｋα線のｐｅａｋ
反射率を向上させたＸ線分光素子を提供することにある
。
リリウム（Ｂｅ）やホウ素（Ｂ）や炭素（Ｃ）を分析す
る場合の、ＢｅＫα線や３にα線やＣｋα線のｐｅａｋ
反射率を向上させたＸ線分光素子を提供することにある
。
［問題点を解決するための手段］
以上の目的を達成するため本発明は、重元素材と軽元素
材を交互に積層した人工超格子のＸ線分光素子において
、前記重元素材としてロジウム（Ｒｈ）を用いたことを
特徴としている。
材を交互に積層した人工超格子のＸ線分光素子において
、前記重元素材としてロジウム（Ｒｈ）を用いたことを
特徴としている。
［実施例１
以下本発明の実施例を添附図面に基づき詳述する。
第１図は本発明の一実施例の構成断面図であり、第２図
は本発明を曲面型Ｘ線分光素子に実施した場合の構成断
面図である。第１図及び第２図において、１はロジウム
（Ｒｈ）から成る薄層、２は炭素（Ｃ）又は炭化ホウ素
（Ｂ４Ｃ）等の「軽元素材料」から成る薄層、３はコー
ティング基板でガラス又はシリコンウェハー等である。
は本発明を曲面型Ｘ線分光素子に実施した場合の構成断
面図である。第１図及び第２図において、１はロジウム
（Ｒｈ）から成る薄層、２は炭素（Ｃ）又は炭化ホウ素
（Ｂ４Ｃ）等の「軽元素材料」から成る薄層、３はコー
ティング基板でガラス又はシリコンウェハー等である。
このように構成されたＸ線分光素子は、第１図等から明
らかなように、最表層はロジウム（Ｒｈ）で、次に炭素
（Ｃ）又は炭化ホウ素（Ｂａ Ｃ）等の「軽元素材料」
の薄層が形成されており、これらの薄層が幾重にも積層
されている。
らかなように、最表層はロジウム（Ｒｈ）で、次に炭素
（Ｃ）又は炭化ホウ素（Ｂａ Ｃ）等の「軽元素材料」
の薄層が形成されており、これらの薄層が幾重にも積層
されている。
ここで、「重元素材料」の膜厚ｄｈ、ｒ軽元素材料」の
膜厚ｄＱ、 周期ｄ＝ｄｈ＋ｄＱ、膜厚比γ＝ｄｈ／ｄ
とし、周期（層）数２００からなる各種人工超格子のＸ
線分光素子のＰｅａｋ反射率と、Ｌａｎｇｍｕｉｒ−［
３１ｏｄｇｅｔｔ法で作られたＬＩＧのＰｅａｋ反射率
を第３図に示す。
膜厚ｄＱ、 周期ｄ＝ｄｈ＋ｄＱ、膜厚比γ＝ｄｈ／ｄ
とし、周期（層）数２００からなる各種人工超格子のＸ
線分光素子のＰｅａｋ反射率と、Ｌａｎｇｍｕｉｒ−［
３１ｏｄｇｅｔｔ法で作られたＬＩＧのＰｅａｋ反射率
を第３図に示す。
但し、人工超格子のＸ線分光素子においては膜厚比ｙ＝
ｄｈ／ｄ＝０．２、Ｐｅａｋ反射率−ｐｅａｋ強度／入
射Ｘ線強度とする。
ｄｈ／ｄ＝０．２、Ｐｅａｋ反射率−ｐｅａｋ強度／入
射Ｘ線強度とする。
第３図に示した表から明らかなように、「軽元素材料」
として炭素（Ｃ）とし、「重元素材料」としてロジウム
（Ｒｈ）を使用した場合の、ＢｅＫα線とＢｋα線のｐ
ｅａｋ反射率は、それぞれ０．２９と０．２４であり、
「重元素材料」としてモリブデン（ＭＯ）又はタングス
テン（Ｗ）を使用した場合に比べて格段に高い反射率を
示している。
として炭素（Ｃ）とし、「重元素材料」としてロジウム
（Ｒｈ）を使用した場合の、ＢｅＫα線とＢｋα線のｐ
ｅａｋ反射率は、それぞれ０．２９と０．２４であり、
「重元素材料」としてモリブデン（ＭＯ）又はタングス
テン（Ｗ）を使用した場合に比べて格段に高い反射率を
示している。
又、「軽元素材料」として炭化ホウ素（Ｂ４Ｃ）を使用
し、「重元素材料」としてロジウム（Ｒｈ）を使用した
場合にも、ＢｅＫα線とＢｋα線のＰｅａｋ反射率は、
それぞれ０．４０と０．４１であり、「重元素材料Ｊと
してモリブデン（ＭＯ）又はタングステン（Ｗ）を使用
した場合に比べて格段に高いｐｅａｋ反射率を示してい
る。
し、「重元素材料」としてロジウム（Ｒｈ）を使用した
場合にも、ＢｅＫα線とＢｋα線のＰｅａｋ反射率は、
それぞれ０．４０と０．４１であり、「重元素材料Ｊと
してモリブデン（ＭＯ）又はタングステン（Ｗ）を使用
した場合に比べて格段に高いｐｅａｋ反射率を示してい
る。
更に、前記ＬＩＧと比較しても、炭素（Ｃ）又は炭化ホ
ウ素（Ｂａ Ｃ）等の「軽元素材料」とロジウム（Ｒｈ
）で形成されたＸ線分光素子の方が高い、Ｐ ｅ ａ
ｋ反射率を示している。又、Ｃｋα線のＰｅａｋ反射率
は「軽元素材料」として炭素（Ｃ）とし、「重元素材料
」としてロジウム（Ｒｈ）を使用した場合が第３図のう
ちで最も高い。
ウ素（Ｂａ Ｃ）等の「軽元素材料」とロジウム（Ｒｈ
）で形成されたＸ線分光素子の方が高い、Ｐ ｅ ａ
ｋ反射率を示している。又、Ｃｋα線のＰｅａｋ反射率
は「軽元素材料」として炭素（Ｃ）とし、「重元素材料
」としてロジウム（Ｒｈ）を使用した場合が第３図のう
ちで最も高い。
従って、「軽元素材料」として炭素（Ｃ）又は炭化ホウ
素（Ｂ４Ｇ）を使用し、Ｅ重元素材料」としてロジウム
（Ｒｈ）を使用することにより、特に、ＢｅＫα線（波
長λ＝１１４人）やＢｋα線（波長λ＝６７．６人）又
はＣｋα線（波長λ＝４４．７人）の分光においては、
高いＰｅａｋ反射率のＸ線分光素子を作ることができる
。そのため、このようなＸ線分光素子を、前記Ｘ線マイ
クロアナライザーや蛍光Ｘ線分析装置に使用することに
よって、上記元素、即ち、ベリリウム（Ｂｅ）やホウ素
（Ｂ）や炭素（Ｃ）が微量に含まれている試料を精度良
く分析することができる。
素（Ｂ４Ｇ）を使用し、Ｅ重元素材料」としてロジウム
（Ｒｈ）を使用することにより、特に、ＢｅＫα線（波
長λ＝１１４人）やＢｋα線（波長λ＝６７．６人）又
はＣｋα線（波長λ＝４４．７人）の分光においては、
高いＰｅａｋ反射率のＸ線分光素子を作ることができる
。そのため、このようなＸ線分光素子を、前記Ｘ線マイ
クロアナライザーや蛍光Ｘ線分析装置に使用することに
よって、上記元素、即ち、ベリリウム（Ｂｅ）やホウ素
（Ｂ）や炭素（Ｃ）が微量に含まれている試料を精度良
く分析することができる。
尚、上記実施例は例示である。上記実施例では、最表層
をロジウム（Ｒｈ）１、次に、炭素（Ｃ）又は炭化ホウ
素（Ｂ４Ｇ）２によって形成したが、第４図に示すよう
に最表層を炭素（Ｃ）又は炭化ホウ素（Ｂ４Ｃ）２とし
て、次に、ロジウム（Ｒｈ）１によって形成しても良い
。
をロジウム（Ｒｈ）１、次に、炭素（Ｃ）又は炭化ホウ
素（Ｂ４Ｇ）２によって形成したが、第４図に示すよう
に最表層を炭素（Ｃ）又は炭化ホウ素（Ｂ４Ｃ）２とし
て、次に、ロジウム（Ｒｈ）１によって形成しても良い
。
又、Ｘ線分光素子の形状としては、平板型や円筒型に限
定されず、２次曲面や複数２次曲而の組み合せ面など任
意の形状に形成しても良い。
定されず、２次曲面や複数２次曲而の組み合せ面など任
意の形状に形成しても良い。
更に、周期（層）数も２００に限定されない。
更に又、上記実施例では、膜厚比Ｔ＝ｄｈ／ｄ＝０．２
としたが、膜厚比γ＝ｄｈ／ｄ＝０．３〜０．５として
も略同様なＰｅａｋ反射率となることも判明している。
としたが、膜厚比γ＝ｄｈ／ｄ＝０．３〜０．５として
も略同様なＰｅａｋ反射率となることも判明している。
［発明の効果］
以上詳細に説明したように本発明によれば、ベリリウム
（Ｂｅ）やホウ素（Ｂ）や炭素（Ｃ）を分析する場合に
、ＢｅＫα線（波長λ＝１１４人）や３にα線（波長λ
＝６７．６人）やＣｋα線（波長λ＝４４．．７人）の
分光においてＰｅａｋ反射率を向上させたＸ線分光素子
を提供することができる。
（Ｂｅ）やホウ素（Ｂ）や炭素（Ｃ）を分析する場合に
、ＢｅＫα線（波長λ＝１１４人）や３にα線（波長λ
＝６７．６人）やＣｋα線（波長λ＝４４．．７人）の
分光においてＰｅａｋ反射率を向上させたＸ線分光素子
を提供することができる。
第１図は本発明の一実施例の構成断面図、第２図は本発
明を曲面型分光素子に実施した場合の構成断面図、第３
図はＰｅａｋ反＠率を比較した表、第４図は他の実施例
を説明するための図である。 １；ロジウム（Ｒｈ）薄層、２：炭素（Ｃ）薄層又は炭
化ホウ素（Ｂ４ Ｃ）薄層、３：コーティング基板。
明を曲面型分光素子に実施した場合の構成断面図、第３
図はＰｅａｋ反＠率を比較した表、第４図は他の実施例
を説明するための図である。 １；ロジウム（Ｒｈ）薄層、２：炭素（Ｃ）薄層又は炭
化ホウ素（Ｂ４ Ｃ）薄層、３：コーティング基板。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １）重元素材と軽元素材を交互に積層した人工超格子の
Ｘ線分光素子において、前記重元素材としてロジウム（
Ｒｈ）を用いたことを特徴とするＸ線分光素子。 ２）前記軽元素材として炭素（Ｃ）を用いたことを特徴
とする前記特許請求の範囲第１項記載のＸ線分光素子。 ３）前記軽元素材として炭化ホウ素（Ｂ＿４Ｃ）を用い
たことを特徴とする前記特許請求の範囲第１項記載のＸ
線分光素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62023788A JPS63191951A (ja) | 1987-02-04 | 1987-02-04 | Ｘ線分光素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62023788A JPS63191951A (ja) | 1987-02-04 | 1987-02-04 | Ｘ線分光素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63191951A true JPS63191951A (ja) | 1988-08-09 |
Family
ID=12120063
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62023788A Pending JPS63191951A (ja) | 1987-02-04 | 1987-02-04 | Ｘ線分光素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63191951A (ja) |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62297800A (ja) * | 1986-06-18 | 1987-12-24 | キヤノン株式会社 | Ｘ線用多層膜反射鏡 |
| JPS6388502A (ja) * | 1986-10-01 | 1988-04-19 | Canon Inc | 軟ｘ線又は真空紫外線用多層膜反射鏡 |
-
1987
- 1987-02-04 JP JP62023788A patent/JPS63191951A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62297800A (ja) * | 1986-06-18 | 1987-12-24 | キヤノン株式会社 | Ｘ線用多層膜反射鏡 |
| JPS6388502A (ja) * | 1986-10-01 | 1988-04-19 | Canon Inc | 軟ｘ線又は真空紫外線用多層膜反射鏡 |
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