JPS63155674A - Distributed type sensor for sense of contact force - Google Patents

Distributed type sensor for sense of contact force

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JPS63155674A
JPS63155674A JP30118186A JP30118186A JPS63155674A JP S63155674 A JPS63155674 A JP S63155674A JP 30118186 A JP30118186 A JP 30118186A JP 30118186 A JP30118186 A JP 30118186A JP S63155674 A JPS63155674 A JP S63155674A
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Japan
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silicon plate
strain gauge
pressure sensor
elastic body
crystal silicon
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Mitsuo Kobayashi
光男 小林
Shinobu Sagisawa
鷺沢 忍
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National Institute of Advanced Industrial Science and Technology AIST
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Agency of Industrial Science and Technology
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Abstract

PURPOSE:To obtain a sensor which has high sensitivity and exhibits an excellent linearity by placing a single crystalline silicon plate on an elastic body, thereby detecting a state of deformation of single crystalline silicon plate accompanied by an elastic deformation through resistance variations of a semiconductor strain gauge that is placed on the above silicon plate. CONSTITUTION:A plurality of contact force sensation detecting devices 12 are mounted on an elastic body 11. And protruding parts 14 that are regulated by grooves 13 like well cribs are installed to the elastic body 11 so as to isolate the devices 12. A single crystal silicon plate 15 where a semiconductor strain gauge is formed on its surface is glued on the elastic body 11. In addition to the semiconductor strain gauge and its interconnection which is required to combine its gauge, soldering pads 16 for picking up signals are formed on the silicon plate 15. Further, a load impressing part 17 is formed on the silicon plate 15. The impressing part 17 is composed of rigid members and is glued to its silicon plate 15.

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この発明は垂直方向に加わる力の分布を検出することか
できる分布型圧覚センサに関する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Field of Industrial Application] The present invention relates to a distributed pressure sensor capable of detecting the distribution of force applied in the vertical direction.

〔従来の技術) ロホッI−ハン)・等に取付けて、ハントに対して垂直
方向に加わる力の分布を検出するための分布型圧覚セン
サとして、検出素子に導電性を有するコムまたはプラス
チックを用いたものか提案されている。第6図はその一
例で、互いに直角方向をなす細い4電性ゴム条1.2を
2層にして組合わせたものである。この圧覚センサのコ
ム条配列面に対して垂直方向の力か加われは、導電性コ
ム条1.2の接触部分の面積が増加し抵抗が変化する。
[Prior art] As a distributed pressure sensor for detecting the distribution of force applied in the perpendicular direction to the hunt, it is attached to a robot, etc., and uses a conductive comb or plastic as a detection element. It has been proposed. FIG. 6 shows an example of this, in which two layers of four thin electrically conductive rubber strips 1.2, which are perpendicular to each other, are combined. When a force is applied in a direction perpendicular to the comb strip array surface of the pressure sensor, the area of the contact portion of the conductive comb strips 1.2 increases and the resistance changes.

ところかこのような導電性ゴムを用いた分布型圧覚セン
サでは、加えられた力に比例して接触部分の面積か変化
するとは限らないため、接触部分の抵抗値変化か力に比
例ゼず、センサ出力が非線:I’即になること、および
電#端子、グランド端子。
However, in distributed pressure sensors that use conductive rubber like this, the area of the contact part does not necessarily change in proportion to the applied force, so the resistance value change of the contact part does not necessarily change in proportion to the force. The sensor output becomes non-wire: I', and the voltage terminal and ground terminal.

IU、カ端子オえゎアゎ。14条、接続、7ゆゎ、よ。IU, the terminal is open. Article 14, Connection, 7 Yuwa, Yo.

χLないため、力の分布を高密度に検出しようとずれは
配線数か多くなってしまう等の欠点がある。
Since there is no .chi.L, there are drawbacks such as the number of wires required to detect the force distribution with high density.

また、第8図は他の従来例て、センサヘラ1−6に取イ
」けたホール素子7を、固定されている磁石8に対向さ
せ、センサヘット6に垂直方向の力が加わった時にホー
ル素子7をはね9に抗して変位させ、磁束鎮交数の変化
を検出することにより加えられた力の大きさを知るもの
である。このようなセンサを多数配列して力の分布を求
めようとする。ところがこのような分布型圧覚センサて
は、加えられた力に応してポール素子を変位させるメカ
ニズムか複雑になるため、センサの分布密度を高くする
ことかできないこと、および先に示した停電性コム条の
例と同しく配線数か多くなる等の欠点がある。
FIG. 8 shows another conventional example in which a Hall element 7 attached to a sensor head 1-6 is opposed to a fixed magnet 8, and when a vertical force is applied to the sensor head 6, the Hall element 7 The magnitude of the applied force is determined by displacing the force against the spring 9 and detecting the change in the magnetic flux reduction coefficient. An attempt is made to find the force distribution by arranging a large number of such sensors. However, in such a distributed pressure sensor, the mechanism for displacing the pole element in response to the applied force is complicated, so it is impossible to increase the distribution density of the sensor, and the power outage described above may occur. As with the example of comb strips, there are drawbacks such as an increase in the number of wires.

〔発明が解決しようとする問題点〕[Problem that the invention seeks to solve]

上述したように従来の分布型圧覚センサは、(1)その
出力が力に比例しない、(2)配線数か多く、センサの
分布密度を高くするのか困Mffである、などの欠点が
あった。
As mentioned above, conventional distributed pressure sensors have drawbacks such as (1) the output is not proportional to the force, (2) the number of wires is large, and it is difficult to increase the distribution density of the sensor. .

への取イ」りか容易な分布型圧覚センサを提供すること
を目的とする。
The purpose of the present invention is to provide a distributed pressure sensor that is easy to install.

〔問題芦を解決するための手段〕[Means to solve the problem]

このような目的を達成するために、本発明の分布型圧覚
センサは半導体ストレンゲーシか形成されている単結晶
シリコン板を比較的小さい弾個−率を有する弾性部材上
に配設し、シリコン板に加わる垂直方向の応力を半導体
ストレンケーシの電気抵抗値の変化によって検出するよ
うに構成した複数検出素子か、固定板上にアレイ状に配
設されていることを特徴とする。
In order to achieve such an object, the distributed pressure sensor of the present invention is provided by disposing a single crystal silicon plate formed with a semiconductor strainer on an elastic member having a relatively small elasticity. The present invention is characterized in that a plurality of detection elements configured to detect the applied vertical stress by changes in the electrical resistance value of the semiconductor strain case are arranged in an array on the fixed plate.

〔作用〕[Effect]

本発明の分布型圧覚センサは単結晶シリコン板に対して
垂直方向の力か加わった時に、単結晶シリコンが弾性材
とともに変形して、単結晶シリコンの上に形成された半
導体ストレンゲージの抵抗値が変化するのを検出するこ
とにより、板に対して垂直方向の力の大きさを検出する
ので、圧覚検出素子の出力感度を高くし、出力の直線性
を良くW用いるので配線密度を高くでき、その結果圧覚
検出素子の分布密度を高くすることかてきる。
In the distributed pressure sensor of the present invention, when a vertical force is applied to a single-crystal silicon plate, the single-crystal silicon deforms together with the elastic material, and the resistance value of the semiconductor strain gauge formed on the single-crystal silicon is By detecting the change in the force, the magnitude of the force in the direction perpendicular to the plate is detected, so the output sensitivity of the pressure sensing element is increased, and since the linearity of the output is well used, the wiring density can be increased. As a result, the distribution density of the pressure sensing elements can be increased.

また、半導体ストレンケーシを形成した単結晶シリコン
板を、プラスチックやゴム等の比較的小さいヤング率を
有する弾性材を介して、ロボットハント等の固定板上に
アレイ状に並へるため、ある程度の曲率な有する面にも
実装でき、ロボットハントへ取付けることが容易である
In addition, since the single crystal silicon plates forming the semiconductor strain case are arranged in an array on a fixed plate of a robot hunt, etc. through an elastic material such as plastic or rubber with a relatively small Young's modulus, there is a certain degree of curvature. It can be mounted on any surface that has a similar shape, and can be easily attached to a robot hunt.

〔実施例〕〔Example〕

第1図はこの発明の実施例を示す断面図で、コムやプラ
スチック等の比較的小さいヤング率を有する弾性体ll
上に複数の圧覚検出素子12が設けられている。弾性体
11には圧覚検出素子12を分離するために、」二から
加工された井桁状の溝13によって周辺を規制された突
起部14か設けられている。この弾性体11の上に、表
面に半導体ストレンゲージを形成した単結晶シリコン板
15が接着されている。単結晶シリコン板15上には、
半導体ストレンゲージや、これらを結合する配線に加え
て、1・16を形成することかてきる。単結晶シリコン
板15」二には、さらに荷重印加部17か形成される。
FIG. 1 is a sectional view showing an embodiment of the present invention.
A plurality of pressure sensing elements 12 are provided on the top. In order to separate the pressure sensing element 12, the elastic body 11 is provided with a protrusion 14 whose periphery is regulated by a cross-shaped groove 13 that is machined from two parts. On this elastic body 11, a single crystal silicon plate 15 having a semiconductor strain gauge formed on its surface is adhered. On the single crystal silicon plate 15,
In addition to semiconductor strain gauges and wiring connecting them, it is also possible to form 1.16. A load applying section 17 is further formed on the single crystal silicon plate 15''.

荷重印加部17は剛性の部材からなり、単結晶シリコン
仮、)に接着してもよいし、前に述べた方法で単結晶シ
リコン板15の表面にはんだメッキ層を形成しておぎ、
金属等からなる荷重印加部17を単結晶シリコン板15
にはんだ付けしてもよい。
The load applying section 17 is made of a rigid member, and may be bonded to a single crystal silicon plate (temporary), or a solder plating layer may be formed on the surface of the single crystal silicon plate 15 by the method described above.
A load applying section 17 made of metal or the like is connected to a single crystal silicon plate 15.
It may be soldered.

以上に述べた、井桁状の溝13で周辺を規制された弾性
体11の突起部14、単結晶シリコン板15および荷重
印加部17により圧覚検出素子12か構成され、これが
マトリクス状に並べられて分布型圧覚センサを構成して
いる。
The pressure sensing element 12 is constituted by the projection 14 of the elastic body 11 whose periphery is regulated by the cross-shaped groove 13, the single crystal silicon plate 15, and the load application part 17, which are arranged in a matrix. It constitutes a distributed pressure sensor.

さらに分布型圧覚センサの表面を、単結晶シリコン板1
5に対向する面に銅配線を有するフレキシブルプリント
板18かおおっている。フレキシブルプリント板18は
、両面に配線パターンを形成し、さらに窓19を有する
。この窓に荷重印加部17を挿入することにより、圧覚
検出素子12とフレキシブルプリント板18の相対的な
位置決めを行う。フレされている。はんたパット16と
20はりフロ一方式又はレーザ加熱方式で溶融接合され
、圧覚検出素子12からの信号を取出すとともに、フレ
キシブルプリント板18と単結晶シリコン板15とを機
械的にも結合している。
Furthermore, the surface of the distributed pressure sensor is
A flexible printed board 18 having copper wiring covers the surface facing 5. The flexible printed board 18 has a wiring pattern formed on both sides and further has a window 19. By inserting the load applying section 17 into this window, the relative positioning of the pressure sensing element 12 and the flexible printed board 18 is performed. Being cheated on. The solder pads 16 and 20 are melted and bonded using a flow or laser heating method, and the signal from the pressure sensing element 12 is extracted, and the flexible printed board 18 and the single crystal silicon plate 15 are also mechanically bonded. There is.

この分布型圧覚センサは固定板21上に接着または機械
的手法で装着されるか、固定板21はロホットハントの
表面であってもかまわない。
This distributed pressure sensor may be mounted on the fixed plate 21 by adhesive or mechanical means, or the fixed plate 21 may be a Rohot Hunt surface.

第2図は単結晶シリコン板15の表面の状態をより詳細
に示したもので、その表面には前に述へたハ/v タハ
ット16、荷重印加部17および次に述べる位置に4個
のストレンゲージ22A、22B、22C,22Dか形
成され、図示しない配線によりホイートスl−−ンブリ
ッジか構成されている。ス1−レンケーシ22八〜22
Dは通nの半導体プロセスにより不純物を拡散した抵抗
層である。
FIG. 2 shows the state of the surface of the single crystal silicon plate 15 in more detail, and the surface has the above-mentioned H/V top hat 16, the load applying section 17, and four points at the positions described below. Strain gauges 22A, 22B, 22C, and 22D are formed, and a wheatstone bridge is constructed by wiring (not shown). S1-Len case 228-22
D is a resistance layer in which impurities are diffused by a conventional semiconductor process.

次にこのスへシンケージ22八〜22Dを形成する位置
について説明する。第3図は本発明の圧覚検出素子12
をモデル化して、無限に長い弾性床23上Pβ y−□ φ (βX )            (1
)k :、二1ここで、k1弾性床の係数 ′□、;−二′    P、加えられたカE、梁のヤン
グ率 I7:梁の断面2次モーメント またφ(βx)、ψ(β×)の値は第4図に示すもので
ある。梁に発生ずる応力はその点のモーメントMに比例
するか、第4図をみれ(J前爪印加、うに近い部分(β
χ≦0)てψの絶対値か犬かくなっている。従って荷重
印加点に近い部分に応力検出用のス1〜レンケーシを形
成すれは晶感度な出力特性か得られることか分かる。第
2図のス[−レンゲーシはこのようにして決められた位
置にある。
Next, the positions where the thread cages 228 to 22D are formed will be explained. FIG. 3 shows a pressure sensing element 12 of the present invention.
Pβ y−□ φ (βX ) (1
) k :, 21 where, k1 the modulus of the elastic floor '□, ;-2' P, the applied force E, the Young's modulus of the beam I7: the second moment of area of the beam, and φ (βx), ψ (β The values of x) are shown in FIG. The stress generated in the beam is proportional to the moment M at that point.
χ≦0), the absolute value of ψ is sharp. Therefore, it can be seen that crystal-sensitive output characteristics can be obtained by forming the stress-detecting grooves near the load application point. The slider in FIG. 2 is in the position thus determined.

荷重印加部17に力か加わると単結晶シリコン板l5は
弾性体11の突起部14とともに変形する。この際スト
レンゲージ22Aおよび22Dには曲げ応力が働き抵抗
変化を生ずるが、22Bおよび22Gには抵抗変化がほ
とんど生しない。従って荷重印加部17上に加わる力の
大きさをブリッジ回路の電圧変化から知ることがてきる
When a force is applied to the load applying section 17, the single crystal silicon plate 15 is deformed together with the protrusion 14 of the elastic body 11. At this time, bending stress acts on the strain gauges 22A and 22D, causing a change in resistance, but almost no change in resistance occurs in the strain gauges 22B and 22G. Therefore, the magnitude of the force applied to the load applying section 17 can be known from the voltage change in the bridge circuit.

さらに、マトリクス状に並へられた複数の圧覚検出素子
12を行および列ごとにスキャンニングすることにより
、それぞれの圧覚検出素子12の信号を取出して加えら
れた力の分布を知ることができる。
Furthermore, by scanning the plurality of pressure sensing elements 12 arranged in a matrix row by row and column, it is possible to extract the signal of each pressure sensing element 12 and find out the distribution of the applied force.

第5図は他の実施例を示すもので、ここては弾性体11
に加工される溝13は下から井桁状に加工されて突起部
14を形成している。それ以外の構成は第1の実施例と
全く同しである。このように構成することにより固定板
21がある程度曲率をもっていても、それに沿って弾性
体11を曲げて取付けることができる。
FIG. 5 shows another embodiment, in which the elastic body 11
The groove 13 that is machined is machined from below into a parallel cross shape to form a protrusion 14. The other configurations are completely the same as the first embodiment. With this configuration, even if the fixed plate 21 has a certain degree of curvature, the elastic body 11 can be bent and attached along the curvature.

〔発明の効果〕〔Effect of the invention〕

以上説明したようにこの発明によれば、ゴム又はプラス
チック等の比較的小さいヤング率を有する弾性材上に単
結晶シリコン板を置き、単結晶シリコン板が弾性材とと
もに変形するのを、その上にフレキシブルプリント板を
用いるので、配線密度を高くすることができる。また本
発明の圧覚センサは、ある程度曲率をもった面にも実装
でき、ロボットハントへの取付けも容易である。
As explained above, according to the present invention, a single crystal silicon plate is placed on an elastic material having a relatively small Young's modulus such as rubber or plastic, and the single crystal silicon plate is deformed together with the elastic material. Since a flexible printed board is used, wiring density can be increased. Further, the pressure sensor of the present invention can be mounted on a surface with a certain degree of curvature, and can be easily attached to a robot hunt.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of the drawing]

第1図は本発明の一実施例を示す断面図、第2図は本発
明の構成部品の1っである単結晶シリコン板の平面図、 第3図は本発明の荷重検出の原理を示す模式第4図は本
文中の関数φおよびψの値を示す線図、 第5図は本発明の他の実施例を示す断面図、第6図は従
来の分布型圧覚センサの斜視図、第7図はその測定方法
の説明図、 第8図は従来の分布型圧覚センサの他の例を示す側面図
である。 11・・・弾性体、 14・・・突起部、 15・・・単結晶シリコン板、 16・・・はんたパッド、 17・・・荷重印加部、 18・・・フレキシブルプリント板、 20・・・はんだパッド、 21・・・固定板、 22八、22B、22C,22D・・・ストレンゲージ
。 □臥  工劉情F祐飯塚幸三 吃 1ぐ む Δ 第6図 第7図 第8図
Figure 1 is a sectional view showing an embodiment of the present invention, Figure 2 is a plan view of a single crystal silicon plate which is one of the components of the present invention, and Figure 3 is a diagram showing the principle of load detection of the present invention. Schematic figure 4 is a diagram showing the values of the functions φ and ψ in the text, figure 5 is a sectional view showing another embodiment of the present invention, figure 6 is a perspective view of a conventional distributed pressure sensor, FIG. 7 is an explanatory diagram of the measuring method, and FIG. 8 is a side view showing another example of a conventional distributed pressure sensor. DESCRIPTION OF SYMBOLS 11... Elastic body, 14... Projection, 15... Single crystal silicon plate, 16... Solder pad, 17... Load application part, 18... Flexible printed board, 20. ...Solder pad, 21...Fixing plate, 228, 22B, 22C, 22D...Strain gauge. □臥 臉芉情F Yuiizuka Kozo 1 Gumu Δ Figure 6 Figure 7 Figure 8

Claims (1)

【特許請求の範囲】 1)半導体ストレンゲージが形成されている単結晶シリ
コン板を比較的小さい弾性率を有する弾性部材上に配設
し、前記シリコン板に加わる垂直方向の応力を前記半導
体ストレンゲージの電気抵抗値の変化によって検出する
ように構成した複数検出素子が、固定板上にアレイ状に
配設されていることを特徴とする分布型圧覚センサ。 2)特許請求の範囲第1項に記載の分布型圧覚センサに
おいて、前記比較的小さいヤング率を有する弾性材料が
プラスチック又はゴムであることを特徴とする分布型圧
覚センサ。3)特許請求の範囲第1項に記載の分布型圧
覚センサにおいて、単結晶シリコンの上に形成された半
導体ストレンゲージの抵抗値の変化を取り出すための配
線としてフレキシブルプリント板を用いることを特徴と
する分布型圧覚センサ。
[Claims] 1) A single-crystal silicon plate on which a semiconductor strain gauge is formed is disposed on an elastic member having a relatively small elastic modulus, and vertical stress applied to the silicon plate is applied to the semiconductor strain gauge. 1. A distributed pressure sensor comprising: a plurality of detection elements arranged in an array on a fixed plate, each of which is configured to detect based on a change in the electrical resistance value of the sensor. 2) The distributed pressure sensor according to claim 1, wherein the elastic material having a relatively small Young's modulus is plastic or rubber. 3) The distributed pressure sensor according to claim 1, characterized in that a flexible printed board is used as wiring for extracting changes in resistance of a semiconductor strain gauge formed on single crystal silicon. Distributed pressure sensor.
JP30118186A 1986-12-19 1986-12-19 Distributed type sensor for sense of contact force Granted JPS63155674A (en)

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Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0267936A (en) * 1988-07-14 1990-03-07 Blomberg Robotertecknik Gmbh Tactile sensor
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JP2016506520A (en) * 2012-12-24 2016-03-03 フレセニウス メディカル ケア ホールディングス インコーポレーテッド Load suspension and metering system for dialyzer reservoir

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