JPS63132426A - Ultraviolet ray aligner - Google Patents
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- JPS63132426A JPS63132426A JP61278589A JP27858986A JPS63132426A JP S63132426 A JPS63132426 A JP S63132426A JP 61278589 A JP61278589 A JP 61278589A JP 27858986 A JP27858986 A JP 27858986A JP S63132426 A JPS63132426 A JP S63132426A
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- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
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Abstract
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、半導体集積回路などの製造に用いるパタン形
成のための紫外線露光装置に関するものである。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Field of Industrial Application] The present invention relates to an ultraviolet exposure apparatus for forming patterns used in the manufacture of semiconductor integrated circuits and the like.
紫外線露光装置の従来の構成を第６図に示す。 FIG. 6 shows a conventional configuration of an ultraviolet exposure device.
１は光源からの光、２は照明光学系、３はレチクル、４
は投影レンズ、５はウェハ、６はＸＹＺステージである
。光１としては、水銀ランプなどから発生するｇ線（波
長λ＝ ４３６ｎｎ＋） 、 ｉ線（波長λ＝ ３６
５ｎｃ）、あるいはエキシマレーザから発生する波長λ
＝ ２４９ｎＩ１１のレーザ光、などが用いられる。1 is light from a light source, 2 is an illumination optical system, 3 is a reticle, 4
5 is a projection lens, 5 is a wafer, and 6 is an XYZ stage. Light 1 includes g-line (wavelength λ = 436nn+) and i-line (wavelength λ = 36n+) generated from a mercury lamp, etc.
5nc), or the wavelength λ generated from an excimer laser
= 249nI11 laser light, etc. are used.
上記照明光学系２によって、光１がレチクル３を一様に
照明するようにする。レチクル３にはパタンか形成され
ている。上記パタンを投影レンズ４によって縮小してウ
ェハ５に結像し、パタン露光する。１回の露光でパタン
か露光できる領域は限られるため、ウェハ５の全面に対
するバタン露光は、ＸＹＺステージ６によってウェハ５
をＸＹ方向に移動して行う。上記のような紫外線露光装
置によりウェハ５にパタンを露光する場合は、まず、投
影レンズ４の結像面にウェハ５の面を一致させる必要が
ある。このためには、投影レンズ４の結像面の位置を求
めなければならない６従来、ＸＹＺステージ６をＺ方向
に移動し、ウェハ５の高さを少しづつ変化させてパタン
を露光し、露光したパタンを観測して結像面を決定して
いた。The illumination optical system 2 allows the light 1 to illuminate the reticle 3 uniformly. A pattern is formed on the reticle 3. The pattern is reduced by a projection lens 4 and imaged onto the wafer 5 for pattern exposure. Since the area that can be exposed with a pattern in one exposure is limited, the entire surface of the wafer 5 can be exposed with a bang by the XYZ stage 6.
This is done by moving in the XY direction. When exposing a pattern on the wafer 5 using the ultraviolet exposure apparatus as described above, it is first necessary to align the surface of the wafer 5 with the imaging plane of the projection lens 4 . To do this, it is necessary to find the position of the image plane of the projection lens 4.6 Conventionally, the XYZ stage 6 is moved in the Z direction, and the height of the wafer 5 is changed little by little to expose the pattern. The image plane was determined by observing the pattern.
上記のような従来の投影レンズの結像面の位置決定には
、手間がかかり長時間を要していた。Determining the position of the imaging plane of the conventional projection lens as described above is laborious and takes a long time.
さらに、投影レンズの焦点距離は、温度、気圧により変
化するため、紫外線露光装置の環境が変化した場合には
、その度に投影レンズの結像面を求めることが必要にな
る。また、エキシマレーザを光源とする紫外線露光装置
では、エキシマレーザの発振波長が変動するため、投影
レンズの結像面を測定する頻度がさらに多くなる。Furthermore, since the focal length of the projection lens changes depending on temperature and atmospheric pressure, it is necessary to find the image plane of the projection lens each time the environment of the ultraviolet exposure apparatus changes. Furthermore, in an ultraviolet exposure apparatus using an excimer laser as a light source, the oscillation wavelength of the excimer laser varies, so the imaging plane of the projection lens is measured more frequently.
上記のことから、紫外線露光装置において、投影レンズ
の結像面を高精度、かつ簡便に決定できる手段の出現が
望まれていた。In view of the above, there has been a desire for a means for easily determining the imaging plane of a projection lens in an ultraviolet exposure apparatus with high precision.
本発明の目的は、投影レンズの結像面を求めるための手
段を備えた紫外線露光袋はを得ることにある。SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is to obtain an ultraviolet exposure bag equipped with means for determining the image plane of a projection lens.
上記目的は、投影レンズの結像面の付近に反射率が高い
平面を設け、上記平面からの反射光を利用し結像面の位
置を決定するようにすることにより達成される。The above object is achieved by providing a plane with a high reflectance near the image plane of the projection lens and determining the position of the image plane using reflected light from the plane.
本発明で用いる投影レンズ結像位置の検出方法における
原理を第７図によって説明する。第７図において、１０
は正レンズ、２０は絞り、３０は正レンズ１０の物面に
置いた幅Ｗのスリット、４０は上記正レンズ１０の結像
面、５０は反射面、６０はスリット３０の１点から出射
した光線である。上記正レンズ１０の像面側で像面に主
光線が垂直に入射するように、絞り２０は正レンズ１０
からスリット３０の方向に、距離ｆ離れた位置に置いて
いる。ここで、ｆは正レンズｌＯの焦点距離である。ま
た、スリット３０と正レンズ１０との距離をａ、正レン
ズ１０と結像面４０との距離をｂとすると、ｌ ／ ａ
＋ １ ／ ｂ ＝ １ ／ ｆの関係がある。反射
面５０は結像面４０から八すだけ離れたところにある。The principle of the method for detecting the projection lens imaging position used in the present invention will be explained with reference to FIG. In Figure 7, 10
is a positive lens, 20 is an aperture, 30 is a slit of width W placed on the object surface of the positive lens 10, 40 is an image forming surface of the positive lens 10, 50 is a reflective surface, and 60 is an emitted light from one point of the slit 30. It is a ray of light. The diaphragm 20 is connected to the positive lens 10 so that the chief ray is perpendicularly incident on the image surface of the positive lens 10.
It is placed a distance f away from the slit 30 in the direction of the slit 30. Here, f is the focal length of the positive lens lO. Furthermore, if the distance between the slit 30 and the positive lens 10 is a, and the distance between the positive lens 10 and the imaging plane 40 is b, then l/a
There is a relationship of + 1 / b = 1 / f. Reflective surface 50 is located eight inches away from image plane 40.
Δｂをデフォーカスと呼ぶ。Δb is called defocus.
正レンズ１０から遠ざかる方向に対してΔｂを正とする
。反射面５０が結像面４０の位置にある場合、すなわち
、Δｂ＝ｏの場合、光線６０は反射面５０で反射されて
、スリット３０のもとの１点に戻ってくる。Let Δb be positive in the direction moving away from the positive lens 10. When the reflective surface 50 is at the position of the imaging plane 40, that is, when Δb=o, the light ray 60 is reflected by the reflective surface 50 and returns to one point from the slit 30.
反射面５０が結像面４０の位置にない場合、すなわち、
Δｂ≠０の場合は、反射面５０で反射した光線６０がス
リット３０のもとの１点に戻ってくることはなく、反射
した光線の一部しかスリット３０を再び通過しない。し
たがって、スリット３０を光で照明し、スリット３０を
通過した光が再びスリット３０を通過する光量を測定す
ることにより、反射面５０が正レンズ１０の結像面にあ
るか否かを求めることができる。When the reflective surface 50 is not at the position of the imaging plane 40, that is,
When Δb≠0, the light ray 60 reflected by the reflecting surface 50 does not return to the original point of the slit 30, and only a portion of the reflected light ray passes through the slit 30 again. Therefore, by illuminating the slit 30 with light and measuring the amount of light that has passed through the slit 30 and passes through the slit 30 again, it is possible to determine whether or not the reflective surface 50 is on the imaging plane of the positive lens 10. can.
正レンズ１０の焦点距離ｆを８０ｍｍ、関口数（ＮＡ）
を０．３５として絞り２０の大きさを決定し、ａ＝４８
０１、ｂ＝９６＋ａｍの場合について、デフォーカスΔ
ｂとスリット３０を再び通過する反射光の強度Ｉｒとの
関係を求めた結果を第８図に示す。Δｂ＝ｏにおけるＩ
ｒに対して、Ｉｒが９０％になるΔｂの値は、Ｗ＝４−
の場合に±０．２−１Ｗ＝２−の場合に±０．１４であ
る。The focal length f of the positive lens 10 is 80 mm, Sekiguchi number (NA)
Determine the size of the aperture 20 by setting a to 0.35, and a=48
01, for the case of b=96+am, the defocus Δ
FIG. 8 shows the relationship between b and the intensity Ir of the reflected light that passes through the slit 30 again. I at Δb=o
The value of Δb at which Ir becomes 90% with respect to r is W=4−
In the case of , it is ±0.2−1 and in the case of W=2−, it is ±0.14.
つぎに本発明の実施例を図面とともに説明する。 Next, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings.
第１図は本発明による紫外線露光装置の一実施例におけ
る構成を示す図、第２図は上記実施例に使用するレチク
ルの平面回、第３図は上記実施例で光の強度を光源から
の光の強度との比によって測定する場合の構成を示す部
分図、第４図はデフォーカスΔｂによるスリット付近か
らの反射光の強度変化を示す図、第５図は本発明による
紫外線露光装置の他の実施例を示す構成図である。第１
図において、１００はコリメーションレンズ、１１０は
レチクル、１２０は絞り、１３０は投影レンズ、１４０
はＸＹＺステージ、１５０はウェハ、１６０はウェハ保
持機構、１７０は半導体レーザ、１７５は半導体レーザ
１７０から出射したレーザ光、１８０はレンズ、１９０
は半導体装置検出素子、２００は紫外線露光装置の光源
からの光、２１０．２１１は半透明鏡、２２０．２２１
はレンズ、２３０、２３１は光検出器、２４０．２４１
はレチクル１１０に形成したスリット状のバタン、２５
０はレチクル１１０に形成した半導体集積回路などを製
造するためのバタン、２６０はパタン２４０の１点から
通過した光、２７０は反射率が高い表面を有する反射鏡
である。FIG. 1 is a diagram showing the configuration of an embodiment of an ultraviolet exposure apparatus according to the present invention, FIG. 2 is a plan view of a reticle used in the above embodiment, and FIG. 3 is a diagram showing the intensity of light from a light source in the above embodiment. FIG. 4 is a diagram showing the change in the intensity of reflected light from the vicinity of the slit due to defocus Δb. FIG. FIG. 1st
In the figure, 100 is a collimation lens, 110 is a reticle, 120 is an aperture, 130 is a projection lens, 140
150 is an XYZ stage, 150 is a wafer, 160 is a wafer holding mechanism, 170 is a semiconductor laser, 175 is a laser beam emitted from the semiconductor laser 170, 180 is a lens, 190
is a semiconductor device detection element, 200 is light from a light source of an ultraviolet exposure device, 210.211 is a semi-transparent mirror, 220.221
is a lens, 230, 231 is a photodetector, 240.241
is a slit-shaped button formed on the reticle 110, 25
0 is a button for manufacturing a semiconductor integrated circuit or the like formed on the reticle 110, 260 is light passing from one point of the pattern 240, and 270 is a reflecting mirror having a surface with high reflectance.
半導体レーザ１７０、レンズ１８０、半導体装置検出素
子１９０により２検出器を構成している。反射鏡２７０
、ウェハ保持機構１６０は、ＸＹＺステージ１４０の機
構によりＺ方向に移動することができる。なお、２検出
器およびＺ方向への移動機構は、紫外線露光装置につい
て周知のことであるから説明を省略する。A semiconductor laser 170, a lens 180, and a semiconductor device detection element 190 constitute two detectors. Reflector 270
, the wafer holding mechanism 160 can be moved in the Z direction by the mechanism of the XYZ stage 140. Note that the two detectors and the mechanism for moving in the Z direction are well known in the ultraviolet exposure apparatus, so a description thereof will be omitted.
本発明の実施例で用いるレチクル１１０の平面図を第２
図に示す。図において２８０は半導体集積回路などを製
造するためのパタンを形成した領域、２９０、２９１は
スリット状のパタン２４０．２４１をそれぞれ形成した
領域である。領域２９０および２９１は光を透過しない
ようにし、上記領域２９０．２９１のなかにスリット状
のパタン２４０．２４１を白抜きで形成している。第１
図における半透明鏡２］、０．２１１は、それぞれ上記
領域２９０．２９１をカバーできるように、大きさおよ
び設置場所を定めている。パタン２４０および２４１の
幅は、投影レンズ１３０の分解能に合わせて決定すわば
よい。ｇｆｉを用いる紫外線露光装置では、倍率１１５
で０．８−のパタンか形成できるので、パタン２４０．
２４１の幅を４−程度にすればよい。波長λ”２４９ｎ
ｍのエキシマレーザを用いる紫外線露光装置では、倍率
１１５で０．４〜０．５−のパタンか形成できるので、
上記パタン２４０．２４１の幅を２蝉程度にすればよい
。本実施例ではスリット状のパタンを複数本形成してい
るが、この場合回折の影響を避けるために、複数本のパ
タンを等間隔で形成しない方がよい。また、複数本のパ
タンについて、パタンの幅が異なるようにしても回折の
影響を避けることができる。A plan view of the reticle 110 used in the embodiment of the present invention is shown in FIG.
As shown in the figure. In the figure, 280 is a region in which a pattern for manufacturing a semiconductor integrated circuit or the like is formed, and 290 and 291 are regions in which slit-like patterns 240 and 241 are formed, respectively. The regions 290 and 291 are made not to transmit light, and slit-like patterns 240 and 241 are formed in white in the regions 290 and 291. 1st
The size and installation location of the semi-transparent mirrors 2] and 0.211 in the figure are determined so that they can cover the above areas 290 and 291, respectively. The widths of the patterns 240 and 241 may be determined according to the resolution of the projection lens 130. In an ultraviolet exposure device using GFI, the magnification is 115.
Since a pattern of 0.8- can be formed with a pattern of 240.
The width of 241 may be set to about 4-. Wavelength λ”249n
With an ultraviolet exposure device using an excimer laser of m, a pattern of 0.4 to 0.5- can be formed at a magnification of 115, so
The width of the patterns 240 and 241 may be about 2 cicadas. In this embodiment, a plurality of slit-like patterns are formed, but in this case, in order to avoid the influence of diffraction, it is better not to form the plurality of patterns at equal intervals. Further, even if the widths of the plurality of patterns are different, the influence of diffraction can be avoided.
第１図において、光２００はコリメーションレンズ１０
０によってレチクル１１０を一様に照明する。半透明鏡
２１０．２１０を通過した光はパタン２４０．２４１に
入射し、反射鏡２７０で反射されたのちに、再びパタン
２４０．２４１のところに戻ってくる。パタン２４０゜
２４１を再度通過した光は半透明鏡２１０．２１１で反
射され、レンズ２２０．２２１で集束されてそれぞれ光
検出器２３０．２３１に入射する。反射鏡２７０の高さ
をＸＹＺステージ１４０のＺ方向移動機構により変化さ
せ、そのときの半導体装置検出素子１９０および光検出
器２３０．２３１からの出力を読取る。このようにして
求めた反射１１１２７０のＺ方向の位置と、光検出器２
３０．２３１の出力との関係から、光検出器２３０゜２
３１の出力が最大となる反射ｆｉ ２７０の高さ方向の
位置を決定する。この位置が投影レンズ１３０の結像面
の位置になる。本実施例ではレチクル１１０の２個所に
おいて、投影レンズ１３０の結像面の位置を求めるよう
にし、この２個所で求めた結像面の位置から、ウェハ１
５０にパタンを露光する場合に設定するウェハ１５０の
Ｚ方向の位置を決定している。In FIG. 1, light 200 is transmitted through collimation lens 10.
0 uniformly illuminates reticle 110. The light that has passed through the semitransparent mirror 210.210 enters the pattern 240.241, is reflected by the reflecting mirror 270, and then returns to the pattern 240.241 again. The light that has passed through the patterns 240° and 241 again is reflected by semi-transparent mirrors 210 and 211, focused by lenses 220 and 221, and incident on photodetectors 230 and 231, respectively. The height of the reflecting mirror 270 is changed by the Z direction movement mechanism of the XYZ stage 140, and the outputs from the semiconductor device detection element 190 and the photodetectors 230 and 231 at that time are read. The position of the reflection 111270 obtained in this way in the Z direction and the photodetector 2
30. From the relationship with the output of 231, the photodetector 230°2
The position in the height direction of reflection fi 270 where the output of fi 31 is maximum is determined. This position becomes the position of the imaging plane of the projection lens 130. In this embodiment, the position of the image forming plane of the projection lens 130 is determined at two locations on the reticle 110, and from the position of the image forming surface determined at these two locations, the wafer 1
The position of the wafer 150 in the Z direction to be set when exposing a pattern on the wafer 150 is determined.
つぎに、レチクル１１０を照明する光の強度が時間とと
もに変動するような場合に、この光の変動が投影レンズ
１３０の結像面の位置の決定に影響するのを避ける方法
について説明する。このための本発明実施例による構成
を第３図に示す。３００は反射鏡、３１０はレンズ、３
２０は光検出器である。反射鏡３００は第１図に示した
半透明鏡２１０．２１１と重ならないような場所に設置
する。反射鏡３００によりレチクル１１０を照明する光
の一部を反射させ、反射した光をレンズ３１０により光
検出器３２０に入射させる。光検出器２３０からの出力
と光検出器３２０からの出力との比、光検出器２３１か
らの出力と光検出器３２０からの出力との比を求め、こ
れらの比を第１図について述べた光検出器２３０および
２３１からの出力の代りに用いる。この結果、レチクル
１１０を照明する光の強度の変動に影響されることなく
、投影レンズ１３０の結像面の位置を求めることができ
る。Next, when the intensity of the light illuminating the reticle 110 varies over time, a method for preventing the variation in light from affecting the determination of the position of the imaging plane of the projection lens 130 will be described. A configuration according to an embodiment of the present invention for this purpose is shown in FIG. 300 is a reflecting mirror, 310 is a lens, 3
20 is a photodetector. The reflecting mirror 300 is installed at a location where it does not overlap with the semi-transparent mirrors 210 and 211 shown in FIG. A part of the light illuminating the reticle 110 is reflected by the reflecting mirror 300, and the reflected light is made incident on the photodetector 320 by the lens 310. The ratio between the output from the photodetector 230 and the output from the photodetector 320, and the ratio between the output from the photodetector 231 and the output from the photodetector 320 were determined, and these ratios were described with reference to FIG. It is used in place of the outputs from photodetectors 230 and 231. As a result, the position of the imaging plane of the projection lens 130 can be determined without being affected by variations in the intensity of the light that illuminates the reticle 110.
上記のように本発明の実施例では、投影レンズ１３０の
２個所において結像面の位置を求めるようにしているが
、投影レンズ１３０の１個所あるいは３個所以上におい
て結像面の位置を求めるようにしてもよい。また、投影
レンズ１３０の結像面を求めるためのパタンを、半導体
集積回路などを製造するためのパタンを形成したレチク
ル１１０に形成しているが、投影レンズ１３０の結像面
を求めるためのパタンだけを形成したレチクルを用いて
もよく、この場合には投影レンズ１３０のフィールドの
中心部における結像面の位置を求めるようにする二とが
できる。すなわち、結像面の位置測定に用いる半透明鏡
を移動できるようにして、レチクル１１０の中心部に形
成したパタンを再び通過する光を検出するようにする。As described above, in the embodiment of the present invention, the position of the image forming plane is determined at two locations on the projection lens 130. You can also do this. Furthermore, a pattern for determining the image forming surface of the projection lens 130 is formed on the reticle 110, which has a pattern for manufacturing semiconductor integrated circuits, etc.; A reticle formed only by the projection lens 130 may be used, and in this case, the position of the image plane at the center of the field of the projection lens 130 can be determined. That is, the semi-transparent mirror used to measure the position of the image plane is made movable so that the light that passes through the pattern formed at the center of the reticle 110 again is detected.
ＸＹｚステージ１４０に設置する反射鏡２７０について
、光の反射面をＡΩ、Ａｕなどの金属膜、誘電体多層膜
などを被着して形成することにより、８０％以上の高い
反射率の反射鏡を得ることができる。Regarding the reflecting mirror 270 installed on the XYz stage 140, a reflecting mirror with a high reflectance of 80% or more can be obtained by coating the light reflecting surface with a metal film such as AΩ or Au, or a dielectric multilayer film. Obtainable.
また、投影レンズ１３０の結像面を検出するために、レ
チクル１１０にはスリット状のパタン２４０．２４１を
形成しているが、正方形、長方形などのパタンも同様に
用いることができる。Further, in order to detect the imaging plane of the projection lens 130, slit-shaped patterns 240 and 241 are formed on the reticle 110, but square, rectangular, or other patterns can be used as well.
さらに本発明の実施例では、反射鏡２７０により反射し
た光がレチクル１１０上のパタン２４Ｑ、 ２４１を通
過した光の強度を測定しているが、上記反射鏡２７０に
より反射した光がレチクル１１０上のパタン形成領域で
反射される光の強度は１反射鏡２７０の反射面が投影レ
ンズ１３０の結像面と一致したときに最小になる。第８
図と同じ条件の場合について、幅Ｗのスリッ゛トの付近
から反射された光の強度の変化を求めた結果を第４図に
示す。反射光の強度はデフォーカスΔｂ＝ｏの場合に最
小になる。反射光の強度を測定して結像面の位置を求め
る場合について、本発明による紫外線露光装置の他の実
施例の構成を第５図に示す。第５図において、４００は
スリット状のパタン２４０の付近からの反射光、４１０
は絞り、４２０はレンズ、４３０は光検出器である。Furthermore, in the embodiment of the present invention, the intensity of the light reflected by the reflecting mirror 270 and passing through the patterns 24Q and 241 on the reticle 110 is measured. The intensity of the light reflected in the pattern forming area is minimized when the reflecting surface of the first reflecting mirror 270 coincides with the image forming surface of the projection lens 130. 8th
FIG. 4 shows the results of determining changes in the intensity of light reflected from the vicinity of the slit of width W under the same conditions as shown in the figure. The intensity of the reflected light becomes minimum when defocus Δb=o. FIG. 5 shows the configuration of another embodiment of the ultraviolet exposure apparatus according to the present invention for determining the position of the image plane by measuring the intensity of reflected light. In FIG. 5, 400 is the reflected light from the vicinity of the slit pattern 240, and 410
420 is a lens, and 430 is a photodetector.
反射光４００の強度が変化する割合は、第４図かられか
るようにスリットの幅Ｗが狭い程大きい。このため、絞
り４１０はスリット状バタン２４０の付近から反射光４
００だけを光検出器４３０に入射させるために設けてい
る。反射鏡２７０の２方向の高さと光検出器４３０から
の出力との関係を求めて、投影レンズ１３０の結像面の
位置を決定する。As can be seen from FIG. 4, the rate at which the intensity of the reflected light 400 changes increases as the width W of the slit becomes narrower. For this reason, the diaphragm 410 allows the reflected light to be reflected from the vicinity of the slit-shaped button 240.
00 is provided to allow only the light to enter the photodetector 430. The position of the imaging plane of the projection lens 130 is determined by determining the relationship between the heights of the reflecting mirror 270 in two directions and the output from the photodetector 430.
上記のように本発明による紫外線露光装置は、レチクル
に形成したパタンを、投影レンズによって試料面に結像
して露光する紫外線露光装置において、上記露光装置の
ステージ上に反射鏡を設け、上記反射鏡の反射光が上記
レチクル上のパタンを通過したのちの光強度、あるいは
上記反射光が上記レチクル上のバタン形成領域から反射
したのちの光強度を、測定する手段を備えたことにより
、上記光強度を検出して投影レンズの結像位置が求めら
れるため、ウェハにパタン形成することにより投影レン
ズの結像位置を求める従来の方法と比較して、投影レン
ズの結像位置を短時間で決定でき、このため、紫外線露
光装置の生産性を向上させることができる。As described above, the ultraviolet exposure apparatus according to the present invention is an ultraviolet exposure apparatus in which a pattern formed on a reticle is imaged and exposed on a sample surface by a projection lens. By providing a means for measuring the light intensity after the reflected light from the mirror passes through the pattern on the reticle, or the light intensity after the reflected light is reflected from the batten forming area on the reticle, the light intensity can be measured. Since the imaging position of the projection lens is determined by detecting the intensity, the imaging position of the projection lens can be determined in a shorter time compared to the conventional method of determining the imaging position of the projection lens by forming a pattern on the wafer. Therefore, the productivity of the ultraviolet exposure apparatus can be improved.
第１図は本発明による紫外線露光装置の一実施例におけ
る構成図、第２図は上記実施例に用いるレチクルの平面
図、第３図は上記実施例で光強度を光源からの光強度と
の比によって測定する場合の構成を示す部分図、第４図
はデフォーカスΔｂによるスリット付近からの反射光の
強度変化を示す図、第５図は本発明による紫外線露光装
置の他の実施例を示す構成図、第６図は従来の紫外線露
光装置の構成図、第７図は投影レンズ結像位置の検出方
法の原理を説明する図、第８図はデフォーカスΔｂとス
リットを再び通過する反射光強度との関係を示す図であ
る。
１１０・・・レチクル １４０・・・ステージ
２２０、２２１・・・レンズ ２３０．２３１・・
・光検出器２４０、２４１・・・パタン ２７０・
・・反射鏡特許出願人 日本電信電話株式会社代理
人弁理士 中 村 純 之 助
才１（３）
ＩｔＯ：Ｌ七りＩＬ ＋４０：ステージ゛ ２２
０，２２じし〉ズ゛２３０ ２３１光羊會ヱ恩 ２４
０２４１パタン ２７ｏ；友豹イ表ｆ２図
才３図
ｔ４叩
テ゛フォーでズΔ））（、笥〕Fig. 1 is a block diagram of an embodiment of an ultraviolet exposure apparatus according to the present invention, Fig. 2 is a plan view of a reticle used in the above embodiment, and Fig. 3 is a diagram showing the relationship between light intensity and light intensity from a light source in the above embodiment. FIG. 4 is a diagram showing the intensity change of reflected light from the vicinity of the slit due to defocus Δb. FIG. 5 is a partial diagram showing the configuration when measuring by ratio. FIG. 5 shows another embodiment of the ultraviolet exposure apparatus according to the present invention. Fig. 6 is a block diagram of a conventional ultraviolet exposure device, Fig. 7 is a diagram explaining the principle of the detection method of the projection lens imaging position, and Fig. 8 shows the defocus Δb and the reflected light passing through the slit again. It is a figure showing the relationship with strength. 110... Reticle 140... Stage 220, 221... Lens 230.231...
・Photodetectors 240, 241...pattern 270・
...Reflector patent applicant Nippon Telegraph and Telephone Corporation Representative Patent Attorney Junyuki Nakamura Assistant Professor 1 (3) ItO: L7IL +40: Stage 22
0,22〉゛230 231 KoyoukaiヱOn 24
0241 pattern 27o; friend leopard table f2 figure 3 figure t4 hit te four dezu Δ)) (, 笥〕
Claims (1)
料面に結像して露光する紫外線露光装置において、上記
露光装置のステージ上に反射鏡を設け、上記反射鏡の反
射光が上記レチクル上のパタンを通過したのちの光強度
、あるいは上記反射光が上記レチクル上のパタン形成領
域から反射したのちの光強度を、測定する手段を備えた
ことを特徴とする紫外線露光装置。1. In an ultraviolet exposure device that images a pattern formed on a reticle onto a sample surface and exposes it to light using a projection lens, a reflecting mirror is provided on the stage of the exposure device, and the reflected light of the reflecting mirror reflects the pattern on the reticle. An ultraviolet exposure apparatus characterized by comprising means for measuring the light intensity after passing through the reticle, or the light intensity after the reflected light is reflected from a pattern forming area on the reticle.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61278589A JPS63132426A (en) | 1986-11-25 | 1986-11-25 | Ultraviolet ray aligner |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61278589A JPS63132426A (en) | 1986-11-25 | 1986-11-25 | Ultraviolet ray aligner |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63132426A true JPS63132426A (en) | 1988-06-04 |
Family
ID=17599367
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61278589A Pending JPS63132426A (en) | 1986-11-25 | 1986-11-25 | Ultraviolet ray aligner |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63132426A (en) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH05198476A (en) * | 1992-01-23 | 1993-08-06 | Mitsubishi Electric Corp | Projection lens evaluation apparatus and evaluation thereof |
| JPH05198475A (en) * | 1992-01-21 | 1993-08-06 | Mitsubishi Electric Corp | Projection aligner |
-
1986
- 1986-11-25 JP JP61278589A patent/JPS63132426A/en active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH05198475A (en) * | 1992-01-21 | 1993-08-06 | Mitsubishi Electric Corp | Projection aligner |
| JPH05198476A (en) * | 1992-01-23 | 1993-08-06 | Mitsubishi Electric Corp | Projection lens evaluation apparatus and evaluation thereof |
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