JPS63126144A - Display electron tube device - Google Patents
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- Cathode-Ray Tubes And Fluorescent Screens For Display (AREA)
Abstract
Description
【発明の詳細な説明】
〔M業上の利用分野〕
本発明は、波形観測1画像表示等ケ析うための表示電子
管装置に関するものである。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Field of application in M industry] The present invention relates to a display electron tube device for analyzing waveform observation, single image display, etc.
従来のオシロスコープ用CRT(陰極線管)は、スクリ
ーン上の輝線の輝度をビーム電流の量で!えているので
、繰返し周波数の低い波形?観測する際に、輝度調整が
不適当で高輝度状態に設定されたままであると、螢光体
が焼は付くおそれがあった。また、ビーム電流が変化す
ると、フォーカスと了ステグマテイズム(収差)がずれ
てしチリので、ビーム1”流と共にフォーカスと了ステ
グマテイズム電圧ケ合せて変えなけnはならなかった。With conventional CRTs (cathode ray tubes) for oscilloscopes, the brightness of the bright line on the screen is determined by the amount of beam current! Is it a waveform with a low repetition frequency? During observation, if the brightness was improperly adjusted and left at a high brightness state, there was a risk that the phosphor would burn out. Furthermore, when the beam current changes, the focus and the stigmatism (aberration) shift, so it was necessary to change the focus and the stigmatism voltage together with the beam 1'' flow.
また、高速掃引時において輝度を土げるために。Also, to reduce brightness during high-speed sweep.
加速電圧を高めると、螢光体が焼損するおそれがあった
。また、2次電子倍増器によってビーム電流を増やして
輝度を上げる方法もあるが、この場合にも螢光体が焼損
するおそれがあった。If the accelerating voltage was increased, there was a risk that the phosphor would be burnt out. Another method is to use a secondary electron multiplier to increase the beam current and increase the brightness, but in this case as well, there is a risk that the phosphor will burn out.
そこで、本発明の目的は、電子ビームの制aK頼らない
で輝度を制御1することができる表示電子管装置を提供
することにある。SUMMARY OF THE INVENTION Therefore, an object of the present invention is to provide a display electron tube device that can control brightness without relying on electron beam control aK.
〔間趙点?::wl決するたぬの手段〕手記問題点を解
決し、上記目的を達成するための本発明は、電子ビーム
を発生する電子銃と、前記電子銃から送出された電子ビ
ームを、前記電子ビームの進行方向に直交する平面内の
第1の方向に偏向する第1の偏向手段と、前記電子ビー
ムを前記第1の方向に直交する第2の方向に偏向する第
2の偏向手段と、前記第1及び第2の偏向手段によって
偏向された電子ビーム又は電子ビームの投射に基づいて
螢光体スクリーンから得られる光に応答して光出力を発
生する多数の半導体素子と、前記半導体素子から発生す
る光を制御1ろために前記半導体素子の電流又は電圧を
制御する手段とから成る表示電子管装置に係わるもので
ある、〔作 用〕
半導体素子が、例えばホトトうンジスタ又はダイオード
等の光電fle半導体素子と発光ダイオードのような半
導体発光素子との組み合せ体で、t−石場合には、螢光
体スクリーンの光が光電変慄半導体素子に入力し、これ
が電流に変換され、半導体発光素子に入力する。こnK
より、を子ビーム投射に対応した位置に光出力を得るこ
とかできる。[Zhao point? In order to solve the problem and achieve the above object, the present invention includes an electron gun that generates an electron beam, an electron beam emitted from the electron gun, a first deflection means for deflecting the electron beam in a first direction in a plane perpendicular to the traveling direction of the electron beam; a second deflection means for deflecting the electron beam in a second direction perpendicular to the first direction; a number of semiconductor elements generating light output in response to the electron beam deflected by the first and second deflection means or light obtained from the phosphor screen based on the projection of the electron beam; and a means for controlling the current or voltage of the semiconductor element in order to control the light emitted by the semiconductor element. A combination of a device and a semiconductor light emitting device such as a light emitting diode, in the case of a T-stone, the light from the phosphor screen is input to the photoelectric conversion semiconductor device, which is converted into electric current and input to the semiconductor light emitting device. do. KonK
Therefore, the light output can be obtained at a position corresponding to the child beam projection.
この光出力のレベル即ち輝度を制御(可変又はオン・オ
フ制御))′f“る場合には、半導体素子の電圧又は電
流を制御する。半導体素子が半導体レーザである場合に
は、電子ビームを半導体レーザに直接に投射し、光出力
を得る。When controlling the level of this optical output, that is, the brightness (variable or on/off control), the voltage or current of the semiconductor element is controlled. If the semiconductor element is a semiconductor laser, the electron beam is Project directly onto a semiconductor laser to obtain optical output.
次に、第1図〜第3図に示す本発明の実施例に係わる表
示電子管装置を説明する。第1図に示す表示電子管装置
は、典型的なオシロスコープのC)(TIの管面に多数
の半導体素子2を有する。CHT ]け、真空外壁3の
中に、カソード4.第1グリッド5.第2グリツド6、
第17ノード7゜第27ノード8から成る電子銃、一対
の垂直偏向板9.一対の水平偏向板10を順次に有し、
電子ビーム11がガラス叛】2に塗布された螢光体層1
3に投射さrLるように構故書nている。なお。Next, a display electron tube device according to an embodiment of the present invention shown in FIGS. 1 to 3 will be described. The display electron tube device shown in FIG. 1 has a large number of semiconductor elements 2 on the tube surface of a typical oscilloscope. 2nd grid 6,
An electron gun consisting of a 17th node 7° and a 27th node 8, a pair of vertical deflection plates 9. It has a pair of horizontal deflection plates 10 in sequence,
An electron beam 11 is applied to a phosphor layer 1 coated on a glass substrate 2.
The structure is written so that it is projected onto 3. In addition.
力l−ド4と第】及び第2グリッド5,6で三極管部分
を構成し、第2グリツド6と第1及び第27ノード7.
8で静電集束電子レンズを構成[でいる。一般に、第1
7ノード7はフォーカス電極。The power node 4 and the second grid 5, 6 constitute a triode section, and the second grid 6 and the first and 27th nodes 7.
8 constitutes an electrostatic focusing electron lens. Generally, the first
7 Node 7 is a focus electrode.
第27ノード8は了ステグマティズム10と呼ばr(て
いる。The 27th node 8 is called Ryo Stegmatism 10.
半導体素子2は、ホトトランジス414と発光ダイオー
ド15との組み合せ体であゆ、ガラス叛12を介在して
螢光体#13に対向配置さr+でいる。画素毎に設けろ
rた半導体素子2は絶縁体16によって分離され、こn
等の外側IVC外壁3VC連紗する光透過性フェースプ
レート17が配置1##れている。螢光体層J3は電子
ビームIIK応答して発光シ、ホトトランジヌタ14は
螢光体層13の光に応答して導通し1発光ダイオード1
5はホトトランジスタI4の導通に応答し、で発光する
。The semiconductor element 2 is a combination of a phototransistor 414 and a light emitting diode 15, and is arranged opposite to the phosphor #13 with the glass film 12 interposed therebetween. The semiconductor element 2 provided for each pixel is separated by an insulator 16.
A light-transmissive face plate 17 extending from the outer IVC outer wall 3VC is disposed 1##. The phosphor layer J3 emits light in response to the electron beam IIK, and the phototransistor 14 conducts in response to the light from the phosphor layer 13.
5 emits light in response to the conduction of the phototransistor I4.
従って、螢光体層13とホトトランジスタ14と発光ダ
イオード]5とを組み合せて電子ビーム応答表示素子と
呼ぶことも可能である。Therefore, the combination of the phosphor layer 13, the phototransistor 14, and the light emitting diode 5 can also be called an electron beam responsive display element.
′wt観測信号入力端子18と垂直偏向板9との間には
垂直偏向回路】9が接続されている。この垂直偏向回路
19は公知のオシロスコープのものと同一構成であり1
人力信号に応答して電子ビームを垂直方向(第1の方向
)に偏向する信号を垂直側向板に与えるものである。A vertical deflection circuit 9 is connected between the observation signal input terminal 18 and the vertical deflection plate 9. This vertical deflection circuit 19 has the same configuration as that of a known oscilloscope.
A signal for deflecting the electron beam in the vertical direction (first direction) is applied to the vertical side plate in response to a human input signal.
水平偏向板10に接続された水平偏向回路20は、一定
の繰返し8波数の掃引信号を発生する回路を含み、のこ
ぎり波を水平少量810に耳受る。The horizontal deflection circuit 20 connected to the horizontal deflection plate 10 includes a circuit that generates a constant repeating 8-wavenumber sweep signal, and a sawtooth wave is applied to the horizontal small amount 810 .
半導体素子2に接続された11+御駆動回路21け。11+control drive circuit 21 connected to the semiconductor element 2.
半導体素子2に駆動電圧を与え、且つ半2q体素子2に
流rしる電流を制御1″するものである。なお、半導体
素子2の駆動を7ンブランキング期間に回期させるため
に制債゛駆動回路21に水平偏向回路20がライン22
&Ciiされている。ライン22には掃引回路で使用す
る掃引ゲート信号か与えらnる。This applies a driving voltage to the semiconductor element 2 and controls the current flowing through the semi-conductor element 2. In addition, in order to cycle the driving of the semiconductor element 2 during the seven blanking periods, a constraint is applied.゛The horizontal deflection circuit 20 is connected to the line 22 in the drive circuit 21.
&Cii. A line 22 is supplied with a sweep gate signal used in the sweep circuit.
第2図は第】図の半導体素子20部分の構造を詳しく示
す本のである。ホトトランジスタ14と発光ダイオード
15との直列接続体から成る半導体素子2に電圧を供給
するための一方の電極23はガラス板】2に埋設きれ、
他方のJRIJ極24けフェースプレート17に埋設さ
れている。FIG. 2 is a book showing in detail the structure of the semiconductor device 20 shown in FIG. One electrode 23 for supplying voltage to the semiconductor element 2 consisting of a series connection of a phototransistor 14 and a light emitting diode 15 is embedded in the glass plate 2;
The other 24 JRIJ poles are embedded in the face plate 17.
第3図は半導体素子2の電党的接続を示1゜ホトトラン
ジスタ14はp形のエミッタ25とn形のベース26と
p形のコレクタ27とから成り、工はツタを極28とコ
レクタ電極29とを有し。FIG. 3 shows the electrical connection of the semiconductor element 2. The phototransistor 14 consists of a p-type emitter 25, an n-type base 26, and a p-type collector 27, and the structure is made by connecting the vines to the pole 28 and the collector electrode. 29.
ペース26に介30が入力するように構成さt(でいる
。発光ダイオード15はn影領域3Iとp影領域32と
から成り、7ノード電極33とカソードt&34とを有
する。ホトトランジスタ]4のコレクタt%29と発光
ダイオード15のカソード電極34とを接続することに
よって両者が直列接続され、ホトトランジスタ14のエ
ミッタvt極28と発光ダイオード】5の7ノード電極
33との間てスイッチ35と電源36と可変抵抗37と
が接続さfしている。The light emitting diode 15 is composed of an n-shaded region 3I and a p-shaded region 32, and has a 7-node electrode 33 and a cathode t&34. The collector t% 29 and the cathode electrode 34 of the light emitting diode 15 are connected in series, and the switch 35 and the power source are connected between the emitter VT pole 28 of the phototransistor 14 and the 7 node electrode 33 of the light emitting diode 15. 36 and a variable resistor 37 are connected.
スイッチ35と電源36と可変抵抗37とは制御駆動回
路2Iを構W、するものであり、スイッチ35は掃引ゲ
ート信号に応答してアンブランキング期間のみオンにな
る。、電源36はホトトランジスタ14と発光ダイオー
ド15とに駆動電流を流まためのものである。可変抵抗
37は輝度調整用であり1発光ダイオード15に流れる
電流を調整し1発光ダイオード15の出力光38の強き
を変えるものである。The switch 35, power supply 36, and variable resistor 37 constitute the control drive circuit 2I, and the switch 35 is turned on only during the unblanking period in response to the sweep gate signal. , a power source 36 is used to supply a driving current to the phototransistor 14 and the light emitting diode 15. The variable resistor 37 is for brightness adjustment and is used to adjust the current flowing through one light emitting diode 15 and change the intensity of the output light 38 of one light emitting diode 15.
(動 作)
電子ビームIIKよる螢光体層13の走査は従来のオシ
ロスコープのC)(Tと全く同様に行b nる。しかし
、CRTIにおける輝度調整及びアンプランキング又は
ブランキング制御は不要である。(Operation) The scanning of the phosphor layer 13 by the electron beam IIK is carried out in exactly the same way as in the conventional oscilloscope.However, the brightness adjustment and amplifier ranking or blanking control in CRTI are unnecessary. .
従って、電子ビームの量は、低速掃引であっても。Therefore, even if the amount of electron beam is a slow sweep.
螢光体層13が焼損しない程度に設定さjている。The setting is made so that the phosphor layer 13 will not be burned out.
ホトトランジスタ14は光応答スイッチとして使用する
ので、ホトトランジスタ14がオンにす7゜レベルに電
子ビームの竜を設定する。ホトトランジスタ14に光入
力が与えられ、これがオンになると、1!源36、可変
抵抗37.電源33)発光ダイオード15.ホトトラン
ジスタ]4、電極28、スイッチ35から成る閉回路が
形成され、発光ダイオード15が光38を出力する。発
光ダイオード15の出力光38の強さ即ち輝度は、可変
抵抗37の設定に対応した価になる。ごの例では電子ビ
ーム11の量を低く抑えているので、高輝度を得るため
には、半導体素子20部分で光増幅しなけ1しはならな
い。この光増幅は1発光ダイオード15に高輝度のもの
を使用することによって容易に達成できる。Since the phototransistor 14 is used as a photoresponsive switch, the electron beam beam is set at the 7° level at which the phototransistor 14 turns on. When a light input is given to the phototransistor 14 and it is turned on, 1! source 36, variable resistor 37. Power supply 33) Light emitting diode 15. A closed circuit consisting of the phototransistor] 4, the electrode 28, and the switch 35 is formed, and the light emitting diode 15 outputs light 38. The intensity or brightness of the output light 38 of the light emitting diode 15 corresponds to the setting of the variable resistor 37. In this example, since the amount of electron beam 11 is kept low, in order to obtain high brightness, light must be amplified in the semiconductor element 20 portion. This optical amplification can be easily achieved by using one light emitting diode 15 with high brightness.
この表示電子管装置においては、C)iTI側で輝度調
整を行う必要がなく、電子ビームの量を固定することが
できる。従来装置のように輝度調整に追従させてフォー
カス電圧、了ステグマテイズム寛出を調整することが不
要になり、こtし等を固定することかでさる。In this display electron tube device, C) there is no need to perform brightness adjustment on the iTI side, and the amount of electron beam can be fixed. It is no longer necessary to adjust the focus voltage and the stigmatism reduction in accordance with the brightness adjustment as in the conventional device, and it is possible to fix the adjustment and the like.
〔づ9Σル例 〕
本発明は土述の実施例に限定さnるものでなく2例えば
次の変形が可能なものである。[9Σ Example] The present invention is not limited to the embodiments described above, but can be modified, for example, as follows.
(11第4図に示す如く単位画素に発光色の異なる3種
類の発光ダイオード15a−15h、15Cを配置し、
ホトトランジスタを独立に接続し。(11 As shown in FIG. 4, three types of light emitting diodes 15a to 15h and 15C with different emission colors are arranged in a unit pixel,
Connect the phototransistors independently.
スイッチ35a、35h−35c、Ml源36a。Switches 35a, 35h-35c, Ml source 36a.
36h−36cm可変抵抗37a、37h、37Cを独
立に設け5発光ダイオード15a−15b−15cの選
択的発光により、カラー表示を行うよりにしてもよい。36h-36cm variable resistors 37a, 37h, and 37C may be provided independently and color display may be performed by selectively emitting light from five light-emitting diodes 15a-15b-15c.
(2) 第5図に示す如く、フェースプレート17の
内側に、レーザダイオード40(半24体レーザ]を画
素ごとに配置し、このレーザダイオード40に電子ビー
ム11を投射し、光増幅発光させ。(2) As shown in FIG. 5, a laser diode 40 (half-24 laser) is arranged for each pixel inside the face plate 17, and the electron beam 11 is projected onto the laser diode 40 to amplify and emit light.
出力光38を得るようにしてもよい。このレーザダイオ
ード40の出力光38の強さの調整は、第3図の場合と
同様に、スイッチ35と′亀の36と可変抵抗37とか
ら成る回路で行う。Alternatively, output light 38 may be obtained. The intensity of the output light 38 of the laser diode 40 is adjusted by a circuit consisting of a switch 35, a tortoise 36, and a variable resistor 37, as in the case of FIG.
(3) 出力光38の調整を可f抵抗37で行つ代ジ
に、電源36の電圧調整で行うようにしてもよい。また
、CRTIにおける電子ビームの量を螢光体層13の焼
損の生じない範囲で変えることができるように構成し、
電子ビームの量と半導体発光素子の駆動電流との両方で
出力光38の強さを調整してもよい。(3) Instead of adjusting the output light 38 using the variable f resistor 37, it may be done by adjusting the voltage of the power source 36. Further, the configuration is such that the amount of electron beam in the CRTI can be changed within a range that does not cause burnout of the phosphor layer 13,
The intensity of the output light 38 may be adjusted by both the amount of the electron beam and the driving current of the semiconductor light emitting device.
(4)第3図ではホトトランジスタ14と発光ダイオー
ド】5とを電極29.34で接続しているが、同一半導
体基板内にホトトランジスタ14と発光ダイオード15
とを設けてもよい。筐だ、ホトトランジスタ14をホト
ダイオード構成としてもよい。また1発光ダイオード1
5をレーザダイオードとしてもよい。(4) In FIG. 3, the phototransistor 14 and the light emitting diode 5 are connected by the electrodes 29 and 34, but the phototransistor 14 and the light emitting diode 15 are connected in the same semiconductor substrate.
may also be provided. In the case, the phototransistor 14 may have a photodiode configuration. Also 1 light emitting diode 1
5 may be a laser diode.
(51yfL理的に示さnている第1図のCRTIIC
1後段加速電極、走査拡大四極レンズ等を設けてもよい
。(51yfL CRTIIC in Figure 1 shown logically)
A second stage accelerating electrode, a scanning magnifying quadrupole lens, etc. may be provided.
上述から明らかな如く、本発明によれば、輝度調整が半
導体発光素子によって行われるので、電子ビーム愈を固
定することが可能になる。従って。As is clear from the above, according to the present invention, since brightness adjustment is performed by a semiconductor light emitting element, it is possible to fix the electron beam radius. Therefore.
螢光体の焼損防止、フォーカス及び了ステグマテイズム
等の集束系電極電圧の固定が可能になる。It becomes possible to prevent burnout of the phosphor and to fix the electrode voltage for focusing systems such as focus and stigmatism.
又、光増幅作用を利用して輝度を高ぬることも可能にな
る。Furthermore, it is also possible to increase the brightness by utilizing the optical amplification effect.
第1図は本発明の夾施例に係わる表示電子管装置を原理
的に示す図。
第2図はwJ1図の管面部分を許しく示す断面図。
第3図は半導体素子部分の電気的接続を示す図。
第4図は変形例の半導体素子部分を示す正面図。
第5図は変形例のレーザダイオード部分を示す断面図で
ある。
l・・・C)tT、2・・・半導体素子、9・・・垂直
偏向板。
10・・・水平偏向板、11・・・電子ビーム、13・
・・螢光体層、14・・・ホトトランジスタ、15・・
・発光ダイオード、37・・・可変抵抗。
代 理 人 高 野 則 次第3図
LFIG. 1 is a diagram showing the principle of a display electron tube device according to another embodiment of the present invention. FIG. 2 is a sectional view clearly showing the tube surface portion of FIG. wJ1. FIG. 3 is a diagram showing electrical connections of semiconductor element portions. FIG. 4 is a front view showing a semiconductor element portion of a modified example. FIG. 5 is a sectional view showing a laser diode portion of a modified example. 1...C)tT, 2...Semiconductor element, 9...Vertical deflection plate. 10... Horizontal deflection plate, 11... Electron beam, 13.
...phosphor layer, 14... phototransistor, 15...
- Light emitting diode, 37...variable resistor. Agent: Nori Takano Figure 3 L
Claims (3)
ムの進行方向に直交する平面内の第1の方向に偏向する
第1の偏向手段と、 前記電子ビームを前記第1の方向に直交する第2の方向
に偏向する第2の偏向手段と、 前記第1及び第2の偏向手段によつて偏向された電子ビ
ーム又は電子ビームの投射に基づいて螢光体スクリーン
から得られる光に応答して光出力を発生する多数の半導
体素子と、 前記半導体素子から発生する光を制御するために前記半
導体素子の電流又は電圧を制御する手段と から成る表示電子管装置。(1) an electron gun that generates an electron beam; a first deflection means that deflects the electron beam sent out from the electron gun in a first direction in a plane perpendicular to the traveling direction of the electron beam; a second deflection means for deflecting the electron beam in a second direction orthogonal to the first direction; and based on the electron beam deflected by the first and second deflection means or the projection of the electron beam. A display comprising a number of semiconductor elements generating light output in response to light obtained from a phosphor screen, and means for controlling the current or voltage of said semiconductor elements to control the light generated from said semiconductor elements. Electron tube device.
る光に応答する光電変換半導体素子と前記光電変換半導
体素子の電流に応答して光を発生する発光半導体素子と
の組み合せ体である特許請求の範囲第1項記載の表示電
子管装置。(2) A patent claim in which the semiconductor element is a combination of a photoelectric conversion semiconductor element that responds to light emitted from a phosphor screen and a light emitting semiconductor element that generates light in response to the current of the photoelectric conversion semiconductor element. The display electron tube device according to item 1.
導体レーザである特許請求の範囲第1項記載の表示電子
管装置。(3) The display electron tube device according to claim 1, wherein the semiconductor element is a semiconductor laser that responds to the electron beam.
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---|---|---|---|
JP27143386A JPS63126144A (en) | 1986-11-14 | 1986-11-14 | Display electron tube device |
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JP27143386A JPS63126144A (en) | 1986-11-14 | 1986-11-14 | Display electron tube device |
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JPS63126144A true JPS63126144A (en) | 1988-05-30 |
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JP27143386A Pending JPS63126144A (en) | 1986-11-14 | 1986-11-14 | Display electron tube device |
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JP (1) | JPS63126144A (en) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008260459A (en) * | 2007-04-13 | 2008-10-30 | Calsonic Kansei Corp | Console box structure |
JP2009029369A (en) * | 2007-07-30 | 2009-02-12 | Daikyo Nishikawa Kk | Console box |
-
1986
- 1986-11-14 JP JP27143386A patent/JPS63126144A/en active Pending
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008260459A (en) * | 2007-04-13 | 2008-10-30 | Calsonic Kansei Corp | Console box structure |
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