JPS63109492A - Matrix display device - Google Patents

Matrix display device

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Publication number
JPS63109492A
JPS63109492A JP61256031A JP25603186A JPS63109492A JP S63109492 A JPS63109492 A JP S63109492A JP 61256031 A JP61256031 A JP 61256031A JP 25603186 A JP25603186 A JP 25603186A JP S63109492 A JPS63109492 A JP S63109492A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
layer
conductor layer
matrix display
display device
substrate
Prior art date
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Pending
Application number
JP61256031A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
菊池 伊佐子
晋吾 藤田
山添 博司
勲夫 太田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Panasonic Holdings Corp
Original Assignee
Matsushita Electric Industrial Co Ltd
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Filing date
Publication date
Application filed by Matsushita Electric Industrial Co Ltd filed Critical Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Priority to JP61256031A priority Critical patent/JPS63109492A/en
Publication of JPS63109492A publication Critical patent/JPS63109492A/en
Pending legal-status Critical Current

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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
(57) [Abstract] This bulletin contains application data before electronic filing, so abstract data is not recorded.

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は映像機器や情報機器などに用いて有効な、高コ
ントラスト等の高表示品位を有する簡易な構成の低コス
ト非直線二端子素子からなるマトリクス表示装置に関す
るものである。
[Detailed Description of the Invention] Industrial Application Field The present invention is a matrix consisting of a low-cost non-linear two-terminal element with a simple configuration and having high display quality such as high contrast, which is effective for use in video equipment, information equipment, etc. This invention relates to display devices.

従来の技術 近年、特に液晶表示装置に代表されるマトリクス表示装
置は、コンピュータを中心とする情報機器分野および映
像機器分野において、大容量表示、特に画像表示に同け
てのアプローチが活発であり、低価格デバイスが実現出
来るディスプレイとして注目されている。非直線二端子
素子とは、電流−電圧特性が非直線性を示し、比較的大
電圧領域において近似的に定電圧特性を示すような二端
子素子をいう。以下図面を参照しながら従来の提案され
、た非直線二端子素子を用いた液晶表示装置の一例につ
いて説明する。
BACKGROUND ART In recent years, matrix display devices, particularly liquid crystal display devices, have been actively approached in the field of information equipment centered on computers and in the field of video equipment, in the same way as large-capacity display, especially image display. It is attracting attention as a display that can be used to create low-cost devices. A nonlinear two-terminal element is a two-terminal element that exhibits nonlinear current-voltage characteristics and approximately constant voltage characteristics in a relatively large voltage region. An example of a conventionally proposed liquid crystal display device using a non-linear two-terminal element will be described below with reference to the drawings.

第2図(a)は非直線二端子素子(MIM素子:Met
al−1nsulator−Metal素子)を各絵素
ごとに具備した液晶表示パネルの片側の基板の絵素近辺
の断面図の一例であり、第2図(blはその配置図であ
る。
Figure 2(a) shows a nonlinear two-terminal element (MIM element: Met
FIG. 2 is an example of a cross-sectional view of the vicinity of a picture element of one side of the substrate of a liquid crystal display panel in which each picture element is provided with an al-1 nsulator-metal element (Al-1 nsulator-Metal element).

基板41、タンタル層42、陽極酸化タンタル層43、
絵素電極層44、クロム層45、から非直線二端子素子
46を構成しており、バス・バー47、引出し端子48
、絵素電極層49をもって非直線二端子アレイとする。
substrate 41, tantalum layer 42, anodized tantalum layer 43,
A non-linear two-terminal element 46 is composed of a picture element electrode layer 44 and a chromium layer 45, and a bus bar 47 and a lead terminal 48
, the pixel electrode layer 49 forms a nonlinear two-terminal array.

 〔アイトリプルイー、トランザクション。[I Triple E, transaction.

オン、エレクトロン、デバイシズ、イーディー28イ巳
−6号−1981(IEEE  TRANSACTIO
N  ON  ELECTO−RON DEVICES
、 VOL、HD−28,N16.1981))情報表
示学会(S I D ;5ociety For In
formationDisplay )の1984年国
際シンポジウム技術論文集(SID Internat
ional Sympojium Digest Of
 Tech−nical Papers) P2O3−
305)また第3図はPINダイオードをリング状に連
結し非直線二端子素子とした例であり、第3図ta+は
PINダイオードの構成断面図、第3図(blはこのP
INダイオードを使った液晶表示パネルの片側の基板の
配置図である。第3図(b)においてPINダイオード
は通常のPNダイオード記号で示されている。基板51
上には第一電極層52、N型非晶質硅素53、l型非晶
質硅素54、N型非晶質硅素55、クロム層56、絶縁
体からなる保護層57、第二電極層58が形成されてお
り、リング状に連結したPINダイオード59、バス・
バー60、絵素電極61をもって非直線二端子アレイと
する。〔テレビジョン学会技術報告、昭和59年5月2
5日発表〕通常の液晶表示パネルではデユーティ比が1
/200程度が限度であるが、これらの非直線抵抗素子
を用いることにより、デユーティ比が1 /1000の
高品位な液晶表示特性を得ることが可能となる。
On, Electron, Devices, E.D.28I-6-1981 (IEEE TRANSACTIO
N ON ELECTO-RON DEVICES
, VOL, HD-28, N16.1981))Society For In
1984 International Symposium Technical Proceedings (SID International
ional Sympojium Digest Of
Tech-nical Papers) P2O3-
305) Also, Fig. 3 shows an example of PIN diodes connected in a ring shape to form a non-linear two-terminal element.
FIG. 2 is a layout diagram of one side of a substrate of a liquid crystal display panel using an IN diode. In FIG. 3(b) the PIN diode is shown with the usual PN diode symbol. Board 51
On top are a first electrode layer 52, an N-type amorphous silicon 53, an L-type amorphous silicon 54, an N-type amorphous silicon 55, a chromium layer 56, a protective layer 57 made of an insulator, and a second electrode layer 58. is formed, and the PIN diode 59 connected in a ring shape, the bus
The bar 60 and the picture element electrode 61 form a nonlinear two-terminal array. [Television Society Technical Report, May 2, 1982
Announced on the 5th] Normal LCD panels have a duty ratio of 1.
Although the limit is about /200, by using these nonlinear resistance elements, it is possible to obtain high-quality liquid crystal display characteristics with a duty ratio of 1/1000.

第4図は非直線二端子素子を用いた液晶表示パネルの等
価回路図である。このパネルが正常に動作する為には、
電流が主に非直線抵抗70、液晶層の容量73という経
路を流れる必要がある。非直線二端子素子が正常に機能
するためには、非直線抵抗並列容量71を小さくしなけ
ればならない。尚72は液晶層の抵抗、74は非直線抵
抗素子、75は液晶層を示す。
FIG. 4 is an equivalent circuit diagram of a liquid crystal display panel using nonlinear two-terminal elements. In order for this panel to work properly,
The current needs to flow mainly through the path of the nonlinear resistor 70 and the capacitor 73 of the liquid crystal layer. In order for the non-linear two-terminal element to function properly, the non-linear resistance parallel capacitance 71 must be made small. Note that 72 is the resistance of the liquid crystal layer, 74 is a non-linear resistance element, and 75 is the liquid crystal layer.

第5図は非直線二端子素子を用いたマトリクス表示パネ
ルの構成を示す図である。帯状電極を有する基板80と
、非直線二端子素子アレイ基板81のそれぞれ表示媒体
82と接する面に配向膜83を形成し、ガラスファイバ
ー或いは樹脂微粒子を散布しスペーサー84を設けた後
シール材85にて貼り合せ、スペーサー84により形成
された間隙に表示媒体82を充填しマトリクス表示装置
とする。
FIG. 5 is a diagram showing the structure of a matrix display panel using nonlinear two-terminal elements. An alignment film 83 is formed on the surfaces of the substrate 80 having strip-shaped electrodes and the non-linear two-terminal element array substrate 81 that are in contact with the display medium 82, glass fibers or fine resin particles are scattered, spacers 84 are provided, and then a sealing material 85 is formed. The display medium 82 is filled in the gap formed by the spacer 84 to form a matrix display device.

発明が解決しようとする問題点 非直線二端子素子を用いた例えば液晶表示装置を駆動す
るためには、非直線素子に充分な電圧を印加する必要が
ある。それには非直線素子の電気容量を液晶層の電気容
量の1/10程度以下に設計しなければならない。従来
の技術による第1のものについては、酸化タンタルの厚
みを約500人にすると闇値電圧は7〜IIVで非直線
特性も著しく好適であるが、酸化タンタルの比誘電率が
20以上あり非直線素子の電気容量が大きくなる。従っ
てデユーティが1)500〜1 /1000の高品位な
液晶表示特性を得るためにはやや不利となり、そのため
非直線素子の形状を微細にしているが、このことはアレ
イの歩留りを著しく悪化させる原因となっており、さら
に複雑で時間を要するフォトリソグラフィー工程が少な
くとも3回以上含まれるため作業効率が悪化するだけで
なく大幅なコストアンプの原因ともなっている。また第
2のものについては、フォトリソグラフィー工程が少な
くとも5回〜6回含まれることになり、このことは作業
効率の悪化、歩留りの悪化、さらにはコストアップの原
因となっている。
Problems to be Solved by the Invention In order to drive, for example, a liquid crystal display device using a non-linear two-terminal element, it is necessary to apply a sufficient voltage to the non-linear element. To achieve this, the capacitance of the non-linear element must be designed to be about 1/10 or less of the capacitance of the liquid crystal layer. Regarding the first method based on the conventional technology, when the thickness of tantalum oxide is about 500 mm, the dark voltage is 7 to IIV and the nonlinear characteristics are also extremely suitable. The capacitance of the linear element increases. Therefore, it is somewhat disadvantageous to obtain high-quality liquid crystal display characteristics with a duty of 1) 500 to 1/1000, and for this reason, the shape of the nonlinear elements is made finer, but this causes a significant deterioration in the yield of arrays. Furthermore, since the photolithography process, which is more complicated and time-consuming, is included at least three times, it not only deteriorates work efficiency but also causes a significant cost increase. Moreover, regarding the second method, the photolithography process is included at least 5 to 6 times, which causes deterioration in work efficiency, deterioration in yield, and further increase in cost.

問題点を解決するための手段 前記問題点を解決するために本発明のマトリクス表示装
置は、基板上に順次間隙を有する第一導体層、前記導体
層の各々について複数個ずつ設けられた第二導体層、前
記第一導体層、第二導体層との間に介在し、電気的に縦
続接続された樹脂層と砒素(As)と硫黄(S)とセレ
ン(Se)との化合物からなる半導体層の複合層を有す
る非直線二端子素子アレイと、帯状電極を有する第二の
基板との間に表示媒体を挾み込んだものである。
Means for Solving the Problems In order to solve the above-mentioned problems, the matrix display device of the present invention includes a first conductor layer having gaps in sequence on a substrate, and a plurality of second conductor layers provided for each of the conductor layers. A semiconductor comprising a conductor layer, a resin layer interposed between the first conductor layer and the second conductor layer and electrically connected in cascade, and a compound of arsenic (As), sulfur (S), and selenium (Se). A display medium is sandwiched between a non-linear two-terminal element array having a composite layer of layers and a second substrate having strip-shaped electrodes.

作用 本発明は前記した構成によって、前記半導体層、すなわ
ち導体層−樹脂層一半導体層一導体層構造からなる非線
形素子部によって、非線形的な電流−電圧特性を実現し
ている。現在ではこの非線形性はかなりの部分、半導体
層に原因があるように推定される。現実の素子の電流−
電圧特性を測定すると、 I=A−Vα の形で近似出来る特性を示す。ここでAとαは定数であ
る。この素子をリード配線と表示電極との間に介在させ
ることにより、絵素部分に印加されるオン電圧とオフ電
圧との比を大きくすることが出来、コントラスト特性を
向上させることが可能となる。また半導体層を形成する
砒素(As)と硫黄(S)とセレン(Se)の化合物の
比誘電率が10以下と比較的小さいことにより、非線形
素子の形状は比較的大きく出来、歩留りの向上が望める
。例えば、基板上にパターン化された第一導体層(通常
これはリード配線)の上に半導体層、次に第二導体層(
通常これは絵素電極の一部、或いは前記半導体層と絵素
電極を接続する接続配線)を積層させることは、二度の
被膜形成、及び二度のフォト・リソグラフィー工程で可
能である。しかし非線形素子の形状は比較的太き(する
ことが出来ることと、前記半導体層を蒸着法で形成する
場合には基板加熱を必要としないことを考えると、本発
明による表示装置に用いる非線形素子の製法は筒易であ
ることがわかる。すなわち、基板上にパターン化された
第一導体層の上の半導体層の形成はメタルマスクを用い
、マスク合せ一蒸着の過程で容易に達成される。また前
記第二導体層もこれを構成するものによっては、引続き
マスク蒸着で容易に形成される。
Operation The present invention realizes nonlinear current-voltage characteristics by the semiconductor layer, that is, the nonlinear element portion having the conductor layer-resin layer-semiconductor layer-conductor layer structure with the above-described configuration. It is currently assumed that this nonlinearity is caused to a large extent by the semiconductor layer. Actual element current -
When the voltage characteristics are measured, they show characteristics that can be approximated in the form I=A-Vα. Here, A and α are constants. By interposing this element between the lead wiring and the display electrode, it is possible to increase the ratio between the on voltage and the off voltage applied to the picture element portion, and it is possible to improve contrast characteristics. Furthermore, since the dielectric constant of the compound of arsenic (As), sulfur (S), and selenium (Se) that forms the semiconductor layer is relatively small at 10 or less, the shape of the nonlinear element can be relatively large, which improves the yield. I can hope for it. For example, a first conductor layer patterned on a substrate (usually this is a lead wire) is topped with a semiconductor layer, then a second conductor layer (
Normally, it is possible to stack a part of the picture element electrode (or a connection wiring connecting the semiconductor layer and the picture element electrode) by forming a film twice and performing photolithography twice. However, considering that the nonlinear element has a relatively thick shape and that heating the substrate is not required when the semiconductor layer is formed by vapor deposition, the nonlinear element used in the display device according to the present invention has a relatively large shape. It can be seen that the manufacturing method is simple. That is, the formation of the semiconductor layer on the first conductor layer patterned on the substrate is easily achieved by using a metal mask and performing mask-aligned vapor deposition. Further, the second conductor layer may also be easily formed by subsequent mask vapor deposition depending on what constitutes the second conductor layer.

また、樹脂層は基板と半導体層との応力の緩和に起因し
ており、特性の均一化に貢献し、より安定な非直線二端
子素子が得られ、以上のようなことから、歩留りの低下
をきたさずに、低コストで表示品位の高い液晶表示装置
の実現が可能となる。
In addition, the resin layer relieves the stress between the substrate and the semiconductor layer, which contributes to uniformity of characteristics and provides a more stable non-linear two-terminal element. It becomes possible to realize a liquid crystal display device with high display quality at low cost without causing any problems.

実施例 以下、本発明の代表的な一実施例のマトリクス表示装置
について、図面を参照しながら説明する。
Embodiment Hereinafter, a matrix display device according to a typical embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings.

前記したように、第一導体層はリード配線、またはリー
ド配線から分岐したそれの一部であり、第二導体層は絵
素電極の一部、または絵素電極への接続を目的とする接
続配線である。どのような場合にも本発明の効果は発揮
されることを確認したが、本実施例では以下に、第一導
体層をリード配線、第二導体層は絵素電極の一部である
場合について述べるものとする。
As mentioned above, the first conductor layer is the lead wiring or a part thereof branched from the lead wiring, and the second conductor layer is a part of the pixel electrode or a connection for the purpose of connecting to the pixel electrode. It's the wiring. Although it has been confirmed that the effects of the present invention are exhibited in any case, in this example, the following describes the case where the first conductor layer is a lead wiring and the second conductor layer is a part of the pixel electrode. shall be stated.

第1図(a)は構成断面図、第1図(blは平面図を示
す。第1図において1は基板であり、基板1上に形成さ
れた第一導体層2をバタンニングし、引出し端子部を除
く基板の全面にポリイミド被膜3を形成した後、厚さ約
30μmの磁性ステンレス鋼板製の所定の穴が開けられ
たマスクとアライナ−を用いて位置合せを行ない、基板
裏面よりサマリウム・コバルト磁石を置いて密着させ、
その後これを蒸着用真空槽内に設置し、抵抗加熱法によ
って基板上に半導体層4、さらに同様の方法により第二
導体層5を形成する。基板lは石英ガラス、ソーダガラ
ス等、第一導体N2は錫を含んだ酸化インジウム(IT
O) 、アンチモンを含んだ酸化錫、クロム、アルミニ
ウム、チタン等、半導体層4は砒素と硫黄とセレンとの
合金からそれぞれ形成されている。また第二導体層5は
テルル、クロム、アルミニウム等から形成されている。
FIG. 1(a) is a cross-sectional view of the configuration, and FIG. After forming a polyimide film 3 on the entire surface of the board except for the terminals, alignment is performed using a mask made of magnetic stainless steel plate with a thickness of about 30 μm with predetermined holes and an aligner, and samarium film is applied from the back side of the board. Place a cobalt magnet and bring it close together.
Thereafter, this is placed in a vacuum chamber for vapor deposition, and a semiconductor layer 4 is formed on the substrate by a resistance heating method, and a second conductor layer 5 is further formed by a similar method. The substrate l is made of quartz glass, soda glass, etc., and the first conductor N2 is made of indium oxide (IT) containing tin.
O), tin oxide containing antimony, chromium, aluminum, titanium, etc. The semiconductor layer 4 is formed of an alloy of arsenic, sulfur, and selenium, respectively. Further, the second conductor layer 5 is made of tellurium, chromium, aluminum, or the like.

以上のようにして得られた非直線二端子素子アレイの素
子の電流−電圧特性を測定し、非直線二端子素子アレイ
と透明を有する帯状電極付基板のそれぞれの表面に配向
処理を施した後、前記2枚の基板を貼り合せてパネルと
し表示媒体を注入し液晶表示パネルとした。
After measuring the current-voltage characteristics of the non-linear two-terminal element array obtained as described above, and performing alignment treatment on the surfaces of the non-linear two-terminal element array and the transparent substrate with strip-shaped electrodes, respectively. The two substrates were bonded together to form a panel, and a display medium was injected to form a liquid crystal display panel.

本発明の一実施例は、第1図に示した基板1には、ソー
ダガラス上に二酸化硅素(SiO□)を被覆したものを
、第一導体層2には約2000人の厚みのITOlまた
はチタン(Ti)の2種類を形成した。その各々につい
て半導体層4は砒素と硫黄とセレンの化合物で、硫黄と
セレンは同等の成分比、砒素は1原子%、5原子%、1
0原子%、25原子%、40原子%、50原子%、60
原子%、80原子%、85原子%の計9種類のものをそ
れぞれ蒸着し、第二導体層5は厚さ約500人のテルル
被膜を形成した。非直線二端子素子の電流−電圧特性の
非直線性は著しく大きく、またその容量も液晶層の容量
と比べて充分に小さいものであった。これらの基板を用
いて液晶表示パネルを製作したところ、デユーティ−比
1 /1000、バイアス比1/7のマトリクス駆動時
において、10:1以上のコントラストでの表示が確認
出来た。
In one embodiment of the present invention, the substrate 1 shown in FIG. 1 is made of soda glass coated with silicon dioxide (SiO□), and the first conductor layer 2 is made of ITOl or Two types of titanium (Ti) were formed. For each of them, the semiconductor layer 4 is a compound of arsenic, sulfur, and selenium, with sulfur and selenium in the same component ratio, arsenic of 1 atomic %, 5 atomic %, and 1 atomic %.
0 atomic%, 25 atomic%, 40 atomic%, 50 atomic%, 60
A total of nine types of atomic %, 80 atomic %, and 85 atomic % were deposited, and the second conductor layer 5 was a tellurium film with a thickness of approximately 500 ml. The nonlinearity of the current-voltage characteristics of the nonlinear two-terminal element was significantly large, and its capacitance was also sufficiently small compared to the capacitance of the liquid crystal layer. When a liquid crystal display panel was manufactured using these substrates, a display with a contrast of 10:1 or more was confirmed during matrix driving with a duty ratio of 1/1000 and a bias ratio of 1/7.

ところでパネルの製作工程において、配向膜の形成や、
液晶材料の注入時には基板の温度を少なくとも90℃以
上に加熱する必要があるが、半導体層4を構成する砒素
と硫黄とセレンの化合物について砒素の成分比が10原
子%未溝のものは、そのガラス化温度がかなり低くなる
ことにより熱処理時に素子が破壊された。また砒素の成
分比が85原子%の素子では砒素の析出が見られ実用的
ではなかった。以上のことから砒素と硫黄とセレンの化
合物において砒素が10原子%以上80原子%以下であ
れば、液晶表示用の非直線二端子素子として満足し得る
特性を備えていることが確認出来た。
By the way, in the panel manufacturing process, formation of an alignment film,
When injecting the liquid crystal material, it is necessary to heat the substrate to at least 90°C, but if the arsenic, sulfur, and selenium compound constituting the semiconductor layer 4 has an arsenic content of 10 at%, The device was destroyed during heat treatment due to the significantly lower vitrification temperature. Further, in a device with an arsenic component ratio of 85 atomic %, arsenic precipitation was observed, making it impractical. From the above, it was confirmed that a compound of arsenic, sulfur, and selenium with arsenic content of 10 atomic % or more and 80 atomic % or less has satisfactory characteristics as a nonlinear two-terminal element for liquid crystal display.

本発明の他の実施例は、第1図に示した基板1には、ソ
ーダガラス上に二酸化硅素(S i Oz )を被覆し
たものを、第一導体層2には約1500人の厚みのIT
Olまたはチタン(Ti)の2種類を形成した。その各
々について第二導体層5にテルル被膜を膜厚200人、
300人、500人、1000人、2000人、300
0人、4000人、5000人、8000人としたもの
を計9種類それぞれ蒸着した。半導体層4は、2硫黄l
セレンl砒素(A s S e S、)を約100人蒸
着した。以上のようにして得られた非直線二端子素子の
電流−電圧特性の非直線性は著しく大きく、またその容
量も液晶層の容量と比べて充分に小さいものであった。
In another embodiment of the present invention, the substrate 1 shown in FIG. 1 is made by coating silicon dioxide (SiOz) on soda glass, and the first conductor layer 2 is made by coating silicon dioxide (SiOz) with a thickness of about 1,500 mm. IT
Two types were formed: Ol and titanium (Ti). For each of them, the second conductor layer 5 is coated with a tellurium film with a film thickness of 200 people,
300 people, 500 people, 1000 people, 2000 people, 300
A total of nine types were deposited with 0, 4,000, 5,000, and 8,000 people. The semiconductor layer 4 contains 2 sulfur
Approximately 100 people deposited selenium arsenic (AsSeS). The nonlinearity of the current-voltage characteristics of the nonlinear two-terminal device obtained as described above was extremely large, and the capacitance thereof was also sufficiently small compared to the capacitance of the liquid crystal layer.

これらの基板を用いて液晶表示パネルを製作したところ
、デユーティ−比1 /1000、バイアス比1/7の
マトリクス駆動時において、10:1以上のコントラス
トでの表示が確認出来た。
When a liquid crystal display panel was manufactured using these substrates, a display with a contrast of 10:1 or more was confirmed during matrix driving with a duty ratio of 1/1000 and a bias ratio of 1/7.

本発明の他の実施例は、第1図に示した基板1には、ソ
ーダガラス上に二酸化硅素(SiO□)を被覆したもの
を、第一導体層2には約2500人の厚みのITOlま
たはチタン(Ti)の2種類を形成した。その各々につ
いて第二導体層5にクロム(Cr)及びアルミニウム(
A1)被膜を膜厚500人、1000人、2000人と
したものを計6種類それぞれ蒸着し、半導体層4は、1
硫黄2セレン1砒素(AsSezS)を約1500人蒸
着した。以上のようにして得られた非直線二端子素子の
電流−電圧特性の非直線性は著しく大きく、またその容
量も液晶層の容量と比べて充分に小さいものであった。
In another embodiment of the present invention, the substrate 1 shown in FIG. 1 is made of soda glass coated with silicon dioxide (SiO□), and the first conductor layer 2 is made of ITO with a thickness of approximately 2,500 mm. Alternatively, two types of titanium (Ti) were formed. For each of them, the second conductor layer 5 is made of chromium (Cr) and aluminum (
A1) A total of six types of films with film thicknesses of 500, 1,000, and 2,000 were deposited, and the semiconductor layer 4 was made of 1
Approximately 1,500 people deposited sulfur, selenium, and arsenic (AsSezS). The nonlinearity of the current-voltage characteristics of the nonlinear two-terminal device obtained as described above was extremely large, and the capacitance thereof was also sufficiently small compared to the capacitance of the liquid crystal layer.

これらの基板を用いて液晶表示パネルを製作したところ
、デユーティ−比1 /1000、バイアス比1/7の
マトリクス駆動時において、10:1以上のコントラス
トでの表示が確認出来た。
When a liquid crystal display panel was manufactured using these substrates, a display with a contrast of 10:1 or more was confirmed during matrix driving with a duty ratio of 1/1000 and a bias ratio of 1/7.

本発明の他の実施例は、第1図に示した基板1には、ソ
ーダガラス上に二酸化硅素(SiOz)を被覆したもの
を、第一導体層2には約1500人の厚みのクロム(C
r)、アルミニウム(Al)、またはアンチモン(Sb
)を含んだ酸化錫(SnO□)を形成しポリイミド被膜
形成後、半導体層4(2硫黄1セレン化2砒素(A S
 2 S e Sz ))を2000人蒸着し第二導体
層5(テルル)を500人順に抵抗加熱法により蒸着し
た。以上のようにして得られた非直線二端子素子の電流
−電圧特性の非直線性は著しく大きく、またその容量も
液晶層の容量と比べて充分に小さいものであった。これ
らの基板を用いて液晶表示パネルを製作したところ、デ
ユーティ−比1 /1000、バイアス比1/7のマト
リクス駆動時において、10:1以上のコントラストで
の表示が確認出来た。
In another embodiment of the present invention, the substrate 1 shown in FIG. 1 is made of soda glass coated with silicon dioxide (SiOz), and the first conductor layer 2 is made of chromium (SiOz) with a thickness of about 1,500 mm. C
r), aluminum (Al), or antimony (Sb
) is formed, and after forming a polyimide film, a semiconductor layer 4 (2 sulfur, 1 selenide, 2 arsenic (A S
2 S e Sz )) was deposited by 2,000 people, and the second conductor layer 5 (tellurium) was deposited by 500 people in turn by a resistance heating method. The nonlinearity of the current-voltage characteristics of the nonlinear two-terminal device obtained as described above was extremely large, and the capacitance thereof was also sufficiently small compared to the capacitance of the liquid crystal layer. When a liquid crystal display panel was manufactured using these substrates, a display with a contrast of 10:1 or more was confirmed during matrix driving with a duty ratio of 1/1000 and a bias ratio of 1/7.

本発明の他の実施例は、第1図に示した基板1には、ソ
ーダガラス上に二酸化硅素(Sing)を被覆したもの
を、第一導体層2には約2000人の厚みのITO,ま
たはチタン(Ti)の2種類を形成し、その各々につい
て半導体層4は、1硫黄2セレン2砒素(AszSag
 S)を膜厚300人、500  人、1000人、2
000人、3000人、4000人、5000人、60
00人としたものを計8種類それぞれ蒸着した。第二導
体層5には400人のテルル被膜を形成した。以上のよ
うにして得られた非直線二端子素子の電流−電圧特性の
非直線性は著しく大きく、またその容量も液晶層の容量
と比べて充分に小さいものであった。これらの基板を用
いて液晶表示パネルを製作したところ、デユーティ−比
1 /1000、バイアス比1/7のマトリクス駆動時
において、lO:1以上のコントラストでの表示が確認
出来た。
In another embodiment of the present invention, the substrate 1 shown in FIG. 1 is made of soda glass coated with silicon dioxide (Sing), and the first conductor layer 2 is made of ITO with a thickness of about 2000. or titanium (Ti), and the semiconductor layer 4 for each of them is made of 1 sulfur 2 selenium 2 arsenic (AszSag).
S) with film thickness of 300, 500, 1000, 2
000 people, 3000 people, 4000 people, 5000 people, 60
A total of eight types were deposited, each with a total of 00 people. A 400-layer tellurium coating was formed on the second conductor layer 5. The nonlinearity of the current-voltage characteristics of the nonlinear two-terminal device obtained as described above was extremely large, and the capacitance thereof was also sufficiently small compared to the capacitance of the liquid crystal layer. When a liquid crystal display panel was manufactured using these substrates, display with a contrast of 1O:1 or more was confirmed during matrix driving with a duty ratio of 1/1000 and a bias ratio of 1/7.

本発明の他の実施例は、第1図に示した基Fi1には、
ソーダガラス上に二酸化硅素(SiO□)を被覆したも
のを、第一導体層2には約2000人の厚みのITO,
またはチタン(Ti)の2種類を形成し、その各々につ
いて半導体N4は、砒素、硫黄、セレンの化合物で、砒
素の成分比を30原子%及び50原子%とし、残りの成
分比を硫黄:セレン=s:t、3:1,1:1,1:3
,1:5とした計10種類のものをそれぞれ約2000
蒸着した。
In another embodiment of the invention, the group Fi1 shown in FIG.
Soda glass is coated with silicon dioxide (SiO□), and the first conductor layer 2 is made of ITO with a thickness of approximately 2000 mm.
or titanium (Ti), and for each of them, the semiconductor N4 is a compound of arsenic, sulfur, and selenium, with the component ratio of arsenic being 30 at% and 50 at%, and the remaining component ratio being sulfur: selenium. =s:t, 3:1, 1:1, 1:3
, a total of 10 types with a ratio of 1:5, about 2000 each.
Deposited.

第二導体層5は、200人のテルル被膜を形成した。The second conductor layer 5 formed a 200-layer tellurium coating.

以上のようにして得られた非直線二端子素子の電流−電
圧特性の非直線性は著しく大きく、またその容量も液晶
層の容量と比べて充分に小さいものであった。これらの
基板を用いて液晶表示パネルを製作したところ、デユー
ティ−比1 /1000、バイアス比1/7のマトリク
ス駆動時において、10:1以上のコントラストでの表
示が確認出来た。
The nonlinearity of the current-voltage characteristics of the nonlinear two-terminal device obtained as described above was extremely large, and the capacitance thereof was also sufficiently small compared to the capacitance of the liquid crystal layer. When a liquid crystal display panel was manufactured using these substrates, a display with a contrast of 10:1 or more was confirmed during matrix driving with a duty ratio of 1/1000 and a bias ratio of 1/7.

本発明実施例は半導体層及び第二導体層をバタンニング
する方法としてメタルマスクを用いる方法で実施したが
、フォトレジストを用いたリフト・オフ法を用いても、
また表示媒体として液晶組成物以外の例えば電気泳動表
示素子(EPID)、。
In the embodiments of the present invention, a method using a metal mask was used to batten the semiconductor layer and the second conductor layer, but even if a lift-off method using a photoresist was used,
Further, as a display medium, for example, an electrophoretic display device (EPID) other than a liquid crystal composition.

電場発光表示素子(EL)、エレクトロクロミック表示
素子(E CD)等を用いた場合にも同様のものが得ら
れることはいうまでもない。
It goes without saying that similar results can be obtained when an electroluminescent display element (EL), an electrochromic display element (ECD), or the like is used.

発明の効果 以上のように本発明のマトリクス表示装置は、基板上に
順次間隙を有する第一導体層、樹脂層、砒素(As)と
硫黄(S)とセレン(Se)との化合物からなる半導体
層、さらに第二導体層を積層するという構成を備えたこ
とにより、例えば実施例で示したようなフォトリソグラ
フィー工程、リフト・オフ・プロセスを用いない簡易な
プロセスで剥離等の不良を生起しないより安定な特性を
示すマトリクス表示用非直線二端子アレイが得られ、作
業効率及び歩留りが大幅に向上しただけでなく、表示品
位の高いマトリクス表示装置を低コストで実現すること
が出来た。
Effects of the Invention As described above, the matrix display device of the present invention includes a first conductor layer having gaps on a substrate, a resin layer, and a semiconductor made of a compound of arsenic (As), sulfur (S), and selenium (Se). By having a structure in which a conductor layer and a second conductor layer are laminated, defects such as peeling do not occur in a simple process that does not use a photolithography process or a lift-off process as shown in the example. A nonlinear two-terminal array for matrix display that exhibits stable characteristics was obtained, and not only work efficiency and yield were significantly improved, but also a matrix display device with high display quality could be realized at low cost.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of the drawing]

第1図(a)は本発明による液晶表示用非直線二端子素
子の構成断面図、第1図(b)はその平面図、第2図(
a)及び第3図(a)は従来の非直線二端子素子の構成
断面図、第2図(bl及び第3図(blは従来の非直線
二端子素子の配置図、第4図は非直線二端子素子付き液
晶表示パネルの等価回路図、第5図は非直線二端子素子
を用いたマトリクス表示パネルの構成図である。 1・・・・・・基板、2・・・・・・第一導体層、3・
・・・・・ポリイミド層、4・・・・・・半導体層、5
・・・・・・第二導体層。 代理人の氏名 弁理士 中尾敏男 はか1名“ /−基
販 ?−第−導体1 第1図 第2図 第3図 第4図 第5図 ”J8/
FIG. 1(a) is a cross-sectional view of the configuration of a non-linear two-terminal element for liquid crystal display according to the present invention, FIG. 1(b) is a plan view thereof, and FIG.
a) and FIG. 3(a) are cross-sectional views of the configuration of a conventional non-linear two-terminal element, FIG. 2 (bl) and FIG. An equivalent circuit diagram of a liquid crystal display panel with linear two-terminal elements, and FIG. 5 is a configuration diagram of a matrix display panel using non-linear two-terminal elements. 1...Substrate, 2... first conductor layer, 3.
...Polyimide layer, 4...Semiconductor layer, 5
...Second conductor layer. Name of agent: Patent attorney Toshio Nakao (1 person) /-Basic sales?-1st conductor 1 Figure 1 Figure 2 Figure 3 Figure 4 Figure 5 "J8/

Claims (6)

【特許請求の範囲】[Claims] (1)基板上に順次間隙を有する第一導体層、前記導体
層の各々について複数個ずつ設けられた第二導体層、前
記第一導体層、第二導体層との間に介在し、電気的に縦
続接続された樹脂層と砒素(As)と硫黄(S)とセレ
ン(Se)との化合物からなる半導体層の複合層を有し
、前記樹脂層が、前記基板に接してなるような非直線二
端子素子アレイと、帯状電極を有する第二の基板との間
に表示媒体を挾み込んだことを特徴とするマトリクス表
示装置。
(1) A first conductor layer having gaps sequentially on the substrate, a plurality of second conductor layers provided for each of the conductor layers, interposed between the first conductor layer and the second conductor layer, a composite layer of a resin layer and a semiconductor layer made of a compound of arsenic (As), sulfur (S), and selenium (Se) which are cascade-connected; the resin layer is in contact with the substrate; A matrix display device characterized in that a display medium is sandwiched between a non-linear two-terminal element array and a second substrate having strip-shaped electrodes.
(2)半導体層を構成する砒素と硫黄とセレンの化合物
について、砒素の成分比が10原子%以上80原子%以
下であることを特徴とする特許請求の範囲第(1)項記
載のマトリクス表示装置。
(2) The matrix display according to claim (1), characterized in that, in the compound of arsenic, sulfur, and selenium constituting the semiconductor layer, the component ratio of arsenic is 10 atomic % or more and 80 atomic % or less Device.
(3)第一導体層が錫(Sn)を含んだ酸化インジウム
(In_2O_3)、アンチモン(Sb)を含んだ酸化
錫(SnO_2)、クロム(Cr)、アルミニウム(A
l)、チタン(Ti)の何れかからなることを特徴とす
る特許請求の範囲第(1)項または第(2)項のいずれ
かに記載のマトリクス表示装置。
(3) The first conductor layer is indium oxide (In_2O_3) containing tin (Sn), tin oxide (SnO_2) containing antimony (Sb), chromium (Cr), aluminum (A
1) The matrix display device according to claim 1, wherein the matrix display device is made of either titanium (Ti).
(4)第二導体層が錫(Sn)を含んだ酸化インジウム
(In_2O_3)、テルル(Te)、アルミニウム(
Al)、クロム(Cr)、チタン(Ti)の何れかから
なることを特徴とする特許請求の範囲第(1)項、第(
2)項または第(3)項のいずれかに記載のマトリクス
表示装置。
(4) The second conductor layer is indium oxide (In_2O_3) containing tin (Sn), tellurium (Te), aluminum (
Claims (1) and (1) are made of any one of Al), chromium (Cr), and titanium (Ti).
The matrix display device according to either item 2) or item (3).
(5)樹脂層をポリイミドから形成することを特徴とす
る特許請求の範囲第(1)項、第(2)項、第(3)項
または第(4)項のいずれかに記載のマトリクス表示装
置。
(5) The matrix display according to any one of claims (1), (2), (3), or (4), wherein the resin layer is formed of polyimide. Device.
(6)表示媒体は液晶組成物、電気泳動表示素子、電場
発光表示素子、エレクトロクロミック表示素子の何れか
からなることを特徴とする特許請求の範囲第(1)項、
第(2)項、第(3)項、第(4)項または第(5)項
のいずれかに記載のマトリクス表示装置。
(6) Claim (1), characterized in that the display medium is made of any one of a liquid crystal composition, an electrophoretic display element, an electroluminescent display element, and an electrochromic display element;
The matrix display device according to any one of item (2), item (3), item (4), or item (5).
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8769729B2 (en) 2007-03-12 2014-07-08 Panasonic Corporation Toilet seat apparatus

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