JPS63108417A - 輻射制御機構 - Google Patents
輻射制御機構Info
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- JPS63108417A JPS63108417A JP61253804A JP25380486A JPS63108417A JP S63108417 A JPS63108417 A JP S63108417A JP 61253804 A JP61253804 A JP 61253804A JP 25380486 A JP25380486 A JP 25380486A JP S63108417 A JPS63108417 A JP S63108417A
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Landscapes
- Control Of Temperature (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、輻射が支配的な伝熱機溝の熱制御に係り、特
に人工衛星などの宇市飛しよう体の熱制御に好適な機構
に関する。
に人工衛星などの宇市飛しよう体の熱制御に好適な機構
に関する。
従来の装置は、特開昭５９−１６４３００号に記載のよ
うに瓜変によって眉射熱物性が変化する物質を熱制御に
用いるという玉めて抽象的な構造になっている。また、
実施例としては、感熱塗料や液晶を用いるとしている。
うに瓜変によって眉射熱物性が変化する物質を熱制御に
用いるという玉めて抽象的な構造になっている。また、
実施例としては、感熱塗料や液晶を用いるとしている。
上記従来技術は、示温塗料や液晶は、確かに可視置載で
その輻射物性が変化することは自明なるも、もつと波長
の長い赤外領域における特注は明らかにされていない。
その輻射物性が変化することは自明なるも、もつと波長
の長い赤外領域における特注は明らかにされていない。
従って、放熱の制御で対象とな石常温から１００Ｃ以内
の温度に関して有効であるかどうか疑わしい。さらに、
それらの受動形態制御法は経時変化が生じやすいという
問題がある。
の温度に関して有効であるかどうか疑わしい。さらに、
それらの受動形態制御法は経時変化が生じやすいという
問題がある。
本発明の目的は、軽量な構造で、かつ確実な作用？成す
輻射熱制御の機構を実現することである。
輻射熱制御の機構を実現することである。
上記目的は、薄膜状形状記憶合金を利用し、その形状変
化によるみかけ上の輻射物性の変化を利用することによ
り、達成される。
化によるみかけ上の輻射物性の変化を利用することによ
り、達成される。
μｍオーダの膜厚の薄膜状形状記憶合金を利用し、変態
前の表面形状を平面もしくはｍｍオーダ以上の蛇行面と
し、変態後の表面形状をμｍオーダの粗面になるよう記
憶させる。この薄膜状形状記憶合金を輻射放熱面上に平
行に設置する。放熱面温度が上昇し、変態点を過ぎると
、上記形状記憶合金は粗面化し、みかけ上の輻射率が増
加する。
前の表面形状を平面もしくはｍｍオーダ以上の蛇行面と
し、変態後の表面形状をμｍオーダの粗面になるよう記
憶させる。この薄膜状形状記憶合金を輻射放熱面上に平
行に設置する。放熱面温度が上昇し、変態点を過ぎると
、上記形状記憶合金は粗面化し、みかけ上の輻射率が増
加する。
これにより、放熱面の温度上昇を防ぐことができる。
以下、本発明の実施例を第１図、第２図を用いて説明す
る。第１図において１は人工衛星等の一部である発熱機
器であり、２はその輻射放熱板である。該放熱板の表面
は黒色塗料等を塗布した輻射率の高い面３になっている
。４はμｍオーダの膜厚の薄膜形状記憶合金であり、そ
の裏面は黒色塗料塗装等による輻射率の高い面５．弐面
はｈｔ蒸着等による輻射率の低い面６になっている。該
薄膜形状記憶合金は、３０〜４００に変態点かあり、変
態温度以下では第１図に示すようにｍｍオーダ以上の大
きく蛇行した面形状を有し、変態温度以上では、第２図
で４に示すように、深さ、ピッチがμｍオーダの微１蛇
行面になるよう形状を配置している。
る。第１図において１は人工衛星等の一部である発熱機
器であり、２はその輻射放熱板である。該放熱板の表面
は黒色塗料等を塗布した輻射率の高い面３になっている
。４はμｍオーダの膜厚の薄膜形状記憶合金であり、そ
の裏面は黒色塗料塗装等による輻射率の高い面５．弐面
はｈｔ蒸着等による輻射率の低い面６になっている。該
薄膜形状記憶合金は、３０〜４００に変態点かあり、変
態温度以下では第１図に示すようにｍｍオーダ以上の大
きく蛇行した面形状を有し、変態温度以上では、第２図
で４に示すように、深さ、ピッチがμｍオーダの微１蛇
行面になるよう形状を配置している。
薄膜形状記憶合金の表面形状は第１図、第２図の例に限
定する必要はなく、別の例ｔ−第３図〜第６図に示す。
定する必要はなく、別の例ｔ−第３図〜第６図に示す。
すなわち、本実施例の場合は、変態前の形状記憶合金の
表面形状は、Ｊ３図およびそのＡ−Ａｆｉ面である４４
図に示すように１ｍｍオーダ以上を径とするマクロな半
球状凹凸面であり。
表面形状は、Ｊ３図およびそのＡ−Ａｆｉ面である４４
図に示すように１ｍｍオーダ以上を径とするマクロな半
球状凹凸面であり。
変態温度以上では第５図及び第６図に示すようにμｍオ
ーダの微小半球状凹凸面になる。
ーダの微小半球状凹凸面になる。
次にこれらの実施列のｒｌｌ：用を４７図、第８図を用
いて説明する。上記実施・列において用いられる薄膜形
状記憶合金は、その変態温度が３０Ｇと４０Ｃの２種類
存在するとする。この場合形状記憶合金の温度が３（ｌ
以下の場合はいずれの形状記憶合金も変態温度以下でる
り、第７図に示すように実効輻射率はε０に維持される
。形状記憶合金の温度が上昇し、３０Ｃを越えると一部
の形状記憶合金が変態し、その部分が粗面になるため。
いて説明する。上記実施・列において用いられる薄膜形
状記憶合金は、その変態温度が３０Ｇと４０Ｃの２種類
存在するとする。この場合形状記憶合金の温度が３（ｌ
以下の場合はいずれの形状記憶合金も変態温度以下でる
り、第７図に示すように実効輻射率はε０に維持される
。形状記憶合金の温度が上昇し、３０Ｃを越えると一部
の形状記憶合金が変態し、その部分が粗面になるため。
実効輻射率はｅ！に上昇する。さらに形状記憶合金の１
度が上昇し、４０Ｃを越えると、全ての形状記憶合金が
変態し粗面になるため、実効輻射率はさらに増してｅ２
になる。薄膜状形状記憶合金には上記のような作用があ
るので、い１機器の発熱量が除々に増す場合を考えると
、それによって放熱板の温度が形状記憶合金の変態温度
以上になる毎に、放熱面からの実効輻射率が増すので、
放熱板温度の増加が実質的に抑制されることになる。
度が上昇し、４０Ｃを越えると、全ての形状記憶合金が
変態し粗面になるため、実効輻射率はさらに増してｅ２
になる。薄膜状形状記憶合金には上記のような作用があ
るので、い１機器の発熱量が除々に増す場合を考えると
、それによって放熱板の温度が形状記憶合金の変態温度
以上になる毎に、放熱面からの実効輻射率が増すので、
放熱板温度の増加が実質的に抑制されることになる。
この状況をグラフ化した列が第８図である。すなわち１
本発明になる輻射制御機構を用いると、機器放熱量を増
しても、放熱板の＠度の上昇は小さく抑えられ、機器信
頼性の向上に寄与できる。
本発明になる輻射制御機構を用いると、機器放熱量を増
しても、放熱板の＠度の上昇は小さく抑えられ、機器信
頼性の向上に寄与できる。
本発明は輻射面の形状変化を利用して実質的な輻射率を
制御するものであるので、経時変化を生じることが少な
く、確実に放熱面の温度制御を行うことができる。
制御するものであるので、経時変化を生じることが少な
く、確実に放熱面の温度制御を行うことができる。
第１図、第２図は本発明の一実施例を示す部分図、第３
図、′ｓ５図は本発明の別の実施例を示す平面図、４４
図、４４６図は第３図及びＪＳ図の夫夫の部分断面図、
第７図、第８図は本発明の実施例の作用説明図である。 １・・・発熱機器、２・・・放熱板、３・・・輻射率の
高い面。 ４・・・薄膜形状記憶合金、５・・・輻射率の高い面、
６・・・輻射率の低い面、７〜９・・・大凸面、１０−
１２Ｔ３ｚ図 Ｚ 放熟叛 ６ 輻射ｑｒｙ氏・・面 ′４３ 図 冨５図
図、′ｓ５図は本発明の別の実施例を示す平面図、４４
図、４４６図は第３図及びＪＳ図の夫夫の部分断面図、
第７図、第８図は本発明の実施例の作用説明図である。 １・・・発熱機器、２・・・放熱板、３・・・輻射率の
高い面。 ４・・・薄膜形状記憶合金、５・・・輻射率の高い面、
６・・・輻射率の低い面、７〜９・・・大凸面、１０−
１２Ｔ３ｚ図 Ｚ 放熟叛 ６ 輻射ｑｒｙ氏・・面 ′４３ 図 冨５図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、特定の温度で変態することによつて、その表面の粗
さが変化する薄膜状形状記憶合金を、温度を制御すべき
物体の表面に配設して成ることを特徴とする輻射制御機
構。 ２、該薄膜形状記憶合金の変態温度が常温付近以上であ
る特許請求の範囲第１項記載の輻射制御機構。 ３、該薄膜形状記憶合金の変態時表面粗さが０．５μｍ
付近以上である特許請求の範囲第１項記載の輻射制御機
構。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61253804A JPS63108417A (ja) | 1986-10-27 | 1986-10-27 | 輻射制御機構 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61253804A JPS63108417A (ja) | 1986-10-27 | 1986-10-27 | 輻射制御機構 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63108417A true JPS63108417A (ja) | 1988-05-13 |
Family
ID=17256381
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61253804A Pending JPS63108417A (ja) | 1986-10-27 | 1986-10-27 | 輻射制御機構 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63108417A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP2099067A1 (en) * | 2008-03-07 | 2009-09-09 | Nederlandse Organisatie voor toegepast- natuurwetenschappelijk onderzoek TNO | Process for adjusting the friction coefficient between surfaces of two solid objects |
-
1986
- 1986-10-27 JP JP61253804A patent/JPS63108417A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP2099067A1 (en) * | 2008-03-07 | 2009-09-09 | Nederlandse Organisatie voor toegepast- natuurwetenschappelijk onderzoek TNO | Process for adjusting the friction coefficient between surfaces of two solid objects |
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