JPS6299456A - 金属フツ化物薄膜の形成方法 - Google Patents
金属フツ化物薄膜の形成方法Info
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
〔発明の利用分野〕
本発明は金属フッ化物’ｌｌ ＩＦＪの形成方法に係り
、特にＭ（”）Ｓ （Ｍｅｔａｌ ０ｘｉｄｅ Ｓｅｍ
１ｃｏｎｄｕｃｔｏｒ）デバイス、３次元半導体素子な
どの半導体装置に好適な金属フッ化物からなる絶縁膜の
形成方法に関する。 〔発明の背景〕 半導体基板十にエピタキシャル成長させた絶縁膜は、３
次元素子や新しい半導体装置用絶縁膜として期待されて
いる。これらの目的に使用される絶縁膜材料として、ｃ
ａＦ２に代表される金属フッ化物について、マテリアル
ズ、リサーチ、ソサエティ、シンポジウム（Ｍａｔ、、
Ｒｅｓ、 Ｓｏｃ、 Ｓｙｍｐ、）。 ２５巻、３９３頁（［８４年）におけるイシヮラ（Ｔ
ｓｈｊｗａｒａ）およびアサノ（Ａｓａｎｏ）による１
′シリコン基板上のフッ化物膜のエピタキシャル成長″
（“ＥｐＮ、ａｘｉａｌ Ｇｒｏｗｔ；ｈ ｏｆ Ｆｌ
、ｕｏｒｊｄａ Ｆｊｌｍｓｏｎ ５ｊｌｆ、ｏｎ ５
ｕｂｓｔｒａｔｅｓ” ）や、次世代産業基盤技術、第
４同断機能素子技術シンポジウム、＝３− ２２７頁（昭和６０年７月）における合本による１１
：３次元回路素子応用へのスピネルＭ ＲＥ成長″と題
する文献において論じられている。これらは、直空蒸着
法によって基板Ｉ−に所定の薄膜をエピタキシャル成長
させる方法に関するものであって、薄膜を形成するフッ
化物の結晶構造が基板であるＳｊやＧａ Ａ ｓなどの
結晶構造と類似しているか、あるいは特定面の原子配列
が似ているために、エピタキシャル成長したフッ化物薄
膜を得ることができ、しかもフッ化物を蒸着源として使
用しても、フッ化物は分解自由エネルギが大きいので分
解されることなく、化学練論比的絹成が維持されるので
ある。 現在、フッ化物薄膜の形成は、高真空中で蒸着法によっ
て行オ）れており、フッ化物薄膜のエピタキシャル成長
は、ラザフォード後方散乱スペク１へロスコピー（ＲＲ
８）法および電子線回折法によって確認されている。し
かしながら、フッ化物薄膜の絶縁耐圧の電極面積依存性
などからは、フッ化物薄膜が必ずしも十分に満足する結
晶性を有しているとはａえす、フッ化物薄膜中にピンホ
ールなどの欠陥が存在するために、フッ化物薄膜の絶縁
膜・１圧が測定に用いる電極の面積に依存し、その面積
が広くなると絶縁耐圧が低下するという欠点があった。 これは、薄膜を形成する粒子がフッ化物分子の状態で基
板表面に到達し、薄膜を形成する粒子の基板表面におけ
る移動拡散が小さいためであると考えられている。 〔発明の目的〕 本発明の目的は、」二連した従来技術の欠点を解消
、特にＭ（”）Ｓ （Ｍｅｔａｌ ０ｘｉｄｅ Ｓｅｍ
１ｃｏｎｄｕｃｔｏｒ）デバイス、３次元半導体素子な
どの半導体装置に好適な金属フッ化物からなる絶縁膜の
形成方法に関する。 〔発明の背景〕 半導体基板十にエピタキシャル成長させた絶縁膜は、３
次元素子や新しい半導体装置用絶縁膜として期待されて
いる。これらの目的に使用される絶縁膜材料として、ｃ
ａＦ２に代表される金属フッ化物について、マテリアル
ズ、リサーチ、ソサエティ、シンポジウム（Ｍａｔ、、
Ｒｅｓ、 Ｓｏｃ、 Ｓｙｍｐ、）。 ２５巻、３９３頁（［８４年）におけるイシヮラ（Ｔ
ｓｈｊｗａｒａ）およびアサノ（Ａｓａｎｏ）による１
′シリコン基板上のフッ化物膜のエピタキシャル成長″
（“ＥｐＮ、ａｘｉａｌ Ｇｒｏｗｔ；ｈ ｏｆ Ｆｌ
、ｕｏｒｊｄａ Ｆｊｌｍｓｏｎ ５ｊｌｆ、ｏｎ ５
ｕｂｓｔｒａｔｅｓ” ）や、次世代産業基盤技術、第
４同断機能素子技術シンポジウム、＝３− ２２７頁（昭和６０年７月）における合本による１１
：３次元回路素子応用へのスピネルＭ ＲＥ成長″と題
する文献において論じられている。これらは、直空蒸着
法によって基板Ｉ−に所定の薄膜をエピタキシャル成長
させる方法に関するものであって、薄膜を形成するフッ
化物の結晶構造が基板であるＳｊやＧａ Ａ ｓなどの
結晶構造と類似しているか、あるいは特定面の原子配列
が似ているために、エピタキシャル成長したフッ化物薄
膜を得ることができ、しかもフッ化物を蒸着源として使
用しても、フッ化物は分解自由エネルギが大きいので分
解されることなく、化学練論比的絹成が維持されるので
ある。 現在、フッ化物薄膜の形成は、高真空中で蒸着法によっ
て行オ）れており、フッ化物薄膜のエピタキシャル成長
は、ラザフォード後方散乱スペク１へロスコピー（ＲＲ
８）法および電子線回折法によって確認されている。し
かしながら、フッ化物薄膜の絶縁耐圧の電極面積依存性
などからは、フッ化物薄膜が必ずしも十分に満足する結
晶性を有しているとはａえす、フッ化物薄膜中にピンホ
ールなどの欠陥が存在するために、フッ化物薄膜の絶縁
膜・１圧が測定に用いる電極の面積に依存し、その面積
が広くなると絶縁耐圧が低下するという欠点があった。 これは、薄膜を形成する粒子がフッ化物分子の状態で基
板表面に到達し、薄膜を形成する粒子の基板表面におけ
る移動拡散が小さいためであると考えられている。 〔発明の目的〕 本発明の目的は、」二連した従来技術の欠点を解消
本発明の金属フッ化物薄膜の形成方法は、基板表面にお
ける薄膜形成粒子の移動拡散度合を高めるために、蒸着
源から金属粒子詮ビーム状に蒸発させて基板表面に到達
するようにし、かつ基板の近傍には金属フッ化物形成用
のフッ素化合物ガスを導入して、プラズマを発生せしめ
、分離したフッ素イオンと金属蒸発粒子とをＪん板表面
にｊ♂いて化学反応を起させて金属フッ化物薄膜を形成
させる方法であって、薄膜形成粒子の基板表面における
移動拡散が十分に行われ、緻密で結晶性が良好で絶縁耐
圧の優れた金属フッ化物薄膜を容易にエピタキシャル成
長させることができる。 また、従来の基板表面において蒸発粒子を化学反応させ
て化合物薄膜を形成させる反応性蒸着法は、主として酸
化物薄膜の形成にのみ適用されているが、これをフッ化
物薄膜の形成に用いる場合は、フッ化物形成に使用する
フッ素ガスの反応性が極めて高いために、蒸着装置を著
しく腐食させるという問題が発生する。これに対して本
発明の金属フッ化物薄膜形成において用いるフッ素化合
物ガスは、腐食性の少ないフッ素化合物、例えばフレオ
ン１４ （ｃＦ、） 、フレオン２３（Ｃ）ＴＦ、）ガ
スなどを用い、プラズマを発生させてフッ素をイオン化
し、金属蒸発粒子と基板上において反応させ、金属フッ
化物薄膜を形成させる関係」−１装首の腐食は極めて少
なく容易に金属フッ化物薄膜を＝６＝ 形成させることができる。 そして、本発明の金属フッ化物薄膜の形成方法において
、基板１−にエピタキシャル成長させる金１ｉ（フッ化
物としては、ダイヤモンド構造またはＺｎＳ構」２）を
有するＳｊ、ＧａＡｓなどのＱＬ結晶基板と類似する粘
結構造を持つ金属フッ化物が好ましく、例えば、Ｍｇ、
Ｃ，ａ、Ｓｒ、 Ｒａなどのアルカリ土類金属ノフフ化
物、 Ｌａ、 Ｎｄ、 Ｇｄ、 Ｄｙなどの希−に類金
属のフッ化物およびＹ、Ｓｃなどの金属フッ化物などを
挙げることができる。 〔発明の実施例〕 以下に本発明の一実施例を挙げ、図面を参照しながらさ
らに詳細に説明する。 （実施例 １） 第１図は、本発明の金属フッ化物絶縁膜を形成させるた
めの装置の一例を示すものであり、その構造の１１１１
１１８を示す縦断面図である。図に示すごとく、直径５
０ｍｍの石英ガラス基板】の表面をフッ酸によりエツチ
ングした後、スパッタリング装置２の中に配置した。そ
して、スパッタリング装置２−７＝ オン１４（ＣＦ４）ガスをマスフローメータ３を通して
４５８ｃｃＩ１１導入した。これと同時に、メカニカル
ブースタポンプ４による排気とバルブ５の開き角の調整
により、スパッタリング装置２内の圧力を２Ｐａにした
。この圧力条件下でプラズマを高周波により発生させた
。基板１を配置した電極６の表面はテフロン板７で覆っ
た。対向電極８は接地し、その下部に蒸着装置９を設け
た。そして、対向電極８の中央部に設けである直径２８
ｍｎ＋の穴を通して、蒸着源１０の金属ランタン（■、
ａ）を電子線加熱により蒸着した。蒸着源１０の化学反
応を防ぐために、蒸着装置１ｊ９には数段のスリットを
設け、排気口１１より差動排気によって５Ｘ１０−３Ｐ
ａの真空度に保った。 Ｌａの蒸着速度は０．２ ｎｍ／ ｓで、スパッタリン
グ時の基板温度は３００°Ｃに１−昇し、膜厚２００ｎ
ｍの薄膜を形成させた。この薄膜ＩＸ線回折法で評価し
た結果、■、ａＦ、の組成を示した。さらに、イオンマ
イクロアナライザ（ＴＭＡ）法により調べた薄−８＝ 膜の組成は測定誤差範囲内で化学量論比になっていた。 （実施例 ２） 実施例１と同じ成膜条件下において、基板として直径５
０ｎｗｎの（１１，１−）面方位をもっＳｉ単結晶ウェ
ハを使用した。その結果、■、ａＦ３薄膜の面方位は（
００１）になっており、エピタキシャル成長【ノでいる
ことを、Ｘ線回折法、反射高速電子線回折（ＲＨＥ Ｔ
’： ｎ ）法により確認した。そして、形成した■、
ａＦ３簿股の−１−にＡｒＬ電極を設け、この舷電極と
８１基板との間に電圧を印加して■、ａＦ３薄１漠の絶
縁耐圧を測定した。絶縁耐圧は６Ｘ］０’Ｖ／ ａｎで
あったが、電極の面積依存性はなく、■、ａ Ｆ ３Ｍ
膜にピンホールなどの欠陥のないことが分った。 （実施例 ３） 実施例２と同じ成膜条件下において、蒸着源材料として
金属ジスプロシウム（Ｄｙ）を用い薄膜の形成を行った
。５ｊＱｉ結晶基板上に形成された薄膜はＤｙＦ３の組
成を示し、かつエピタキシャル成長していることが判明
した。なお、Ｄ ｙ Ｆ ３薄膜の絶縁耐圧においても
電極面積依存性はなく、その値は８ＸｌＯ’Ｖ／（１）
を示した。 （実施例 ４） 実施例１と同じ成１１９条件下にお、いて、蒸着源材料
として金属ストロンチウム（Ｓｒ）を用い、基板にはＧ
ａＡｓの（１００）面ウェハを使用し、膜厚１１００ｎ
の薄膜を形成した。薄膜は５ｒＦ３の組成を示し、５ｒ
Ｆ３薄膜は基板と同じ（１１１）面方位を有し、エピタ
キシャル成長していることを確認した。 （実施例 ５） 実施例４のＧａＡｓ （１００）面ウェハ基板」１へ、
アルカリ土類金属であるＳｒとＣａを、各々の蒸着源を
用いてＳｒとＣａを同時に蒸着させた。 ＳｒとＣａの蒸着比は６対４とした。これは、基板であ
るＱａＡｓとの格子定数の一致をはかるためである。形
成した薄膜の組成は、Ｓ ｒ ｏ、 ５、Ｃａｏ−４３
Ｆ ２を示し、基板上にエピタキシャル成長しているこ
とが分った。 （実施例 ６） 第１図に示すスパッタリング装置ｉ’
（２内へのガス導入に際して、マスフローメータ３から
、ＯＦ４ガスの代りにヘリウム（Ｈｅ）ガスを５０３ｃ
ｃＩ４導入した。Ｈｅガスのスパッタリングによって基
板１側の電ｒｉ ６ 、Ｊ−のテフロン板７が分解し、
フッ素イオンが供給された。そして、実施例２と同じよ
うにして、Ｓｊ、（１００）単結晶基板−ににＴ、ａを
蒸着させた。その結果、ＣＦ４ガスを導入した時と同じ
膜質である丁、ａＦ、、簿膜を形成させることができた
。 以」一本発明の実施例においては、金属フッ化物として
Ｔ、ａ Ｆ ３、ＤｙＦ３、Ｓ ｒ Ｆ ３、（Ｓｒ−
Ｃａ）Ｆ２を示したが、その化学的、結晶学的類似性か
ら、Ｎｄ、Ｇｄなどの希土類金属のフッ化物、およびＹ
、Ｓｃなどのフッ化物、さらにはＭｇ、Ｒａなどのアル
カリ土類金属のフッ化物に対しても同様の効果があるこ
とを確認している。また、本発明の実施例においては、
フッ素の供給源としてフレオン＋４（ＣＦ４）とテフロ
ン板を示したが、他のフレオンガス、例えばフレオン２
３（ＣＨＦ３）も適用できる。さらに、プラズマの発生
方法として、高周波の印加を行ったが、マイクロ波の利
用も可能であることはβうまでもない。 〔発明の効果〕 以」二詳細に説明したごとく、本発明のフッ素化合物ガ
スのプラズマ雰囲気中における金属フッ化物薄膜の形成
方法によれば、ダイヤモンド構造またはＺｎＳ横浩の結
晶構造を持っＳ Ｉ 、 （’１８八Ｓなどの単結晶基
板上に、これと類似の結晶構造を有するＭｇ、Ｃａ、Ｓ
ｒ、Ｒａなどのアルカリ土類金属のフッ化物簿膜、Ｙ、
Ｓｃなどの金属フッ化物薄膜、およびＬａ、Ｎｄ、Ｇ
ｄ、 Ｄｙなどの希土類金属フッ化物薄１漠などを容易
にエビタギシャル成長させることができ、緻密で結晶性
が良好で、ピンホールなどの欠陥のない絶縁耐圧の優れ
た金属フッ化物薄膜が得られる。また、石英ガラスなど
の基板上においても、緻密で絶縁耐圧の良好な金属フッ
化物薄膜を形成させることもできる。さらに、金属フッ
化物形成用のガスとして、腐食性の少ないフレオン１４
、フレオン２３などのフッ素化合物ガスを用いるので、
蒸着装置の腐食が少なく、かつ容易に金属フッ化物薄膜
を形成させることができ、工業上のメリットは大きい。
ける薄膜形成粒子の移動拡散度合を高めるために、蒸着
源から金属粒子詮ビーム状に蒸発させて基板表面に到達
するようにし、かつ基板の近傍には金属フッ化物形成用
のフッ素化合物ガスを導入して、プラズマを発生せしめ
、分離したフッ素イオンと金属蒸発粒子とをＪん板表面
にｊ♂いて化学反応を起させて金属フッ化物薄膜を形成
させる方法であって、薄膜形成粒子の基板表面における
移動拡散が十分に行われ、緻密で結晶性が良好で絶縁耐
圧の優れた金属フッ化物薄膜を容易にエピタキシャル成
長させることができる。 また、従来の基板表面において蒸発粒子を化学反応させ
て化合物薄膜を形成させる反応性蒸着法は、主として酸
化物薄膜の形成にのみ適用されているが、これをフッ化
物薄膜の形成に用いる場合は、フッ化物形成に使用する
フッ素ガスの反応性が極めて高いために、蒸着装置を著
しく腐食させるという問題が発生する。これに対して本
発明の金属フッ化物薄膜形成において用いるフッ素化合
物ガスは、腐食性の少ないフッ素化合物、例えばフレオ
ン１４ （ｃＦ、） 、フレオン２３（Ｃ）ＴＦ、）ガ
スなどを用い、プラズマを発生させてフッ素をイオン化
し、金属蒸発粒子と基板上において反応させ、金属フッ
化物薄膜を形成させる関係」−１装首の腐食は極めて少
なく容易に金属フッ化物薄膜を＝６＝ 形成させることができる。 そして、本発明の金属フッ化物薄膜の形成方法において
、基板１−にエピタキシャル成長させる金１ｉ（フッ化
物としては、ダイヤモンド構造またはＺｎＳ構」２）を
有するＳｊ、ＧａＡｓなどのＱＬ結晶基板と類似する粘
結構造を持つ金属フッ化物が好ましく、例えば、Ｍｇ、
Ｃ，ａ、Ｓｒ、 Ｒａなどのアルカリ土類金属ノフフ化
物、 Ｌａ、 Ｎｄ、 Ｇｄ、 Ｄｙなどの希−に類金
属のフッ化物およびＹ、Ｓｃなどの金属フッ化物などを
挙げることができる。 〔発明の実施例〕 以下に本発明の一実施例を挙げ、図面を参照しながらさ
らに詳細に説明する。 （実施例 １） 第１図は、本発明の金属フッ化物絶縁膜を形成させるた
めの装置の一例を示すものであり、その構造の１１１１
１１８を示す縦断面図である。図に示すごとく、直径５
０ｍｍの石英ガラス基板】の表面をフッ酸によりエツチ
ングした後、スパッタリング装置２の中に配置した。そ
して、スパッタリング装置２−７＝ オン１４（ＣＦ４）ガスをマスフローメータ３を通して
４５８ｃｃＩ１１導入した。これと同時に、メカニカル
ブースタポンプ４による排気とバルブ５の開き角の調整
により、スパッタリング装置２内の圧力を２Ｐａにした
。この圧力条件下でプラズマを高周波により発生させた
。基板１を配置した電極６の表面はテフロン板７で覆っ
た。対向電極８は接地し、その下部に蒸着装置９を設け
た。そして、対向電極８の中央部に設けである直径２８
ｍｎ＋の穴を通して、蒸着源１０の金属ランタン（■、
ａ）を電子線加熱により蒸着した。蒸着源１０の化学反
応を防ぐために、蒸着装置１ｊ９には数段のスリットを
設け、排気口１１より差動排気によって５Ｘ１０−３Ｐ
ａの真空度に保った。 Ｌａの蒸着速度は０．２ ｎｍ／ ｓで、スパッタリン
グ時の基板温度は３００°Ｃに１−昇し、膜厚２００ｎ
ｍの薄膜を形成させた。この薄膜ＩＸ線回折法で評価し
た結果、■、ａＦ、の組成を示した。さらに、イオンマ
イクロアナライザ（ＴＭＡ）法により調べた薄−８＝ 膜の組成は測定誤差範囲内で化学量論比になっていた。 （実施例 ２） 実施例１と同じ成膜条件下において、基板として直径５
０ｎｗｎの（１１，１−）面方位をもっＳｉ単結晶ウェ
ハを使用した。その結果、■、ａＦ３薄膜の面方位は（
００１）になっており、エピタキシャル成長【ノでいる
ことを、Ｘ線回折法、反射高速電子線回折（ＲＨＥ Ｔ
’： ｎ ）法により確認した。そして、形成した■、
ａＦ３簿股の−１−にＡｒＬ電極を設け、この舷電極と
８１基板との間に電圧を印加して■、ａＦ３薄１漠の絶
縁耐圧を測定した。絶縁耐圧は６Ｘ］０’Ｖ／ ａｎで
あったが、電極の面積依存性はなく、■、ａ Ｆ ３Ｍ
膜にピンホールなどの欠陥のないことが分った。 （実施例 ３） 実施例２と同じ成膜条件下において、蒸着源材料として
金属ジスプロシウム（Ｄｙ）を用い薄膜の形成を行った
。５ｊＱｉ結晶基板上に形成された薄膜はＤｙＦ３の組
成を示し、かつエピタキシャル成長していることが判明
した。なお、Ｄ ｙ Ｆ ３薄膜の絶縁耐圧においても
電極面積依存性はなく、その値は８ＸｌＯ’Ｖ／（１）
を示した。 （実施例 ４） 実施例１と同じ成１１９条件下にお、いて、蒸着源材料
として金属ストロンチウム（Ｓｒ）を用い、基板にはＧ
ａＡｓの（１００）面ウェハを使用し、膜厚１１００ｎ
の薄膜を形成した。薄膜は５ｒＦ３の組成を示し、５ｒ
Ｆ３薄膜は基板と同じ（１１１）面方位を有し、エピタ
キシャル成長していることを確認した。 （実施例 ５） 実施例４のＧａＡｓ （１００）面ウェハ基板」１へ、
アルカリ土類金属であるＳｒとＣａを、各々の蒸着源を
用いてＳｒとＣａを同時に蒸着させた。 ＳｒとＣａの蒸着比は６対４とした。これは、基板であ
るＱａＡｓとの格子定数の一致をはかるためである。形
成した薄膜の組成は、Ｓ ｒ ｏ、 ５、Ｃａｏ−４３
Ｆ ２を示し、基板上にエピタキシャル成長しているこ
とが分った。 （実施例 ６） 第１図に示すスパッタリング装置ｉ’
（２内へのガス導入に際して、マスフローメータ３から
、ＯＦ４ガスの代りにヘリウム（Ｈｅ）ガスを５０３ｃ
ｃＩ４導入した。Ｈｅガスのスパッタリングによって基
板１側の電ｒｉ ６ 、Ｊ−のテフロン板７が分解し、
フッ素イオンが供給された。そして、実施例２と同じよ
うにして、Ｓｊ、（１００）単結晶基板−ににＴ、ａを
蒸着させた。その結果、ＣＦ４ガスを導入した時と同じ
膜質である丁、ａＦ、、簿膜を形成させることができた
。 以」一本発明の実施例においては、金属フッ化物として
Ｔ、ａ Ｆ ３、ＤｙＦ３、Ｓ ｒ Ｆ ３、（Ｓｒ−
Ｃａ）Ｆ２を示したが、その化学的、結晶学的類似性か
ら、Ｎｄ、Ｇｄなどの希土類金属のフッ化物、およびＹ
、Ｓｃなどのフッ化物、さらにはＭｇ、Ｒａなどのアル
カリ土類金属のフッ化物に対しても同様の効果があるこ
とを確認している。また、本発明の実施例においては、
フッ素の供給源としてフレオン＋４（ＣＦ４）とテフロ
ン板を示したが、他のフレオンガス、例えばフレオン２
３（ＣＨＦ３）も適用できる。さらに、プラズマの発生
方法として、高周波の印加を行ったが、マイクロ波の利
用も可能であることはβうまでもない。 〔発明の効果〕 以」二詳細に説明したごとく、本発明のフッ素化合物ガ
スのプラズマ雰囲気中における金属フッ化物薄膜の形成
方法によれば、ダイヤモンド構造またはＺｎＳ横浩の結
晶構造を持っＳ Ｉ 、 （’１８八Ｓなどの単結晶基
板上に、これと類似の結晶構造を有するＭｇ、Ｃａ、Ｓ
ｒ、Ｒａなどのアルカリ土類金属のフッ化物簿膜、Ｙ、
Ｓｃなどの金属フッ化物薄膜、およびＬａ、Ｎｄ、Ｇ
ｄ、 Ｄｙなどの希土類金属フッ化物薄１漠などを容易
にエビタギシャル成長させることができ、緻密で結晶性
が良好で、ピンホールなどの欠陥のない絶縁耐圧の優れ
た金属フッ化物薄膜が得られる。また、石英ガラスなど
の基板上においても、緻密で絶縁耐圧の良好な金属フッ
化物薄膜を形成させることもできる。さらに、金属フッ
化物形成用のガスとして、腐食性の少ないフレオン１４
、フレオン２３などのフッ素化合物ガスを用いるので、
蒸着装置の腐食が少なく、かつ容易に金属フッ化物薄膜
を形成させることができ、工業上のメリットは大きい。
第１図は本発明の実施例において用いた金属フッ化物薄
膜を形成させる装置の構造の概略を示す縦断面図である
。 １・・・基板 ２・・・スパッタリング装
置３・・・マスフローメータ ４・・・メカニカルブースタポンプ ５・・・バルブ ６・・・電極７・・・テフ
ロン板 ８・・・対向電極９・・・蒸着装置
１０・・・蒸着源１１・・・排気口
膜を形成させる装置の構造の概略を示す縦断面図である
。 １・・・基板 ２・・・スパッタリング装
置３・・・マスフローメータ ４・・・メカニカルブースタポンプ ５・・・バルブ ６・・・電極７・・・テフ
ロン板 ８・・・対向電極９・・・蒸着装置
１０・・・蒸着源１１・・・排気口
Claims (8)
- （１）一般式ＭＦ＿ｘ（式中、Ｍは金属元素、Ｆはフッ
素原子、ｘはフッ素原子の数を表わす。）で示される金
属フッ化物の薄膜の形成方法において、フッ素化合物ガ
スのプラズマ雰囲気中に、所定の基板を保持し、上記基
板上に単一もしくは複数の金属元素（Ｍ）を蒸着させる
ことによって、上記所定の基板上に上記金属フッ化物か
らなる薄膜を形成させることを特徴とする金属フッ化物
薄膜の形成方法。 - （２）所定の基板が、半導体単結晶基板であることを特
徴とする特許請求の範囲第１項に記載の金属フッ化物薄
膜の形成方法。 - （３）金属元素（Ｍ）が、アルカリ土類金属元素である
ことを特徴とする特許請求の範囲第１項または第２項に
記載の金属フッ化物薄膜の形成方法。 - （４）アルカリ土類金属元素は、Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｂ
ａのうちから選ばれる少なくとも１種の元素であること
を特徴とする特許請求の範囲第３項に記載の金属フッ化
物薄膜の形成方法。 - （５）金属元素（Ｍ）が、希土類金属元素およびＹ、Ｓ
ｃであることを特徴とする特許請求の範囲第１項または
第２項に記載の金属フッ化物薄膜の形成方法。 - （６）希土類金属元素は、Ｌａ、Ｎｄ、Ｇｄ、Ｄｙのう
ちから選ばれる少なくとも１種の元素であることを特徴
とする特許請求の範囲第５項に記載の金属フッ化物薄膜
の形成方法。 - （７）フッ素化合物ガスは、フレオン１４またはフレオ
ン２３であることを特徴とする特許請求の範囲第１項な
いし第６項のいずれか１項に記載の金属フッ化物薄膜の
形成方法。 - （８）フッ素化合物ガスのプラズマ雰囲気を形成させる
手段が、高周波もしくはマイクロ波の印加によることを
特徴とする特許請求の範囲第１項ないし第７項のいずれ
か１項に記載の金属フッ化物薄膜の形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23750085A JPS6299456A (ja) | 1985-10-25 | 1985-10-25 | 金属フツ化物薄膜の形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23750085A JPS6299456A (ja) | 1985-10-25 | 1985-10-25 | 金属フツ化物薄膜の形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6299456A true JPS6299456A (ja) | 1987-05-08 |
Family
ID=17016236
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP23750085A Pending JPS6299456A (ja) | 1985-10-25 | 1985-10-25 | 金属フツ化物薄膜の形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6299456A (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0210882A (ja) * | 1988-06-29 | 1990-01-16 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体薄膜磁気抵抗素子およびその製造方法 |
| WO1992001310A1 (en) * | 1990-07-04 | 1992-01-23 | Tadahiro Ohmi | Electronic device provided with metal fluoride film |
| JPH0992133A (ja) * | 1995-09-27 | 1997-04-04 | Nec Corp | プラズマディスプレイパネルの製造方法 |
| EP0814062A1 (en) * | 1996-06-21 | 1997-12-29 | Yamamura Glass Co. Ltd. | Process for producing a thin film of a metal fluoride on a substrate |
| KR100459883B1 (ko) * | 1998-07-22 | 2005-01-15 | 삼성에스디아이 주식회사 | 플라즈마 표시 패널의 보호층 형성방법 |
| JP2008114793A (ja) * | 2006-11-07 | 2008-05-22 | Aisin Seiki Co Ltd | 車両用ステップ装置 |
| US8173995B2 (en) | 2005-12-23 | 2012-05-08 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Electronic device including an organic active layer and process for forming the electronic device |
-
1985
- 1985-10-25 JP JP23750085A patent/JPS6299456A/ja active Pending
Cited By (9)
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| US5891531A (en) * | 1996-06-21 | 1999-04-06 | Yamamura Glass Co., Ltd. | Process for producing a thin film of a flouride |
| KR100459883B1 (ko) * | 1998-07-22 | 2005-01-15 | 삼성에스디아이 주식회사 | 플라즈마 표시 패널의 보호층 형성방법 |
| US8173995B2 (en) | 2005-12-23 | 2012-05-08 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Electronic device including an organic active layer and process for forming the electronic device |
| US8383455B2 (en) | 2005-12-23 | 2013-02-26 | E I Du Pont De Nemours And Company | Electronic device including an organic active layer and process for forming the electronic device |
| JP2008114793A (ja) * | 2006-11-07 | 2008-05-22 | Aisin Seiki Co Ltd | 車両用ステップ装置 |
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