JPS6297302A - 抵抗温度計 - Google Patents
抵抗温度計Info
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- JPS6297302A JPS6297302A JP23705985A JP23705985A JPS6297302A JP S6297302 A JPS6297302 A JP S6297302A JP 23705985 A JP23705985 A JP 23705985A JP 23705985 A JP23705985 A JP 23705985A JP S6297302 A JPS6297302 A JP S6297302A
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- Japan
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- lower alkyl
- halogeno
- hydrogen atom
- halogen atom
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- Measuring Temperature Or Quantity Of Heat (AREA)
- Thermistors And Varistors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は特定の固体物質を利用する抵抗温度計に関する
。
。
従来、低温領域で用いられている温度計として抵抗温度
計がある。この温度計は導体あるいは半導体の電気抵抗
値が温度によって変化することを利用した温度計であり
、簡単でしかも信頼度が高い二次温度計として知られて
いる。このような抵抗温度計で実用に供されているもの
としては、白金抵抗温度計、ゲルマニウム抵抗温度計、
炭素抵抗温度計等がある。
計がある。この温度計は導体あるいは半導体の電気抵抗
値が温度によって変化することを利用した温度計であり
、簡単でしかも信頼度が高い二次温度計として知られて
いる。このような抵抗温度計で実用に供されているもの
としては、白金抵抗温度計、ゲルマニウム抵抗温度計、
炭素抵抗温度計等がある。
白金抵抗温度計の場合は、測定可能な温度範囲が低温領
域では１５に以上であり、また用いられる白金線はひず
みがかからないことが必要なために高純度なものを用い
なければならず高価になる。
域では１５に以上であり、また用いられる白金線はひず
みがかからないことが必要なために高純度なものを用い
なければならず高価になる。
ゲルマニウム抵抗温度計の場合は、１５に以下の温度測
定が可能で、特に１ｍｋ〜３０にの温度範囲の測定がで
きる。しかし、純粋なゲルマニウム単結晶は、低温で抵
抗値が大きすぎて抵抗温度計として用いるのは不便であ
ることから、少量の不純物、例えば砒素、ガリウム等を
混在させなければならないが、この不純物を混在させる
ことにより抵抗一温度特性曲線は複雑な形となり、抵抗
と温度の関係を示す式を見出すことが極めて固壁である
という欠点を有する。
定が可能で、特に１ｍｋ〜３０にの温度範囲の測定がで
きる。しかし、純粋なゲルマニウム単結晶は、低温で抵
抗値が大きすぎて抵抗温度計として用いるのは不便であ
ることから、少量の不純物、例えば砒素、ガリウム等を
混在させなければならないが、この不純物を混在させる
ことにより抵抗一温度特性曲線は複雑な形となり、抵抗
と温度の関係を示す式を見出すことが極めて固壁である
という欠点を有する。
炭素抵抗温度計は、白金抵抗温度計に比べて１５に以下
の低温の測定にも使用でき、抵抗一温度特性曲線が単調
な曲線で示されることからＣｌｅｍｅｎｔ −Ｑｕｉｎ
ｎｅｌｌの式［： Ｊ 、 Ｒ、Ｃｌｅｍｅｎｔａｎｄ
Ｅ、Ｈ，Ｑｕｉｎｎｅｌｌ、Ｒｅｖ、Ｓｃｉ、 Ｉｎ
５ｔｒ、、２３ 。
の低温の測定にも使用でき、抵抗一温度特性曲線が単調
な曲線で示されることからＣｌｅｍｅｎｔ −Ｑｕｉｎ
ｎｅｌｌの式［： Ｊ 、 Ｒ、Ｃｌｅｍｅｎｔａｎｄ
Ｅ、Ｈ，Ｑｕｉｎｎｅｌｌ、Ｒｅｖ、Ｓｃｉ、 Ｉｎ
５ｔｒ、、２３ 。
２１３ （Ｉ９５２））により抵抗一温度特性曲線が全
温度領域でかなり満足に表現できる。またこの抵抗温度
計は、小型で熱容量の小さい点、低温で感度が良く、測
定電流の影響を受けにくい点および安価である点は、他
の抵抗温度計に比べて利点である。しかし、この抵抗温
度計の最大の欠点は熱サイクルによって抵抗値が変化す
るので再現性が悪く、精密測定の際には、測定の度ごと
に較正を行なう必要があることである。
温度領域でかなり満足に表現できる。またこの抵抗温度
計は、小型で熱容量の小さい点、低温で感度が良く、測
定電流の影響を受けにくい点および安価である点は、他
の抵抗温度計に比べて利点である。しかし、この抵抗温
度計の最大の欠点は熱サイクルによって抵抗値が変化す
るので再現性が悪く、精密測定の際には、測定の度ごと
に較正を行なう必要があることである。
そこで本発明の目的は、（Ｉ）温度と抵抗の関係が簡単
で、（２）感度が高く精度が高い、（３）抵抗の熱安定
性が良く熱サイクルで抵抗値が変化しない、（４）広い
温度範囲が測定可能な抵抗温度計を提供することにある
。
で、（２）感度が高く精度が高い、（３）抵抗の熱安定
性が良く熱サイクルで抵抗値が変化しない、（４）広い
温度範囲が測定可能な抵抗温度計を提供することにある
。
本発明によると、下記一般式（Ｉ）〜（ＩＶ）で表われ
される化合物から選ばれる少なくとも１種の化合物を、
分解生成物の反応を伴なう熱分解反応またはプラズマ重
合反応に供することにより、得られる固体物質（以下、
単に「固体物質」という）に電極を接続してなる抵抗温
度計が提供される。
される化合物から選ばれる少なくとも１種の化合物を、
分解生成物の反応を伴なう熱分解反応またはプラズマ重
合反応に供することにより、得られる固体物質（以下、
単に「固体物質」という）に電極を接続してなる抵抗温
度計が提供される。
一般式（Ｉ）
［式中。
Ｒ１は、＋ Ｃ＋ Ｒｑを表し、Ｒ，、Ｒ，およびＲ
３は、同一でも異なってもよく、水素原子またはＸであ
り、Ｘはハロゲン原子、 す から選ばれ、ｎは１〜３の整数であり、ただしＲ１中の
Ｘの数は１〜３であり、Ｙはハロゲン原子であり、Ｒ工
。、Ｒ工、およびＲ１２は、同一でも異なってもよく、
低級アルキル基から選ばれ、Ｒ１，は低級アルキル基か
ら選ばれる。
３は、同一でも異なってもよく、水素原子またはＸであ
り、Ｘはハロゲン原子、 す から選ばれ、ｎは１〜３の整数であり、ただしＲ１中の
Ｘの数は１〜３であり、Ｙはハロゲン原子であり、Ｒ工
。、Ｒ工、およびＲ１２は、同一でも異なってもよく、
低級アルキル基から選ばれ、Ｒ１，は低級アルキル基か
ら選ばれる。
また式中、Ｒ２、Ｒ１、Ｒ４、Ｒ９およびＲ６は、同一
でも異なってもよく、水素原子、ハロゲン原子、低級ア
ルキル基、低級アルコキシ基およびＲ１から選ばれる］
、 一般式（ＩＩ） Ｒ１４ ’ｈ７ ［式中、Ｒ１４、Ｒ１９、ＲＩＧおよびＲエフは、同一
でも異なってもよく、水素原子、ハロゲン原子。
でも異なってもよく、水素原子、ハロゲン原子、低級ア
ルキル基、低級アルコキシ基およびＲ１から選ばれる］
、 一般式（ＩＩ） Ｒ１４ ’ｈ７ ［式中、Ｒ１４、Ｒ１９、ＲＩＧおよびＲエフは、同一
でも異なってもよく、水素原子、ハロゲン原子。
低級アルキル基、ハロゲノ低級アルキル基および低級ア
ルコキシ基から選ばれ、Ｒ，、Ｒ１，、Ｒ２ｏおよびＲ
２□は、同一でも異なってもよく、水素原子、ハロゲン
原子、低級アルキル基および低級アルコキシ基から選ば
れる］、 一般式（Ｉ［［） ［式中、Ｒ２□およびＲ２，は、同一でも異なってもよ
く、水素原子、ハロゲン原子、低級アルキル基、ハロゲ
ノ低級アルキル基および低級アルコキシ基から選ばれ、
Ｒ２４、Ｒ２，、Ｒ２ｓ、 Ｒ２，、Ｒ，、、Ｒ２ｇ、
Ｒ３ｏおよびＲ３１は、同一でも異なってもよく、水素
原子、ハロゲン原子、低級アルキル基および低級アルコ
キシ基から選ばれるコ、一般式（ＩＶ） 八３ｅ ［式中、Ｒ１２、Ｒ１いＲ３いＲ３Ｓ、 Ｒ３Ｇ、 Ｒ
３１、Ｒ３８、Ｒ３３、Ｒ４ｏ、Ｒ１１、Ｒ４２および
Ｒ４３は、同一でも異なってもよく、水素原子、ハロゲ
ン原子、低級アルキル基および低級アルコキシ基から選
ばれる］。
ルコキシ基から選ばれ、Ｒ，、Ｒ１，、Ｒ２ｏおよびＲ
２□は、同一でも異なってもよく、水素原子、ハロゲン
原子、低級アルキル基および低級アルコキシ基から選ば
れる］、 一般式（Ｉ［［） ［式中、Ｒ２□およびＲ２，は、同一でも異なってもよ
く、水素原子、ハロゲン原子、低級アルキル基、ハロゲ
ノ低級アルキル基および低級アルコキシ基から選ばれ、
Ｒ２４、Ｒ２，、Ｒ２ｓ、 Ｒ２，、Ｒ，、、Ｒ２ｇ、
Ｒ３ｏおよびＲ３１は、同一でも異なってもよく、水素
原子、ハロゲン原子、低級アルキル基および低級アルコ
キシ基から選ばれるコ、一般式（ＩＶ） 八３ｅ ［式中、Ｒ１２、Ｒ１いＲ３いＲ３Ｓ、 Ｒ３Ｇ、 Ｒ
３１、Ｒ３８、Ｒ３３、Ｒ４ｏ、Ｒ１１、Ｒ４２および
Ｒ４３は、同一でも異なってもよく、水素原子、ハロゲ
ン原子、低級アルキル基および低級アルコキシ基から選
ばれる］。
前記一般式（Ｉ）の化合物としては、例えばハロゲノ低
級アルキルベンゼン、 ジハロゲノ低級アルキルベンゼン、 トリハロゲノ低級アルキルベンゼン。
級アルキルベンゼン、 ジハロゲノ低級アルキルベンゼン、 トリハロゲノ低級アルキルベンゼン。
１．２−ビス（ハロゲノ低級アルキル）ベンゼン、１．
２．３−トリス（ハロゲノ低級アルキル）ベンゼン。
２．３−トリス（ハロゲノ低級アルキル）ベンゼン。
１．２．５−トリス（ハロゲノ低級アルキル）ベンゼン
、 １．２，４．５−テトラキス（ハロゲノ低級アルキル）
ベンゼン、 １．２，３，４，５．６−へキサキス（ハロゲノ低級ア
ルキル）ベンゼン、 ２−ハロゲノ低級アルキルトルエン。
、 １．２，４．５−テトラキス（ハロゲノ低級アルキル）
ベンゼン、 １．２，３，４，５．６−へキサキス（ハロゲノ低級ア
ルキル）ベンゼン、 ２−ハロゲノ低級アルキルトルエン。
２．４−ビス（ハロゲノ低級アルキル）トルエン、
２．４．５−トリス（ハロゲノ低級アルキル）トルエン
、 ２．４，５．６−テトラキス（ハロゲノ低級アルキル）
トルエン、 １−ハロゲノ低級アルキル−２−低級アルキルベンゼン
、 １−ハロゲノ低級アルキル−２，４，５−トリ低級アル
キルベンゼン。
、 ２．４，５．６−テトラキス（ハロゲノ低級アルキル）
トルエン、 １−ハロゲノ低級アルキル−２−低級アルキルベンゼン
、 １−ハロゲノ低級アルキル−２，４，５−トリ低級アル
キルベンゼン。
１−ハロゲノ低級アルキル−２，４−ジ低級アルキル−
５−低級アルコキシベンゼン、■−ハロゲノ低級アルキ
ルー２，３，４．５−テトラ低級アルキルベンゼン、 １．４−ビス（ハロゲノ低級アルキル）−２゜５−ジ低
級アルキルベンゼン、 １−ハロゲノ低級アルキル−２，３，４−トリ低級アル
キル−５，６−低級アルコキシベンゼン、 ２−低級アルキルベンジルトリ低級アルキルアンモニウ
ムハライド、 ２−低級アルキルベンジル低級アルキルスルホキシド、 ２−ハロゲノ低級アルキル−３−ハロゲノトルエン、 １．３−ビス（ハロゲノ低級アルキル）−２゜４−ジ低
級アルキルベンゼン、 １．３．５−トリス（ハロゲノ低級アルキル）−２，４
，６−トリ低級アルキルベンゼン等を挙げることができ
、特に １．２−ビス（ハロゲノ低級アルキル）ベンゼン、 １．２，４．５−テトラキス（ハロゲノ低級アルキル）
ベンゼン。
５−低級アルコキシベンゼン、■−ハロゲノ低級アルキ
ルー２，３，４．５−テトラ低級アルキルベンゼン、 １．４−ビス（ハロゲノ低級アルキル）−２゜５−ジ低
級アルキルベンゼン、 １−ハロゲノ低級アルキル−２，３，４−トリ低級アル
キル−５，６−低級アルコキシベンゼン、 ２−低級アルキルベンジルトリ低級アルキルアンモニウ
ムハライド、 ２−低級アルキルベンジル低級アルキルスルホキシド、 ２−ハロゲノ低級アルキル−３−ハロゲノトルエン、 １．３−ビス（ハロゲノ低級アルキル）−２゜４−ジ低
級アルキルベンゼン、 １．３．５−トリス（ハロゲノ低級アルキル）−２，４
，６−トリ低級アルキルベンゼン等を挙げることができ
、特に １．２−ビス（ハロゲノ低級アルキル）ベンゼン、 １．２，４．５−テトラキス（ハロゲノ低級アルキル）
ベンゼン。
１．２，３，４，５．６−へキサキス（ハロゲノ低級ア
ルキル）ベンゼン。
ルキル）ベンゼン。
２−ハロゲノ低級アルキルトルエン、
２．４．５−トリス（ハロゲノ低級アルキル）トルエン
、 １−ハロゲノ低級アルキル−２−低級アルキルベンゼン
。
、 １−ハロゲノ低級アルキル−２−低級アルキルベンゼン
。
１．４ビス（ハロゲノ低級アルキル） −２，５−ジ低
級アルキルベンゼン、 １．３−ビス（ハロゲノ低級アルキル）−２゜４−ジ低
級アルキルベンゼン、 １．３．５−）−リス（ハロゲノ低級アルキル）−２，
４，６−トリ低級アルキルベンゼン等が好ましい。
級アルキルベンゼン、 １．３−ビス（ハロゲノ低級アルキル）−２゜４−ジ低
級アルキルベンゼン、 １．３．５−）−リス（ハロゲノ低級アルキル）−２，
４，６−トリ低級アルキルベンゼン等が好ましい。
これら一般式（夏）の化合物としては、ベンゼン環に結
合するＲ１基の数は１〜３が好ましく、Ｒ□基における
ｎは１または２が好ましく、特に１が好ましい。さらに
ＸはＲ４基中の１位炭素原子または２位炭素原子に結合
しているのが好ましく、特に１位に結合しているのが好
ましい。またＸがハロゲン原子の場合のハロゲン原子と
しては、塩素原子または臭素原子が好ましく、Ｘが（Ｎ
ＯＲ０゜Ｒ８、Ｒｌｇ） ＹＯの場合のＹは、塩素原子
、臭素原子またはヨウ素原子が好ましく、Ｒ１゜〜Ｒ１
，はメチル基またはエチメチル基またはエチル基が好ま
しい。さらにＲ２−Ｒ６としては、水素原子、メチル基
、ハロゲン原子、メトキシ基またはＲ□が好ましい。
合するＲ１基の数は１〜３が好ましく、Ｒ□基における
ｎは１または２が好ましく、特に１が好ましい。さらに
ＸはＲ４基中の１位炭素原子または２位炭素原子に結合
しているのが好ましく、特に１位に結合しているのが好
ましい。またＸがハロゲン原子の場合のハロゲン原子と
しては、塩素原子または臭素原子が好ましく、Ｘが（Ｎ
ＯＲ０゜Ｒ８、Ｒｌｇ） ＹＯの場合のＹは、塩素原子
、臭素原子またはヨウ素原子が好ましく、Ｒ１゜〜Ｒ１
，はメチル基またはエチメチル基またはエチル基が好ま
しい。さらにＲ２−Ｒ６としては、水素原子、メチル基
、ハロゲン原子、メトキシ基またはＲ□が好ましい。
一般式（Ｉ）の化合物の具体例としては、フルオロメチ
ルベンゼン、 ブロモメチルベンゼン、 クロロメチルベンゼン、 ■−フルオロエチルベンゼン、 １−クロロエチルベンゼン、 １−ブロモエチルベンゼン。
ルベンゼン、 ブロモメチルベンゼン、 クロロメチルベンゼン、 ■−フルオロエチルベンゼン、 １−クロロエチルベンゼン、 １−ブロモエチルベンゼン。
１−ヨードエチルベンゼン、
２−クロロエチルベンゼン、
２−ブロモエチルベンゼン、
１−ブロモプロピルベンゼン、
１．２−（フルオロメチル）ベンゼン、１．２−ビス（
クロロメチル）ベンゼン、１．２−ビス（ブロモメチル
）ベンゼン、１．２−ビス（ヨードメチル）ベンゼン、
１．２−ビス（Ｉ−ブロモエチル）ベンゼン、１．２−
ビス（Ｉ−クロロプロピル）ベンゼン。
クロロメチル）ベンゼン、１．２−ビス（ブロモメチル
）ベンゼン、１．２−ビス（ヨードメチル）ベンゼン、
１．２−ビス（Ｉ−ブロモエチル）ベンゼン、１．２−
ビス（Ｉ−クロロプロピル）ベンゼン。
１．２．３−トリス（フルオロメチル）ベンゼン、
１．２．３−トリス（クロロメチル）ベンゼン、１．２
．３−トリス（ブロモメチル）ベンゼン、１、．３．５
−トリス（ブロモメチル）ベンゼン、１．２，４．５−
テトラキス（クロロメチル）ベンゼン、 １．２，４．５−テトラキス（ブロモメチル）ベンゼン
、 １．２，３，４，５．６−ヘキサキス（クロロメチル）
ベンゼン、 １．２，３，４，５．６−へキサキス（ブロモメチル）
ベンゼン、 ２−フルオロメチルトルエン、 ２−クロロメチルトルエン。
．３−トリス（ブロモメチル）ベンゼン、１、．３．５
−トリス（ブロモメチル）ベンゼン、１．２，４．５−
テトラキス（クロロメチル）ベンゼン、 １．２，４．５−テトラキス（ブロモメチル）ベンゼン
、 １．２，３，４，５．６−ヘキサキス（クロロメチル）
ベンゼン、 １．２，３，４，５．６−へキサキス（ブロモメチル）
ベンゼン、 ２−フルオロメチルトルエン、 ２−クロロメチルトルエン。
２−ブロモメチルトルエン、
２−ヨードメチルトルエン、
２−（Ｉ−フルオロエチル）トルエン。
２−（Ｉ−クロロエチル）トルエン、
２−（Ｉ−ブロモエチル）トルエン、
２−（Ｉ−ヨードエチル）トルエン。
２−（Ｉ−ブロモプロピル）トルエン、２−（２−クロ
ロプロピル）トルエン、２．４−ビス（クロロメチル）
トルエン。
ロプロピル）トルエン、２．４−ビス（クロロメチル）
トルエン。
２．４−ビス（ブロモメチル）トルエン、２．４．５−
トリス（クロロメチル）トルエン、２．４．５−１−リ
ス（ブロモメチル）トルエン、２．３．４−）−リス（
クロロメチル）トルエン、２．３．４−トリス（ブロモ
メチル）トルエン、２．４，５．６−テトラキス（クロ
ロメチル）トルエン、 ２．４．５．６−テトラキス（ブロモメチル）トルエン
、 １−（Ｉ−フルオロエチル）−２−エチルベンゼン、 １−（Ｉ−クロロエチル）−２−エチルベンゼン、 １−（Ｉ−ブロモエチル）−２−エチルベンゼン、 １−（Ｉ−ヨードエチル）−２−エチルベンゼン、 １−（Ｉ−クロロプロピル）−２−エチルベンゼン、 １−（２−クロロプロピル）−２−エチルベンゼン、 １−（Ｉ−クロロメチル）−２，４，５−トリメチルベ
ンゼン、 １−（２−クロロプロピル）−２，４−ジメチル−５−
メトキシベンゼン、 １−（２−ブロモプロピル）−２，３，４，５−テトラ
メチルベンゼン、 １−（２−ブロモプロピル）−２−エチル−３゜４−ジ
メチル−５，６−シメトキシベンゼン。
トリス（クロロメチル）トルエン、２．４．５−１−リ
ス（ブロモメチル）トルエン、２．３．４−）−リス（
クロロメチル）トルエン、２．３．４−トリス（ブロモ
メチル）トルエン、２．４，５．６−テトラキス（クロ
ロメチル）トルエン、 ２．４．５．６−テトラキス（ブロモメチル）トルエン
、 １−（Ｉ−フルオロエチル）−２−エチルベンゼン、 １−（Ｉ−クロロエチル）−２−エチルベンゼン、 １−（Ｉ−ブロモエチル）−２−エチルベンゼン、 １−（Ｉ−ヨードエチル）−２−エチルベンゼン、 １−（Ｉ−クロロプロピル）−２−エチルベンゼン、 １−（２−クロロプロピル）−２−エチルベンゼン、 １−（Ｉ−クロロメチル）−２，４，５−トリメチルベ
ンゼン、 １−（２−クロロプロピル）−２，４−ジメチル−５−
メトキシベンゼン、 １−（２−ブロモプロピル）−２，３，４，５−テトラ
メチルベンゼン、 １−（２−ブロモプロピル）−２−エチル−３゜４−ジ
メチル−５，６−シメトキシベンゼン。
１．４−ビス（ブロモメチル）−２，５−ジメチルベン
ゼン、 １．４−ビス（クロロメチル）−２，５−ジエチルベン
ゼン、 ２−メチルベンジルトリメチルアンモニウムプロミド、 ２−メチルベンジルメチルスルホキシド、２−クロロメ
チル−３−ブロモトルエン、１．３−ビス（ブロモメチ
ル）−２，４−ジメチルベンゼン、 １．３．５−トリス（クロロメチル）−２，４゜６−ト
リメチルベンゼン等を挙げることができる。
ゼン、 １．４−ビス（クロロメチル）−２，５−ジエチルベン
ゼン、 ２−メチルベンジルトリメチルアンモニウムプロミド、 ２−メチルベンジルメチルスルホキシド、２−クロロメ
チル−３−ブロモトルエン、１．３−ビス（ブロモメチ
ル）−２，４−ジメチルベンゼン、 １．３．５−トリス（クロロメチル）−２，４゜６−ト
リメチルベンゼン等を挙げることができる。
前記一般式（ｎ）の化合物としては、例えば、ベンゾ［
１，２コシクロブテン、 ７−バロゲノベンゾ［１，２］シクロブテン、７．８−
ジハロゲノベンゾ［１，２］シクロブテン、 ４−低級アルキルベンゾ［１，２］シクロブテン。
１，２コシクロブテン、 ７−バロゲノベンゾ［１，２］シクロブテン、７．８−
ジハロゲノベンゾ［１，２］シクロブテン、 ４−低級アルキルベンゾ［１，２］シクロブテン。
４−低級アルコキシベンゾ［１，２］シクロブテン、
４−低級アルキルー７−ハロゲノベンゾ［１゜２］シク
ロブテン、 ４．５−ジ低級アルキルベンゾ［１，２］シクロブテン
、 ４−低級アルコキシ−７−ハロゲノベンゾ［１゜２］シ
クロブテン、 ４．５−低級アルキルー７−ハロゲノベンゾ［１，２コ
シクロブテン、 ３−ハロゲノベンゾ［１，２］シクロブテン、４−ハロ
ゲノベンゾ［１，２］シクロブテン、４−ハロゲノ低級
アルキル−５−低級アルキルベンゾ［１，２］シクロブ
テン、 ４．５−ビス（ハロゲノ低級アルキル）ベンゾ［１，２
］シクロブテン、 ３−ハロゲノ低級アルキル−４−低級アルキルベンゾ［
１，２］シクロブテン等を挙げることができ、特に ベンゾ［１，２コシクロブテン、 ７−ハロゲノベンゾ［１，２］シクロブテン。
ロブテン、 ４．５−ジ低級アルキルベンゾ［１，２］シクロブテン
、 ４−低級アルコキシ−７−ハロゲノベンゾ［１゜２］シ
クロブテン、 ４．５−低級アルキルー７−ハロゲノベンゾ［１，２コ
シクロブテン、 ３−ハロゲノベンゾ［１，２］シクロブテン、４−ハロ
ゲノベンゾ［１，２］シクロブテン、４−ハロゲノ低級
アルキル−５−低級アルキルベンゾ［１，２］シクロブ
テン、 ４．５−ビス（ハロゲノ低級アルキル）ベンゾ［１，２
］シクロブテン、 ３−ハロゲノ低級アルキル−４−低級アルキルベンゾ［
１，２］シクロブテン等を挙げることができ、特に ベンゾ［１，２コシクロブテン、 ７−ハロゲノベンゾ［１，２］シクロブテン。
７．８−ジハロゲノベンゾ［１，２］シクロブテン、
４−ハロゲノ低級アルキル−５−低級アルキルベンゾ［
１，２］シクロブテン。
１，２］シクロブテン。
４．５−ビス（ハロゲノ低級アルキル）ベンゾ［１，２
］シクロブテン等が好ましい。
］シクロブテン等が好ましい。
これら一般式（ＩＩ）の化合物におけるＲ１４〜Ｒ□７
としては、水素原子、ハロゲン原子、メチル基、エチル
基、メトキシ基、ハロゲノメチル基またはハロゲノエチ
ル基が好ましく、特に好ましくは水素原子であり、ＲＩ
Ｉｌ−Ｒ２□としては、水素原子、メチル基またはメト
キシ基が好ましく、特に好ましくは水素原子、塩素原子
または臭素原子である。
としては、水素原子、ハロゲン原子、メチル基、エチル
基、メトキシ基、ハロゲノメチル基またはハロゲノエチ
ル基が好ましく、特に好ましくは水素原子であり、ＲＩ
Ｉｌ−Ｒ２□としては、水素原子、メチル基またはメト
キシ基が好ましく、特に好ましくは水素原子、塩素原子
または臭素原子である。
一般式（ＩＩ）の化合物の具体例としては、ベンゾ［１
，２コシクロブテン、 ７−プロモーベンゾ［１，２］シクロブテン、７−クロ
ロ−ベンゾ［１，２］シクロブテン、７−ヨードベンゾ
［１，２］シクロブテン、７−メチルベンゾ［１，２］
シクロブテン、７．８−ジブロモベンゾ［１，２］シク
ロブテン。
，２コシクロブテン、 ７−プロモーベンゾ［１，２］シクロブテン、７−クロ
ロ−ベンゾ［１，２］シクロブテン、７−ヨードベンゾ
［１，２］シクロブテン、７−メチルベンゾ［１，２］
シクロブテン、７．８−ジブロモベンゾ［１，２］シク
ロブテン。
７．８−ジクロロベンゾ［１，２］シクロブテン。
４−メトキシベンゾ［１，２］シクロブテン、４−メチ
ルベンゾ［１，２］シクロブテン、４−メチル−７−ブ
ロモベンゾ［１，２］シクロブテン、 ４−メトキシ−７−ブロモベンゾ［１，２］シクロブテ
ン、 ４．５−ジメチルベンゾ［１，２］シクロブテン。
ルベンゾ［１，２］シクロブテン、４−メチル−７−ブ
ロモベンゾ［１，２］シクロブテン、 ４−メトキシ−７−ブロモベンゾ［１，２］シクロブテ
ン、 ４．５−ジメチルベンゾ［１，２］シクロブテン。
４．５−ジメチル−７−クロロベンゾ［１，２コシクロ
ブテン、 ３−ブロモベンゾ［１，２］シクロブテン、４−クロロ
ベンゾ［１，２］シクロブテン、４−ブロモメチル−５
−メチルベンゾ［１，２］シクロブテン、 ４．５−ビス（クロロメチル）ベンゾ［１，２］シクロ
ブテン、 ３−ブロモメチル−４−エチルベンゾ［１，２］シクロ
ブテン等を挙げることができる。
ブテン、 ３−ブロモベンゾ［１，２］シクロブテン、４−クロロ
ベンゾ［１，２］シクロブテン、４−ブロモメチル−５
−メチルベンゾ［１，２］シクロブテン、 ４．５−ビス（クロロメチル）ベンゾ［１，２］シクロ
ブテン、 ３−ブロモメチル−４−エチルベンゾ［１，２］シクロ
ブテン等を挙げることができる。
前記一般式（ＩＩＩ）の化合物としては、例えばベンゾ
［１，２：４，５］ジシクロブテン、７−ハロゲノベン
ゾ［１，２：４，５］ジシクロブテン、 ベンゾ［１，２： ３，４］ジシクロブテン、５−ハロ
ゲノベンゾ［１，２： ３，４］ジシクロブテン。
［１，２：４，５］ジシクロブテン、７−ハロゲノベン
ゾ［１，２：４，５］ジシクロブテン、 ベンゾ［１，２： ３，４］ジシクロブテン、５−ハロ
ゲノベンゾ［１，２： ３，４］ジシクロブテン。
７−ハロゲノベンゾ［１，２： ３．４］ジシクロブテ
ン。
ン。
５−ハロゲノ低級アルキル−６−低級アルキルベンゾ［
１，２： ３，４］ジシクロブテン、５．６−ビス（ハ
ロゲノ低級アルキル）ベンゾ［１，２： ３，４］ジシ
クロブテン。
１，２： ３，４］ジシクロブテン、５．６−ビス（ハ
ロゲノ低級アルキル）ベンゾ［１，２： ３，４］ジシ
クロブテン。
３−ハロゲノベンゾ［１，２：４，５］ジシクロブテン
、 ７−ハロゲノベンゾ［１，２：４，５］ジシクロブテン
、 ５−低級アルコキシベンゾ［１，２： ３，４］ジシク
ロブテン等を挙げることができ、特にベンゾ［ｌ、２：
４，５］ジシクロブテン、５−ハロゲノ低級アルキル−
６−低級アルキルベンゾ［１，２： ３，４］ジシクロ
ブテン。
、 ７−ハロゲノベンゾ［１，２：４，５］ジシクロブテン
、 ５−低級アルコキシベンゾ［１，２： ３，４］ジシク
ロブテン等を挙げることができ、特にベンゾ［ｌ、２：
４，５］ジシクロブテン、５−ハロゲノ低級アルキル−
６−低級アルキルベンゾ［１，２： ３，４］ジシクロ
ブテン。
５．６−ビス（ハロゲノ低級アルキル）ベンゾ［１，２
：３，４コシシクロブテン、 ３−ハロゲノベンゾ［１，２：４，５］ジシクロブテン
等が好ましい。
：３，４コシシクロブテン、 ３−ハロゲノベンゾ［１，２：４，５］ジシクロブテン
等が好ましい。
これら一般式（ｍ）の化合物におけるＲ２□およびＲ２
３としては、水素原子、ハロゲン原子、メチル基、エチ
ル基、メトキシ基、ハロゲノメチル基またはハロゲノエ
チル基等が好ましく、特に好ましくは水素原子であり、
Ｒ２４〜Ｒ１、としては、水素原子、ハロゲン原子、メ
チル基、エチル基またはメトキシ基が好ましく、特に好
ましくは水素原子、塩素原子または臭素原子である。
３としては、水素原子、ハロゲン原子、メチル基、エチ
ル基、メトキシ基、ハロゲノメチル基またはハロゲノエ
チル基等が好ましく、特に好ましくは水素原子であり、
Ｒ２４〜Ｒ１、としては、水素原子、ハロゲン原子、メ
チル基、エチル基またはメトキシ基が好ましく、特に好
ましくは水素原子、塩素原子または臭素原子である。
一般式（ｍ）の化合物の具体例としては、ベンゾ［１，
２：４．５］ジシクロブテン、７−クロロベンゾ［１，
２：４，５コシシクロブテン、 ７−ブロモベンゾ［１，２：４，５］ジシクロブテン、 ベンゾ［１，２： ３．４］ジシクロブテン、５−クロ
ロベンゾ［１，２：３，４コシシクロブテン、 ７−ブロモベンゾＥｌ、２ ： ３，４］ジシクロブテ
ン、 ５−ブロモメチル−６−メチルベンゾ［１，２：３．４
コシシクロブテン、 ５．６−ビス（クロロメチル）ベンゾ［１，２：３．４
］ジシクロブテン、 ３−ブロモベンゾ［１，２：４，５］ジシクロブテン、 ５−メトキシベンゾ［１，２： ３．４１ジシクロブテ
ン等を挙げることができる。
２：４．５］ジシクロブテン、７−クロロベンゾ［１，
２：４，５コシシクロブテン、 ７−ブロモベンゾ［１，２：４，５］ジシクロブテン、 ベンゾ［１，２： ３．４］ジシクロブテン、５−クロ
ロベンゾ［１，２：３，４コシシクロブテン、 ７−ブロモベンゾＥｌ、２ ： ３，４］ジシクロブテ
ン、 ５−ブロモメチル−６−メチルベンゾ［１，２：３．４
コシシクロブテン、 ５．６−ビス（クロロメチル）ベンゾ［１，２：３．４
］ジシクロブテン、 ３−ブロモベンゾ［１，２：４，５］ジシクロブテン、 ５−メトキシベンゾ［１，２： ３．４１ジシクロブテ
ン等を挙げることができる。
前記一般式（ＴＶ）の化合物としては、例えばベンゾ［
１，２：３，４：５，６］ トリシクロブテン。
１，２：３，４：５，６］ トリシクロブテン。
７−ハロゲノベンゾ［１，２：３，４：５，６］トリシ
クロブテン、 ７．８−ジハロゲノベンゾ［１，２：３，４：５．６］
トリシクロブテン。
クロブテン、 ７．８−ジハロゲノベンゾ［１，２：３，４：５．６］
トリシクロブテン。
７−低級アルキルベンゾ［１，２’： ３，４ ： ５
゜６］１−リシクロブテン、 ７−低級アルコキシベンゾ［１，，２：３，４：５．６
］ ）−リシクロブテン等を挙げることができ、特に ベンゾ［１，２：３，４：５，６コトリシクロブテン等
が好ましい。
゜６］１−リシクロブテン、 ７−低級アルコキシベンゾ［１，，２：３，４：５．６
］ ）−リシクロブテン等を挙げることができ、特に ベンゾ［１，２：３，４：５，６コトリシクロブテン等
が好ましい。
これら一般式（ＴＶ）の化合物におけるＲ１２〜Ｒ４３
としては、水素原子、ハロゲン原子、メチル基、エチル
基またはメトキシ基が好ましく。
としては、水素原子、ハロゲン原子、メチル基、エチル
基またはメトキシ基が好ましく。
特に好ましくは水素原子、塩素原子または臭素原子であ
る。
る。
一般式（ＩＶ）の化合物の具体例としては、ベンゾ［１
，２：３，４：５，６コトリシクロブテン、 ７−クロロベンゾ［１，２：３，４：５，６コトリシク
ロブテン、 ７．８−ジブロモベンゾ［１！ ２ ： ３１４ ：
５＋６コ トリシクロブテン、 ７−メチルベンゾ［１，２：３，４：５，６］トリシク
ロブテン。
，２：３，４：５，６コトリシクロブテン、 ７−クロロベンゾ［１，２：３，４：５，６コトリシク
ロブテン、 ７．８−ジブロモベンゾ［１！ ２ ： ３１４ ：
５＋６コ トリシクロブテン、 ７−メチルベンゾ［１，２：３，４：５，６］トリシク
ロブテン。
７−メトキシベンゾ［１，２：３，４：５，６］トリシ
クロブテン等を挙げることができる。
クロブテン等を挙げることができる。
本発明の製法において、上記一般式（Ｉ）〜（ＩＶ）の
化合物Ｅ以下「原料化合物」というコは、通常、単独で
用いられるが併用することもでき、併用する場合の好ま
しい組合せとしては、例えば １−ハロゲノメチルトルエンとベンゾ［１，２］シクロ
ブテン、ベンゾ［１，２：４，５］ジシクロブテンおよ
び／または７−ハロゲノベンゾ［１，２］シクロブテン
との組合せ、 １．２−ビス（ハロゲノメチル）ベンゼンとべンゾ［１
，２］シクロブテン、７−ハロゲノベンゾ［１，２］シ
クロブテンおよび／または７゜８−ジハロゲノベンゾ［
１，２］シクロブテンとの組合せ。
化合物Ｅ以下「原料化合物」というコは、通常、単独で
用いられるが併用することもでき、併用する場合の好ま
しい組合せとしては、例えば １−ハロゲノメチルトルエンとベンゾ［１，２］シクロ
ブテン、ベンゾ［１，２：４，５］ジシクロブテンおよ
び／または７−ハロゲノベンゾ［１，２］シクロブテン
との組合せ、 １．２−ビス（ハロゲノメチル）ベンゼンとべンゾ［１
，２］シクロブテン、７−ハロゲノベンゾ［１，２］シ
クロブテンおよび／または７゜８−ジハロゲノベンゾ［
１，２］シクロブテンとの組合せ。
２．４−ビス（ハロゲノメチル）トルエンとベンゾ［１
，２： ３．４］ジシクロブテンとの組合せ、 ２．４．６−トリス（ハロゲノメチル）−１゜３．５−
トリメチルベンゼンとベンゾ［１，２：４．５］ジシク
ロブテンおよび／またはベンゾ［１，２：３，４：５，
６］ トリシクロブテンとの組合せ等を挙げることが
できる。
，２： ３．４］ジシクロブテンとの組合せ、 ２．４．６−トリス（ハロゲノメチル）−１゜３．５−
トリメチルベンゼンとベンゾ［１，２：４．５］ジシク
ロブテンおよび／またはベンゾ［１，２：３，４：５，
６］ トリシクロブテンとの組合せ等を挙げることが
できる。
本明に用いられる分解生成物の反応を伴なう熱分解反応
およびプラズマ重合反応による固体物質の製法は、それ
ぞれ特願昭５９−０８２５４４号および同５９−１８６
５２６号に記載の製法である。
およびプラズマ重合反応による固体物質の製法は、それ
ぞれ特願昭５９−０８２５４４号および同５９−１８６
５２６号に記載の製法である。
以下１本発明に用いられる固体物質を分解生成物の反応
を伴なう熱分解反応により製造する場合について説明す
る。
を伴なう熱分解反応により製造する場合について説明す
る。
本明に用いられる分解生成物の反応を伴なう熱分解反応
およびプラズマ重合反応による固体物質の製法は、それ
ぞれ特願昭５９−０８２５４４号および同５９−１８６
５２６号に記載の製法である。
およびプラズマ重合反応による固体物質の製法は、それ
ぞれ特願昭５９−０８２５４４号および同５９−１８６
５２６号に記載の製法である。
以下、本発明に用いられる固体物質を分解生成物の反応
を伴なう熱分解反応により製造する場合について説明す
る。
を伴なう熱分解反応により製造する場合について説明す
る。
本発明に用いられる固体物質を製造する際の熱分解反応
は、高活性の分解生成物を生ずるので、反応領域に適当
な基体を配置しておくことによって、この分解生成物が
反応して基体表面に本発明に用いる薄膜状の固体物質が
得られる。
は、高活性の分解生成物を生ずるので、反応領域に適当
な基体を配置しておくことによって、この分解生成物が
反応して基体表面に本発明に用いる薄膜状の固体物質が
得られる。
この熱分解反応は、通常、減圧下、気相において行う。
この場合の反応系の減圧度は、原料化合物が気相状態を
保つことができる範囲であれば特に限定されない。この
ような減圧度は、用いる原料化合物の種類および加熱温
度によって異なるが１通常ｌＸ１０−３〜３０Ｔｏｒｒ
の範囲である。熱分解反応の温度も用いる原料化合物の
種類によって異なり、適宜選択することができるが１通
常、３００〜１５００℃、好ましくは４００〜１０００
℃の範囲である。原料化合物の熱分解によって生成する
分解生成物は、例えば３００〜１５００℃の気相状態で
基体と接触させることにより、基体表面で分解生成物の
反応が進行し、薄膜状の固体物質が基体表面上に形成さ
れる。固体物質をその表面に形成させる基板の材質とし
ては、特に限定するものではないが１例えばシリコンウ
ェハー、石英ガラス、サファイア、アルミナ、ダイアモ
ンド等の基板を挙げることができ、特にシリコンウェハ
ー、石英ガラスが好ましい。
保つことができる範囲であれば特に限定されない。この
ような減圧度は、用いる原料化合物の種類および加熱温
度によって異なるが１通常ｌＸ１０−３〜３０Ｔｏｒｒ
の範囲である。熱分解反応の温度も用いる原料化合物の
種類によって異なり、適宜選択することができるが１通
常、３００〜１５００℃、好ましくは４００〜１０００
℃の範囲である。原料化合物の熱分解によって生成する
分解生成物は、例えば３００〜１５００℃の気相状態で
基体と接触させることにより、基体表面で分解生成物の
反応が進行し、薄膜状の固体物質が基体表面上に形成さ
れる。固体物質をその表面に形成させる基板の材質とし
ては、特に限定するものではないが１例えばシリコンウ
ェハー、石英ガラス、サファイア、アルミナ、ダイアモ
ンド等の基板を挙げることができ、特にシリコンウェハ
ー、石英ガラスが好ましい。
上記の熱分解反応に使用する装置としては、原料化合物
を気化させるために反応系を減圧にするための排気手段
、場合によっては原料化合物の気化を促進するための加
熱手段、気相状態の原料化合物を熱分解するための加熱
手゛段を備え、さらに生成した活性状態の分解生成物を
反応させ（固体物質）として析出させる基体を備えた装
置を例示することができる。具体例としては、減圧によ
り原料化合物を気化させる容器に接続された原料化合物
供給管の他端を、基体を内部に配置できる熱分解反応管
の一端に接続し、熱分解反応管の他端を高真空ポンプに
接続してなる簡単な装置を挙げることができる。この場
合、原料化合物は熱分解反応管内で分解し、分解と並行
して基体表面で分解生成物が反応し、基体表面に固体物
質を形成する。
を気化させるために反応系を減圧にするための排気手段
、場合によっては原料化合物の気化を促進するための加
熱手段、気相状態の原料化合物を熱分解するための加熱
手゛段を備え、さらに生成した活性状態の分解生成物を
反応させ（固体物質）として析出させる基体を備えた装
置を例示することができる。具体例としては、減圧によ
り原料化合物を気化させる容器に接続された原料化合物
供給管の他端を、基体を内部に配置できる熱分解反応管
の一端に接続し、熱分解反応管の他端を高真空ポンプに
接続してなる簡単な装置を挙げることができる。この場
合、原料化合物は熱分解反応管内で分解し、分解と並行
して基体表面で分解生成物が反応し、基体表面に固体物
質を形成する。
次に、本発明に用いられる固体物質をプラズマ重合反応
により製造する場合について説明する。
により製造する場合について説明する。
固体物質の原料化合物は、前記のように常温、大気圧下
では液体ないし固体であるので、減圧下で必要に応じて
加熱を行うことにより気化させ、気体状態でプラズマ重
合反応に供される。
では液体ないし固体であるので、減圧下で必要に応じて
加熱を行うことにより気化させ、気体状態でプラズマ重
合反応に供される。
原料化合物ガスのプラズマ重合反応系への供給量は、特
に限定されるものではないが、通常、反応系の容積１０
０Ｑあたり０．１〜３００ｃｃ（ＳＴＰ）／ｗｉｎであ
る。プラズマ重合反応では、通常、反応系の反応帯域で
のプラズマの電子温度が５，０００〜８０，０ＯＯＫ、
特に８，０００〜５０，０ＯＯＫであることが好ましい
。プラズマ重合反応中のプラズマの電子温度は、特開昭
５４−１３５５７４号公報に記載のプラズマ特性値測定
用探針を用いることにより測定されるものである。また
プラズマの電子温度は、反応系への原料化合物ガスの供
給量、反応系の真空度、プラズマ励起電力等を調節する
ことによって所要値に制御することができる。気体状態
の原料化合物をプラズマ重合反応装置に供給する際には
、原料化合物ガスのみでもよいし、ヘリウム、アルゴン
などの不活性ガスをキャリヤガスあるいは希釈ガスとし
て混合して供給することもできる。なお、プラズマ重合
反応中の反応系の真空度は、一般にｌＸｌ０’−３〜１
００Ｔ ｏｒｒの範囲が望ましい。プラズマの発生に用
いる放電方式には特に制限はなく、例えば直流放電、低
周波放電、高周波放電、マイクロ波放電等のいずれでも
よい。したがって、プラズマ重合反応装置も特に制限さ
れず、内部電極方式、無電極方式のいずれでもよく、電
極やコイルの形状、マイクロ波放電の場合のキャビティ
やアンテナの構造にも制約はなく、一般に用いられるプ
ラズマ重合反応装置を利用することができる。このプラ
ズマ重合反応により固体物質を得るには、例えば、プラ
ズマ重合反応系の反応帯域に適当な基体を置いて原料化
合物ガスのプラズマと接触させることにより、基体表面
に薄膜状の固体物質を得ることができる。固体物質をそ
の表面に形成させる基体の材質および形状には、前述の
熱分解反応の場合と同様に何ら制約はなく、先に例示の
材質、形状のものを利用することができる。
に限定されるものではないが、通常、反応系の容積１０
０Ｑあたり０．１〜３００ｃｃ（ＳＴＰ）／ｗｉｎであ
る。プラズマ重合反応では、通常、反応系の反応帯域で
のプラズマの電子温度が５，０００〜８０，０ＯＯＫ、
特に８，０００〜５０，０ＯＯＫであることが好ましい
。プラズマ重合反応中のプラズマの電子温度は、特開昭
５４−１３５５７４号公報に記載のプラズマ特性値測定
用探針を用いることにより測定されるものである。また
プラズマの電子温度は、反応系への原料化合物ガスの供
給量、反応系の真空度、プラズマ励起電力等を調節する
ことによって所要値に制御することができる。気体状態
の原料化合物をプラズマ重合反応装置に供給する際には
、原料化合物ガスのみでもよいし、ヘリウム、アルゴン
などの不活性ガスをキャリヤガスあるいは希釈ガスとし
て混合して供給することもできる。なお、プラズマ重合
反応中の反応系の真空度は、一般にｌＸｌ０’−３〜１
００Ｔ ｏｒｒの範囲が望ましい。プラズマの発生に用
いる放電方式には特に制限はなく、例えば直流放電、低
周波放電、高周波放電、マイクロ波放電等のいずれでも
よい。したがって、プラズマ重合反応装置も特に制限さ
れず、内部電極方式、無電極方式のいずれでもよく、電
極やコイルの形状、マイクロ波放電の場合のキャビティ
やアンテナの構造にも制約はなく、一般に用いられるプ
ラズマ重合反応装置を利用することができる。このプラ
ズマ重合反応により固体物質を得るには、例えば、プラ
ズマ重合反応系の反応帯域に適当な基体を置いて原料化
合物ガスのプラズマと接触させることにより、基体表面
に薄膜状の固体物質を得ることができる。固体物質をそ
の表面に形成させる基体の材質および形状には、前述の
熱分解反応の場合と同様に何ら制約はなく、先に例示の
材質、形状のものを利用することができる。
なお熱分解反応またはプラズマ重合反応によって固体物
質を形成させる基体は、冷却または加熱されていてもよ
く、冷却または加熱温度としては、例えばＯ〜５００℃
程度を挙げることができる。
質を形成させる基体は、冷却または加熱されていてもよ
く、冷却または加熱温度としては、例えばＯ〜５００℃
程度を挙げることができる。
また基体表面上の薄膜の膜厚は、原料化合物ガスの供給
量、反応時間等によってｍ１１することができ、例えば
１０人〜１００μｍの範囲で均一で安定した膜を得るこ
とができる。このようにして形成された基体表面上の固
体物質は。
量、反応時間等によってｍ１１することができ、例えば
１０人〜１００μｍの範囲で均一で安定した膜を得るこ
とができる。このようにして形成された基体表面上の固
体物質は。
アセトン、トルエン等の有機溶剤に浸漬することにより
剥離させることができる。
剥離させることができる。
なお、基体として熱容量が小さく、温度測定に支障のな
いものを用いた場合には、勿論形成。
いものを用いた場合には、勿論形成。
された薄膜を剥離する必要はない。
以上のようにして得られた薄膜状の固体物質は空気中に
おいて化学的安定性が高く、電気特性の点でも安定性が
高いものである。
おいて化学的安定性が高く、電気特性の点でも安定性が
高いものである。
また、上記の固体物質は、ドーパント、即ち電子受容体
となる物質、例えば臭素、ヨウ素、五フッ化ヒ素、塩化
水素、硫酸、三フッ化ホウ素、二酸化イオウ等、または
電子供与体となる物質、例えばナトリウム、カリウム、
リチウム、アミン類等をドーピングすることにより、Ｐ
形またはＮ形の半導体とすることができる。このときの
ドーピング方法は特に限定するものではなく、例えば常
圧または減圧下でドーパントを含有する気体と接触させ
る方法、液状または溶液状のドーパントに浸漬する方法
等を挙げることができる。このようにしてドーピングし
た固体物質を本発明の抵抗温度計に用いることも可能で
ある。
となる物質、例えば臭素、ヨウ素、五フッ化ヒ素、塩化
水素、硫酸、三フッ化ホウ素、二酸化イオウ等、または
電子供与体となる物質、例えばナトリウム、カリウム、
リチウム、アミン類等をドーピングすることにより、Ｐ
形またはＮ形の半導体とすることができる。このときの
ドーピング方法は特に限定するものではなく、例えば常
圧または減圧下でドーパントを含有する気体と接触させ
る方法、液状または溶液状のドーパントに浸漬する方法
等を挙げることができる。このようにしてドーピングし
た固体物質を本発明の抵抗温度計に用いることも可能で
ある。
次に、上記のようにして得られた物質を用いた本発明の
抵抗温度計について述べる。
抵抗温度計について述べる。
本発明の抵抗温度計は、従来使用されている抵抗温度計
と同様に４端子法に従って電極を接続することが好まし
い。
と同様に４端子法に従って電極を接続することが好まし
い。
従って、抵抗温度計の本体である固体物質の形状は、４
端子法を有効に利用するために、細長い形状が良く、直
方体、筒形、線形等が望ましく、また、熱応答性を向上
させること、抵抗温度計本体の温度分布を均一にするこ
と、微小部分の測定を可能にすること等のためには、な
るべく小さな方が望ましい。具体的な形状としては、例
えば縦０．５〜５ＩＩＩＩｌ、横５〜２０ｒｒｎ、厚さ
１００ｒ＋ｍ〜１０μｍの直方体を挙げることができる
。なお、固体物質は上記のように測定に支障のない基板
上に形成させたものを、固体物質を剥離することなくそ
のまま用いても良い。このため、温度測定対象の試料や
試料ホルダー上に、直接上記固体物質を形成させて用い
ても良く、この点は従来の抵抗温度計に比べて、特に特
徴となる点である。
端子法を有効に利用するために、細長い形状が良く、直
方体、筒形、線形等が望ましく、また、熱応答性を向上
させること、抵抗温度計本体の温度分布を均一にするこ
と、微小部分の測定を可能にすること等のためには、な
るべく小さな方が望ましい。具体的な形状としては、例
えば縦０．５〜５ＩＩＩＩｌ、横５〜２０ｒｒｎ、厚さ
１００ｒ＋ｍ〜１０μｍの直方体を挙げることができる
。なお、固体物質は上記のように測定に支障のない基板
上に形成させたものを、固体物質を剥離することなくそ
のまま用いても良い。このため、温度測定対象の試料や
試料ホルダー上に、直接上記固体物質を形成させて用い
ても良く、この点は従来の抵抗温度計に比べて、特に特
徴となる点である。
本発明の抵抗温度計において、上記固体物質に接続する
電極としては、金線、銅線、銀線。
電極としては、金線、銅線、銀線。
白金線等を挙げることができ、特に金線が好ましい。
また、電極の接続方法としては、特に限定はしないが、
例えば圧着法、銀ペーストあるいは導電性接着剤により
直接接着させる方法、金、銀、銅等を固体物質上に蒸着
またはスパッタリングにより微小な電性部分を形成させ
た後に電極を接続する方法等が挙げられる。
例えば圧着法、銀ペーストあるいは導電性接着剤により
直接接着させる方法、金、銀、銅等を固体物質上に蒸着
またはスパッタリングにより微小な電性部分を形成させ
た後に電極を接続する方法等が挙げられる。
なお１本発明の抵抗温度計は１強度を持たせるために、
パイレックスガラス、低融点ナマリガラス、セラミック
ス材料１例えばアルミナ。
パイレックスガラス、低融点ナマリガラス、セラミック
ス材料１例えばアルミナ。
窒化ボロン等で封止して使用することもできる。
以上のように作製された抵抗温度計は、通常の抵抗温度
計と同様に使用することができ１通常、１．５〜３００
にの範囲の温度測定に用いられる。
計と同様に使用することができ１通常、１．５〜３００
にの範囲の温度測定に用いられる。
以下、本発明を実施例により具体的に説明するが、本発
明はこれら実施例により制限されるものではない。
明はこれら実施例により制限されるものではない。
実施例１
２−クロロメチルトルエン７ｇを２０ＩＩＩＱ 丸底フ
ラスコに入れ、その口をコックを介して水平に保持され
た直径４０ｍｍ、長さ６００ｎａの石英管の一端に取り
付けた。石英管の外側にはヒーターを設置し、また石英
管の中に基体として寸法２ ｍ Ｘ １０ ｍｓ Ｘ
１ ｍの石英板を置き、石英管の他端を液体窒素で冷却
したトラップに接続し各種ガスを捕捉できるようにし、
トラップの他端を真空ポンプに接続した。次に、原料を
入れたフラスコを０ 、 Ｉ Ｔｏｒｒに減圧し、さら
に石英管を８００℃に加熱した。次いで丸底フラスコか
ら石英管に通じるコックを開きフラスコを穏やかに加熱
して、フラスコ内の原料を気化させ、加熱した石英管内
に３０分間通した。この際、石英管内の減圧度は排気を
続けることによって０．１〜Ｑ 、 ２ Ｔｏｒｒに保
った。その後。
ラスコに入れ、その口をコックを介して水平に保持され
た直径４０ｍｍ、長さ６００ｎａの石英管の一端に取り
付けた。石英管の外側にはヒーターを設置し、また石英
管の中に基体として寸法２ ｍ Ｘ １０ ｍｓ Ｘ
１ ｍの石英板を置き、石英管の他端を液体窒素で冷却
したトラップに接続し各種ガスを捕捉できるようにし、
トラップの他端を真空ポンプに接続した。次に、原料を
入れたフラスコを０ 、 Ｉ Ｔｏｒｒに減圧し、さら
に石英管を８００℃に加熱した。次いで丸底フラスコか
ら石英管に通じるコックを開きフラスコを穏やかに加熱
して、フラスコ内の原料を気化させ、加熱した石英管内
に３０分間通した。この際、石英管内の減圧度は排気を
続けることによって０．１〜Ｑ 、 ２ Ｔｏｒｒに保
った。その後。
石英管内を常温、常圧にもどし、石英板を回収したとこ
ろ、石英板表面は黒色金属光沢のある厚さ２．１μｍの
固体物質で均一に被覆されていた。
ろ、石英板表面は黒色金属光沢のある厚さ２．１μｍの
固体物質で均一に被覆されていた。
この金属光沢を有する薄膜表面に４端子法に従い金線を
圧着したまま液体窒素および液体ヘリウムで冷却しなが
ら抵抗値を測定したところ第１図および第２図に示した
ような抵抗一温度特性が得られた。すなわち高温領域（
３０〜３００Ｋ）では（ｙ ｏｃ ’ｌ’★の、低温領
域（３０に以下）ではＬｏｇＲｏｃＴ−’ （Ｒは比抵
抗値、σは電導度（Ω−１・■−１）、Ｔは温度（Ｋ）
〕の関係が得られた。
圧着したまま液体窒素および液体ヘリウムで冷却しなが
ら抵抗値を測定したところ第１図および第２図に示した
ような抵抗一温度特性が得られた。すなわち高温領域（
３０〜３００Ｋ）では（ｙ ｏｃ ’ｌ’★の、低温領
域（３０に以下）ではＬｏｇＲｏｃＴ−’ （Ｒは比抵
抗値、σは電導度（Ω−１・■−１）、Ｔは温度（Ｋ）
〕の関係が得られた。
またこの抵抗一温度特性の測定を繰り返し２０回行なっ
たが、いずれも良好な再現性を示し。
たが、いずれも良好な再現性を示し。
１ケ月間放置した後に同様な測定を行なった場合にも再
現性が確認できた。１ケ月間放置後の測定の結果を第１
図および第２図に示した。
現性が確認できた。１ケ月間放置後の測定の結果を第１
図および第２図に示した。
なお、本抵抗温度計の校正は、１００に以下ではＮＢＳ
で校正された標準ゲルマニウム温度計（ＮＢＳ Ｍｏｎ
ｏｇｒａｐｈ Ｖｏｌ、１２４ Ｐ、７１９７２）との
比較により行なった。また、１００に〜３００Ｋについ
てはヘリウム気体温度計と比較して校正した。
で校正された標準ゲルマニウム温度計（ＮＢＳ Ｍｏｎ
ｏｇｒａｐｈ Ｖｏｌ、１２４ Ｐ、７１９７２）との
比較により行なった。また、１００に〜３００Ｋについ
てはヘリウム気体温度計と比較して校正した。
実施例２
ペルジャー型プラズマ反応装置を使用し、反応器内の２
個の電極の間に基体として寸法２ｍＸ１０＋ｎｍＸ１ｍ
＋の石英板を配置した後、排気して反応器内をＩ Ｘ
１０’−’Ｔｏｒｒとした。
個の電極の間に基体として寸法２ｍＸ１０＋ｎｍＸ１ｍ
＋の石英板を配置した後、排気して反応器内をＩ Ｘ
１０’−’Ｔｏｒｒとした。
次に１，２−ビス（クロロメチル）ベンゼンを充填しで
ある容器を弱く加熱して１，２−ビス（クロロメチル）
ベンゼンを気化させ、そのガスを９０ｃｃ （Ｓ Ｔ
Ｐ）／ｗｉｎの流量で反応器内に供給しながら真空度が
３ Ｘ １ （Ｔ２Ｔｏｒｒとなるように真空ポンプで
排気を継続し、次いで交流電源から８０Ｗの電力を電極
に供給してプラズマを発生させ電子温度が２５００にと
なるように調整した。この条件でプラズマ重合反応を３
０分間行なった後、石英板を回収したところ。
ある容器を弱く加熱して１，２−ビス（クロロメチル）
ベンゼンを気化させ、そのガスを９０ｃｃ （Ｓ Ｔ
Ｐ）／ｗｉｎの流量で反応器内に供給しながら真空度が
３ Ｘ １ （Ｔ２Ｔｏｒｒとなるように真空ポンプで
排気を継続し、次いで交流電源から８０Ｗの電力を電極
に供給してプラズマを発生させ電子温度が２５００にと
なるように調整した。この条件でプラズマ重合反応を３
０分間行なった後、石英板を回収したところ。
石英板の表面は金属光沢のある厚さ１．８μｍの固体物
質で均一に被覆されていた。
質で均一に被覆されていた。
この薄膜上に４端子法に従い金線を圧着したまま実施例
１と同様にして液体窒素および液体ヘリウムを用いて冷
却しながら、抵抗値を測定したところ、測定値は実施例
１の場合と同様な関数系にのり、温度計として良好な特
性を示した。さらに、この測定値の測定を繰り返し２０
回行ったが、いずれも良好な再現性を示し、１ケ月間放
置した後に、同様の測定を行った場合にも、実施例１と
同様に、良好な再現性が確認された。
１と同様にして液体窒素および液体ヘリウムを用いて冷
却しながら、抵抗値を測定したところ、測定値は実施例
１の場合と同様な関数系にのり、温度計として良好な特
性を示した。さらに、この測定値の測定を繰り返し２０
回行ったが、いずれも良好な再現性を示し、１ケ月間放
置した後に、同様の測定を行った場合にも、実施例１と
同様に、良好な再現性が確認された。
実施例３
実施例１と同様の装置を用いて、ベンゾ［１゜２：４，
５コシシクロ−ブテン７ｇを丸底フラスコに入れ、石英
管内に基体として寸法２ ａｎ ＸｌＸｌｏｍｍＸ１の
石英板を置いた。反応系内を０゜５Ｔｏｒｒに減圧にし
た後、石英管を７００℃に加熱した。次Ｃ１で、丸底フ
ラスコから石英管に通じるコックを開いて原料を気化さ
せて加熱した石英管内を１５分間通した。この際、石英
管内の減圧度は排気を続けることによって０．０５〜０
、 Ｉ Ｔｏｒｒに保った。その後、石英管内を常温
、常圧にもどし、石英板を回収したところ、石英板表面
は１．３μｍの金属光沢のある固体物質で均一に被覆さ
れていた。
５コシシクロ−ブテン７ｇを丸底フラスコに入れ、石英
管内に基体として寸法２ ａｎ ＸｌＸｌｏｍｍＸ１の
石英板を置いた。反応系内を０゜５Ｔｏｒｒに減圧にし
た後、石英管を７００℃に加熱した。次Ｃ１で、丸底フ
ラスコから石英管に通じるコックを開いて原料を気化さ
せて加熱した石英管内を１５分間通した。この際、石英
管内の減圧度は排気を続けることによって０．０５〜０
、 Ｉ Ｔｏｒｒに保った。その後、石英管内を常温
、常圧にもどし、石英板を回収したところ、石英板表面
は１．３μｍの金属光沢のある固体物質で均一に被覆さ
れていた。
この薄膜上に４端子法に従い金線を圧着したまま実施例
１と同様に液体窒素および液体ヘリウムを用いて冷却し
ながら抵抗値の温度依存性を測定したところ、測定値は
実施例１の場合と同様な関数系にのり、良好な温度計特
性を示した。さらに、この測定値の温度依存性の測定を
繰り返し２０回行なったが、いずれも良好な再現性を示
し、１ケ月間放置した後に、同様の測定を行なった場合
にも実施例１と同様に、良好な再現性が確認された。
１と同様に液体窒素および液体ヘリウムを用いて冷却し
ながら抵抗値の温度依存性を測定したところ、測定値は
実施例１の場合と同様な関数系にのり、良好な温度計特
性を示した。さらに、この測定値の温度依存性の測定を
繰り返し２０回行なったが、いずれも良好な再現性を示
し、１ケ月間放置した後に、同様の測定を行なった場合
にも実施例１と同様に、良好な再現性が確認された。
本発明の抵抗温度計に用いられる固体物質は空気中の酸
素、湿気等に対して安定であり、化学的にも電気的にも
経時安定性の高い物性を有するものである。また本発明
による抵抗温度計の特徴は以下のとおりである。
素、湿気等に対して安定であり、化学的にも電気的にも
経時安定性の高い物性を有するものである。また本発明
による抵抗温度計の特徴は以下のとおりである。
１）抵抗温度計本体に用いる固体物質は薄膜で゛小さく
熱容量が小さいために熱応答性が速い。
熱容量が小さいために熱応答性が速い。
２）測定温度領域が広い。
３）抵抗一温度特性を簡単な関数系で表わすことができ
る。
る。
４）抵抗の熱安定性が優れ、熱サイクルで再現性が変化
しない。
しない。
第１図および第２図は実施例１〜３で測定した抵抗一温
度特性曲線を表わすグラフである。 なお、・印は作製直後の測定値を、Ｏ印は１ケ月後の測
定値を示す。 特許出願人 日本合成ゴム株式会社 図面の浄書（内容に変更なし） Ｔ（Ｋ） ’ｒ”（Ｋ−）） 第１図 Ｔ”（Ｋ”） 第２図 手続補正書 昭和６１年２月５日 ｌ 事件の表示 昭和６０年特許願第２３７０５９号 ２ 発明の名称 抵抗温度計 ３ 補正をする者 事件との関係 特許出願人 住 所 （居所） 〒１０４ 東京都中央区築地二丁目１１番２４号氏
名 （名称） ５ 補正の対象 図 面６ 補正の
内容 −一１−＝ｒ讐−
度特性曲線を表わすグラフである。 なお、・印は作製直後の測定値を、Ｏ印は１ケ月後の測
定値を示す。 特許出願人 日本合成ゴム株式会社 図面の浄書（内容に変更なし） Ｔ（Ｋ） ’ｒ”（Ｋ−）） 第１図 Ｔ”（Ｋ”） 第２図 手続補正書 昭和６１年２月５日 ｌ 事件の表示 昭和６０年特許願第２３７０５９号 ２ 発明の名称 抵抗温度計 ３ 補正をする者 事件との関係 特許出願人 住 所 （居所） 〒１０４ 東京都中央区築地二丁目１１番２４号氏
名 （名称） ５ 補正の対象 図 面６ 補正の
内容 −一１−＝ｒ讐−
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 下記一般式（ I ）〜（IV）で表わされる化合物から選
ばれる少なくとも一種の化合物を、分解生成物の反応を
伴なう熱分解反応またはプラズマ重合反応に供すること
により得られる固体物質に電極を接続してなる抵抗温度
計。 一般式（ I ） ▲数式、化学式、表等があります▼・・・・・・（ I
） ［式中、 Ｒ＿１は、▲数式、化学式、表等があります▼を表し、
Ｒ＿７、Ｒ＿ａおよびＲ＿３は、同一でも異なってもよ
く、水素原子またはＸであり、Ｘはハロゲン原子、 （Ｎ＾■Ｒ＿１＿０Ｒ＿１＿１Ｒ＿１＿２）Ｙ＾■およ
び▲数式、化学式、表等があります▼から選ばれ、ｎは
１〜３の整数であり、ただしＲ＿１中のＸの数は１〜３
であり、Ｙはハロゲン原子であり、Ｒ＿１＿０、Ｒ＿１
＿１およびＲ＿１＿２は、同一でも異なってもよく、低
級アルキル基から選ばれ、Ｒ＿１＿３は低級アルキル基
から選ばれる。 また式中、Ｒ＿２、Ｒ＿３、Ｒ＿４、Ｒ＿５およびＲ＿
６は、同一でも異なってもよく、水素原子、ハロゲン原
子、低級アルキル基、低級アルコキシ基およびＲ＿１か
ら選ばれる］、 一般式（II） ▲数式、化学式、表等があります▼・・・・・・（II） ［式中、Ｒ＿１＿４、Ｒ＿１＿５、Ｒ＿１＿６およびＲ
＿１＿７は、同一でも異なってもよく、水素原子、ハロ
ゲン原子、低級アルキル基、ハロゲノ低級アルキル基お
よび低級アルコキシ基から選ばれ、Ｒ＿１＿８、Ｒ＿１
＿９、Ｒ＿２＿０およびＲ＿２＿１は、同一でも異なっ
てもよく、水素原子、ハロゲン原子、低級アルキル基お
よび低級アルコキシ基から選ばれる］、 一般式（III） ▲数式、化学式、表等があります▼または ▲数式、化学式、表等があります▼・・・・・・（III
） ［式中、Ｒ＿＿２＿２およびＲ＿２＿３は、同一でも異
なってもよく、水素原子、ハロゲン原子、低級アルキル
基、ハロゲノ低級アルキル基および低級アルコキシ基か
ら選ばれ、Ｒ＿２＿４、Ｒ＿２＿５、Ｒ＿２＿６、Ｒ＿
２＿７、Ｒ＿２＿８、Ｒ＿２＿９、Ｒ＿３＿０およびＲ
＿３＿１は、同一でも異なってもよく、水素原子、ハロ
ゲン原子、低級アルキル基および低級アルコキシ基から
選ばれる］。 一般式（IV） ▲数式、化学式、表等があります▼・・・・・・（IV） ［式中、Ｒ＿３＿２、Ｒ＿３＿３、Ｒ＿３＿４、Ｒ＿３
＿５、Ｒ＿３＿６、Ｒ＿３＿７、Ｒ＿３＿８、Ｒ＿３＿
９、Ｒ＿４＿０、Ｒ＿４＿１、Ｒ＿４＿２およびＲ＿４
＿３は、同一でも異なってもよく、水素原子、ハロゲン
原子、低級アルキル基および低級アルコキシ基から選ば
れる］。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23705985A JPS6297302A (ja) | 1985-10-23 | 1985-10-23 | 抵抗温度計 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23705985A JPS6297302A (ja) | 1985-10-23 | 1985-10-23 | 抵抗温度計 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6297302A true JPS6297302A (ja) | 1987-05-06 |
Family
ID=17009808
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP23705985A Pending JPS6297302A (ja) | 1985-10-23 | 1985-10-23 | 抵抗温度計 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6297302A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5251537A (en) * | 1991-07-16 | 1993-10-12 | Kabushiki Kaisha Toyoda Jidoshokki Seisakusho | Hydraulic driving system |
-
1985
- 1985-10-23 JP JP23705985A patent/JPS6297302A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5251537A (en) * | 1991-07-16 | 1993-10-12 | Kabushiki Kaisha Toyoda Jidoshokki Seisakusho | Hydraulic driving system |
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