JPS6280419U - - Google Patents
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- Publication number
- JPS6280419U JPS6280419U JP17102985U JP17102985U JPS6280419U JP S6280419 U JPS6280419 U JP S6280419U JP 17102985 U JP17102985 U JP 17102985U JP 17102985 U JP17102985 U JP 17102985U JP S6280419 U JPS6280419 U JP S6280419U
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor
- grounded
- frequency power
- strip line
- output end
- Prior art date
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- Pending
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 7
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
Landscapes
- Microwave Amplifiers (AREA)
- Amplifiers (AREA)
Description
第1図はこの考案の一実施例による高周波電力
用半導体回路を示す図、第2図は従来の高周波電
力用半導体回路を示す図である。1はトランジス
タ、6と15はRF端子、19は可変容量ダイオ
ードである。なお、図中、同一符号は同一又は相
当部分を示す。
用半導体回路を示す図、第2図は従来の高周波電
力用半導体回路を示す図である。1はトランジス
タ、6と15はRF端子、19は可変容量ダイオ
ードである。なお、図中、同一符号は同一又は相
当部分を示す。
Claims (1)
- B級動作をする半導体を用いる高周波電力用半
導体回路において、上記半導体の出力端部に使用
基本周波数に対して四分の一波長の長さをもつス
トリツプ線路が接続され、上記ストリツプ線路の
反対側の端子には一端が接地されたコンデンサと
一端が接地された可変容量ダイオードとが接続さ
れることを特徴とする高周波電力用半導体回路。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP17102985U JPS6280419U (ja) | 1985-11-07 | 1985-11-07 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP17102985U JPS6280419U (ja) | 1985-11-07 | 1985-11-07 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6280419U true JPS6280419U (ja) | 1987-05-22 |
Family
ID=31106289
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP17102985U Pending JPS6280419U (ja) | 1985-11-07 | 1985-11-07 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS6280419U (ja) |
-
1985
- 1985-11-07 JP JP17102985U patent/JPS6280419U/ja active Pending