JPS6273548A - Electron multiplier tube - Google Patents
Electron multiplier tubeInfo
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- JPS6273548A JPS6273548A JP21384785A JP21384785A JPS6273548A JP S6273548 A JPS6273548 A JP S6273548A JP 21384785 A JP21384785 A JP 21384785A JP 21384785 A JP21384785 A JP 21384785A JP S6273548 A JPS6273548 A JP S6273548A
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- electron
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- Vessels, Lead-In Wires, Accessory Apparatuses For Cathode-Ray Tubes (AREA)
Abstract
Description
【発明の詳細な説明】
(産業上の利用分野)
本発明はダイノードによる2次電子増倍作用を利用して
電子を増倍する電子増倍装置に関する。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION (Field of Industrial Application) The present invention relates to an electron multiplier that multiplies electrons by utilizing the secondary electron multiplication effect of a dynode.
(従来の技術)
電子増倍管は、ガラス製の真空気密容器の中に光電陰極
等の電子源、複数のダイノード、電子収集電極を配置し
たものである。(Prior Art) An electron multiplier tube has an electron source such as a photocathode, a plurality of dynodes, and an electron collection electrode arranged in a vacuum-tight glass container.
電子源の放出した電子の数を増倍するために広く用いら
れている。特に電子源が光電陰極の場合は微弱な光の検
出器として用いられる。It is widely used to multiply the number of electrons emitted by an electron source. In particular, when the electron source is a photocathode, it is used as a weak light detector.
電子源、複数のダイノード、電子収集電極などは通常前
記真空容器の一方の底面(ステム)に貫通する状態で植
設された複数の導入線に電気的に接続されており、導入
線、を介して外部回路に接続される。An electron source, a plurality of dynodes, an electron collecting electrode, etc. are usually electrically connected to a plurality of lead-in wires implanted in a state that penetrates one bottom surface (stem) of the vacuum vessel, and are connected via the lead-in wires. connected to an external circuit.
第5図は従来の光電子増倍管の回路図である。FIG. 5 is a circuit diagram of a conventional photomultiplier tube.
光電陰極(電子源)11、各ダイノード123〜12n
−1、!終段ダイノード12n間には電源Eにより約1
oovの電圧が順次印加されている。Photocathode (electron source) 11, each dynode 123 to 12n
-1,! Approximately 1 is connected between the final stage dynodes 12n by power supply E.
oov voltages are applied sequentially.
電子収集電極17は負荷抵抗RLを介して前記電源の正
の端子(基準電位点)に接続しである。The electron collecting electrode 17 is connected to the positive terminal (reference potential point) of the power source via a load resistor RL.
(発明が解決しようとする問題点)
前述した電子増倍管は、使用状態において、前述したス
テム部において光電陰極11、ダイノード12a〜12
nの導入線16a〜16nと、収集電極17の導入線の
間に電圧が加えられている。(Problems to be Solved by the Invention) When the electron multiplier tube is in use, the photocathode 11 and the dynodes 12a to 12 are connected to the stem portion.
A voltage is applied between the lead-in wires 16a to 16n of n and the lead-in wire of the collecting electrode 17.
接続線間のガラス表面は、容器の外側面では空気中の水
分(すなわち湿度)により、内側面では充電陰極やダイ
ノードを形成するアルカリ金属によって、電解質が形成
されているので、前記接続線間の電位差により、好まし
くない電流(リーク電流)が流れる。The glass surface between the connecting wires has an electrolyte formed by moisture in the air (i.e. humidity) on the outer surface of the container and by alkali metals forming the charging cathode or dynode on the inner surface. An undesirable current (leakage current) flows due to the potential difference.
リーク電流は直流であるが、抵抗を通るため熱雑音(交
流成分)が含まれている。Although the leakage current is direct current, it contains thermal noise (alternating current component) because it passes through a resistor.
この熱雑音(交流成分)とこれと同じレベルの信号電流
(交流成分)成分を分離することができないので、検出
可能な信号レベルの下限はこの熱雑音により規制される
。Since this thermal noise (AC component) cannot be separated from a signal current (AC component) component of the same level, the lower limit of the detectable signal level is regulated by this thermal noise.
本発明の目的は、前述した熱雑音の影響を極力小さくす
ることができる電子増倍管を提供することにある。An object of the present invention is to provide an electron multiplier tube that can minimize the influence of the aforementioned thermal noise.
(問題を解決するための手段)
前記目的を達成するために、本発明による電子増倍管は
、電子収集電極が接続されている真空容器に植設された
接続線を取り巻(導電遮蔽層を設け、この導電遮蔽層を
同様に真空容器に植設された基準電位点に接続されるべ
き接続線に接続して構成されている。(Means for Solving the Problem) In order to achieve the above object, the electron multiplier tube according to the present invention has a conductive shielding layer surrounding a connecting wire implanted in a vacuum container to which an electron collecting electrode is connected. , and this conductive shielding layer is connected to a connection line that is to be connected to a reference potential point that is also implanted in the vacuum container.
(実施例)
以下、図面等を参照して本発明をさらに詳しく説明する
。(Example) Hereinafter, the present invention will be described in more detail with reference to the drawings and the like.
第1図は本発明による電子増倍管の実施例を示す斜視図
である。FIG. 1 is a perspective view showing an embodiment of an electron multiplier tube according to the present invention.
第2図は前記電子増倍管のステム部を示す図である。真
空容器10のステム部10bの中心には排気用の管を封
じ切ったあと10aがあり、これを取り巻くように収集
電極接続線14、基準電位点に接続されるべき接続線1
5、ダイノード12a〜12nの接続線16a〜16n
がステム部10bに植設されている。FIG. 2 is a diagram showing the stem portion of the electron multiplier tube. At the center of the stem portion 10b of the vacuum vessel 10, there is a part 10a after sealing off the exhaust pipe, and surrounding this there are the collecting electrode connection line 14 and the connection line 1 to be connected to the reference potential point.
5. Connection lines 16a to 16n of dynodes 12a to 12n
is implanted in the stem portion 10b.
ステム面10bの内面には収集電極接続線14を取り囲
むように(第1図参照)、銀ペーストの導電遮蔽[13
−aが設けられている。そしてこの導電遮蔽ii 13
aは基準電位点に接続されるべき接続線15に接続さ
れている。On the inner surface of the stem surface 10b, a conductive shield [13
-a is provided. And this conductive shield ii 13
a is connected to a connection line 15 to be connected to a reference potential point.
同様にステム面10bの外面には収集電極接続線14を
取り囲むように、導電遮蔽層13bが設けられており、
銀ペーストの導電遮蔽層13bは基準電位点に接続され
るべき接続線15に接続されている(第2図参照)。Similarly, a conductive shielding layer 13b is provided on the outer surface of the stem surface 10b so as to surround the collecting electrode connection line 14.
The conductive shielding layer 13b of silver paste is connected to a connecting line 15 which is to be connected to a reference potential point (see FIG. 2).
第3図は前記実施例光電子増倍管の後段の回路図である
。FIG. 3 is a circuit diagram of the latter stage of the photomultiplier tube of the above embodiment.
前述した実施例光電子増倍管と同一の形状の光電子増倍
管で前記導電性遮蔽層13a、tabを設けていない光
電子増倍管(以下従来管という)の特性を比較する。The characteristics of a photomultiplier tube (hereinafter referred to as a conventional tube) having the same shape as the photomultiplier tube of the example described above but without the conductive shielding layers 13a and tab will be compared.
各光電子増倍管の収集電極接続線14と最終段ダイノー
ド16nとの間に100Vの直流電圧を接続した時点以
降のリーク電流の変化を第4図に示す。図において曲線
Aは従来管、曲線Bは実施例光電子増倍管のリーク電流
の変化を示す。FIG. 4 shows the change in leakage current after the point in time when a DC voltage of 100 V was connected between the collecting electrode connection line 14 of each photomultiplier tube and the final stage dynode 16n. In the figure, curve A shows the change in leakage current of the conventional tube, and curve B shows the change in leakage current of the example photomultiplier tube.
実施例光電子増倍管は100秒を経過するとリーク電流
は0.1 p A以下に減少している。In the example photomultiplier tube, the leakage current decreased to 0.1 pA or less after 100 seconds.
従来管では100秒を経過するとリーク電流は10数p
Aに減少するが、それ以降リーク電流は殆ど減少しない
。In conventional tubes, the leakage current after 100 seconds is 10-odd p.
However, the leakage current hardly decreases after that.
(発明の効果)
以上詳しく説明したように、本発明による電子増倍管は
、電子収集電極が接続されている真空容器に植設された
接続線を取り巻く導電遮蔽層を設け、この導電遮蔽層を
同様に真空容器に植設された基準電位点に接続されるべ
き接続線に接続して構成されている。(Effects of the Invention) As explained in detail above, the electron multiplier according to the present invention is provided with a conductive shielding layer surrounding the connecting wire implanted in the vacuum container to which the electron collecting electrode is connected, and this conductive shielding layer is connected to a connection line that is to be connected to a reference potential point similarly installed in the vacuum container.
したがって、従来の光電子増倍管において見られたリー
ク電流を減少させることができる。Therefore, leakage current observed in conventional photomultiplier tubes can be reduced.
第1図は本発明による電子増倍管の実施例を示す斜視図
である。
第2図は前記電子増倍管のステム部を示す図である。
第3図は前記電子増倍管の終段部の回路図である。
第4図は従来の電子増倍管と前記実施例増倍管のリーク
電流特性を比較して示したグラフである。
第5図は従来の電子増倍管の回路図である。
1・・・光電子増倍管
10・・・光電子増倍管の真空気密容器10a・・・排
気管跡
10b・・・ステム面
11・・・光電陰極
12・・・ダイノード群
13a・・・管内の遮蔽リング
13b・・・管外の遮蔽リング
14・・・収集電極接続線
15・・・基′I$電位点に接続されるべき接続線16
a〜16n・・・ダイノード接続線17・・・収集1掻
特許出願人 浜松ホトニクス株式会社
代理人 弁理士 井 ノ ロ 壽
オ1図
才2図
第3図
!0
25図
才4図
アIMξ(Set)FIG. 1 is a perspective view showing an embodiment of an electron multiplier tube according to the present invention. FIG. 2 is a diagram showing the stem portion of the electron multiplier tube. FIG. 3 is a circuit diagram of the final stage of the electron multiplier tube. FIG. 4 is a graph showing a comparison of the leakage current characteristics of the conventional electron multiplier tube and the multiplier tube of the embodiment. FIG. 5 is a circuit diagram of a conventional electron multiplier tube. 1... Photomultiplier tube 10... Vacuum-tight container 10a of photomultiplier tube... Exhaust pipe trace 10b... Stem surface 11... Photocathode 12... Dynode group 13a... Inside the tube Shielding ring 13b...Extratubular shielding ring 14...Collecting electrode connection line 15...Connection line 16 to be connected to the base I$ potential point
a~16n...Dynode connection line 17...Collection 1 Patent applicant Hamamatsu Photonics Co., Ltd. Agent Patent attorney Inoro Hisao 1 Figure 2 Figure 3! 0 25 figures 4 figures AIMξ (Set)
Claims (2)
いる真空容器に植設された接続線を取り巻く導電遮蔽層
を設け、この導電遮蔽層を同様に真空容器に植設された
基準電位点に接続されるべき接続線に接続して構成した
ことを特徴とする電子増倍管。(1) In an electron multiplier tube, a conductive shielding layer is provided surrounding a connecting wire implanted in a vacuum container to which an electron collecting electrode is connected, and this conductive shielding layer is connected to a reference potential also implanted in a vacuum container. An electron multiplier tube characterized in that it is connected to a connecting line that is to be connected to a point.
外面に形成されている特許請求の範囲第1項記載の電子
増倍管。(2) The electron multiplier tube according to claim 1, wherein the conductive shielding layer is formed on the inner or outer surface of the stem portion of the electron tube.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP21384785A JPS6273548A (en) | 1985-09-27 | 1985-09-27 | Electron multiplier tube |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP21384785A JPS6273548A (en) | 1985-09-27 | 1985-09-27 | Electron multiplier tube |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6273548A true JPS6273548A (en) | 1987-04-04 |
Family
ID=16645999
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP21384785A Pending JPS6273548A (en) | 1985-09-27 | 1985-09-27 | Electron multiplier tube |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS6273548A (en) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO1998043116A3 (en) * | 1997-03-21 | 1998-12-17 | Vacutec Messtechnik Gmbh | Ionization chamber for radiometric measuring instruments |
CN109192647A (en) * | 2018-09-10 | 2019-01-11 | 江苏赛诺格兰医疗科技有限公司 | A kind of electromagnetic armouring structure of photomultiplier tube |
-
1985
- 1985-09-27 JP JP21384785A patent/JPS6273548A/en active Pending
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO1998043116A3 (en) * | 1997-03-21 | 1998-12-17 | Vacutec Messtechnik Gmbh | Ionization chamber for radiometric measuring instruments |
US6278121B1 (en) | 1997-03-21 | 2001-08-21 | Vacutec Messtechnik Gmbh | Ionization chamber for radiometric measuring instruments |
CN109192647A (en) * | 2018-09-10 | 2019-01-11 | 江苏赛诺格兰医疗科技有限公司 | A kind of electromagnetic armouring structure of photomultiplier tube |
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