JPS6269119A - Odometer for vehicle - Google Patents

Odometer for vehicle

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JPS6269119A
JPS6269119A JP20961885A JP20961885A JPS6269119A JP S6269119 A JPS6269119 A JP S6269119A JP 20961885 A JP20961885 A JP 20961885A JP 20961885 A JP20961885 A JP 20961885A JP S6269119 A JPS6269119 A JP S6269119A
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JP
Japan
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storage
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vehicle
microcomputer
stored
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JP20961885A
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Takeya Omiya
大宮 健也
Kazuyuki Kondo
一幸 近藤
Takao Ogawa
孝雄 小川
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Denso Corp
Original Assignee
NipponDenso Co Ltd
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  • Measurement Of Distances Traversed On The Ground (AREA)

Abstract

PURPOSE:To display the total travel distance of a vehicle with good accuracy at all times by detecting vehicle velocity of the vehicle and operating repeatedly and integrating the travel distance of the vehicle based on the detected result. CONSTITUTION:The titled odometer is provided with a vehicle velocity detection means 1 to detect the vehicle velocity of the vehicle and produce a series of pulse signals having frequency in proportion to the detected result, a distance arithmetic means 2 to operate repeatedly the actual travel distance of the vehicle in response to each pulse signal in order, a temporary storage means 3 (3a-3d), a fixed storage means 4 (4a-4c), a discrimination means 5 and the 1st and the 2nd erasion and write means 6 and 7. Then, the means 4 erases stored data of one side of the 2nd and the 3rd storage parts 4b and 4c and writes the stored data of one side of the 2nd and the 3rd storage regions 3b and 3c in the storage part of the one side based on an erasion and write signal from the means 6. Further, the stored data of the other side of the 2nd and the 3rd storage part 4b and 4c are erased and the stored data of one side of the 2nd and the 3rd regions 3b and 3c are written in the storage part of the other side based on the erasion and write signal from the means 7. In this way, an error of the storage contents is correctly rewritten.

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は車両用走行距離計に係り、特に車両の車速を検
出するとともにこの検出結果に基き当該車両の走行距離
を繰返し演算して積算し、かつこれら各積算結果を表示
するに通した車両用走行距離針に関する。
[Detailed Description of the Invention] [Field of Industrial Application] The present invention relates to a vehicle odometer, and particularly to a vehicle odometer that detects the speed of a vehicle and repeatedly calculates and integrates the distance traveled by the vehicle based on the detection result. , and relates to a vehicular mileage needle adapted to display these integration results.

〔従来技術〕[Prior art]

この種の走行距離計においては、特開昭59−1072
07号公報に開示されているように、不揮発性メモリを
採用し、この不揮発性メモリの記憶領域を第1.第2及
び第3の記憶領域に分割し、車両の走行距離が一定値に
達成する毎にこれを前記第3記憶領域に順次記憶し、こ
の第3記憶領域がオーバーフローする毎に前記第1又は
第2の記憶領域の記憶内容を「11ずつ増加させるとと
もに前記第3記憶領域の記憶内容をクリアし、続出時に
は前記第1及び第2の記憶領域の記憶内容のうち新しい
方の記憶内容を出力するようにしたものがある。
Regarding this type of odometer, Japanese Patent Application Laid-Open No. 59-1072
As disclosed in the No. 07 publication, a non-volatile memory is used, and the storage area of this non-volatile memory is designated as the first. The distance traveled by the vehicle is divided into a second and third storage area, and each time the mileage of the vehicle reaches a certain value, it is sequentially stored in the third storage area, and each time the third storage area overflows, the first or third storage area is The memory content of the second memory area is increased by 11, and the memory content of the third memory area is cleared, and when the memory content continues, the newer one of the memory content of the first and second memory areas is output. There is something I tried to do.

〔発明が解決しようとする問題点〕[Problem that the invention seeks to solve]

しかしながら、このような構成においては、前記第1又
は第2の記↑、a領域への記憶にあたり、これら両記憶
領域を更に三つの記憶領域部分にそれぞれ分割し、両記
憶領域のいずれか一方の三つの記憶領域部分に同じ記憶
内容を共に記↑、セするようにし、かつ続出時にはこれ
ら各三つの記憶領域部分の各記憶内容の多数決をとるよ
うにしであるため、不揮発性メモリの記↑a容量の減少
化に制限があるのは勿論のこと、記憶内容の誤差が一定
値以下には小さくなり稚いという不具合がある。
However, in such a configuration, when storing data in the first or second storage areas ↑ and a, these two storage areas are further divided into three storage area parts, and one of the two storage areas is Since the same memory contents are written in the three storage areas, and when the same memory contents are written one after another, a majority vote is taken of the storage contents in each of these three storage areas. There is, of course, a limit to the reduction in capacity, and there is also the problem that the error in the stored contents becomes small below a certain value and becomes unsatisfactory.

そこで、本発明は、このようなことに対処すべく、不揮
発性記憶手段の記憶容量を必要最少限に抑制しつつその
記す、q内容の誤りを出来る限り正しく修正するように
した車両用走行距離計を提供しようとするものである。
Therefore, in order to cope with this problem, the present invention provides a vehicle mileage system that corrects errors in the contents of q as accurately as possible while suppressing the storage capacity of the nonvolatile storage means to the minimum necessary. This is an attempt to provide a measurement plan.

〔問題点を解決するための手段〕[Means for solving problems]

かかる問題の解決にあたり、本発明の構成上の特徴は、
第1図にて例示するごと(、車両の車速を検出しこの検
出結果に比例した周波数を有する一連のパルス信号を発
生する車速検出手段1と、前記各パルス信号に順次応答
して車両の現実の走行距離を繰返し演算する距離演算手
段2と、前記演算走行距離が所定単位距離値未満のとき
これを繰返し記憶する第1記憶領域3a、前記演算走行
距離が前記所定単位距離値の整数倍になる毎にこれを記
憶する第2及び第3の記憶領域3b、3c並びに前記演
算走行距離の総和を記憶する第4記憶領域3dを有する
一時的記憶手段3と、第1、第2及び第3の記憶領域3
a、3b、3cの各記憶データをそれぞれ記憶する第1
.第2及び第3の記憶部4a、4b、4cを有する不揮
発性記憶手段4と、第1記憶部4aの記憶データと第2
及び第3の記憶部4b、4cの一方の記憶データとの和
が第4記1.q領域3dの記憶データと異なるとき第2
及び第3の記憶部4b、4cの各記憶データの差が前記
所定単位距離値に一致すれば一致信号を発生し一致しな
ければ不一致信号を発生する判別手段5と、前記一致信
号に応答して第1記憶領域3aの記憶データが零のとき
第2及び第3の記憶部4b、4cの一方の記1aデータ
を消去して正しく書込むに必要な消去書込信号を発生ず
る第1消去書込手段6と、前記不一致信3に応答して第
1記憶領域3aの記憶データが零又は前記所定単位距離
値未満の最大値のとき第2及び第3の記憶部4b、4c
の他方の記憶データを消去して正しく書込むに必要な消
去書込信号を発生する第2消去書込手段7とを備えて、
不揮発性記憶手段4が、第1消去書込手段6からの消去
書込信号に基き第2及び第3の記憶部4b、4cの一方
の記憶データを消去して同一方の記憶部に第2及び第3
の記憶領域3b、3cの一方の記憶データを書込み、第
2消去書込手段7からの消去書込信号に基き第2及び第
3の記憶部4b、4cの他方の記憶データを消去して同
他方の記憶部に第2及び第3の記憶領域3b、3eの一
方の記1.αデータを書込むようにしたことにある。
In solving this problem, the structural features of the present invention are as follows:
As illustrated in FIG. 1, a vehicle speed detecting means 1 detects the speed of the vehicle and generates a series of pulse signals having a frequency proportional to the detection result; a first storage area 3a that repeatedly stores the calculated mileage when it is less than a predetermined unit distance value; a temporary storage means 3 having second and third storage areas 3b, 3c for storing the total sum of the calculated mileage, and a fourth storage area 3d for storing the total sum of the calculated mileage; storage area 3
a, 3b, and 3c, respectively.
.. A non-volatile storage means 4 having second and third storage sections 4a, 4b, 4c, storage data of the first storage section 4a and a second
and the data stored in one of the third storage units 4b and 4c is the sum of the data stored in Section 4, 1. When the data differs from the storage data in the q area 3d, the second
and a determining means 5 which generates a match signal if the difference between the stored data in the third storage units 4b and 4c matches the predetermined unit distance value, and generates a mismatch signal if they do not match, and a discriminator 5 which responds to the match signal. When the data stored in the first storage area 3a is zero, the data 1a in one of the second and third storage sections 4b and 4c is erased and an erase/write signal necessary for correctly writing is generated. a writing means 6, and second and third storage units 4b, 4c when the storage data in the first storage area 3a is zero or the maximum value less than the predetermined unit distance value in response to the mismatch signal 3;
a second erasing/writing means 7 for generating an erasing/writing signal necessary for erasing and correctly writing data stored on the other side;
The non-volatile storage means 4 erases the data stored in one of the second and third storage sections 4b and 4c based on the erase/write signal from the first erase/write means 6, and stores data in the second storage section. and third
The data stored in one of the storage areas 3b and 3c is written, and the data stored in the other storage area 4b and 4c is erased based on the erase/write signal from the second erase/write means 7. One of the second and third storage areas 3b and 3e (1. The reason lies in the fact that α data is written.

〔作用効果〕[Effect]

しかして、このように本発明を構成したことにより、何
等かの原因のもとに不揮発性記憶手段4の第1記憶部4
aの記憶データと第2及び第3の記憶部4b、4cの一
方の記憶データとの和が一時的記憶手段3の第4記憶領
域3dの記憶データと異なる場合において、判別手段5
が一致信号を発生すれば第1記憶領域3aの記憶データ
が零のとき不揮発性記憶手段4が第1消去書込手段6か
らの消去書込信号に応答して第2及び第3の記憶部4b
、4cの一方の記憶データを第2及び第3の記憶領域3
b、3cの一方の記憶データにより書替える。一方、判
別手段5が不一致信号を発生すれば第1記憶領域3aの
記憶データが零又は前記所定単位距離値未満の最大値の
とき不揮発性記憶手段4が第2消去書込手段7からの消
去書込信号に応答して第2及び第3の記憶部4b、4c
の他方の記憶データを第2及び第3の記憶領域3b。
However, by configuring the present invention in this way, the first storage section 4 of the non-volatile storage means 4 may be damaged due to some reason.
When the sum of the stored data of a and the stored data of one of the second and third storage sections 4b and 4c is different from the stored data of the fourth storage area 3d of the temporary storage means 3, the determination means 5
generates a match signal, when the stored data in the first storage area 3a is zero, the nonvolatile storage means 4 responds to the erase/write signal from the first erase/write means 6 to erase the second and third storage sections. 4b
, 4c is stored in the second and third storage areas 3.
Rewrite with the stored data of either b or 3c. On the other hand, if the discrimination means 5 generates a mismatch signal, the nonvolatile storage means 4 erases data from the second erasure/writing means 7 when the stored data in the first storage area 3a is zero or the maximum value less than the predetermined unit distance value. In response to the write signal, the second and third storage units 4b, 4c
The other storage data is stored in the second and third storage areas 3b.

3Cの一方の記憶データにより書替える。Rewrite with data stored in one of 3C.

このように、不揮発性記憶手段4の記憶内容に誤りがあ
る場合には、第2及び第3の記憶部4b。
In this way, if there is an error in the storage contents of the nonvolatile storage means 4, the second and third storage sections 4b.

4Cの各記憶データの比較のもとにこれら両記憶部4b
、4cの記憶データを第1記憶領域3aの記憶データと
の関連にて第2及び第3の記憶領域3b、3cの一方の
記憶データにより正しく書替えることができるので、か
かる不揮発性記憶手段4の記憶内容によれば、車両の総
走行距離を常に精度よく表示し得る。また、このような
作用効果が第1及び第2の記憶部4b、4cたる二つの
記憶部でもって達成できるので、不揮発性記憶手段4の
記憶容量の減少にも役立つ。
Based on the comparison of each storage data of 4C, both storage units 4b
, 4c can be correctly rewritten with the data stored in one of the second and third storage areas 3b and 3c in relation to the data stored in the first storage area 3a. According to the stored contents, the total distance traveled by the vehicle can always be displayed accurately. Furthermore, since such effects can be achieved with two storage units, the first and second storage units 4b and 4c, it is also useful for reducing the storage capacity of the nonvolatile storage means 4.

〔実施例〕〔Example〕

以下、本発明の一実施例を図面により説明すると、第1
図は、本発明に係る車両用走行距離計のブロック回路図
を示している。走行距離計は、車速センサ10と、この
車速センサ10に接続した波形整形回路20と、当該車
両の直流電源B及びイグニッションスイッチTOに接続
した定電圧回路30とを備えており、車速センサ10は
、当該車両の現実の車速を検出しこの検出結果に比例し
た周波数を有する一連のパルス信号を発生する。
Hereinafter, one embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings.
The figure shows a block circuit diagram of a vehicle odometer according to the present invention. The odometer includes a vehicle speed sensor 10, a waveform shaping circuit 20 connected to the vehicle speed sensor 10, and a constant voltage circuit 30 connected to the DC power supply B and ignition switch TO of the vehicle. , detects the actual speed of the vehicle and generates a series of pulse signals having a frequency proportional to the detection result.

波形整形回路20は車速センサ10からの各パルス信号
を順波形整形し整形パルス信号として発生する。
The waveform shaping circuit 20 sequentially shapes the waveform of each pulse signal from the vehicle speed sensor 10 and generates a shaped pulse signal.

定電圧回路30は、一対のダイオード31.32と、一
対のトランジスタ33.34と、昇圧回路35を有して
おり、ダイオード31はそのアノードにてイグニッショ
ンスイッチIGを介し直流電源Bの正側端子に接続され
、一方、ダイオード32はそのアノードにて直流電源B
の正側端子に直接接続されている。トランジスタ33は
そのコレクタにて各抵抗33a、33b及びダイオード
32を通り直流電源Bの正側端子に接続されており、こ
のトランジスタ33はマイクロコンピュ”−ダ40から
後述のごとく生じる自己保持信号に応答してこの自己保
持信号の発生中のみ導通する。
The constant voltage circuit 30 has a pair of diodes 31, 32, a pair of transistors 33, 34, and a booster circuit 35, and the diode 31 has its anode connected to the positive side terminal of the DC power supply B via the ignition switch IG. On the other hand, the diode 32 is connected to the DC power supply B at its anode.
connected directly to the positive terminal of the The transistor 33 is connected at its collector to the positive terminal of the DC power supply B through each resistor 33a, 33b and the diode 32, and this transistor 33 responds to a self-holding signal generated from the microcomputer 40 as described below. conducts only while this self-holding signal is generated.

トランジスタ34はそのエミ・ツタにてダイオード32
を介し直流電源Bの正側端子に接続されており、このト
ランジスタ34のベースは抵抗33bを介しダイオード
32のカソードに接続されるとともに抵抗33aを介し
トランジスタ33のコレクタに接続されている。しかし
て、トランジスタ34はトランジスタ33の導通に応答
して導通する。昇圧回路35は、直流電源Bからイグニ
ッションスイッチIC及びダイオード31を介し直流電
圧を受けるか、直流電源Bからダイオード32及びトラ
ンジスタ34を介し直流電圧を受けて昇圧信号を発生す
る。
Transistor 34 connects diode 32 at its emitter
The base of this transistor 34 is connected to the cathode of the diode 32 via a resistor 33b, and to the collector of the transistor 33 via a resistor 33a. Thus, transistor 34 becomes conductive in response to the conduction of transistor 33. The booster circuit 35 receives a DC voltage from the DC power supply B through the ignition switch IC and the diode 31, or receives a DC voltage from the DC power supply B through the diode 32 and the transistor 34, and generates a boost signal.

マイクロコンピュータ40は、直流電源Bから、常時、
給電電圧を受けて作動状態となるもので、このマイクロ
コンピュータ40は、その内蔵に係るROMに予め記憶
した主制御プログラム並びに外部及び内部の各割込制御
プログラムを、第5図〜第16図に示す各フローチャー
トに従い波形整形回路20及び不揮発性メモリ50との
協働のもとに実行し、この実行中において、トランジス
タ33、不揮発性メモリ50及びディジタル表示器70
のための駆動回路60の制御に必要な各種の演算処理を
以下の作用説明に述べるごとく行う。
The microcomputer 40 is always connected to the DC power supply B.
The microcomputer 40 is activated by receiving a power supply voltage, and stores a main control program and external and internal interrupt control programs stored in advance in its built-in ROM as shown in FIGS. 5 to 16. The flowcharts are executed in cooperation with the waveform shaping circuit 20 and the nonvolatile memory 50, and during this execution, the transistor 33, the nonvolatile memory 50, and the digital display 70 are
Various arithmetic operations necessary for controlling the drive circuit 60 are performed as described in the operation description below.

但し、前記外部割込制御プログラムの割込時期は、波形
整形回路20からマイクロコンピュータ40への各整形
パルス信号の入力時期により決定される。また、前記内
部割込制御プログラムの割込時期は、マイクロコンピュ
ータ40に内蔵のタイマの所定計時時間(例えば、8 
ms)の計時終了時により決定される。なお、前記タイ
マはそのリセットと同時に前記所定計時時間の計時を開
始し、同計時終了によりリセットされる。
However, the interrupt timing of the external interrupt control program is determined by the input timing of each shaped pulse signal from the waveform shaping circuit 20 to the microcomputer 40. Further, the interrupt timing of the internal interrupt control program is determined by a predetermined time period (e.g., 8
ms) is determined by the end of timing. The timer starts counting the predetermined time at the same time as the timer is reset, and is reset when the timer ends.

また、マイクロコンピュータ40に内蔵したRAMには
、第3図に示すごとく、四つの記憶部40 a、  4
0 b、  40 c、  40 dが設けられており
、記憶部40aは、24箇の記憶セルからなり、当該車
両の総走行距離を24ビツトの総走行距離データODO
として一時的に記憶するようになっている。記憶部40
bは、8箇の記憶セルからなり、当該車両の所定走行距
離(256km)未満の値を、8ビツトの第1走行距離
データとして一時的に記憶するようになっている。また
、再記憶部40c。
In addition, the RAM built into the microcomputer 40 has four storage sections 40a and 40, as shown in FIG.
0 b, 40 c, and 40 d are provided, and the storage section 40a is made up of 24 memory cells, and stores the total mileage of the vehicle in 24-bit total mileage data ODO.
It is temporarily stored as . Storage section 40
b consists of eight memory cells, and is configured to temporarily store values less than a predetermined mileage (256 km) of the vehicle as 8-bit first mileage data. Also, a re-storage unit 40c.

40dは、共に、16箇の記憶セルからなり、記憶部4
0cは、当該車両の前記所定走行距離の整数倍を、16
ビツトの第2走行距離データl(M Oとして一時的に
記憶するとともに、記憶部40dは、上述した所定走行
距離の整数倍を、16ビノトの第3走行距離デークHM
 1として一時的に記憶するようになっている。
40d consists of 16 memory cells, and the memory section 4
0c is an integral multiple of the predetermined mileage of the vehicle, 16
The storage unit 40d temporarily stores the second mileage data l (MO) of the 16 bits, and also stores the integral multiple of the above-mentioned predetermined mileage as the third mileage data HM of the 16 bits.
It is temporarily stored as 1.

不揮発性メモリ50は、主記憶部50aと、一対の補助
記憶部50b、50cとからなり、これら主記憶部50
a及び両補助記憶部50b、50Cは直流電源Bからの
給電電圧及び昇圧回路35からの昇圧信号に応答して書
込消去可能状態になり、また直流型aBからの給電電圧
及び昇圧回路35からの昇圧信号の有無にかかわりなく
その書込み済の内容を記憶保持する。かかる場合、主記
す9部50aは256箇の記1.aセルからなり、前記
所定走行距離未満の値を、16ビツト×16ワードの主
走行距離データMMとして不揮発的に書込消去するよう
になっている。補助記憶部50bは、16箇の記憶セル
からなり、前記所定走行距離の整数倍を、16ビノトの
補助走行距離データSMOとして不揮発的に書込消去す
るようになっている。また、補助記憶部50cは、16
箇の記憶セルからなり、前記所定走行距離の整数倍を、
16ビツトの補助走行距離データSMIとして不揮発的
に書込消去するようになっている。
The nonvolatile memory 50 consists of a main storage section 50a and a pair of auxiliary storage sections 50b and 50c.
a and both auxiliary storage units 50b and 50C become writable and erasable in response to the power supply voltage from the DC power supply B and the boost signal from the booster circuit 35, and also respond to the power supply voltage from the DC type power supply B and the booster signal from the booster circuit 35. The written contents are stored and retained regardless of the presence or absence of the boost signal. In such a case, the main part 9 50a contains 256 entries 1. It consists of a cells, and is configured to write and erase values less than the predetermined mileage in a non-volatile manner as main mileage data MM of 16 bits x 16 words. The auxiliary storage section 50b is composed of 16 memory cells, and is configured to non-volatilely write and erase an integral multiple of the predetermined mileage as 16 bits of auxiliary mileage data SMO. Further, the auxiliary storage unit 50c has 16
consisting of several memory cells, with an integral multiple of the predetermined traveling distance,
It is designed to be written and erased in a non-volatile manner as 16-bit auxiliary mileage data SMI.

駆動回路60は、直流電源Bから給電電圧を受けて作動
状態となり、マイクロコンピュータ40の制御のちとに
当該車両の総走行距離を表わす駆動信号を発生する。デ
ィジタル表示器70は駆動回路60からの駆動信号に応
答して前記総走行距離をディジタル表示する。
The drive circuit 60 receives a power supply voltage from the DC power supply B and becomes active, and under the control of the microcomputer 40 generates a drive signal representing the total distance traveled by the vehicle. The digital display 70 digitally displays the total travel distance in response to a drive signal from the drive circuit 60.

以上のように構成した本実施例において、イグニッショ
ンスイッチIGの閉成により当該車両を発進させれば、
定電圧回路30の昇圧回路35が直流型HBからイグニ
ッションスイッチIG及びダイオード31を通し給電電
圧を受けて昇圧信号を発生し、不揮発性メモリ50が直
流電源Bから給電電圧を受けるとともに昇圧回路35か
ら昇圧信号を受けて書込消去可能状態となり、駆動回路
60が直流電源BからイグニッションスイッチIGを通
し給電電圧を受けて作動状態となる。
In this embodiment configured as above, if the vehicle is started by closing the ignition switch IG,
The booster circuit 35 of the constant voltage circuit 30 receives the power supply voltage from the DC type HB through the ignition switch IG and the diode 31 and generates a boost signal, and the nonvolatile memory 50 receives the power supply voltage from the DC power supply B and receives the power supply voltage from the booster circuit 35. Upon receiving the boost signal, the drive circuit 60 enters a write/erase enabled state, and the drive circuit 60 receives a power supply voltage from the DC power supply B through the ignition switch IG and enters the operating state.

また、マイクロコンピュータ40が、第5図のフローチ
ャートに従いステップ80にて開始済みの主制御プログ
ラムの初期化ルーティン90への移行時に、第6図のフ
ローチャー1−のステップ91にて、直流電源Bからの
イグニッションスイッチIGを介する給電電圧に基き、
自己保持信号を発生するとともに、エラーフラグERR
FLG=Oとリセットし、ステップ92にて、不揮発性
メモリ50の主記憶部50a及び両補助記憶部50b、
50cの各記憶内容を読出してRAMの各記憶部40b
、40c、40dにそれぞれ一時的に記憶する。かかる
場合、主記憶部50a内の主走行距離データMMが記憶
部40bに第1走行距離データLMとして記憶され、補
助記fa部50b内の補助走行距離データSMOが記憶
部、40 Cに第2走行距離データI(M Oとして記
憶され、かつ補助記憶部50e内の補助走行距離データ
SMIが記憶部40dに第3走行距離データHMIとし
て記憶される。
Further, when the microcomputer 40 moves to the initialization routine 90 of the main control program that has already been started in step 80 according to the flowchart in FIG. Based on the power supply voltage via the ignition switch IG from
Generates a self-holding signal and also outputs an error flag ERR.
FLG is reset to O, and in step 92, the main storage section 50a and both auxiliary storage sections 50b of the nonvolatile memory 50,
50c is read out and stored in each memory section 40b of the RAM.
, 40c, and 40d, respectively. In such a case, the main mileage data MM in the main memory section 50a is stored in the memory section 40b as the first mileage data LM, and the auxiliary mileage data SMO in the auxiliary record fa section 50b is stored in the memory section 40C as the second mileage data LM. The auxiliary mileage data SMI stored in the auxiliary storage section 50e is stored as the mileage data I (MO) and is stored in the storage section 40d as the third mileage data HMI.

また、上述のごとく、マイクロコンピュータ40から自
己保持信号が牛じると、定電圧回路30のトランジスタ
33が導通し、これに応答して!・ランジスタ34が導
通し直流電源Bがら昇圧回路35へのダイオード32を
介する給電電圧の付与を許容する。このことは、昇圧回
路35からの自己保持信号の発生が、イグニッションス
イッチIGの開成とはかかわりなく、トランジスタ34
からの給電電圧のもとに保持されることを意味する。
Moreover, as mentioned above, when the self-holding signal is output from the microcomputer 40, the transistor 33 of the constant voltage circuit 30 becomes conductive, and in response! - The transistor 34 becomes conductive and allows the supply voltage to be applied from the DC power supply B to the booster circuit 35 via the diode 32. This means that the generation of the self-holding signal from the booster circuit 35 is independent of the opening of the ignition switch IG,
means that it is maintained under the power supply voltage from the

しかして、現在段階においては、RAMの記憶部40C
内の第2走行距離データHMOと記憶部40d内の第3
走行距離データHMIとが等しければ、マイクロコンピ
ュータ40が初期化ルーティン90のステップ93(第
6図参照)にてrYES」と判別し、ステップ93aに
てコントロールフラグFLGLRAM=0000000
0 (=O)とりセントし、ステップ93bにて、第2
走行距離データHMOに256を乗じ、この乗算結果に
記憶部40b内の第1走行距離データLMを加算し、か
つこの加算結果を総走行距離データODOとしてRAM
の記憶部40aに一時的に記憶する。
However, at the current stage, the RAM storage section 40C
The second mileage data HMO in the storage section 40d and the third mileage data in the storage section 40d
If the mileage data HMI is equal, the microcomputer 40 determines "rYES" in step 93 of the initialization routine 90 (see FIG. 6), and sets the control flag FLGLRAM=0000000 in step 93a.
0 (=O), and in step 93b, the second
The mileage data HMO is multiplied by 256, the first mileage data LM in the storage unit 40b is added to this multiplication result, and the addition result is stored in the RAM as the total mileage data ODO.
The data is temporarily stored in the storage unit 40a.

ついで、マイクロコンピュータ40が主制御プログラム
のステップ100にて記憶部40a内の総走行距離デー
タODOを表示信号として発生し、これに応答して駆動
回路60が駆動信号を発生し、ディジタル表示器70が
同駆動信号の内容(総走行距離データ0DO)を現段階
における当該車両の総走行距離としてディジタル表示す
る。然る後、主制御プログラムがメモリコントロールル
ーティン110 (第5図及び第8図参照)に進むと、
マイクロコンピュータ40が、ステップ111にて、タ
イマデータTMRAM≠0 (ステップ91にて、TM
RAM= 112 (ms)と初期化済みとする)に基
きrNOJと判別し、次のステップ120 (第5図参
照)にてステップ91におけるERRFLG=0に基き
rNOJと判別し、ステップ130にて、イグニッショ
ンスイッチIGを介する直流電源Bからの給電電圧に基
き「NO」と判別する。なお、タイマデータTMRAM
は不揮発性メモリ50の記憶データの消去或いは書込に
要する時間を表わす。
Next, in step 100 of the main control program, the microcomputer 40 generates the total mileage data ODO in the storage section 40a as a display signal, and in response to this, the drive circuit 60 generates a drive signal, and the digital display 70 digitally displays the contents of the drive signal (total mileage data 0DO) as the total mileage of the vehicle at the current stage. Thereafter, when the main control program proceeds to the memory control routine 110 (see FIGS. 5 and 8),
In step 111, the microcomputer 40 determines that timer data TMRAM≠0 (in step 91, TM
In the next step 120 (see FIG. 5), it is determined as rNOJ based on ERRFLG=0 in step 91, and in step 130, The determination is "NO" based on the power supply voltage from the DC power supply B via the ignition switch IG. In addition, the timer data TMRAM
represents the time required to erase or write data stored in the nonvolatile memory 50.

このような段階にて、波形整形回路20から車速センサ
10との協働により整形パルス信号が生じると、マイク
ロコンピュータ40が第15図のフローチャートに従い
外部割込制御プログラムの割込実行をステップ200に
て開始し、ステップ201にて、走行距離DXに所定単
位距離りを加算しこの加算結果をDXと更新する。かか
る場合、所定単位距離りは、車速センサ10からのパル
ス信号の周期に対応しマイクロコンピュータ40のRO
Mに予め記憶しである。
At this stage, when a shaped pulse signal is generated from the waveform shaping circuit 20 in cooperation with the vehicle speed sensor 10, the microcomputer 40 executes an interrupt of the external interrupt control program in step 200 according to the flowchart of FIG. In step 201, a predetermined unit distance is added to the traveling distance DX, and the addition result is updated as DX. In such a case, the predetermined unit distance corresponds to the cycle of the pulse signal from the vehicle speed sensor 10, and the RO of the microcomputer 40 corresponds to the period of the pulse signal from the vehicle speed sensor 10.
It is stored in M in advance.

また、このようなステップ201における走行距離DX
の加算更新は、波形整形回路20から順次生じる形成パ
ルス信号に応答して繰返えされてステップ202におけ
る判別がrYESJになると、マイクロコンピュータ4
0が、ステップ202bにて、ステップ201における
最新の走行距離DXから1  (km)を減算してDX
と更新し、ステップ202Cにて、総走行距離データO
DOに1 (廊)を加算してODOと更新し記憶部40
aに一時的に記憶する。然る後、ステップ202cにお
ける更新結果ODOが256(km)の整数倍ならば、
マイクロコンピュータ40が、ステップ203にて、r
YESJと判別し、ステップ203aにて、コントロー
ルフラグFLGRAM=00011111とセットする
。一方、ステップ202cにおける更新結果ODOが2
56(km)の整数倍でない場合には、マイクロコンピ
ュータ40が、ステップ203にて、rNOJと判別し
、ステップ203bにて、コントロールフラグFLGR
AM=OO100O00とセットする。なお、以上のよ
うな外部割込制御プログラムの割込実行は、波形整形回
路20からの各整形パルス信号に応答して繰返しなされ
る。
Moreover, the mileage DX in such step 201
The addition and updating of is repeated in response to the forming pulse signals sequentially generated from the waveform shaping circuit 20, and when the determination in step 202 becomes rYESJ, the microcomputer 4
0 is calculated by subtracting 1 (km) from the latest mileage DX in step 201 in step 202b.
In step 202C, the total mileage data O
Add 1 (corridor) to DO, update it as ODO, and store it in the storage unit 40.
Temporarily stored in a. After that, if the update result ODO in step 202c is an integral multiple of 256 (km),
In step 203, the microcomputer 40
It is determined as YESJ, and the control flag FLGRAM is set to 00011111 in step 203a. On the other hand, the update result ODO in step 202c is 2.
If it is not an integral multiple of 56 (km), the microcomputer 40 determines rNOJ in step 203, and sets the control flag FLGR in step 203b.
Set AM=OO100O00. Note that the above-described interrupt execution of the external interrupt control program is repeatedly performed in response to each shaping pulse signal from the waveform shaping circuit 20.

また、上述のようにタイマデータTMRAM=112(
ms)とのステップ91における初期化に応答してマイ
クロコンピュータ40のタイマがリセットされて前記所
定計時時間の計時を開始する。
Also, as mentioned above, timer data TMRAM=112(
ms), the timer of the microcomputer 40 is reset and starts counting the predetermined time.

然る後、前記タイマが計時を終了すると、マイクロコン
ピュータ40が内部割込制御プログラムの割込実行を第
16図のフローチャートに従いステップ210にて開始
し、ステップ211にてTMRAM≠0に基きrNOj
と判別し、ステップ2ttaにて、ステップ91におけ
るタイマデータTMRAMから8 (ms)減算しこの
減算結果をTMRAMとしてセントし、ステップ212
にてステップ211の場合と同様にrNOJと判別する
Thereafter, when the timer finishes counting, the microcomputer 40 starts interrupt execution of the internal interrupt control program in step 210 according to the flowchart of FIG.
In step 2tta, 8 (ms) is subtracted from the timer data TMRAM in step 91, and this subtraction result is stored as TMRAM, and in step 212
At step 211, it is determined that it is rNOJ.

また、このようなステップ211aにおけるタイマデー
タTMRAMの減算更新は、前記タイマの繰返しの計時
終了に応答して繰返されてタイマデータTMRAM=O
になると、ステップ212における判別がrYESJに
なる。なお、以上のような内部割込制御プログラムの割
込実行は、前記タイマの計時終了毎になされる。
Further, the subtraction update of the timer data TMRAM in step 211a is repeated in response to the end of the repeated time measurement of the timer, so that the timer data TMRAM=O
Then, the determination at step 212 becomes rYESJ. Note that the above-described interrupt execution of the internal interrupt control program is performed every time the timer ends.

しかして、タイマデータTMRAM=Oのもとに主制御
プログラムがメモリコントロールルーティン110のス
テップ111 (第8図参照)に達すると、マイクロコ
ンビエータ40が同ステップ111にてrYEsJと判
別し、ステップ112にて、消去書込フラグEWFLG
=0 (ステ・7プ91にて初期化済みとする)に基き
rNOJと判別する。現段階にて、コントロールフラグ
FLGRAMが外部割込制御プログラムのステップ20
3a(又は203 b)における値となっている場合に
は、マイクロコンピュータ40が、ステップ113にて
、rNOJと判別し、ステップ113aにて、不揮発性
メモリ50の主記憶部50a内の主走行距離データMM
を読出してRAMの記憶部40bに第1走行距離データ
LMとして記憶し、補助記憶部50b内の補助走行距離
データSMOを読出して記憶部40Cに第2走行距離デ
ータ14M0として記憶し、かつ補助記憶部50c内の
補助走行距離データSMIを読出して記憶部40dに第
3走行距離データi−(M 1として記憶する。
When the main control program reaches step 111 (see FIG. 8) of the memory control routine 110 under the timer data TMRAM=O, the micro combinator 40 determines rYEsJ at step 111, and step 112 , erase/write flag EWFLG
=0 (assumed to have been initialized in step 7 step 91), it is determined that it is rNOJ. At this stage, the control flag FLGRAM is set to step 20 of the external interrupt control program.
3a (or 203b), the microcomputer 40 determines that it is rNOJ in step 113, and in step 113a, the main travel distance in the main storage section 50a of the nonvolatile memory 50 is Data MM
is read out and stored in the storage section 40b of the RAM as the first mileage data LM, the auxiliary mileage data SMO in the auxiliary storage section 50b is read out and stored in the storage section 40C as the second mileage data 14M0, and The auxiliary mileage data SMI in the section 50c is read out and stored in the storage section 40d as third mileage data i-(M1).

しかして、現段階において、コントロールフラグFLG
RAMがステップ203a (第5図参照)における値
(00011111)であれば、マイクロコンピュータ
40が、メモリコントロールルーティン110をステッ
プ113bを通し第1サブルーテイン5RI(第8図及
び第9図参照)に進める。すると、マイクロコンピュー
タ40が、第1サブルーテインSRIのステップ114
にて、記憶部40d内の第3走行距離データHMIに「
256」を乗じ、この乗算結果に記憶部40b内の第1
走行距離データLM及びl(km)を加算し、この加算
結果を確認データAとセットする。
However, at this stage, the control flag FLG
If the RAM is the value (00011111) in step 203a (see FIG. 5), the microcomputer 40 advances the memory control routine 110 to the first subroutine 5RI (see FIGS. 8 and 9) through step 113b. . Then, the microcomputer 40 executes step 114 of the first subroutine SRI.
, the third mileage data HMI in the storage unit 40d reads “
256'', and this multiplication result is stored in the first
The mileage data LM and l (km) are added, and the addition result is set as confirmation data A.

このようにセットした確認データAが記憶部40a内の
総走行距離データODOと不一致である場合には、マイ
クロコンピュータ40がステップ114aにてrNOJ
と判別し、ステップ114bにてエラーフラグERRF
LG=1とセットする。このことは、RAMの各記憶部
40a、40b、40dのいずれかに誤まりがあること
を意味する。一方、ステップ114aにおける判別が「
YESJとなる場合には、マイクロコンピュータ40が
、ステップ114Cにて、不揮発性メモリ50の補助記
憶部50b内の補助走行距離データSMOの消去開始に
必要なSMO消去開始信号を発生し、ステップ114d
にて、コントロールフラグFLGRAMが−00001
111とセットする。また、不揮発性メモリ50がマイ
クロコンピュータ40からのSMO消去開始信号に応答
して補助記憶部50bの記憶内容を消去し始める。
If the confirmation data A set in this way does not match the total mileage data ODO in the storage section 40a, the microcomputer 40 sets rNOJ in step 114a.
It is determined that the error flag ERRF is set in step 114b.
Set LG=1. This means that there is an error in each of the RAM storage units 40a, 40b, and 40d. On the other hand, the determination in step 114a is "
If YESJ, the microcomputer 40 generates an SMO erasure start signal necessary to start erasing the auxiliary mileage data SMO in the auxiliary storage section 50b of the nonvolatile memory 50 in step 114C, and then proceeds to step 114d.
, the control flag FLGRAM is -00001.
Set it to 111. Furthermore, the nonvolatile memory 50 starts erasing the storage contents of the auxiliary storage section 50b in response to the SMO erasure start signal from the microcomputer 40.

上述のように第1サブルーテインSRIの実行をステッ
プ114b或いは114dにて終了すると、マイクロコ
ンピュータ40がメモリコントロールルーティン110
のステップ114c(第8図参照)にてタイマデータT
MRAM=112  (ms)とセットし、ステップ1
14fにて消去書込フラグEWFLG=1とセットする
。第1サブルーテインSRLの実行が、上述のごと(、
ステップ114bにおけるERRFLG=1にて終了し
た場合には、マイクロコンピュータ40が主制御プログ
ラムのステップ120にてrYEsJと判別し、主制御
プログラムを初期化ルーティン90に戻す。
As described above, when the execution of the first subroutine SRI ends in step 114b or 114d, the microcomputer 40 executes the memory control routine 110.
At step 114c (see FIG. 8), the timer data T
Set MRAM=112 (ms), step 1
At step 14f, the erase/write flag EWFLG is set to 1. The execution of the first subroutine SRL is as described above (,
When the process ends with ERRFLG=1 in step 114b, the microcomputer 40 determines rYEsJ in step 120 of the main control program, and returns the main control program to the initialization routine 90.

すると、マイクロコンピュータ40が、ステップ91 
(第6図参照)にて、エラーフラグE RRFLG=O
とリセフトし、ステップ92にて、不揮発性メモリ50
の主記憶部50a及び両補助記憶部50b、50cの各
記憶データMM、SMO。
Then, the microcomputer 40 performs step 91.
(See Figure 6), the error flag E RRFLG=O
In step 92, the non-volatile memory 50 is reset.
Each of the stored data MM and SMO in the main storage unit 50a and both auxiliary storage units 50b and 50c.

SMIを読出してRA Mの各記憶部40b、40c、
40dに各記↑、LP−夕LM、HMO,HMIとして
それぞれ記憶する。しかして、ステップ114aにおけ
るODO≠Aに基き、第2走行距離データHMOが第3
走行距離データHMIと一致しておれば、マイクロコン
ピュータ40が、ステップ93にてrYESJと判別し
、上述と同様に各ステップ93a、93bにおける演算
を行い、ステップ100にて、0DO=256 XHM
O+LMを表示信号として発生し、これに応答してディ
ジタル表示器70が駆動回路60との協働により総走行
距離をディジタル表示する。
The SMI is read out and stored in each RAM memory section 40b, 40c,
Each entry is stored in 40d as ↑, LP-Y LM, HMO, and HMI, respectively. Therefore, based on ODO≠A in step 114a, the second mileage data HMO is changed to the third mileage data HMO.
If it matches the mileage data HMI, the microcomputer 40 determines rYESJ at step 93, performs calculations at each step 93a and 93b in the same manner as described above, and determines 0DO=256 XHM at step 100.
O+LM is generated as a display signal, and in response to this, the digital display 70 digitally displays the total travel distance in cooperation with the drive circuit 60.

一方、ステップ93における判別がrNOJとなった場
合には、マイクロコンピュータ40が、ステップ94に
て、第2走行距離データHMOと第3走行距離データH
MIとの差が「l」であるか否かについて判別する。ス
テップ94における判別がrYEsJである場合には、
マイクロコンピュータ40が、ステップ95にて、RA
Mの記憶部40b内の第1走行距離データLMが零であ
るか否かにつき判別する。しかして、ステップ95にお
ける判別がrYEsJである場合には、マイクロコンピ
ュータ40が、ステップ95aにて、コントロールフラ
グFLGRAM=00000011とセントし、ステッ
プ95bにて、記憶部40c内の第2走行距離データH
MOにr256Jを乗じ、この乗算結果を総走行距離デ
ータODOとしてRAMの記憶部40aに記憶する。一
方、ステップ94における判別がrNOJである場合に
は、マイクロコンピュータ40が、ステップ95Cにて
、コントロールフラグFLGRAM=00000111
とセットし、ステップ95dにて、ステップ95bにお
ける演算と同様の演算を行ない、この演算結果を記憶部
40aに記憶する。
On the other hand, if the determination in step 93 is rNOJ, the microcomputer 40 determines the second mileage data HMO and the third mileage data HMO in step 94.
It is determined whether the difference from MI is "l". If the determination in step 94 is rYEsJ,
The microcomputer 40, in step 95,
It is determined whether the first mileage data LM in the storage unit 40b of M is zero. If the determination in step 95 is rYEsJ, the microcomputer 40 sets the control flag FLGRAM=00000011 in step 95a, and in step 95b, the microcomputer 40 sets the second mileage data H in the storage section 40c
MO is multiplied by r256J, and the multiplication result is stored in the RAM storage unit 40a as total mileage data ODO. On the other hand, if the determination in step 94 is rNOJ, the microcomputer 40 determines that the control flag FLGRAM=00000111 in step 95C.
In step 95d, the same calculation as that in step 95b is performed, and the result of this calculation is stored in the storage section 40a.

また、上述のステップ94における判別が「NO」とな
る場合には、マイクロコンピュータ40が、ステップ9
6(第7図参照)にて、ステップ95における判別と同
様の判別を行なう。しかして、ステップ96における判
別がrYEsJとなる場合には、マイクロコンピュータ
40が、ステップ96aにて、コントロールフラグFL
GRAM=00000011とセントし、ステップ96
bにて、第2走行距離データHMOにr256Jを乗じ
、この乗算結果に第1走行距離データLMを加算し、こ
の加算結果を総走行距離データODOとしてRAMの記
憶部40aに記憶する。一方、ステップ96における判
別が「NO」である場合には、マイクロコンピュータ4
0が、ステップ97にて、記憶部40b内の第1走行距
離データLMが255(km)であるか否かにつき判別
する。
Further, if the determination in step 94 described above is "NO", the microcomputer 40
6 (see FIG. 7), the same determination as that in step 95 is made. Therefore, if the determination in step 96 is rYEsJ, the microcomputer 40 controls the control flag FL in step 96a.
Set GRAM=00000011 and step 96
At b, the second mileage data HMO is multiplied by r256J, the first mileage data LM is added to this multiplication result, and the addition result is stored in the RAM storage section 40a as the total mileage data ODO. On the other hand, if the determination in step 96 is "NO", the microcomputer 4
In step 97, it is determined whether the first mileage data LM in the storage section 40b is 255 (km).

ステップ97における判別がrYEsJになると、マイ
クロコンピュータ40がステップ97aにてコントロー
ルフラグFLGRAM=OO011111とセントし、
ステップ97bにて、記憶部40d内の第3走行距離デ
ータHMIに1(kffl)を加算し、この加算結果に
r256Jを乗じ、このこの乗算結果を総走行距離デー
タODOとして記憶部40aに記憶する。一方、ステッ
プ97における判別がrNOJになる場合には、マイク
ロコンピュータ40が、ステップ97cにて、コントロ
ールフラグFLGRAM=OOO00000とセットし
、かつステップ97dにて最大総走行距離OD Oma
xをODOとセットする。
When the determination in step 97 is rYEsJ, the microcomputer 40 sets the control flag FLGRAM=OO011111 in step 97a,
In step 97b, 1 (kffl) is added to the third mileage data HMI in the storage section 40d, this addition result is multiplied by r256J, and this multiplication result is stored in the storage section 40a as the total mileage data ODO. . On the other hand, if the determination in step 97 is rNOJ, the microcomputer 40 sets the control flag FLGRAM=OOO00000 in step 97c, and sets the maximum total mileage OD Oma in step 97d.
Set x to ODO.

然る後、上述と同様にタイマデータTMRAM=0にな
ったとき主制御プログラムがメモリコントロールルーテ
ィン110に進むと、マイクロコンピュータ40がステ
ップ111にてrYEsJと判別し、ステップ112に
て、ステップ114fにおけるEWFLG=1に基きr
YEsJと判別し、ステップ112aにて、不揮発性メ
モリ50内への書込み或いは消去に必要な書込消去信号
を発生し、ステップ112bにて、EWFLG=0とリ
セフトする。また、マイクロコンピュータ40からの書
込消去信号に応答して不揮発性メモリ50がその記憶内
容の消去を停止する。
Thereafter, when the main control program proceeds to the memory control routine 110 when the timer data TMRAM=0 as described above, the microcomputer 40 determines rYEsJ in step 111, and in step 112, the process in step 114f is performed. r based on EWFLG=1
It is determined as YESJ, and in step 112a, a write/erase signal necessary for writing or erasing in the nonvolatile memory 50 is generated, and in step 112b, EWFLG is reset to 0. Furthermore, in response to a write/erase signal from the microcomputer 40, the nonvolatile memory 50 stops erasing its stored contents.

現段階において、コントロールフラグFLGRAM=0
0001111 (第9図のステップ114d参照)で
ある場合には、マイクロコンピュータ40がステップ1
13にて「NO」と判別し、ステップ113aにて、上
述と同様に、不揮発性メモリ50の記憶内容をRAMに
記憶し、かつメモリコントロールルーティン110t−
ステップ113bを第2サブルーテインSR2に進める
。すると、マイクロコンピュータ40が、第2サブルー
テインSR2のステップ115にて、記憶部40d内の
第3走行距離データHMIにr25.6Jを乗じ、この
乗算結果に記憶部4Ob内の第1走行距離データLM及
び1  (ka+)を加算し、この加算結果を確認デー
タAとセットする。
At this stage, the control flag FLGRAM=0
0001111 (see step 114d in FIG. 9), the microcomputer 40 executes step 1.
In step 113a, the storage contents of the nonvolatile memory 50 are stored in the RAM, and the memory control routine 110t-
Step 113b is advanced to the second subroutine SR2. Then, in step 115 of the second subroutine SR2, the microcomputer 40 multiplies the third mileage data HMI in the storage section 40d by r25.6J, and uses this multiplication result as the first mileage data in the storage section 4Ob. LM and 1 (ka+) are added, and the addition result is set as confirmation data A.

このようにセットした確認データAが記憶部40a内の
総走行距離データODOを不一致である場合には、マイ
クロコンピュータ40がステップ115aにて「NO」
と判別し、ステップ115bにてエラーフラグERRF
LG=1とセントする。このことは、RAMの各記憶部
40a、40b、4Qcのいずれかに誤まりがあること
を意味する。一方、ステップ115aにおける判別が「
YESJとなる場合には、マイクロコンピュータ40が
、ステップ115Cにて、不揮発性メモリ50の補助記
憶部50b内への補助走行距離データSMOの開始に必
要な5M0N込開始信号を発生し、ステップ115dに
て、コントロールフラグFLGRAM=0000011
1とセットする。
If the confirmation data A set in this way does not match the total mileage data ODO in the storage unit 40a, the microcomputer 40 selects "NO" in step 115a.
It is determined that the error flag ERRF is set in step 115b.
LG=1 and cent. This means that there is an error in each of the RAM storage units 40a, 40b, and 4Qc. On the other hand, the determination in step 115a is "
If YESJ, the microcomputer 40 generates a 5M0N inclusive start signal necessary for starting the auxiliary mileage data SMO into the auxiliary storage section 50b of the nonvolatile memory 50 in step 115C, and proceeds to step 115d. , control flag FLGRAM=0000011
Set it to 1.

また、不揮発性メモリ50がマイクロコンピュータ40
からのSMO書込開始信号に応答して補助記憶部50b
内に記↑、9部40eの第2走行距離データHMOを補
助走行距離データSMOとして害込み始める。
In addition, the nonvolatile memory 50 is connected to the microcomputer 40.
The auxiliary storage unit 50b responds to the SMO write start signal from
↑, the second mileage data HMO in part 9 40e begins to be used as the auxiliary mileage data SMO.

上述のように第2サブルーテインSR2の実行をステッ
プ115b或いは115dにて終了すると、マイクロコ
ンピュータ40がメモリコントロールルーティン110
のステップ114eにてタイマデータTMRAM= 1
12  (ms)とセットし、ステップ114fにて消
去書込フラグEWFLG−1とセットする。第2サブル
ーテインSR2の実行が、上述のごとく、ステップ11
5bにて終了した場合には、マイクロコンピュータ4o
が主制御プログラムのステップ120にてrYEsjと
判別し、上述と同様に初期化ルーティン9oの実行を行
なう。
As described above, when the execution of the second subroutine SR2 ends in step 115b or 115d, the microcomputer 40 executes the memory control routine 110.
At step 114e, timer data TMRAM=1
12 (ms), and the erase/write flag EWFLG-1 is set in step 114f. The execution of the second subroutine SR2 is performed in step 11 as described above.
If it ends with 5b, the microcomputer 4o
is determined to be rYEsj at step 120 of the main control program, and the initialization routine 9o is executed in the same manner as described above.

また、上述と同様にタイマデータl” M RA M 
=0になったとき主制御プログラムがメモリコン[tl
ll−ルルーティン110に進むと、マイクロコンピュ
ータ40がステップ111にてrYEsJと判別し、ス
テップ112にて、ステップ114fにおけるEWFL
G=1に基きrYESJと判別し、ステップ112aに
て、不揮発性メモリ50内への書込み或いは消去に必要
な書込消去信号を発生し、ステップ112bにて、EW
FLG=0とリセフトする。また、マイクロコンピュー
タ40からの書込消去信号に応答して不揮発性メモリ5
0がその記憶内容の書込を停止する。
Also, as described above, the timer data l" M RAM
= 0, the main control program starts the memory controller [tl
When proceeding to the routine 110, the microcomputer 40 determines rYEsJ in step 111, and in step 112, the EWFL in step 114f is determined.
Based on G=1, rYESJ is determined, and in step 112a, a write/erase signal necessary for writing or erasing in the nonvolatile memory 50 is generated, and in step 112b, EW
Reset FLG to 0. Also, in response to a write/erase signal from the microcomputer 40, the nonvolatile memory 5
0 stops writing the memory contents.

現段階において、コントロールフラグFLGRAM=0
0000111  (第6図のステップ95C或いは第
10図のステップ115d参照)である場合には、マイ
クロコンピュータ40がステップ113にてrNOJと
判別し、ステップ113aにて、上述と同様に、不揮発
性メモリ50の記憶内容をRAMに記憶し、かつメモリ
コントロールルーティン110をステップ113bを介
し第3サブルーテインSR3に進める。すると、マイク
ロコンピュータ40が、ステップ116(ffi11図
参照)定参照記憶部40c内の第2走行距訓デークHM
 Oにr256Jを乗じ、この乗算結果が記憶部40a
内の総走行距離データ000と一致するか否かにつき判
別する。
At this stage, the control flag FLGRAM=0
0000111 (see step 95C in FIG. 6 or step 115d in FIG. 10), the microcomputer 40 determines rNOJ in step 113, and in step 113a, the nonvolatile memory 50 The memory contents are stored in the RAM, and the memory control routine 110 is advanced to the third subroutine SR3 via step 113b. Then, in step 116 (see figure ffi11), the microcomputer 40 stores the second mileage data HM in the constant reference storage section 40c.
O is multiplied by r256J, and this multiplication result is stored in the storage unit 40a.
It is determined whether or not the total mileage data matches the total mileage data 000 within.

ステップ116における判別がrYEsJになる場合に
は、マイクロコンピュータ4oが、ステップ116aに
て、記ia部40dの第3走行距離データ14M1に1
(km)を加W12、この加算結果が第2走行距離デー
タ)I M Oに一致するが否かについて月別する。し
かして、ステップ116或いは116aにてrNOJと
の判別がなされた場合には、マイクロコンピュータ4o
がステ、ブ116bにてエラーフラグE RRFL G
 = 1とセソ]・する。また、ステップ116aにお
ける判別が「YESJになる場合には、マイクロコンピ
ュータ40が、ステップ116cにて、不揮発性メモリ
50の主記憶部50aの主走行距離データMMの消去開
始に必要なMM消去開始信号を発生し、かつステップ1
16dにて、コントロールフラグFLGRAM=000
00011とセントする。また、マイクロコンピュータ
4oがらのMM消去開始信号に応答して不揮発性メモリ
50が主記憶部50aの記憶内容を消去し始める。
If the determination in step 116 is rYEsJ, the microcomputer 4o sets 1 to the third mileage data 14M1 of the recording section 40d in step 116a.
(km) is added W12, and whether or not this addition result matches the second mileage data (IMO) is determined on a monthly basis. However, if it is determined in step 116 or 116a that it is rNOJ, the microcomputer 4o
Error flag E RRFL G at step 116b
= 1 and Seso]・Do. If the determination in step 116a is YES, the microcomputer 40 sends an MM erasure start signal necessary to start erasing the main mileage data MM in the main storage section 50a of the nonvolatile memory 50 in step 116c. and step 1
At 16d, control flag FLGRAM=000
Cent 00011. Furthermore, in response to the MM erase start signal from the microcomputer 4o, the nonvolatile memory 50 starts erasing the stored contents of the main memory section 50a.

上述のように第3サブルーテインSR3の実行をステッ
プ116b或いは116dにて終了すると、マイクロコ
ンピュータ40がメモリコントロールルーティン110
のステップ114eにてタイマデータTMRAIvl=
 112 (ms)とセントし、ステ・ノブ114fに
て消去書込フラグIF、WFLG=1とセットする。第
3サブルーテインSR3の実行が、上述のごとく、ステ
ップl 16bにて終了した場合には、マイクロコンピ
ュータ40が主制御プログラムのステップ120にてr
YEsJと判別し、上述と同様に初期化ルーティン90
の実行を行なう。
As described above, when the execution of the third subroutine SR3 ends in step 116b or 116d, the microcomputer 40 executes the memory control routine 110.
At step 114e, the timer data TMRAIvl=
112 (ms), and set the erase/write flags IF and WFLG to 1 using the steering knob 114f. When the execution of the third subroutine SR3 ends in step l16b as described above, the microcomputer 40 executes r in step l120 of the main control program.
YESJ and executes the initialization routine 90 as described above.
Execute the following.

また、上述と同様にタイマデータTMRAM=0になっ
たとき主制御プログラムがメモリコントロールルーティ
ン110に進むと、マイクロコンピュータ40がステッ
プ111にてrYESJと判別し、ステップ112にて
、ステップ114fにおけるEWFLC=1に基きrY
EsJと判別し、ステップ112aにて、不揮発性メモ
リ50内への書込み或いは消去に必要な書込消去信号を
発生し、ステップ112bにて、EWFLG=0とリセ
ットする。また、マイクロコンピュータ40からの書込
消去信号に応答して不揮発性メモリ50がその記憶内容
の書込を停止する。
Similarly to the above, when the main control program proceeds to the memory control routine 110 when the timer data TMRAM=0, the microcomputer 40 determines rYESJ in step 111, and in step 112, EWFLC=0 in step 114f. rY based on 1
EsJ is determined, and in step 112a, a write/erase signal necessary for writing or erasing in the nonvolatile memory 50 is generated, and in step 112b, EWFLG is reset to 0. Furthermore, in response to a write/erase signal from the microcomputer 40, the nonvolatile memory 50 stops writing its stored contents.

現段階において、コントロールフラグFLGRAM=O
OOOOO11(第6図のステップ95a或いは第7図
のステップ96a或いは第11図のステップ116d参
照)である場合には、マイクロコンピュータ40がステ
ップ113にて「NO」と判別し、ステップ113aに
て、上述と同様に、不揮発性メモリ50の記憶内容をR
AMに記憶り、、かつメモリコントロールルーティン1
1Oをステップ113bを介し第4サブルーテインSR
4(第8図及び第12図参照)に進める。すると、マイ
クロコンピュータ40が、第4サブルーテインSR4の
ステップ117にて、記憶部40c内の第2走行距離デ
ータHMOにr256Jを乗じ、この乗算結果に記憶部
40b内の第1走行距離データLMを加算し、この加算
結果を確認データAとセントする。
At this stage, the control flag FLGRAM=O
OOOOO11 (see step 95a in FIG. 6, step 96a in FIG. 7, or step 116d in FIG. 11), the microcomputer 40 determines "NO" in step 113, and in step 113a, Similarly to the above, the storage contents of the nonvolatile memory 50 are
Memory in AM and memory control routine 1
1O to the fourth subroutine SR via step 113b.
Proceed to step 4 (see Figures 8 and 12). Then, in step 117 of the fourth subroutine SR4, the microcomputer 40 multiplies the second mileage data HMO in the storage section 40c by r256J, and adds the first mileage data LM in the storage section 40b to this multiplication result. The result of this addition is designated as confirmation data A.

このようにセットした確認データAが記憶部40a内の
総走行距離データODOと不一致である場合には、マイ
クロコンピュータ40がステップ117aにてrNOJ
と判別し、ステップ117bにてエラーフラグERRF
LG=1とセットする。一方、ステップ117aにおけ
る判別が[YESJとなる場合には、マイクロコンビエ
ータ40が、ステップ117Cにて、不揮発性メモリ5
0の補助記1.a部50C内への補助走行距離データS
MIの消去開始に必要なSMI消去開始信号に応答して
不揮発性メモリ50が補助記憶部50cの記憶データS
MIを消去し始める。
If the confirmation data A set in this way does not match the total mileage data ODO in the storage section 40a, the microcomputer 40 selects rNOJ in step 117a.
It is determined that the error flag ERRF is set in step 117b.
Set LG=1. On the other hand, if the determination in step 117a is YESJ, the micro combinator 40, in step 117C,
0 supplementary note 1. Auxiliary mileage data S into part a 50C
In response to the SMI erase start signal necessary to start erasing the MI, the nonvolatile memory 50 erases the stored data S in the auxiliary storage section 50c.
Start erasing MI.

上述のように第4サブルーテインSR4の実行をステッ
プ117b或いは117dにて終了すると、マイクロコ
ンピュータ40がメモリコントロールルーティン110
のステップ114eにてタイマデータTMRAM= 1
12 (ms)とセントし、ステップ114fにて消去
書込フラグEWFLG=1とセットする。第4サブルー
テインSR4の実行が、上述のごとく、ステップ117
bにて終了した場合には、マイクロコンピュータ40が
主制御プログラムのステップ120にてrYESJと判
別し、上述と同様に初期化ルーティン90の実行を行な
う。
As described above, when the execution of the fourth subroutine SR4 ends in step 117b or 117d, the microcomputer 40 executes the memory control routine 110.
At step 114e, timer data TMRAM=1
12 (ms), and the erase/write flag EWFLG is set to 1 in step 114f. Execution of the fourth subroutine SR4 is performed in step 117 as described above.
If the process ends in step b, the microcomputer 40 determines rYESJ in step 120 of the main control program, and executes the initialization routine 90 in the same manner as described above.

また、上述と同様にタイマデータTMRAM=Oになっ
たとき主制御プログラムがメモリコントロールルーティ
ン110に進むと、マイクロコンピュータ40がステッ
プ111にてrYEsJと判別し、ステップ112にて
、ステップ114fにおけるEWFLG=1に基きrY
ESJと判別し、ステップ112aにて、不揮発性メモ
リ50内への書込み或いは消去に必要な書込消去信号を
発生し、ステップ112bにて、EWFLG−0とリセ
ットする。また、マイクロコンピュータ40からの書込
消去信号に応答して不揮発性メモリ50がその記憶内容
の消去を停止する。
Similarly to the above, when the main control program proceeds to the memory control routine 110 when the timer data TMRAM=O, the microcomputer 40 determines in step 111 that rYEsJ, and in step 112, EWFLG in step 114f= rY based on 1
ESJ is determined, and in step 112a, a write/erase signal necessary for writing or erasing in the nonvolatile memory 50 is generated, and in step 112b, it is reset to EWFLG-0. Furthermore, in response to a write/erase signal from the microcomputer 40, the nonvolatile memory 50 stops erasing its stored contents.

現段階において、コントロールフラグFLGRAM=0
0000001  (第12図のステンブ117d参照
)である場合には、マイクロコンピュータ40がステッ
プ113にて「NO」と判別し、ステップ113aにて
、上述と同様に、不揮発性メモリ50の記憶内容をRA
Mに記憶し、かつメモリコントロールルーティン110
をステップ113bを介し第5サブルーテインSR5(
第8図及び第13図参照)に進める。すると、マイクロ
コンピュータ40が、第5サブルーテインSR5のステ
ップ118にて、記憶部40c内の第2走行距離データ
HMOにr256Jを乗じ、この乗算結果に記憶部40
b内の第1走行距離データLMを加算し、この加算結果
を確認データAとセットする。
At this stage, the control flag FLGRAM=0
0000001 (see step 117d in FIG. 12), the microcomputer 40 determines "NO" in step 113, and in step 113a, similarly to the above, the storage contents of the nonvolatile memory 50 are RA
Memory control routine 110
through step 113b and the fifth subroutine SR5 (
(See Figures 8 and 13). Then, in step 118 of the fifth subroutine SR5, the microcomputer 40 multiplies the second mileage data HMO in the storage unit 40c by r256J, and stores this multiplication result in the storage unit 40.
The first mileage data LM in b is added, and the addition result is set as confirmation data A.

このようにセットした確認データAが記憶部40a内の
総走行距離データODOと不一致である場合には、マイ
クロコンピュータ40がステップ118aにてrNOJ
と判別し、ステップ118bにてエラーフラグERRF
LG=1とセットする。一方、ステップ118aにおけ
る判別が「YESJとなる場合には、マイクロコンピュ
ータ4Oが、ステップ118Cにて、不揮発性メモリ5
0の補助記憶部50c内への補助走行距離データSMI
の書込開始に必要なSMl書込開始信号を発生し、ステ
ップ118dにてF L G RA M = 0とセン
トする。また、不揮発性メモリ50がSMl害込開始信
号に応答して補助記憶部50c内に記憶部40d内の第
3走行距離データHMIを?ili助走行距離データS
MIとして書込み始める。
If the confirmation data A set in this way does not match the total mileage data ODO in the storage section 40a, the microcomputer 40 sets rNOJ in step 118a.
It is determined that the error flag ERRF is set in step 118b.
Set LG=1. On the other hand, if the determination in step 118a is "YESJ", the microcomputer 4O, in step 118C,
0 auxiliary mileage data SMI into the auxiliary storage unit 50c
A write start signal necessary for starting writing is generated, and F L G RAM = 0 is set in step 118d. In addition, the non-volatile memory 50 stores the third mileage data HMI in the storage section 40d in the auxiliary storage section 50c in response to the SMI damage start signal. ili supplementary mileage data S
Start writing as MI.

上述のように第5サブルーテインSR5の実行をステッ
プ118b或いは118dにて終了すると、マイクロコ
ンピュータ40がメモリコントロールルーティン110
のステップ114eにてタイマデータTMRAM= 1
12  (ms)とセ・7トし、ステップ114fにて
消去書込フラグEWFLG−1とセントする。第5サブ
ルーテインSR5の実行が、上述のごとく、ステップ1
18bにて終了した場合には、マイクロコンピュータ4
0が主制御プログラムのステップ120にてrYEsj
と判別し、上述と同様に初期化ルーティン90の実行を
行なう。
As described above, when the execution of the fifth subroutine SR5 ends in step 118b or 118d, the microcomputer 40 executes the memory control routine 110.
At step 114e, timer data TMRAM=1
12 (ms), and in step 114f, the erase/write flag EWFLG-1 is set. The execution of the fifth subroutine SR5 is performed in step 1 as described above.
If it ends at 18b, the microcomputer 4
0 is rYEsj at step 120 of the main control program.
Then, the initialization routine 90 is executed in the same manner as described above.

また、上述と同様にタイマデータTMRAM−〇になっ
たとき主制御プログラムがメモリコントロールルーティ
ン110に進むと、マイクロコンピュータ40がステッ
プ111にてrYEsJと判別し、ステップ112にて
、ステップ114fにおけるEWFLG=1に基きrY
EsJと判別し、ステップ112aにて、不揮発性メモ
リ50内への書込み或いは消去に必要な書込消去信号を
発生し、ステップ112bにて、EWFLG=0とリセ
ットする。また、マイクロコンピュータ40からの書込
消去信号に応答して不揮発性メモリ50がその記憶内容
の書込を停止する。
Similarly to the above, when the main control program proceeds to the memory control routine 110 when the timer data TMRAM-〇 is reached, the microcomputer 40 determines in step 111 that rYEsJ, and in step 112, the EWFLG in step 114f= rY based on 1
EsJ is determined, and in step 112a, a write/erase signal necessary for writing or erasing in the nonvolatile memory 50 is generated, and in step 112b, EWFLG is reset to 0. Furthermore, in response to a write/erase signal from the microcomputer 40, the nonvolatile memory 50 stops writing its stored contents.

現段階において、コントロールフラグF L G RA
M=00000000 (第7図のステップ97C或い
は第13図のステップ118d参照)である場合には、
マイクロコンピュータ40がステップ113にてrNO
Jと判別し、ステップ113aにて、上述と同様に、不
揮発性メモIJ 50の記憶内容をRAMに記憶し、か
つメモリコントロールルーティン110をステップ11
3bを介し第6サブルーテインSR6(第8図及び第1
4図参照)に進める。すると、マイクロコンピュータ4
0が、第6サブルーテインSR6のステップ119にて
、記憶部40d内の第3走行距離データL(Mlにr2
56Jを乗じ、この乗算結果に記憶部40b内の第1走
行距離データLM及び1  (km)を加算し、この加
算結果を確認データAとセットする。
At this stage, the control flag F L G RA
If M=00000000 (see step 97C in FIG. 7 or step 118d in FIG. 13),
The microcomputer 40 issues rNO in step 113.
In step 113a, the memory contents of the non-volatile memo IJ 50 are stored in the RAM, and the memory control routine 110 is executed in step 11.
3b to the sixth subroutine SR6 (FIGS. 8 and 1)
(See Figure 4). Then, microcomputer 4
In step 119 of the sixth subroutine SR6, the third mileage data L (Ml is set to r2 in the storage section 40d)
56J, the first mileage data LM and 1 (km) in the storage section 40b are added to this multiplication result, and this addition result is set as confirmation data A.

このようにセットした確認データAが記憶部40a内の
総走行距離データODOと不一致である場合には、マイ
クロコンピュータ40がステップ119aにてrNOJ
 ”判別し、ステップ119bにてエラーフラグE)ン
RFLG=1とセソ1−する。一方、ステップ119a
にて判別がrYESJの場合には、マイクロコンピュー
タ40が、ステップIL9cにて、不揮発性メモリ50
の主記憶部50a内への書込開始に必要なM Mi込開
始信号を発生し、ステップ119dにてFLGRAM=
ooooooooとセットする。また、マイクロコンピ
ュータ40からのMM書込開始信号に応答して不揮発性
メモリ50が記憶部40b内の第1走行距離データLM
を主記憶部50aに主走行距離データMMとして書込み
始める。然る後、上述と同様にステップ112にてrY
EsJと判別したとき、マイクロコンピュータ40が次
のステップ112aにて書込消去終了信号を発生し、こ
れに応答して不揮発性メモリ50が主記憶部50aへの
書込を終了する。
If the confirmation data A set in this way does not match the total mileage data ODO in the storage section 40a, the microcomputer 40 sets rNOJ in step 119a.
”, and in step 119b, the error flag E) is set to RFLG=1. On the other hand, in step 119a
If the determination is rYESJ at step IL9c, the microcomputer 40 stores the nonvolatile memory 50 at step IL9c.
An MMi write start signal necessary to start writing into the main memory 50a is generated, and in step 119d FLGRAM=
Set it to oooooooooo. In addition, in response to the MM write start signal from the microcomputer 40, the nonvolatile memory 50 stores the first mileage data LM in the storage section 40b.
begins to be written into the main storage section 50a as main mileage data MM. After that, in step 112, rY
When EsJ is determined, the microcomputer 40 generates a write/erase end signal in the next step 112a, and in response to this, the nonvolatile memory 50 ends writing to the main storage section 50a.

以上説明したように、メモリコントロールルーティン1
10及び初期化ルーティン90の演算過程において、O
DOとAとの比較、HM OとHMlとの比較のもとに
、コントロールフラグFLGRAMがLMに応じて制御
され、このように制御されるコントロールフラグFLG
RAMに基き不揮発性メモリ50の主記憶部50a、両
補助記1.α部5Qb、socの各記憶内容の誤りを常
にほぼ正しく修正できるので、ディジクル表示器70の
表示内容を常に精度よく維持し得る。
As explained above, memory control routine 1
10 and the initialization routine 90, O
Based on the comparison between DO and A and the comparison between HMO and HMl, the control flag FLGRAM is controlled according to LM, and the control flag FLG that is controlled in this way is
The main memory section 50a of the non-volatile memory 50 based on RAM, both auxiliary memory 1. Since errors in the stored contents of the α sections 5Qb and soc can always be corrected almost correctly, the displayed contents of the digital display 70 can always be maintained with high precision.

然る後、イグニノションスインチIGを開成すれば、マ
イクロコンピュータ40がステップ13o ニーc r
y E S J ト:FI別し、ステップ14(H,1
m7FLGRΔM=Oに基きrYEsJと判別し、ステ
ップ150にて、書込消去終了信号のもとに[YESj
と判別し、ステップ160にて自己保持信号の消滅によ
り両l・ランジスタ33.34を非導通にする。このと
き、不揮発性メモリ50は両トランジスタ33.34の
非導通になる直前の記↑、α内容を保持している。
After that, when the ignition switch IG is opened, the microcomputer 40 performs step 13o knee cr.
y E S J To: By FI, step 14 (H, 1
Based on m7FLGRΔM=O, it is determined that rYESJ, and in step 150, [YESj
Then, in step 160, the self-holding signal disappears, causing both l-transistors 33 and 34 to become non-conductive. At this time, the nonvolatile memory 50 retains the contents of ↑ and α immediately before both transistors 33 and 34 become non-conductive.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of drawings]

第1図は特許請求の範囲に記載の発明の構成に対する対
応図、第2図は本発明の一実施例を示すブロック図、第
3図は第2図のマイクロコンピュータのRAMの記憶領
域を示す図、第4図は第2図の不揮発性メモリの記憶領
域を示す図、及び第5図〜第16図は第2図のマイクロ
コンピュータの作用を示すフローチャートである。 符号の説明 10・・・車速センサ、40・・・マイクロコンピュー
タ、40a〜40d・・・RAMの記憶部、50・・・
不揮発性メモリ、50a・・・主犯t、α部、50b、
50c・・・補助記憶部。
FIG. 1 is a diagram corresponding to the structure of the invention described in the claims, FIG. 2 is a block diagram showing an embodiment of the invention, and FIG. 3 is a storage area of the RAM of the microcomputer shown in FIG. 2. 4 is a diagram showing the storage area of the nonvolatile memory shown in FIG. 2, and FIGS. 5 to 16 are flowcharts showing the operation of the microcomputer shown in FIG. 2. Explanation of symbols 10...Vehicle speed sensor, 40...Microcomputer, 40a to 40d...RAM storage section, 50...
Non-volatile memory, 50a...main culprit t, α part, 50b,
50c... Auxiliary storage unit.

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] 車両の車速を検出しこの検出結果に比例した周波数を有
する一連のパルス信号を発生する車速検出手段と、前記
各パルス信号に順次応答して車両の現実の走行距離を繰
返し演算する距離演算手段と、前記演算走行距離が所定
単位距離値未満のときこれを繰返し記憶する第1記憶領
域、前記演算走行距離が前記所定単位距離値の整数倍に
なる毎にこれを記憶する第2及び第3の記憶領域並びに
前記演算走行距離の総和を記憶する第4記憶領域を有す
る一時的記憶手段と、前記第1、第2及び第3の記憶領
域の各記憶データをそれぞれ記憶する第1、第2及び第
3の記憶部を有する不揮発性記憶手段と、前記第1記憶
部の記憶データと前記第2及び第3の記憶部の一方の記
憶データとの和が前記第4記憶領域の記憶データと異な
るとき前記第2及び第3の記憶部の各記憶データの差が
前記所定単位距離値に一致すれば一致信号を発生し一致
しなければ不一致信号を発生する判別手段と、前記一致
信号に応答して前記第1記憶領域の記憶データが零のと
き前記第2及び第3の記憶部の一方の記憶データを消去
して正しく書込むに必要な消去書込信号を発生する第1
消去書込手段と、前記不一致信号に応答して前記第1記
憶領域の記憶データが零又は前記所定単位距離値未満の
最大値のとき前記第2及び第3の記憶部の他方の記憶デ
ータを消去して正しく書込むに必要な消去書込信号を発
生する第2消去書込手段とを備えて、前記不揮発性記憶
手段が、前記第1消去書込手段からの消去書込信号に基
き前記第2及び第3の記憶部の一方の記憶データを消去
して同一方の記憶部に前記第2及び第3の記憶領域の一
方の記憶データを書込み、前記第2消去書込手段からの
消去書込信号に基き前記第2及び第3の記憶部の他方の
記憶データを消去して同他方の記憶部に前記第2及び第
3の記憶領域の一方の記憶データを書込むようにしたこ
とを特徴とする車両用走行距離計。
a vehicle speed detection means for detecting the vehicle speed of the vehicle and generating a series of pulse signals having a frequency proportional to the detection result; and a distance calculation means for repeatedly calculating the actual traveling distance of the vehicle in response to each of the pulse signals sequentially. , a first storage area that repeatedly stores the calculated mileage when it is less than a predetermined unit distance value, and second and third storage areas that store this each time the calculated mileage becomes an integral multiple of the predetermined unit distance value. temporary storage means having a storage area and a fourth storage area for storing the total sum of the calculated mileage; and first, second and third storage areas for storing each storage data in the first, second and third storage areas, respectively. non-volatile storage means having a third storage area, the sum of the storage data of the first storage area and the storage data of one of the second and third storage areas being different from the storage data of the fourth storage area; and determining means for generating a match signal if the difference between the stored data in the second and third storage units matches the predetermined unit distance value, and generating a mismatch signal if they do not match; a first storage area that generates an erase/write signal necessary for erasing and correctly writing data stored in one of the second and third storage areas when the data stored in the first storage area is zero;
erasing/writing means; in response to the mismatch signal, when the stored data in the first storage area is zero or a maximum value less than the predetermined unit distance value, the stored data in the other of the second and third storage units is deleted; a second erasing/writing means that generates an erasing/writing signal necessary for erasing and writing correctly; Erasing data stored in one of the second and third storage sections, writing data stored in one of the second and third storage areas in the same storage section, and erasing data from the second erasing/writing means The data stored in one of the second and third storage areas is erased based on a write signal, and the data stored in one of the second and third storage areas is written in the other storage area. A vehicle odometer featuring:
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