JPS626337B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPS626337B2 JPS626337B2 JP13646981A JP13646981A JPS626337B2 JP S626337 B2 JPS626337 B2 JP S626337B2 JP 13646981 A JP13646981 A JP 13646981A JP 13646981 A JP13646981 A JP 13646981A JP S626337 B2 JPS626337 B2 JP S626337B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- melt
- holding device
- growth
- substrate holding
- substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B19/00—Liquid-phase epitaxial-layer growth
- C30B19/06—Reaction chambers; Boats for supporting the melt; Substrate holders
- C30B19/063—Sliding boat system
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Liquid Deposition Of Substances Of Which Semiconductor Devices Are Composed (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は液相エピタキシヤル成長装置に関する
ものである。
ものである。
発光ダイオード、太陽電池等の−族化合物
半導体を用いた半導体装置に於て、液相エピタキ
シヤル成長は重要な技術である。
半導体を用いた半導体装置に於て、液相エピタキ
シヤル成長は重要な技術である。
しかし、−族化合物半導体を用いた半導体
装置は、優れた特性を持ちながらもまだ十分に普
及していない。
装置は、優れた特性を持ちながらもまだ十分に普
及していない。
これは材料価格が高いこともさることながら、
液相エピタキシヤル成長の量産性が低いことに起
因した製造コストの上昇も大きな要因であつた。
液相エピタキシヤル成長の量産性が低いことに起
因した製造コストの上昇も大きな要因であつた。
第１図及び第２図に従来の液相エピタキシヤル
成長用ボートを示す。このボートは上段、下段の
室に分かれており、Ｌ字形のスライダ２３を操作
して、下段の室３０に収納された飽和Ga融液２
４を基板保持装置２５の側面にあけた穴２９から
上段の室を構成する基板保持装置２５内に入れる
とともに、基板保持装置２５の底部にあけた穴２
８をＬ字形のスライダ２３で塞ぐ様にして液相エ
ピタキシヤル成長を行なつてきた。成長終了後
は、再びＬ字形のスライダ２３を移動させて基板
保持装置２５の底部の穴２８をあけ、飽和Ga融
液２４を下段の室３０に収納する。なお２１はボ
ート本体、２６は成長基板、２７は成長基板２６
を固定するための板である。
成長用ボートを示す。このボートは上段、下段の
室に分かれており、Ｌ字形のスライダ２３を操作
して、下段の室３０に収納された飽和Ga融液２
４を基板保持装置２５の側面にあけた穴２９から
上段の室を構成する基板保持装置２５内に入れる
とともに、基板保持装置２５の底部にあけた穴２
８をＬ字形のスライダ２３で塞ぐ様にして液相エ
ピタキシヤル成長を行なつてきた。成長終了後
は、再びＬ字形のスライダ２３を移動させて基板
保持装置２５の底部の穴２８をあけ、飽和Ga融
液２４を下段の室３０に収納する。なお２１はボ
ート本体、２６は成長基板、２７は成長基板２６
を固定するための板である。
この様なボートは、液相エピタキシヤル成長の
量産性が向上し、ボートの操作も安定して行なえ
る利点がある反面、下段の飽和Ga融液２４を収
納する室３０の体積、必要とする飽和Ga融液２
４の量、及び基板保持装置２５の底部にあける穴
８を正確にする必要がある。
量産性が向上し、ボートの操作も安定して行なえ
る利点がある反面、下段の飽和Ga融液２４を収
納する室３０の体積、必要とする飽和Ga融液２
４の量、及び基板保持装置２５の底部にあける穴
８を正確にする必要がある。
又、Ｌ字形のスライダ２３で基板保持装置２５
の底部の穴２８が完全に塞がれるまで飽和Ga融
液２４が巡回し、汚ない酸化物、その他が基板２
６の表面に付着する心配があつた。
の底部の穴２８が完全に塞がれるまで飽和Ga融
液２４が巡回し、汚ない酸化物、その他が基板２
６の表面に付着する心配があつた。
本発明はこのような点に鑑みてなされたもの
で、成長融液の量、成長融液を収納する室の体
積、基板保持装置の底部にあける穴の大きさを特
別考慮する必要がなく、成長融液も巡回しない様
にした液相成長装置を提供するものである。
で、成長融液の量、成長融液を収納する室の体
積、基板保持装置の底部にあける穴の大きさを特
別考慮する必要がなく、成長融液も巡回しない様
にした液相成長装置を提供するものである。
以下、本発明の一実施例について、第３図及び
第４図を用いて詳細に説明する。
第４図を用いて詳細に説明する。
第３図及び第４図に於て、２１は液相エピタキ
シヤル成長用のボート本体である。２５は基板２
６を保持する装置で、ボート本体２１にはめ込み
式で支えられ、この保持装置２５の底部の穴２８
は、一端に上下移動が可能なピン３１を有する左
右移動可能な板３２で塞がれている。又、基板２
６は、保持装置２５内で動かない様に板２７で固
定されている。
シヤル成長用のボート本体である。２５は基板２
６を保持する装置で、ボート本体２１にはめ込み
式で支えられ、この保持装置２５の底部の穴２８
は、一端に上下移動が可能なピン３１を有する左
右移動可能な板３２で塞がれている。又、基板２
６は、保持装置２５内で動かない様に板２７で固
定されている。
飽和Ga融液２４を収納する室３０内には、飽
和Ga融液２４を移動させる為のＬ字形で一部に
ピン３１が入るだけの穴３３のあいたスライダ２
３がある。
和Ga融液２４を移動させる為のＬ字形で一部に
ピン３１が入るだけの穴３３のあいたスライダ２
３がある。
上記の実施例のボートを用いたGaAs太陽電池
用の液相エピタキシヤル成長について述べる。
Gaメルト、GaAs、Al、Znから成る飽和Ga融液
２４を収納する室３０にＬ字形のスライダ２３及
び飽和Ga融液２４を収納し、ボート本体２１に
設置する。
用の液相エピタキシヤル成長について述べる。
Gaメルト、GaAs、Al、Znから成る飽和Ga融液
２４を収納する室３０にＬ字形のスライダ２３及
び飽和Ga融液２４を収納し、ボート本体２１に
設置する。
室３０に収納する飽和Ga融液２４の量は、基
板保持装置２５の体積プラスアルフアの量が必要
である。保持装置２５の底部の穴２８を左右移動
可能な板３２で塞いだ後、基板２６を基板保持装
置２５に設置し、板２７で基板２６が動かない様
に固定してから基板保持装置２５をボート本体２
１に設置する。
板保持装置２５の体積プラスアルフアの量が必要
である。保持装置２５の底部の穴２８を左右移動
可能な板３２で塞いだ後、基板２６を基板保持装
置２５に設置し、板２７で基板２６が動かない様
に固定してから基板保持装置２５をボート本体２
１に設置する。
エピタキシヤル成長を行なう為、前述した準備
の終えたボート本体２１を成長炉に入れる。ボー
トが所定の温度で平衡に達すると、第３図に於い
て、Ｌ字形のスライダ２３を左方にスライドさせ
る。このスライダ２３の移動によつて、保持装置
２５の側面の穴２９からきれいな溶液が保持装置
２５の中に入り込み汚ない溶液は室３０の中に留
まる。
の終えたボート本体２１を成長炉に入れる。ボー
トが所定の温度で平衡に達すると、第３図に於い
て、Ｌ字形のスライダ２３を左方にスライドさせ
る。このスライダ２３の移動によつて、保持装置
２５の側面の穴２９からきれいな溶液が保持装置
２５の中に入り込み汚ない溶液は室３０の中に留
まる。
これと同時に、左右に移動可能な板３２の有す
るピン３１がＬ字形の穴３３に入り込み、板３２
がスライダ２３に連結される。
るピン３１がＬ字形の穴３３に入り込み、板３２
がスライダ２３に連結される。
この様な状態で成長炉を徐冷し、エピタキシヤ
ル成長を行なう。
ル成長を行なう。
エピタキシヤル成長を行なつている間この様な
状態である為、融液の組成比がかわることはな
い。
状態である為、融液の組成比がかわることはな
い。
所定の温度まで下がると、Ｌ字形のスライダ２
３を第３図において右方にスライドさせる。
３を第３図において右方にスライドさせる。
保持装置２５の底部の穴２８を塞いでいた板３
２は、ピン３１でＬ字形のスライダ２３と連結さ
れている為同じ方向に移動し、保持装置２５内の
飽和Ga融液２４は室３０内に収納される。
２は、ピン３１でＬ字形のスライダ２３と連結さ
れている為同じ方向に移動し、保持装置２５内の
飽和Ga融液２４は室３０内に収納される。
この様に、保持装置２５の中はきれいな飽和
Ga融液２４だけの為、光沢の良い面状態のエピ
タキシヤルウエハが得られる。
Ga融液２４だけの為、光沢の良い面状態のエピ
タキシヤルウエハが得られる。
又、この様な構造のボートは融液がボートの下
部にある為、ボートの安定が良い。又、上下２段
で基板を垂直に立ててボートに設置する為、大き
い基板を使用することができる。
部にある為、ボートの安定が良い。又、上下２段
で基板を垂直に立ててボートに設置する為、大き
い基板を使用することができる。
基板は背中合せにした状態で保持すると、片面
だけの成長となり、成長枚数が増加する。
だけの成長となり、成長枚数が増加する。
上記の実施例はGaAlAsの液相エピタキシヤル
成長について説明したが、融液及び基板材料をか
えることにより、他の−族化合物半導体のエ
ピタキシヤル成長が可能である。
成長について説明したが、融液及び基板材料をか
えることにより、他の−族化合物半導体のエ
ピタキシヤル成長が可能である。
第１図は従来の液相エピタキシヤル成長用ボー
トの一例を示す縦断面図、第２図は第１図の−
線における横断面図、第３図はこの発明の一実
施例を示す縦断面図、第４図は第３図の−線
における横断面図である。 図において、２３はスライダ、２４はエピタキ
シヤル成長融液、２５は基板保持装置、２６は成
長基板、２８は融液排出口、２９は融液導入口、
３０は融液収容室、３１はピン、３２は仕切板、
３３はピン係合穴である。なお、図中同一符号は
それぞれ同一または相当部分を示す。
トの一例を示す縦断面図、第２図は第１図の−
線における横断面図、第３図はこの発明の一実
施例を示す縦断面図、第４図は第３図の−線
における横断面図である。 図において、２３はスライダ、２４はエピタキ
シヤル成長融液、２５は基板保持装置、２６は成
長基板、２８は融液排出口、２９は融液導入口、
３０は融液収容室、３１はピン、３２は仕切板、
３３はピン係合穴である。なお、図中同一符号は
それぞれ同一または相当部分を示す。
Claims (1)
- １ エピタキシヤル成長融液が収容される融液収
容室、底面に融液排出口を有するとともに側面に
融液導入口を有して上記融液収容室の上方に配置
され、成長基板が収容される基板保持装置、上記
融液収容室内を移動可能に設けられ、一方向に移
動したとき上記基板保持装置内に上記融液導入口
から上記融液が流入される如く作用するスライ
ダ、上記基板保持装置の底部に移動可能に設けら
れ、上記一方向に移動したとき上記融液排出口を
閉じて上記基板保持装置に流入した融液が保持さ
れる如く作用するとともに、上記スライダが他方
向に移動したとき上記スライダとともに上記他方
向に移動して上記融液排出口を開き、上記基板保
持装置内に流入した融液が上記融液収容室に排出
されるが如く作用する仕切板を備えた液相成長装
置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13646981A JPS5837920A (ja) | 1981-08-28 | 1981-08-28 | 液相成長装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13646981A JPS5837920A (ja) | 1981-08-28 | 1981-08-28 | 液相成長装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5837920A JPS5837920A (ja) | 1983-03-05 |
| JPS626337B2 true JPS626337B2 (ja) | 1987-02-10 |
Family
ID=15175840
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13646981A Granted JPS5837920A (ja) | 1981-08-28 | 1981-08-28 | 液相成長装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5837920A (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4920927A (en) * | 1987-12-07 | 1990-05-01 | Honda Giken Kogyo Kabushiki Kaisha | Cooling structure for liquid-cooled engine |
| US4984539A (en) * | 1989-05-15 | 1991-01-15 | Honda Giken Kogyo Kabushiki Kaisha | Liquid cooled internal combustion engine |
| AT513053B1 (de) | 2012-06-26 | 2014-03-15 | Avl List Gmbh | Brennkraftmaschine, insbesondere Großdieselmotor |
-
1981
- 1981-08-28 JP JP13646981A patent/JPS5837920A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5837920A (ja) | 1983-03-05 |
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