JPS6254806A - Read circuit for magnetic storage device - Google Patents

Read circuit for magnetic storage device

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JPS6254806A
JPS6254806A JP19452985A JP19452985A JPS6254806A JP S6254806 A JPS6254806 A JP S6254806A JP 19452985 A JP19452985 A JP 19452985A JP 19452985 A JP19452985 A JP 19452985A JP S6254806 A JPS6254806 A JP S6254806A
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JP
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circuit
delay line
output signal
output
signal
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JP19452985A
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Japanese (ja)
Inventor
Masahiro Shimauji
島氏 正博
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NEC Corp
Original Assignee
NEC Corp
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Abstract

PURPOSE:To improve the phase detection margin of a read means by providing a variable resistor between an output of a delay line and a common potential so as to prevent an undershoot from being caused at the trailing edge of the waveform after equalization. CONSTITUTION:A variable resistor circuit 11 changing a resistance between an output terminal of the delay line 4 and ground is added. The variable resistor circuit 11 is provided with resistors 12, 13, 14 and analog switches 15, 16 and 17. Resistor setting signals 20 being three output signals of a storage circuit 19 are fed respectively to on/off control input terminals of the analog switches 15, 16 and 17 and address signals 18 selecting a magnetic head of a magnetic disc device are inputted to 4 input terminals of the storage circuit 19.

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、磁気ディスク装置および磁気テープ装置など
の磁気記憶装置の読出回路に関する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Field of Industrial Application] The present invention relates to a read circuit for a magnetic storage device such as a magnetic disk device and a magnetic tape device.

ここで余弦等化器とは、その周波数特性が余弦関数で表
される等化器で、符号量干渉の少ない波形伝送を行うた
めに用いられる。
Here, the cosine equalizer is an equalizer whose frequency characteristics are represented by a cosine function, and is used to perform waveform transmission with less code amount interference.

〔概要〕〔overview〕

磁気ヘッドで読み出された磁気記憶装置の読出信号を余
弦等化する手段を有する読出回路において、 等化後波形の後縁部でアンダーシュートが発生すること
を防止することにより、 読出手段の位相検出余裕度の向上が図れるようにしたも
のである。
In a readout circuit having means for cosine equalizing a readout signal of a magnetic storage device read out by a magnetic head, the phase of the readout means can be improved by preventing undershoot from occurring at the trailing edge of the equalized waveform. This is designed to improve the detection margin.

〔従来の技術〕[Conventional technology]

磁気ディスク装置および磁気テープ装置などの読出回路
で、振幅等化に使用される従来例反射型余弦等化回路の
構成を第3図に示す。この反射型余弦等化回路は、磁気
ディスク装置などの読出信号1を入力する高出力インピ
ーダンスを有するバッファ回路2と、バッファ回路出力
信号20を遅延させるディレーライン4と、バッファ回
路出力信号20の振幅を減衰させる減衰器8と、ディレ
ーライン出力信号21と減衰器出力信号22とを入力す
る差動増幅器6と、ディレーライン4の特性インピーダ
ンスと同じ値の抵抗器7とを備える。
FIG. 3 shows the configuration of a conventional reflective cosine equalization circuit used for amplitude equalization in readout circuits of magnetic disk drives, magnetic tape drives, and the like. This reflective cosine equalization circuit includes a buffer circuit 2 having a high output impedance that inputs a read signal 1 from a magnetic disk device, a delay line 4 for delaying a buffer circuit output signal 20, and an amplitude of the buffer circuit output signal 20. A differential amplifier 6 inputs a delay line output signal 21 and an attenuator output signal 22, and a resistor 7 having the same value as the characteristic impedance of the delay line 4.

第4図は第3図の各部の波形を示したタイムチャートで
ある。この図では減衰器出力信号22は極性を逆にした
信号■で示している。第4図で示す波形は隣接する磁化
反転が離れている孤立波である。また、符号τはディレ
ーライン4の遅延時間を示す。
FIG. 4 is a time chart showing waveforms at various parts in FIG. In this figure, the attenuator output signal 22 is shown as a signal - with the polarity reversed. The waveform shown in FIG. 4 is a solitary wave in which adjacent magnetization reversals are separated. Further, the symbol τ indicates the delay time of the delay line 4.

巻線型磁気ヘッドにより磁気記憶媒体から再生された孤
立波の半値幅の前縁部T’wsと後縁部Tw6の時間関
係は、一般にT8.≧T1,6に設定される。
Generally, the time relationship between the leading edge T'ws and the trailing edge Tw6 of the half-width of a solitary wave reproduced from a magnetic storage medium by a wire-wound magnetic head is T8. Set to ≧T1,6.

この時間関係は磁気ヘッドと読出回路とのインピーダン
ス整合の状態により変化する。磁気ヘッドの特性インピ
ーダンスのばらつきおよび読出回路の入力インピーダン
スのばらつきによりインピーダンス整合状態が大きく乱
れ、孤立波半値幅の前縁部TwSと後縁部T W6との
時間差が大きくなった場合に、第4図に示す孤立波が再
生される。したかって、減衰器8の減衰量を可変してそ
の出力信号22の振幅を調整し差動増幅器出力信号23
の前縁がアンダーシュートを生じる寸前の臨界条件まで
設定した場合に、差動増幅器出力信号23の後縁ではア
ンダーシュート24が発生する。このアンダーシュート
24により、読出し信号の振幅検出動作では、わき出し
雑音に対する振幅検出余裕度が低下し、また隣接する磁
化反転が接近している場合には、再生信号が歪んで位相
検出余裕度が低下する。
This time relationship changes depending on the state of impedance matching between the magnetic head and the read circuit. When the impedance matching state is greatly disturbed due to variations in the characteristic impedance of the magnetic head and variations in the input impedance of the readout circuit, and the time difference between the leading edge TwS and the trailing edge TW6 of the solitary wave half-width becomes large, the fourth The solitary wave shown in the figure is reproduced. Therefore, the amplitude of the output signal 22 is adjusted by varying the amount of attenuation of the attenuator 8, and the output signal 23 of the differential amplifier is adjusted.
When the leading edge of the differential amplifier output signal 23 is set to a critical condition on the verge of undershooting, an undershoot 24 occurs at the trailing edge of the differential amplifier output signal 23. Due to this undershoot 24, in the amplitude detection operation of the readout signal, the amplitude detection margin against leakage noise is reduced, and if adjacent magnetization reversals are close to each other, the reproduced signal is distorted and the phase detection margin is reduced. descend.

〔発明が解決しようとする問題点〕[Problem that the invention seeks to solve]

このような従来例回路では、反射型余弦等化回路で振幅
等化を行った場合に、磁気ヘッドの特性インピーダンス
のばらつきおよび読出回路の入力インピーダンスのばら
つきにより磁気ヘッドと読出回路とのインピーダンス整
合が大きくはずれた状態では、読出し孤立波形の等化器
に波形の後縁部に前縁部に比較してより大きいアンダー
シュートが生じ、このアンダーシュートにより信号検出
余裕度が低下する欠点があった。
In such a conventional circuit, when amplitude equalization is performed using a reflection type cosine equalization circuit, impedance matching between the magnetic head and the readout circuit is difficult due to variations in the characteristic impedance of the magnetic head and variations in the input impedance of the readout circuit. In the case of a large deviation, a larger undershoot occurs at the trailing edge of the waveform in the read isolated waveform equalizer than at the leading edge, and this undershoot has the drawback of lowering the signal detection margin.

本発明はこのような欠点を改善するものであり、等化器
の波形の後縁部にアンダーシュートが生じ難い磁気記憶
装置の読出回路を提供することを目的とする。
SUMMARY OF THE INVENTION It is an object of the present invention to overcome these drawbacks, and to provide a readout circuit for a magnetic storage device in which undershoot is less likely to occur at the trailing edge of the equalizer waveform.

〔問題点を解決するための手段〕[Means for solving problems]

本発明は、複数の磁気ヘッドを有する磁気記憶装置の読
出信号を入力する入力端子と、ディレーラインを有する
余弦等化回路とを備えた磁気記憶装置の読出回路におい
て、上記ディレーラインの出力と共通電位との間に挿入
された可変抵抗手段と、上記磁気ヘッドに対応して、こ
の可変抵抗手段の抵抗値を設定する設定手段とを備えた
ことを特徴とする。
The present invention provides a readout circuit for a magnetic storage device comprising an input terminal for inputting readout signals of a magnetic storage device having a plurality of magnetic heads, and a cosine equalization circuit having a delay line, which is common to the output of the delay line. The magnetic head is characterized by comprising a variable resistance means inserted between the magnetic head and the magnetic head, and a setting means for setting the resistance value of the variable resistance means in correspondence with the magnetic head.

〔作用〕[Effect]

余弦等化層のディレーラインの出力端での反射波はこの
等化層の出力信号波形に影響を与える。
The reflected wave at the output end of the delay line of the cosine equalization layer affects the output signal waveform of this equalization layer.

通常、この出力信号の前縁はそこにアンダーシュートが
発生する臨界条件で設定されるが、この場合に後縁にア
ンダーシュートが伴うことがある。
Normally, the leading edge of this output signal is set at a critical condition where an undershoot occurs, but in this case, the trailing edge may be accompanied by an undershoot.

本発明は、可変抵抗手段の抵抗値を使用する磁気ヘッド
に対応させて変化させて、反射波の振幅を制御するもの
である。これにより、後縁部でのアンダーシュートの発
生を抑止する。
The present invention controls the amplitude of reflected waves by changing the resistance value of the variable resistance means in accordance with the magnetic head used. This prevents undershoot from occurring at the trailing edge.

〔実施例〕〔Example〕

以下、本発明の実施例回路を図面に基づいて説明する。 DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS A circuit according to an embodiment of the present invention will be described below with reference to the drawings.

第1図は、本発明実施例回路の構成を示すブロック構成
図である。第2図は第1図の各部の信号の波形を示す波
形図である。
FIG. 1 is a block configuration diagram showing the configuration of a circuit according to an embodiment of the present invention. FIG. 2 is a waveform diagram showing the waveforms of signals at various parts in FIG.

まず、本発明実施例回路の構成を第1図に基づいて説明
する。
First, the configuration of a circuit according to an embodiment of the present invention will be explained based on FIG.

この実施例装置は、高出力インピーダンスを有するバッ
ファ回路2と、ディレーライン4と、差動増幅器6と、
抵抗器7と、減衰器8と、可変抵抗回路1)と、記憶回
路19とを備える。ここで、可変抵抗回路1)は、抵抗
器12.13および14と、アナログスイッチ15.1
6および17とを備える。バッファ回路2の入力端子に
読出し信号が入力され、バッファ回路2の出力であるバ
ッファ回路出力信号3はディレーライン4の入力端子と
、減衰器8の入力端子とに印加され、さらに抵抗器7を
介して接地される。減衰器8の出力信号である減衰器出
力信号9は差動増幅器6の入力端子に印加され、ディレ
ーライン4の出力信号であるディーライン出力信号5は
差動増幅器6の他方の入力端子に印加され、抵抗器12
およびアナログスイッチ15を介して接地され、抵抗器
13およびアナログスイッチ16を介して接地され、ま
た抵抗器14およびアナログスイッチ17を介して接地
される。アナログスイッチ15.16および17のオン
・オフ制御入力端子には記憶回路19の三つの出力信号
である抵抗値設定信号20が各々印加され、記憶回路1
9の四つの入力端子には磁気ディスク装置の磁気ヘッド
を選択するアドレス信号18が入力される。本発明の特
徴とするところは、ディレーライン4の出力端子と接地
間の抵抗値を変化し得る可変抵抗回路1)が付加された
ことにある。
This embodiment device includes a buffer circuit 2 having high output impedance, a delay line 4, a differential amplifier 6,
It includes a resistor 7, an attenuator 8, a variable resistance circuit 1), and a memory circuit 19. Here, the variable resistance circuit 1) includes resistors 12.13 and 14 and an analog switch 15.1.
6 and 17. A read signal is input to the input terminal of the buffer circuit 2, and the buffer circuit output signal 3, which is the output of the buffer circuit 2, is applied to the input terminal of the delay line 4 and the input terminal of the attenuator 8. grounded through. Attenuator output signal 9, which is the output signal of attenuator 8, is applied to the input terminal of differential amplifier 6, and D-line output signal 5, which is the output signal of delay line 4, is applied to the other input terminal of differential amplifier 6. and resistor 12
and grounded via analog switch 15, grounded via resistor 13 and analog switch 16, and grounded via resistor 14 and analog switch 17. Resistance value setting signals 20, which are three output signals of the memory circuit 19, are applied to the on/off control input terminals of the analog switches 15, 16 and 17, respectively.
An address signal 18 for selecting a magnetic head of a magnetic disk device is input to four input terminals 9. The present invention is characterized by the addition of a variable resistance circuit 1) that can change the resistance value between the output terminal of the delay line 4 and ground.

次に、本発明実施例回路の動作を第1図および第2図に
基づいて説明する。
Next, the operation of the circuit according to the embodiment of the present invention will be explained based on FIGS. 1 and 2.

記憶回路19は不揮発性記憶回路であり、入力アドレス
信号1日で指定された磁気へソドの読出し波形に適した
可変抵抗回路1)の抵抗値を設定する抵抗値設定情報が
記憶されており、入力アドレス信号18により指定され
た番地(記憶位置)に記憶されている情報が抵抗値設定
信号20として出力される。この抵抗値設定情報の設定
は、磁気ディスク装置の製造工程で各磁気ヘッドの読出
し信号の波形を調査し、それぞれに適した値を決定する
ことにより実施される。この情報は3ビツトの二進情報
の形式で出力され、アナログスイッチ15.16および
17のそれぞれのオン・オフ制御入力端子に入力され、
アナログスイッチ15.16および17のオン・オフ制
御が行われてディレーライン4の出力端子と接地間の抵
抗値が変化する。
The memory circuit 19 is a non-volatile memory circuit, and stores resistance value setting information for setting the resistance value of the variable resistance circuit 1) suitable for the readout waveform of the magnetic helix designated by the input address signal 1. Information stored at the address (storage location) specified by the input address signal 18 is output as the resistance value setting signal 20. Setting of this resistance value setting information is carried out by examining the waveform of the read signal of each magnetic head during the manufacturing process of the magnetic disk device, and determining a value suitable for each. This information is output in the form of 3-bit binary information and input to the on/off control input terminals of analog switches 15, 16 and 17, respectively.
The analog switches 15, 16 and 17 are controlled on and off to change the resistance value between the output terminal of the delay line 4 and the ground.

磁気ディスク装置の読出し信号1は一般的に孤立波形状
であり、半値幅の前縁部TWIと後縁部T、42との大
小関係はTWI≧Tw2である。第2図(a)は前縁部
TWIが後縁部T8□より若干大きい場合を示している
。ディレーライン出力信号5は磁気ディスク装置の読出
し信号1よりバッファ回路2とディレーライン4との遅
延時間だけ遅れた信号であり、波形は読出し信号lと同
形である。バッファ回路の出力信号3は読出し信号1と
ディレーライン4の出力端で反射して戻ってきた反射波
との合成信号であり、減衰器8の減衰出力信号9はバッ
ファ回路出力信号3の振幅を減衰させた信号である。
The read signal 1 of the magnetic disk device generally has a solitary wave shape, and the magnitude relationship between the leading edge TWI and the trailing edge T, 42 of the half width is TWI≧Tw2. FIG. 2(a) shows a case where the leading edge TWI is slightly larger than the trailing edge T8□. The delay line output signal 5 is a signal delayed from the read signal 1 of the magnetic disk device by the delay time between the buffer circuit 2 and the delay line 4, and has the same waveform as the read signal 1. The output signal 3 of the buffer circuit is a composite signal of the readout signal 1 and the reflected wave reflected at the output end of the delay line 4, and the attenuated output signal 9 of the attenuator 8 has the amplitude of the buffer circuit output signal 3. This is an attenuated signal.

ここで、ディレーライン4の出力端に設けられた可変抵
抗回路1)でディレーライン4の反射波の振幅が制御さ
れ゛る。すなわち、合成信号である減衰出力信号9で、
読出し信号1により発生する振幅Vlに比しディレーラ
イン4の反射波によって発生する振幅V2を小さくする
ことができる。可変抵抗回路1)ではディレーライン4
の出力端子と接地間の抵抗値が制御され、抵抗値がディ
レーラインの特性インピーダンスと比較して十分大きい
場合には減衰器出力信号9の振幅V、と振幅V2はほぼ
等しくなり、また抵抗値がディレーラインの特性インピ
ーダンスと同じ値の場合には減衰器出力信号9の振幅V
2のピークはなくなる。したがって、差動増幅器6でデ
ィレーライン出力信号5と減衰器出力信号9とが減算さ
れると、ディレーライン出力信号5の後縁部の減算量が
小さくなり、差動増幅器6の出力信号10の前縁部およ
び後縁部とも均等に補償することができる。
Here, the amplitude of the reflected wave of the delay line 4 is controlled by a variable resistance circuit 1) provided at the output end of the delay line 4. That is, with the attenuated output signal 9 which is a composite signal,
The amplitude V2 generated by the reflected wave of the delay line 4 can be made smaller than the amplitude V1 generated by the read signal 1. In variable resistance circuit 1), delay line 4
When the resistance value between the output terminal and the ground is controlled, and the resistance value is sufficiently large compared to the characteristic impedance of the delay line, the amplitude V of the attenuator output signal 9 and the amplitude V2 become almost equal, and the resistance value is the same value as the characteristic impedance of the delay line, the amplitude V of the attenuator output signal 9
The peak of 2 will disappear. Therefore, when the delay line output signal 5 and the attenuator output signal 9 are subtracted by the differential amplifier 6, the amount of subtraction at the trailing edge of the delay line output signal 5 becomes smaller, and the output signal 10 of the differential amplifier 6 becomes smaller. Both the leading edge and the trailing edge can be compensated equally.

第2図(a)に示す減衰器出力信号9の二つのピークの
振幅V1と■2の比は、選択された磁気ヘッドの読出し
信号1の孤立波形の等化に適するように、記憶回路19
からの出力である抵抗値設定信号20により制御された
可変抵抗回路1)の抵抗値で決定される。その結果とし
て、差動増幅器6の出力信号10の前縁部および後縁部
ともアンダーシュートを生じる寸前の臨界条件まで振幅
等化されることができる。
The ratio of the amplitudes V1 and 2 of the two peaks of the attenuator output signal 9 shown in FIG. 2(a) is set so that the memory circuit 19
The resistance value of the variable resistance circuit 1) is determined by the resistance value of the variable resistance circuit 1) controlled by the resistance value setting signal 20 output from the variable resistance circuit 1). As a result, both the leading and trailing edges of the output signal 10 of the differential amplifier 6 can be amplitude-equalized to a critical condition on the verge of causing undershoot.

第2図(b)は別の磁気ヘッドが選択され第2図(a)
より更に磁気ヘッドと読出回路との間のインピーダンス
整合がくずれ孤立波形半値幅の前縁部Tw3と後縁部T
 W4との差がさらに大きくなっている場合である。こ
の場合にも、第2図(a)の場合と同様に、減衰器出力
信号9の二つのピークの振幅■3とV4の比は、選択さ
れた磁気ヘッドの読出し信号1の孤立波形の等化に適す
るように、記憶回路19からの出力である抵抗値設定信
号20により制御された可変抵抗回路1)の抵抗値によ
り決定される。
Fig. 2(b) shows that another magnetic head is selected and Fig. 2(a) shows that another magnetic head is selected.
Furthermore, the impedance matching between the magnetic head and the reading circuit breaks down, leading to the leading edge Tw3 and trailing edge Tw3 of the isolated waveform half width.
This is a case where the difference with W4 is even larger. In this case, as in the case of FIG. 2(a), the ratio of the two peak amplitudes 3 and V4 of the attenuator output signal 9 is equal to the isolated waveform of the read signal 1 of the selected magnetic head. The resistance value of the variable resistance circuit 1) is determined by the resistance value of the variable resistance circuit 1) controlled by the resistance value setting signal 20 which is the output from the memory circuit 19.

第2図(b)の場合に、減衰器出力信号9の中の反射波
振幅■4はかなり小さく設定される。したがって、等化
された差動増幅器6の出力信号10は第2図(a)の場
合と同様に臨界条件まで振幅等化される。
In the case of FIG. 2(b), the reflected wave amplitude 4 in the attenuator output signal 9 is set to be quite small. Therefore, the equalized output signal 10 of the differential amplifier 6 is amplitude-equalized to the critical condition as in the case of FIG. 2(a).

なお、本実施例回路では記憶回路19の入力アドレス信
号18は四本であるが、磁気ディスク装置に実装される
磁気ヘッドの数によってこの入力アドレス信号の数を増
減させても本発明を実施することができる。また、抵抗
値設定信号20の数も磁気ディスク装置の性能に対応し
て増減させても本発明を実施することができる。
In the circuit of this embodiment, the memory circuit 19 has four input address signals 18, but the present invention can also be practiced by increasing or decreasing the number of input address signals depending on the number of magnetic heads mounted on the magnetic disk device. be able to. Further, the present invention can be practiced even if the number of resistance value setting signals 20 is increased or decreased depending on the performance of the magnetic disk device.

〔発明の効果〕〔Effect of the invention〕

本発明は、以上説明したように、磁気ヘッドの特性イン
タフェースのばらつきおよび読出回路の入力インピーダ
ンスのばらつきにより、読出し信号の孤立波形の前後縁
非対称度がばらついても、前後縁とも均等に波形補償が
行える効果がある。
As explained above, even if the asymmetry of the leading and trailing edges of the isolated waveform of the read signal varies due to variations in the characteristic interface of the magnetic head and variations in the input impedance of the readout circuit, the present invention compensates the waveform evenly for both the leading and trailing edges. There is an effect that can be done.

したがって、本発明の読出回路を用いた磁気記憶装置の
読出し誤りを少なくし情報の読出しの信頼性を高くする
ことができる。
Therefore, it is possible to reduce read errors in a magnetic storage device using the read circuit of the present invention and increase the reliability of information read.

【図面の簡単な説明】 第1図は本発明実施例回路の構成を示すブロック構成図
。 第2図は第1図の主な信号の波形を示す波形図。 第3図は従来例回路の構成を示すブロック構成図。 第4図は第3図の回路の主な信号の波形を示す波形図。 2・・・バッファ回路、4・・・ディレーライン、6・
・・差動増幅器、8・・・減衰器、1)・・・可変抵抗
回路、7.12.13.14・・・抵抗器、15.16
.17・・・アナログスイッチ、19・・・記憶回路。
BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS FIG. 1 is a block diagram showing the configuration of a circuit according to an embodiment of the present invention. FIG. 2 is a waveform diagram showing the waveforms of the main signals in FIG. FIG. 3 is a block configuration diagram showing the configuration of a conventional circuit. FIG. 4 is a waveform diagram showing waveforms of main signals in the circuit of FIG. 3. 2... Buffer circuit, 4... Delay line, 6...
...Differential amplifier, 8...Attenuator, 1)...Variable resistance circuit, 7.12.13.14...Resistor, 15.16
.. 17...analog switch, 19...memory circuit.

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] (1)複数の磁気ヘッドを有する磁気記憶装置の読出信
号を入力する入力端子と、 ディレーラインを有する余弦等化回路と を備えた磁気記憶装置の読出回路において、上記ディレ
ーラインの出力と共通電位との間に挿入された可変抵抗
手段と、 上記磁気ヘッドに対応して、この可変抵抗手段の抵抗値
を設定する設定手段と を備えたことを特徴とする磁気記憶装置の読出回路。
(1) In a readout circuit for a magnetic storage device comprising an input terminal for inputting readout signals of a magnetic storage device having a plurality of magnetic heads and a cosine equalization circuit having a delay line, a common potential with the output of the delay line is provided. A read circuit for a magnetic storage device, comprising: a variable resistance means inserted between the magnetic head; and a setting means for setting a resistance value of the variable resistance means in correspondence with the magnetic head.
JP19452985A 1985-09-03 1985-09-03 Read circuit for magnetic storage device Pending JPS6254806A (en)

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