JPS6243054A - Vacuum equipment - Google Patents
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Abstract
Description
【発明の詳細な説明】
(産業上の利用分野)
この発明は真空装置に係り、特に冷却i#Rに関するも
のである。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION (Industrial Application Field) The present invention relates to a vacuum device, and particularly to cooling i#R.
(従来の技術)
真空装置を構成している様々の機構部品に於いては、そ
れぞれの目的から、冷却する必要のある機構部品も少な
くない。以後、半導体装置の製造に使用されるイオン注
入装置を例にとって説明する。(Prior Art) Many of the various mechanical parts that make up a vacuum apparatus need to be cooled for their respective purposes. Hereinafter, an ion implantation apparatus used for manufacturing semiconductor devices will be explained as an example.
イオン注入装置は数多くの冷却を必要とする機構部品を
有している。この内で真空系に属しているのは、イオン
を生成するイオン源、イオン源の架構、イオンビームを
選択分離する際に生じる不必要なイオンビームによる損
傷を防ぐ為のビームガイド、イオンビームの分離度を良
くする為のリシルピングアパーチャ、イオンビームを電
流として測定するファラデイー、選択イオン注入に用い
られるウェハ上にパターニングされたレジストの損傷を
防ぐウェハ冷却機構等である。Ion implanters have many mechanical parts that require cooling. The vacuum system includes the ion source that generates ions, the structure of the ion source, the beam guide that prevents unnecessary ion beam damage that occurs when selectively separating the ion beam, and the ion beam. These include a resilping aperture to improve separation, a Faraday to measure the ion beam as a current, and a wafer cooling mechanism to prevent damage to the resist patterned on the wafer used for selective ion implantation.
第3図は、従来のりゾルピングアパーチャの構造を示す
図で、(A)は正面図、(B)は側面図、(C)は要部
の断面図である。この例ではアルミニューム製のりゾル
ピングアパーチャ本体1に曲げ加工を施したアルミニュ
ーム製のパイプ2が埋込んである。このパイプ2の両端
は、真空系内部と真空系外部とを仕切る外枠5を貫通し
て真空系外部に導出された上で、チューブ継手3を介し
てポリエチレン製のチューブ4に接続されており、この
チューブ4を介して冷却水がパイプ2に流されている。FIG. 3 is a diagram showing the structure of a conventional glue solping aperture, in which (A) is a front view, (B) is a side view, and (C) is a sectional view of the main part. In this example, a bent aluminum pipe 2 is embedded in a glue solping aperture body 1 made of aluminum. Both ends of this pipe 2 pass through an outer frame 5 that partitions the inside of the vacuum system and the outside of the vacuum system, are led out to the outside of the vacuum system, and are connected to a polyethylene tube 4 via a tube joint 3. , cooling water is flowed into the pipe 2 via this tube 4.
パイプ2の内壁には腐食を防ぐ為にコーティング6が施
こされている。また、パイプ2の外枠貫通部には、真空
系内部の真空を保つ目的でOリング7が設けられている
。A coating 6 is applied to the inner wall of the pipe 2 to prevent corrosion. Further, an O-ring 7 is provided at the outer frame penetrating portion of the pipe 2 for the purpose of maintaining the vacuum inside the vacuum system.
リブルビンゲアパーチャの役目はイオンビームの分離と
整形であるから、イオンビームの一部がり・jルピング
アパーチャ本体1に照射される。その結果、リヴルビン
グアパーチャ本体1が発熱するが、このリノ゛ルピング
アパーチャ本体1は、パイプ2に流れる冷却水によって
冷却される。Since the role of the ripple aperture is to separate and shape the ion beam, a portion of the ion beam is irradiated onto the ripple aperture body 1. As a result, the revolving aperture main body 1 generates heat, but the revolving aperture main body 1 is cooled by the cooling water flowing through the pipe 2.
(発明が解決しようとする問題点)
しかしながら、上記構成例の01構部品では溜水問題を
回碧できない。上記構成例では腐食対策としてコーティ
ング6が施こされているが、皮肉な事に腐食はパイプ2
とコーティング6の間から始まり、コーティング6はい
とも簡単に突破られてしまう。すると、次に腐食が進み
パイプ2に穴が空く、一旦、真空系内部で漏水を起こす
と事態は深刻である。真空装置は真空ポンプを含めて分
解修理が必要となる。−変真空が破られてしまうと、高
真空度を要求する真空装置であればある程、元の真空度
に戻るまで多大な時間を必要とする。更に厄介なのがビ
シホールからの漏水である。ピンホールからの漏水は漏
水箇所を見つけるのが埋めて難しい。加えて、この説明
で例にとったイオン注入装置に於いては、イオン源の様
に高電圧が印加されるauat部品があるので、電池効
果により腐食が助長されろ。(Problems to be Solved by the Invention) However, the 01 component of the above configuration example cannot solve the problem of water accumulation. In the configuration example above, coating 6 is applied as a corrosion prevention measure, but ironically, corrosion occurs on pipe 2.
It starts from between and coating 6, and coating 6 can be easily penetrated. Corrosion then progresses and holes form in the pipe 2. Once water leaks inside the vacuum system, the situation becomes serious. The vacuum equipment, including the vacuum pump, will need to be disassembled and repaired. - Once the variable vacuum is broken, the more vacuum equipment requires a high degree of vacuum, the longer it will take to return to the original degree of vacuum. What is even more troublesome is water leakage from Bishihole. Water leaks from pinholes are difficult to find and fill. In addition, in the ion implantation apparatus taken as an example in this explanation, there are auat parts such as the ion source to which high voltage is applied, so corrosion may be promoted due to the battery effect.
冷却水による冷却方法には冷却水配管内が詰まり冷却水
が流れなくなる問題もある。詰よりの原因としては腐食
によるもの、冷却水に含まれている異物によるもの、冷
却水に溶は込/しでいるアルカリ成分等の凝固があげら
れろ。真空系に属する8!構部品の冷却水配管内が詰ま
ると、場合によっては真空を破ってこれらの機構部品を
交換しなければならない。従来の技術では、詰まりを防
ぐ目的で冷却媒体として純水あるいはフレオン(フッ素
化合物の商漂名)を使用する事もある。しかし、純水を
使用する場合には、新たに純水生成装置、熱交換器及び
送水ポンプが必要となり、またフレオンを使用する場合
には、新たにフレオンタンク、送フしオンポンプ及びプ
レオンの補充作業が必要となる。The cooling method using cooling water also has the problem that the inside of the cooling water pipe becomes clogged and the cooling water stops flowing. Possible causes of clogging include corrosion, foreign matter contained in the cooling water, and coagulation of alkaline components dissolved in/in the cooling water. 8 belonging to the vacuum system! If the cooling water piping of a component becomes clogged, it may be necessary to break the vacuum and replace these mechanical components. Conventional technology sometimes uses pure water or Freon (a commercial name for fluorine compounds) as a cooling medium to prevent clogging. However, when using pure water, a new pure water generator, heat exchanger, and water pump are required, and when using Freon, a new Freon tank, a Freon pump, and a new Freon pump are required. Work is required.
いずれにせよ、従来の技術では冷却媒体を真空系内部に
導いているので、冷却媒体が真空系内に漏れる事を防ぐ
事はできない。冷却媒体が真空系内部に漏れた際に真空
装置が受ける多大な被害を前人ると、従来の技術は満足
の得られるものではなかった。In any case, in the conventional technology, since the cooling medium is introduced into the vacuum system, it is impossible to prevent the cooling medium from leaking into the vacuum system. Prior art techniques have been unsatisfactory due to the extensive damage that can be done to vacuum equipment when cooling medium leaks into the vacuum system.
この発明は、以上述べた真空装置に於ける真空系内部で
の、冷却媒体の漏れや詰まりの問題を除去し、冷却を必
要とする機構部品の冷却が安定して行なわれる稼動率の
優れた真空装置を提供することを目的とする。The present invention eliminates the problem of cooling medium leakage and clogging inside the vacuum system of the vacuum apparatus described above, and provides an excellent operating rate in which mechanical parts that require cooling are stably cooled. The purpose is to provide vacuum equipment.
(問題点を解決するための手段)
この発明で(よ、冷却を必要とする機構部品の熱を熱伝
導体によって真空系外部に引出し、真空系外部において
冷却媒体により冷却を行う。(Means for Solving the Problems) In the present invention, the heat of the mechanical parts that require cooling is extracted to the outside of the vacuum system by a heat conductor, and the heat is cooled by a cooling medium outside the vacuum system.
(作 用)
このようにすると、冷却媒体は、真空系外部に留め置か
れる。(Function) In this way, the cooling medium is kept outside the vacuum system.
(実施例)
以下この発明の一実施例を図面を参照して説明する。一
実施例は、この発明をイオン注入装置のりゾルピングア
パーチャに応用した場合である。(Embodiment) An embodiment of the present invention will be described below with reference to the drawings. One embodiment is a case where the present invention is applied to a solping aperture of an ion implanter.
第1図および第2図は、その一実施例を示し、第2図は
イオン注入装置全体の概略図である。また、第1図はり
ゾルピングアパーチャ部分を取り出して示す図で、(A
)は正面図、(B)は側面図、(C)は要部の断面図で
ある。1 and 2 show one embodiment thereof, and FIG. 2 is a schematic diagram of the entire ion implantation apparatus. In addition, Fig. 1 is a diagram showing the solping aperture part of the beam (A
) is a front view, (B) is a side view, and (C) is a sectional view of the main part.
第2図に示すように、イオン注入装置は、イオン源11
2分析部12および処理部13と大別できる。これらの
中はつながっており、高真空を推持するために複数の真
空ポンプ14によりガスの排出を行う。As shown in FIG. 2, the ion implantation apparatus includes an ion source 11
2, an analysis section 12 and a processing section 13. The insides of these are connected, and gas is discharged by a plurality of vacuum pumps 14 to maintain a high vacuum.
イオン源11は、例えばリンイオン、ボロンイオンを発
生させろところであり、分析部12はリンイオンを例に
とれば、発生したP、P、PH1゜PH2+などのイオ
ンの中から処理に必要なP+イオンだけを選択するとこ
ろである。The ion source 11 generates, for example, phosphorus ions and boron ions, and the analyzer 12 generates only P+ ions necessary for processing from among the generated ions such as P, P, PH1°PH2+, etc. It's time to choose.
処理部13は、分析部12で選択されたイオンビームを
ウェハーに照射する処理を行うところである。この処理
部13には、間欠回転駆動されろディスク15が設けら
れており、このディスク15に複数のウェハー16が保
持されている。また、イオンビームの分離と整形を行う
リシルピングアパーチャ17が処理部13に設けられて
いる。The processing section 13 performs a process of irradiating the wafer with the ion beam selected by the analysis section 12. This processing section 13 is provided with a disk 15 that is driven to rotate intermittently, and a plurality of wafers 16 are held on this disk 15. Further, the processing section 13 is provided with a resilving aperture 17 that separates and shapes the ion beam.
このリシルピングアパーチャ17は、第1図に詳細に示
すように、リシルピングアパーチャ本体17aに2本ヒ
ートパイプ18を埋め込んである。As shown in detail in FIG. 1, this resilling aperture 17 has two heat pipes 18 embedded in the resilling aperture body 17a.
このヒートパイプ18は、一端が、真空系内部と真空系
外部とを仕切る外枠19を貫通して真空系外部に引出さ
れている。そして、真空系外部において、ヒートパイプ
18の一端は熱交換器20に接続されている。この熱交
換器20は、良熱伝導体のブロック21に螺旋状に菅路
22を形成して構成されており、さらに、前記ヒートパ
イプ18の−iをブロック21内に埋め込むLうに構成
されている。また、前記管#!22の両端には雄コネク
タ形のチューブ継手23を介してポリエチレン製のチュ
ーブ24が接続されろもので、このJスーブ24を介し
て冷却水が管路22に流されるようになっている。One end of the heat pipe 18 passes through an outer frame 19 that partitions the inside of the vacuum system and the outside of the vacuum system, and is drawn out to the outside of the vacuum system. One end of the heat pipe 18 is connected to a heat exchanger 20 outside the vacuum system. This heat exchanger 20 is constructed by forming a spiral passageway 22 in a block 21 made of a good heat conductor, and is further constructed so that -i of the heat pipe 18 is embedded in the block 21. There is. Also, the tube #! A polyethylene tube 24 is connected to both ends of the tube 22 via a male connector-type tube joint 23, and cooling water is allowed to flow into the pipe line 22 through the J-sub 24.
このような構成においては、リシルピングアパーチャ本
体17aに発生した熱はヒートパイプ18によって真空
系内部から真空系外部に引出されろ。In such a configuration, the heat generated in the resilping aperture body 17a is extracted from the inside of the vacuum system to the outside of the vacuum system by the heat pipe 18.
そして、真空系外部にて熱交換器20において冷却水に
より冷却されろこととなる。Then, it will be cooled by cooling water in the heat exchanger 20 outside the vacuum system.
なお、ヒートパイプ18の外枠貫通部には、真空系内部
の真空度を保つためにO’Jソング5が使用されている
。Note that an O'J song 5 is used in the outer frame penetrating portion of the heat pipe 18 in order to maintain the degree of vacuum inside the vacuum system.
また、上記構成では、効率の面を考えて熱伝導体として
ヒートパイプ18を使用したが、充分に目的を果す場合
には熱伝導体として金属の棒などを使用してもよい。さ
らに、冷却媒体として冷却水を使用したが、気体例えば
冷却空気を用いてもよい。Further, in the above configuration, the heat pipe 18 is used as the heat conductor in consideration of efficiency, but a metal rod or the like may be used as the heat conductor if the purpose is sufficiently achieved. Further, although cooling water is used as the cooling medium, a gas such as cooling air may also be used.
また、上記一実施例は、この発明をリシルピングアパー
チャに応用した場合であるが、同様にしてディスク15
の冷却を行うこともできる。その場合、ディスク15の
中心軸15a内を通して熱伝導体の一端を真空系外部に
引出すとよい。Further, in the above embodiment, the present invention is applied to a resilving aperture, but in the same way, the disk 15
It is also possible to perform cooling. In that case, it is preferable to extend one end of the heat conductor to the outside of the vacuum system through the center axis 15a of the disk 15.
さらに、この発明は、イオン注入装置以外の同様の装置
にも適用できる。Furthermore, the present invention can be applied to similar devices other than ion implantation devices.
(発明の効果)
以上、詳細に説明したように、この発明によれば、冷却
を必要とする@構部品の熱を真空系内部から真空系外部
へ引出して、真空系外部において冷却媒体により冷却す
るようにしたので、冷却媒体が真空系内部に漏れない真
空装置を作る事ができる。また冷却媒体を流す配管を真
空系内部に設置しないですむ為、配管内がもし詰まって
も、真空を破る事なく修理ができるという効果が期待で
きろ。(Effects of the Invention) As described above in detail, according to the present invention, the heat of @components that require cooling is extracted from the inside of the vacuum system to the outside of the vacuum system, and the heat is cooled by a cooling medium outside the vacuum system. By doing so, it is possible to create a vacuum device in which the cooling medium does not leak into the vacuum system. Also, since there is no need to install the piping for flowing the cooling medium inside the vacuum system, it is expected that even if the piping becomes clogged, it can be repaired without breaking the vacuum.
(図 面)
第1図および第2図はこの発明の真空装置の一実施例を
示す図で、第2図はイオン注入装置全体の概略図、第1
図はリシルピングアパーチャ部分を取出して示し、(A
)は正面図 (B)は側面図、(C1は要部の断面図、
第3図は従来のイオン注入装置におけろリシルピングア
パーチャ部分の図で、(A)は正面図、(B)は側面図
、FC)は要部の断面図である。
17 リシルピングアパーチャ、17a リ・プルピン
グアパーチャ本体、18 ヒートパイプ、19 外枠
、20 熱交換器、21 ブロック、22 管路、23
チューブ継手、24 チューブ。(Drawings) Figures 1 and 2 are diagrams showing one embodiment of the vacuum apparatus of the present invention, and Figure 2 is a schematic diagram of the entire ion implantation apparatus.
The figure shows the resilping aperture part (A
) is a front view, (B) is a side view, (C1 is a sectional view of the main part,
FIG. 3 is a diagram of a resilving aperture portion in a conventional ion implantation apparatus, in which (A) is a front view, (B) is a side view, and (FC) is a sectional view of the main part. 17 Resilping aperture, 17a Repulping aperture body, 18 Heat pipe, 19 Outer frame, 20 Heat exchanger, 21 Block, 22 Pipe line, 23
Tube fitting, 24 tubes.
Claims (1)
する真空装置において、 (b)前記機構部品に埋込まれ、かつ一端が真空系外部
へ引出された熱伝導体と、 (c)この熱伝導体の前記一端に接続して真空系外部に
設けられ、供給される冷却媒体と前記熱伝導体との間で
熱交換を行わせる熱交換器とを具備してなる真空装置。 2、熱伝導体はヒートパイプであることを特徴とする特
許請求の範囲第1項記載の真空装置。[Scope of Claims] 1. (a) In a vacuum device having mechanical parts that require cooling inside the vacuum system, (b) Heat embedded in the mechanical parts and drawn out at one end to the outside of the vacuum system. (c) a heat exchanger connected to the one end of the heat conductor and provided outside the vacuum system to perform heat exchange between the supplied cooling medium and the heat conductor. A vacuum device. 2. The vacuum device according to claim 1, wherein the thermal conductor is a heat pipe.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP60181094A JPS6243054A (en) | 1985-08-20 | 1985-08-20 | Vacuum equipment |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP60181094A JPS6243054A (en) | 1985-08-20 | 1985-08-20 | Vacuum equipment |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6243054A true JPS6243054A (en) | 1987-02-25 |
Family
ID=16094722
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP60181094A Pending JPS6243054A (en) | 1985-08-20 | 1985-08-20 | Vacuum equipment |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS6243054A (en) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0377224A2 (en) * | 1988-12-29 | 1990-07-11 | Tesla, Koncernovy Podnik | Method and vacuum chamber for ion implantation |
EP1524692A2 (en) * | 2003-10-08 | 2005-04-20 | Hitachi, Ltd. | Liquid cooled jacket for an electronic device |
KR100687718B1 (en) | 2004-12-16 | 2007-02-27 | 한국전자통신연구원 | Electron beam apparatus using heatpipe |
-
1985
- 1985-08-20 JP JP60181094A patent/JPS6243054A/en active Pending
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0377224A2 (en) * | 1988-12-29 | 1990-07-11 | Tesla, Koncernovy Podnik | Method and vacuum chamber for ion implantation |
EP0377224A3 (en) * | 1988-12-29 | 1990-12-27 | Tesla, Koncernovy Podnik | Method and vacuum chamber for ion implantation |
EP1524692A2 (en) * | 2003-10-08 | 2005-04-20 | Hitachi, Ltd. | Liquid cooled jacket for an electronic device |
EP1524692A3 (en) * | 2003-10-08 | 2009-12-23 | Hitachi, Ltd. | Liquid cooled jacket for an electronic device |
KR100687718B1 (en) | 2004-12-16 | 2007-02-27 | 한국전자통신연구원 | Electron beam apparatus using heatpipe |
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