JPS6242359B2 - - Google Patents

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JPS6242359B2
JPS6242359B2 JP60164119A JP16411985A JPS6242359B2 JP S6242359 B2 JPS6242359 B2 JP S6242359B2 JP 60164119 A JP60164119 A JP 60164119A JP 16411985 A JP16411985 A JP 16411985A JP S6242359 B2 JPS6242359 B2 JP S6242359B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
address
output
input
memory
pins
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired
Application number
JP60164119A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JPS6150280A (en
Inventor
Kyoo Ito
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hitachi Ltd
Original Assignee
Hitachi Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
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Publication date
Application filed by Hitachi Ltd filed Critical Hitachi Ltd
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Publication of JPS6150280A publication Critical patent/JPS6150280A/en
Publication of JPS6242359B2 publication Critical patent/JPS6242359B2/ja
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  • Static Random-Access Memory (AREA)
  • Techniques For Improving Reliability Of Storages (AREA)
  • For Increasing The Reliability Of Semiconductor Memories (AREA)
  • Dram (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の利用分野〕 本発明はデータ入出力を他のアドレス入出力等
と共用して、メモリの所要ピン数を減らし、又メ
モリのテストに要する時間を減少するためのもの
である。
[Detailed Description of the Invention] [Field of Application of the Invention] The present invention shares data input/output with other address input/output, etc. to reduce the number of pins required for memory and also to reduce the time required for memory testing. belongs to.

〔発明の背景〕[Background of the invention]

従来は第1図のように、アドレスA0〜A7ピン
とデータ入出力Di、D0ピンが分離していた。し
かしメモリが大容量になるにつれて、チツプを複
数個に分割してサブチツプにして、これらサブチ
ツプのそれぞれにD0、Diピンを設けて、D0、Di
を並列処理して、1個のLSIとしてみた場合のテ
スト時間を短縮する必要がある。しかしこのまま
ではD0、Diピンが増大してLSIを収容するパツケ
ージの所要ピン数も増大し、その結果パツケージ
の寸法が大になり、ユーザにおける実装密度が急
激に減少するという欠点があつた。
Conventionally, as shown in FIG. 1, address pins A 0 to A 7 and data input/output D i and D 0 pins were separated. However, as memory capacity increases, the chip is divided into multiple subchips, and each of these subchips is provided with D 0 and D i pins.
It is necessary to process these in parallel to shorten the test time when viewed as a single LSI. However, if things continue as they are, the number of D 0 and D i pins will increase, and the number of pins required for the package that accommodates the LSI will also increase, resulting in an increase in package dimensions and a drawback in that the packaging density for the user will sharply decrease. .

尚、本発明とは全く異なるが、一種の共用とい
う概念を用いた例として、特開昭48−35736号公
報がある。当該公報の第354頁に記載の特許請求
の範囲第13項や、Fig.32aに、共通母線に、低
位アドレス、WRITデータ等のデータを順次伝送
する技術が開示されている。しかしながら当該技
術は、各チツプ間の共通配線であり、共用するこ
とが当然であり本発明の如く、チツプ内部の端子
の共用という点では、全く関係しない技術であ
る。又、当然のことながら、テスト時と実使用時
という概念も全くないものである。」 〔発明の目的〕 本発明は上述の欠点を除くことを目的とする。
Although it is completely different from the present invention, there is Japanese Patent Application Laid-open No. 48-35736 as an example using the concept of a kind of common use. Claim 13 on page 354 of the publication and FIG. 32a disclose a technique for sequentially transmitting data such as low-order addresses and WRIT data to a common bus. However, this technology is a common wiring between each chip, and it is natural that they be shared, and unlike the present invention, this technology is completely unrelated in terms of sharing the terminals inside the chips. Furthermore, as a matter of course, there is no concept of a time of testing and a time of actual use. ” [Object of the invention] The present invention aims to eliminate the above-mentioned drawbacks.

本発明は、素子のピン数を減少させ、実装密度
を向上させることを目的とする。
The present invention aims to reduce the number of pins of an element and improve packaging density.

本発明は、メモリのテスト時間を減少させるこ
とを目的とする。
The present invention aims to reduce memory testing time.

〔発明の概要〕[Summary of the invention]

上記目的を達成する為に本発明では、アドレス
入力ピンと情報入力若しくは出力ピンを共通に設
け、これを時間的に異つた時に使用するものであ
る。
In order to achieve the above object, the present invention provides a common address input pin and an information input or output pin, which are used at different times.

〔発明の実施例〕[Embodiments of the invention]

実施例 1 以下、実施例に従つて、本発明を説明する。 Example 1 The present invention will be described below with reference to Examples.

通常のメモリではアドレス信号は、そのLSIに
外部からクロツク信号を入力して、そのLSIが選
択されてから、ある短時間(いわゆるアドレスホ
ールドタイムTAH)しか必要でない。また通常D
i、D0の信号が有効な期間はTAH以降である。し
たがつてアドレスピンと、D0、Diピンを共用し
て、時間的にそのピンの役割を変えればよい。第
2図はそのための実施例で、D0、Diをそれぞれ
A0、A1で共用し、一種のクロツク信号φ,φ
,φでゲートQ0,Q1を制御し
た例である。アドレス信号が有効な期間では、φ
のみオンにし、D0が有効な期間ではφのみ
オンにし、またDiが有効な期間ではφのみを
オンにすればよい。これによりA0〜A7だけのピ
ン数でDi、D0も設けたことになる。
In a normal memory, an address signal is required only for a certain period of time (so-called address hold time T AH ) after the LSI is selected by inputting an external clock signal to the LSI. Also usually D
The period during which the signals i and D 0 are valid is after T AH . Therefore, the address pin, D 0 , and D i pins may be used in common, and the roles of the pins may be changed over time. Figure 2 shows an example for that purpose, where D 0 and D i are respectively
Commonly used by A 0 and A 1 , a kind of clock signal φ 0 , φ
This is an example in which gates Q 0 , 0 , Q 1 , 1 are controlled by φ 1 and φ 2 . During the period when the address signal is valid, φ
It is sufficient to turn on only 0 , turn on only φ1 during the period when D 0 is valid, and turn on only φ2 during the period when D i is valid. This means that D i and D 0 are also provided with only the number of pins A 0 to A 7 .

実施例 2 通常DiとD0は同時に有効である必要はないか
ら、第3図のように、クロツク信号φ,φ
φでゲートQ2,Q3,Q4を制御することにより
A0、D0、Diで1本のピンを共用することもでき
る。なおφ〜φは外部から印加しなくてもチ
ツプCHIP内部で発生した信号でもよい。このよ
うに構成すれば、アドレス入力端子数と同じだけ
のD0を設けられ、特に効果がある。
Embodiment 2 Normally, D i and D 0 do not need to be valid at the same time, so as shown in FIG. 3, the clock signals φ 0 , φ 1 ,
By controlling gates Q 2 , Q 3 , Q 4 with φ 2
One pin can also be shared by A 0 , D 0 , and D i . Note that φ 0 to φ 2 do not have to be applied externally, but may be signals generated inside the chip CHIP. With this configuration, the same number of D 0 as the number of address input terminals can be provided, which is particularly effective.

実施例 3 この実施例は、一般のダイナミツクランダムア
クセスモリに用いられている差動の出力を有する
場合である。
Embodiment 3 This embodiment is a case in which a differential output used in a general dynamic random access memory is provided.

第4図は1個のLSIから、差動の信号出力D0
が出る場合の実施例である。1個のピンを
D0とA1とで、とA0とで共用すればよい。
Figure 4 shows the differential signal output D 0 from one LSI,
This is an example in which 0 is output. 1 pin
It can be shared between D 0 and A 1 , and between 0 and A 0 .

実施例 4 この実施例は、メモリをテストする際に出力で
きる数を増加し、テスト時間の短縮を図るもので
ある。
Embodiment 4 This embodiment aims to increase the number of outputs when testing a memory and shorten the test time.

第5図は、メモリLSIをテストする際にのみ、
外部電源電圧Vcc(通常使用時には5V)を0Vに
して、アドレスA0と、テスト時にのみ有効なデ
ータ出力D0′を共通にでるようにした例である。
Figure 5 shows that only when testing memory LSI,
This is an example in which the external power supply voltage Vcc (5V during normal use) is set to 0V so that the address A0 and the data output D0 ', which is valid only during testing, are output in common.

ここでDBは周知のプツシユプル型TTLレベル
のD0バツフア回路で、実使用時には常にQ9,Q10
のいずれかがオンになる動作をする。ADSはこ
れまで説明してきたように、MAからのデータ出
力D0′とアドレス信号を切り換える回路である。
通常の実使用時間にはVcc=5Vであるから、φ
がオンとなつてもQ11のゲートは低電圧(N−
MOSの例)であるためにQ11はオフとなる。(こ
こでは、負論理を採用しており、NANDへの入力
が論理“1”、“1”のときのみ出力が“0”した
がつて、電位としては、“L”、“L”の入力のと
きのみ“H”となり、Q11のゲートは、φ
Vccの電位が低いときにオンとなる。)したがつ
てADSは常にA0用の単なる論理ゲートとして働
くだけである。一方MAからのD0′はDBによつ
て、正常なTTLレベルのD0となつて外部に出力
する。またメモリ(CHIP)が良品かどうかをテ
ストする場合にはVccを0にし、D0は無効端子と
し、その代りにADS内のQ11はφを負論理の
“1”にすることによつて導通するから、ADSは
MAからの出力D0′とMAに入力するアドレスA0
を、切り換える働きをする。
Here, DB is a well-known push-pull type TTL level D 0 buffer circuit, and in actual use, Q 9 and Q 10 are always
One of them will turn on. As explained above, the ADS is a circuit that switches between the data output D 0 ' from the MA and the address signal.
Since Vcc=5V during normal actual use, φ1
Even when Q11 is turned on, the gate of Q11 is at a low voltage (N-
MOS example), so Q 11 is turned off. (Here, negative logic is used, and the output is "0" only when the input to the NAND is logic "1", "1". Therefore, the potential is "L", "L" input It becomes “H” only when , and the gate of Q 11 is φ 1 ,
Turns on when the potential of Vcc is low. ) Therefore ADS always acts as just a logic gate for A 0 . On the other hand, D 0 ′ from MA is output to the outside as D 0 at a normal TTL level by DB. Also, when testing whether the memory (CHIP) is a good product, set Vcc to 0, set D 0 as an invalid terminal, and instead set Q 11 in ADS to φ 1 of negative logic “1”. Since conduction occurs, ADS
Output D 0 ′ from MA and address A 0 input to MA
It functions to switch between.

この実施例の考え方は、たとえば第6図のよう
に、チツプ内を4個のサブメモリアレーMA0
MA3に分けて、各メモリアレーMA0〜MA3から
の出力D00′〜D03′を並列処理して、テスト時間を
短縮する場合に有効である。すなわち、通常使用
する場合には、4個の出力D0′〜D3′の中で、2個
のアドレス信号を用いたデコード機能をもつDS
で選択された1個のデータ出力D0を利用する。
一方LSIをテストする場合にはVccを0Vにして、
アドレスピンと共用した4個のデータ出力D0′〜
D3′を利用する。
The idea of this embodiment is that, as shown in FIG .
This is effective when dividing into MA 3 and processing outputs D 00 ′ to D 03 ′ from each memory array MA 0 to MA 3 in parallel to shorten test time. In other words, in normal use, among the four outputs D 0 ′ to D 3 ′, the DS has a decoding function using two address signals.
One data output D 0 selected in is used.
On the other hand, when testing LSI, set Vcc to 0V,
4 data outputs D 0 ′ shared with address pins
Use D 3 ′.

〔発明の効果〕〔Effect of the invention〕

以上からデータ入出力信号と、アドレスピンを
共用することによつて所要ピン数が減少でき、
LSIパツケージの所要ピン数も減少する結果、ユ
ーザにおける実装密度が向上することは自明であ
る。なお、データ信号をアドレス信号以外の他信
号とで共用できることも自明である。また第4,
5,6図ではアドレス信号とD0のみを共用した
が、第3図からも明らかなように、アドレス信号
とDi、あるいはアドレス信号とDiとD0を共用で
きる。
From the above, by sharing data input/output signals and address pins, the number of required pins can be reduced.
It is obvious that the number of pins required for the LSI package is reduced, and as a result, the packaging density for the user is improved. Note that it is also obvious that the data signal can be shared with other signals other than the address signal. Also, the fourth
In FIGS. 5 and 6, only the address signal and D 0 are shared, but as is clear from FIG. 3, the address signal and D i or the address signal, D i and D 0 can be shared.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of the drawing]

第1図は従来例、第2図〜第6図はデータ入出
力を他の機能のピンと共用した本発明の実施例。 符号の説明、CHIP:チツプ、SA:センスアン
プ、MA,MA0〜MA3:メモリアレー、V:電源
電圧、DS:サブアレーからのデータ出力D00
D03の中の1個のデータだけを、アドレス信号を
用いて選択的に出力する回路。
FIG. 1 shows a conventional example, and FIGS. 2 to 6 show an embodiment of the present invention in which data input/output is shared with pins for other functions. Explanation of symbols, CHIP: Chip, SA: Sense amplifier, MA, MA 0 ~ MA 3 : Memory array, V: Power supply voltage, DS: Data output from subarray D 00 ~
A circuit that selectively outputs only one piece of data in D 03 using an address signal.

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] 1 単一チツプ上に複数のメモリセルを有するメ
モリーアレーと、複数のアドレス端子と複数の情
報の入力若しくは、出力端子を有し、上記複数の
アドレス端子のうち少なくとも2つを、上記入力
若しくは出力端子として共用し、かつその制御は
チツプ内部で発生させた信号であり、上記アドレ
ス端子と上記入力若しくは出力端子とを上記信号
に基づいて切替える手段とを有するメモリにおい
て、上記入力若しくは出力端子、上記アドレス端
子、及び両者を共用した端子は上記単一チツプに
設けられてなることを特徴とするメモリ。
1 A memory array having a plurality of memory cells on a single chip, a plurality of address terminals and a plurality of information input or output terminals, and at least two of the plurality of address terminals are connected to the input or output terminals. In a memory which is commonly used as a terminal, and whose control is a signal generated inside the chip, and has means for switching the address terminal and the input or output terminal based on the signal, the input or output terminal, the A memory characterized in that an address terminal and a terminal that shares both are provided on the single chip.
JP60164119A 1985-07-26 1985-07-26 Memory Granted JPS6150280A (en)

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JPS6150280A JPS6150280A (en) 1986-03-12
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH05304553A (en) * 1992-04-08 1993-11-16 Nec Corp Structure for handset case
JP2009043409A (en) * 2008-10-24 2009-02-26 Elpida Memory Inc Test method and manufacturing method of semiconductor memory device, and semiconductor wafer

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