JPS6230725Y2 - - Google Patents

Info

Publication number
JPS6230725Y2
JPS6230725Y2 JP14813480U JP14813480U JPS6230725Y2 JP S6230725 Y2 JPS6230725 Y2 JP S6230725Y2 JP 14813480 U JP14813480 U JP 14813480U JP 14813480 U JP14813480 U JP 14813480U JP S6230725 Y2 JPS6230725 Y2 JP S6230725Y2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
semiconductor switch
transistor
utility
voltage divider
model registration
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired
Application number
JP14813480U
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JPS5771321U (en
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed filed Critical
Priority to JP14813480U priority Critical patent/JPS6230725Y2/ja
Publication of JPS5771321U publication Critical patent/JPS5771321U/ja
Application granted granted Critical
Publication of JPS6230725Y2 publication Critical patent/JPS6230725Y2/ja
Expired legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Housings And Mounting Of Transformers (AREA)
  • Arrangement Of Elements, Cooling, Sealing, Or The Like Of Lighting Devices (AREA)
  • Regulation Of General Use Transformers (AREA)

Description

【考案の詳細な説明】[Detailed explanation of the idea]

この考案は、放電灯安定器に関し、始動時間を
短かくできるうえ、放電管の寿命を長くでき、し
かも、一般に広く市販されている電子部品を使つ
て、簡単に小形に安価に量産できるようにする事
を目的とする。 従来のけい光放電灯安定器の始動方式として
は、グロースタート方式とラピツドスタート方式
との2類類が知られており、現在でもこれが主流
になつている。 グロースタート方式では、始動時間が2〜8秒
と長く、冷暗所では更に長びく。そのうえ、グロ
ースタータは寿命が短く、頻繁に交換しなければ
ならない。 また、ラピツトスタート式では、始動時間は2
秒程に短縮できる反面、安定器が大形となり重量
が重く高価につく欠点があつた。そのうえ省電力
という面からみても不利である。 本考案は、始動時間が長くかかるグロースター
ト式の欠点も、安定器が大形化重量化するラピツ
ドスタート式の欠点をも解消するうえ、一般に広
く市販されている電子部品を使つて簡単に小形・
安価に量産できるようにする事を目的とし、その
ための手段として、放電管のフイラメントに、予
熱用半導体スイツチ回路による予熱電流と、パル
ス発生用半導体スイツチ回路によるキツク電圧と
を電源電圧の半サイクルごとに交互に与えること
により、速やかに予熱して始動させられるように
した安定器である。 以下、この考案の実施例を図面に基き説明す
る。 第1図は放電灯安定器Bの一実施例として全体
の回路図を示す。商用電源22の両端子O,
O′間に電源スイツチ23、放電管2及びチヨー
クコイル1が直列接続する。電源22側にチヨー
クコイル1の力率改善用コンデンサ24が、電源
22と並列接続されている放電管2には電子スタ
ータ回路Sが並列接続されている。 電子スタータ回路Sは、放電管2に放電管2の
両フイラメント3,3′の予熱用半導体スイツチ
回路S1と、パルス発生用半導体スイツチ回路S2
を並列接続したものからなる。 放電灯フイラメント予熱用半導体スイツチ回路
S1は、サイリスタ4にダイオード5を直列接続し
たものを、電子スタータ回路Sの両入力端子T,
T′間に接続してなる。サイリスタ4には、双方
向性二端子サイリスタ(SSS)または逆阻止二端
子サイリスタ(PNPNスイツチ)を用いる。フイ
ラメント予熱用半導体スイツチ回路S1は入力電圧
が正負いづれかの半サイクルの時に動作するよう
にして予熱電流ifを通すように構成し、またパル
ス発生用半導体スイツチ回路S2は前記予熱半導体
スイツチ回路S1が動作しない他方の半サイクルに
動作して、パルス電流ipを発生させることにより
チヨークコイル1のインダクタンスでパルス電圧
Vpを発生しこれを入力電圧eに重量させてキツ
ク電圧Vkを発生させるように構成している、こ
の実施例ではチヨークコイル1の接続位置は
O′端子側にする。 パルス発生用半導体スイツチ回路S2は、次のよ
うに構成される。即ち、予熱用半導体スイツチ回
路S1のダイオード5と逆方向にダイオード6を配
置し、このダイオード6に分圧器Xを直列接続し
たものを、電子スタータ回路Sの両入力端子T,
T′間に接続する。分圧器Xの分圧点とその負極
端子との間に、ダイオード9を介して、上記とは
別の分圧器Yとスイツチング用のPNPトランジス
タ12とが並列接続する。後者分圧器Yの分圧点
とPNPトランジスタ12のベースとの間に、Nチ
ヤンネル形の電界効果トランジスタ15が接続さ
れる。Nチヤンネル形電界効果トランジスタ15
のゲートは前者分圧器Xの負極端子に、抵抗16
を介して接続する。この抵抗16は、電界効果ト
ランジスタ15のゲートから見て、PNPトランジ
スタ12より前者分圧器Xの負極端子側に位置す
る。PNPトランジスタ12のコレクタ回路とエミ
ツタ回路とには、その必要に応じて各々抵抗1
4,13を介在させ、そのエミツタ回路に必要に
応じダイオード21を挿入する。 PNPトランジスタ12の出力は、増幅トランジ
スタ18で増幅するように構成される。増幅回路
は必要に応じ二段増幅回路、三段増幅回路として
もよいことは勿論である。増幅トランジスタ18
のベースと、PNPトランジスタ12のコレクタ回
路と抵抗16の接続点との間には、ベース電流制
限抵抗17が接続される。増幅トランジスタ18
のコレクタ、エミツタ回路には、その必要に応じ
て抵抗19,20が直列に挿入接続される。 これにより、パルス発生用半導体スイツチ回路
S2は、第3図に示すように、入力電圧eが負のサ
イクル時には動作しないが、正のサイクルの時に
動作して、パルス電流ipを発生させ、チヨークコ
イル1のインダクタンスでパルス電圧Vpを発生
し、これを入力電圧eに重畳させて、キツク電圧
Vkを発生させることができる。 第2図は、放電灯安定器Bの機械的構造を示
す。例えばチヨークコイル1、コンデンサ24及
び電子スタータ回路Sを図のように配置接続す
る。入力側の口出線はケース27の口出口25よ
り引出しランプ側の口出線はケース27の口出口
26より引出される。ケース27に収納されたチ
ヨークコイル1、コンデンサ24、および電子ス
タータSはプラスチツク系コンパウンドまたはア
スフアルト系コンパウンド28でその一部または
全部が充填され、ケース27と一体化されてい
る。 次に、その作用を説明する。 交流電源22のスイツチ23を入れると、第3
図イに示す入力電圧eが、第1図に示すチヨーク
コイル1、放電管2の両フイラメント3,3′を
経て、電子スタータ回路Sの入力端子T,T′に
印加される。 入力電圧eが正のサイクルの時には、フイラメ
ント予熱用半導体スイツチ回路S1のサイリスタ4
は、ダイオード5の逆阻止作用によつて動作しな
い。 入力電圧eが負のサイクルに入つて、負の値を
増して行き、サイリスタ4の動作電圧VBOに達し
た時に、サイリスタ4が導通する。その結果、第
3図ロに示す電流ifが、電源22の端子O′からチ
ヨークコイル1、フイラメント3′、ダイオード
5、サイリスタ4、フイラメント3、電源22の
端子Oの順に流れる。これにより、フイラメント
3,3′が加熱される。 このフイラメント加熱電流ifは、チヨークコイ
ル1のインダクタンスにより、入力電圧よりも位
相が90゜近く遅れる。フイラメント加熱電流ifが
減少し、20mA程度以下になると、サイリスタ4
は不導通になる。この時、電源電圧eはすでに正
のサイクルに入つている。 電源電圧eが正のサイクルに入ると、パルス発
生用半導体スイツチ回路S2に印加された電源電圧
eが、ダイオード6を経て、分圧器Xの抵抗7,
8で分圧され、ダイオード(またはツエナーダイ
オード)9を通り、抵抗13からスイツチング用
のPNPトランジスタ12に流れるとともに、分圧
器Yの抵抗10,11にも並行して流れる。 電源電圧eの上昇とともに、PNPトランジスタ
12のエミツタとベース、電界効果トランジスタ
15のドレインとソース、及び抵抗11,16を
通る回路に急速に流れる。この時、電流は抵抗1
0,11を通つても流れるが、抵抗10の値を電
界効果トランジスタ15の内部抵抗よりも充分に
高く設定してあるので、電流の大半は電界効果ト
ランジスタ15を通る回路に流れるのでトランジ
スタ12はすぐ導通状態になる。 この電流は、直ちにトランジスタ18で増幅さ
れ、トランジスタ18のコレクタとエミツタにパ
ルス電流ipとなつて急速に流れる。 この間の状況を更に詳細に説明する。 電界効果トランジスタ15を流れる電流は、時
間の経過とともに、第5図に示す動作特性曲線Z
に従つて流れる。その電流により、電界効果トラ
ンジスタ15のゲート・ソース間の負電位が急速
に高まり、電界効果トランジスタ15がピンチオ
フに近づく。 このような状態になると、PNPトランジスタ1
2のベースには、電流が殆んど流れなくなり、
PNPトランジスタ12は不導通状態に近ずき、エ
ミツタ・コレクタ間は高い抵抗値をもつようにな
り、分圧器Xの分圧点よりダイオード9を経てき
た電流は、抵抗10,11を通る回路に大半が移
行する。これにより、電界効果トランジスタ15
のゲート・ソース間の負電位は瞬時にしてピンチ
オフの電圧を超え、電界効果トランジスタ15の
ドレイン・ソース間には全く電流が流れなくなる
(第4図C点→D点)。従つて、PNPトランジスタ
12も完全に不導通の状態になり、このPNPトラ
ンジスタ12の出力を増幅するトランジスタ18
も全く不導通状態となる。 このトランジスタ18がスイツチオフする際、
つまりパルス電流ipが急速に零になる時、チヨー
クコイル(誘導性安定器)1のインダクタンスに
よりパルス電圧Vpが発生し、これが入力電圧e
に重畳されてキツク電圧Vkとなり、けい光放電
管2の両フイラメント3,3′間に印加される。 このようにして、両フイラメント3,3′間に
はフイラメント加熱電流ifが流れる予熱サイクル
HSと、キツク電圧Vkが印加される電圧印加サイ
クルVSとが交互に繰返す。両フイラメント3,
3′が充分に加熱されて、点灯条件を満したとき
に、けい光放電管2が点灯状態へと移行する。 点灯後は、けい光放電管2の両フイラメント
3,3′間のランプ電圧が下り、サイリスタ4の
動作電圧VBO以下になるので、サイリスタ4が不
導通となり、フイラメント予熱用半導体スイツチ
回路S1が動作しなくなる。 一方、パルス発生半導体スイツチS2は、分圧器
Xの抵抗7,8により低い電圧で動作するように
設定されている。しかし、けい光放電管2の点灯
後は、両フイラメント3,3′間のランプ電圧が
大幅に下り、かつダイオード9の立上り電圧(ツ
エナーダイオードを用いた時はそのツエナー電
圧)に阻まれることから、この電圧ではもはやト
ランジスタ12、電界効果トランジスタ15、抵
抗10,11,16には電流が流れず、パルス発
生半導体スイツチS2も作動しなくなる。 次に、上記実施例の構造の本考案品と従来品と
の性能を比較したが、その結果は下記の第1表に
示す通りである。ただし、本考案品としては、
30W1灯用で、温度上昇値45℃以下のものを用
い、従来品としては、30W1灯用ラピツド高力率
形で、温度上昇値45℃以下のものを用いた。
With regard to discharge lamp ballasts, this invention not only shortens the starting time, but also extends the life of the discharge tube, and can be easily mass-produced in a small size and at low cost using electronic components that are generally widely available on the market. The purpose is to do. There are two known starting methods for conventional fluorescent discharge lamp ballasts: the glow start method and the rapid start method, and these are still the mainstream methods. With the glow start method, the startup time is long at 2 to 8 seconds, and it takes even longer in a cool, dark place. Moreover, glow starters have a short lifespan and must be replaced frequently. In addition, with the rapid start type, the starting time is 2
Although the time could be reduced to about seconds, the disadvantage was that the ballast was large, heavy and expensive. Moreover, it is disadvantageous from the viewpoint of power saving. This invention eliminates the disadvantages of the glow start type, which takes a long time to start, and the disadvantages of the rapid start type, which has a large and heavy ballast. Small size/
The purpose is to mass-produce at low cost, and as a means to achieve this, the filament of the discharge tube is supplied with a preheating current by a preheating semiconductor switch circuit and a kick voltage by a pulse generation semiconductor switch circuit every half cycle of the power supply voltage. This is a ballast that can be preheated and started quickly by supplying the same amount of water alternately. Hereinafter, embodiments of this invention will be described based on the drawings. FIG. 1 shows an overall circuit diagram as an embodiment of the discharge lamp ballast B. Both terminals O of the commercial power supply 22,
A power switch 23, a discharge tube 2 and a choke coil 1 are connected in series between O'. A power factor improving capacitor 24 of the chiyoke coil 1 is connected to the power source 22 side, and an electronic starter circuit S is connected in parallel to the discharge tube 2 which is connected in parallel to the power source 22. The electronic starter circuit S consists of a discharge tube 2 connected in parallel with a semiconductor switch circuit S 1 for preheating both filaments 3 and 3' of the discharge tube 2 and a semiconductor switch circuit S 2 for pulse generation. Semiconductor switch circuit for preheating discharge lamp filament
S1 connects a thyristor 4 and a diode 5 connected in series to both input terminals T,
It is connected between T′. As the thyristor 4, a bidirectional two-terminal thyristor (SSS) or a reverse blocking two-terminal thyristor (PNPN switch) is used. The semiconductor switch circuit S1 for preheating the filament is configured to operate when the input voltage is in either the positive or negative half cycle to pass the preheating current if, and the semiconductor switch circuit S2 for pulse generation is configured to operate when the input voltage is in either the positive or negative half cycle, and the semiconductor switch circuit S2 for pulse generation is connected to the preheating semiconductor switch circuit S2. 1 operates during the other half cycle when it does not operate, and generates a pulse current ip, which generates a pulse voltage at the inductance of the chiyoke coil 1.
In this embodiment, the connection position of the choke coil 1 is as follows:
Set it to the O′ terminal side. The pulse generation semiconductor switch circuit S2 is configured as follows. That is, a diode 6 is arranged in the opposite direction to the diode 5 of the preheating semiconductor switch circuit S1 , and a voltage divider X is connected in series with the diode 6, and both input terminals T,
Connect between T′. A voltage divider Y different from the above and a switching PNP transistor 12 are connected in parallel between the voltage dividing point of the voltage divider X and its negative terminal via a diode 9. An N-channel field effect transistor 15 is connected between the voltage dividing point of the latter voltage divider Y and the base of the PNP transistor 12. N-channel field effect transistor 15
The gate of is connected to the negative terminal of the former voltage divider
Connect via. This resistor 16 is located closer to the negative terminal of the former voltage divider X than the PNP transistor 12 when viewed from the gate of the field effect transistor 15. The collector circuit and emitter circuit of the PNP transistor 12 each have a resistor 1 as required.
4 and 13, and a diode 21 is inserted into the emitter circuit as required. The output of the PNP transistor 12 is configured to be amplified by an amplification transistor 18. Of course, the amplifier circuit may be a two-stage amplifier circuit or a three-stage amplifier circuit as required. Amplification transistor 18
A base current limiting resistor 17 is connected between the base of the PNP transistor 12 and the connection point between the collector circuit of the PNP transistor 12 and the resistor 16. Amplification transistor 18
Resistors 19 and 20 are inserted and connected in series to the collector and emitter circuits as necessary. This allows the semiconductor switch circuit for pulse generation to
As shown in Figure 3, S 2 does not operate when the input voltage e is in a negative cycle, but operates during a positive cycle to generate a pulse current ip, and the inductance of the chiyoke coil 1 generates a pulse voltage Vp. Then, by superimposing this on the input voltage e, the kick voltage
Vk can be generated. FIG. 2 shows the mechanical structure of the discharge lamp ballast B. For example, a chiyoke coil 1, a capacitor 24, and an electronic starter circuit S are arranged and connected as shown in the figure. The output line on the input side is pulled out from the outlet 25 of the case 27, and the output line on the lamp side is pulled out from the outlet 26 of the case 27. The chain coil 1, the capacitor 24, and the electronic starter S housed in the case 27 are partially or completely filled with a plastic compound or an asphalt compound 28, and are integrated with the case 27. Next, its effect will be explained. When the switch 23 of the AC power supply 22 is turned on, the third
The input voltage e shown in FIG. When the input voltage e is in a positive cycle, the thyristor 4 of the semiconductor switch circuit S1 for preheating the filament
does not operate due to the reverse blocking effect of diode 5. The input voltage e enters a negative cycle, increases in negative value, and when the operating voltage V BO of the thyristor 4 is reached, the thyristor 4 becomes conductive. As a result, the current if shown in FIG. This heats the filaments 3, 3'. The phase of this filament heating current if lags behind the input voltage by nearly 90 degrees due to the inductance of the chiyoke coil 1. When the filament heating current if decreases to about 20mA or less, thyristor 4
becomes nonconductive. At this time, the power supply voltage e has already entered the positive cycle. When the power supply voltage e enters a positive cycle, the power supply voltage e applied to the pulse generation semiconductor switch circuit S 2 passes through the diode 6 and is applied to the resistor 7 of the voltage divider X.
8, passes through a diode (or Zener diode) 9, flows from a resistor 13 to a switching PNP transistor 12, and also flows in parallel to resistors 10 and 11 of a voltage divider Y. As the power supply voltage e rises, the current rapidly flows through the circuit passing through the emitter and base of the PNP transistor 12, the drain and source of the field effect transistor 15, and the resistors 11 and 16. At this time, the current is resistance 1
However, since the value of resistor 10 is set sufficiently higher than the internal resistance of field effect transistor 15, most of the current flows through the circuit passing through field effect transistor 15, so transistor 12 It becomes conductive immediately. This current is immediately amplified by the transistor 18 and rapidly flows through the collector and emitter of the transistor 18 as a pulse current ip. The situation during this time will be explained in more detail. The current flowing through the field effect transistor 15 changes over time to an operating characteristic curve Z shown in FIG.
flows according to Due to the current, the negative potential between the gate and source of the field effect transistor 15 increases rapidly, and the field effect transistor 15 approaches pinch-off. In this situation, PNP transistor 1
Almost no current flows through the base of 2,
The PNP transistor 12 approaches a non-conducting state and has a high resistance value between the emitter and collector, and the current that has passed through the diode 9 from the voltage dividing point of the voltage divider Most will migrate. As a result, the field effect transistor 15
The negative potential between the gate and source of the field-effect transistor 15 instantly exceeds the pinch-off voltage, and no current flows between the drain and source of the field effect transistor 15 (point C→point D in FIG. 4). Therefore, the PNP transistor 12 also becomes completely non-conductive, and the transistor 18 that amplifies the output of this PNP transistor 12
is completely non-conducting. When this transistor 18 switches off,
In other words, when the pulse current ip quickly becomes zero, the inductance of the choke coil (inductive ballast) 1 generates a pulse voltage Vp, which becomes the input voltage e.
The kick voltage Vk is superimposed on the voltage Vk, which is applied between the filaments 3 and 3' of the fluorescent discharge tube 2. In this way, the filament heating current if flows between both filaments 3 and 3' during the preheating cycle.
HS and a voltage application cycle VS in which a kick voltage Vk is applied are alternately repeated. Both filaments 3,
When the lamp 3' is sufficiently heated and lighting conditions are satisfied, the fluorescent discharge tube 2 shifts to the lighting state. After lighting, the lamp voltage between both filaments 3 and 3' of the fluorescent discharge tube 2 decreases to below the operating voltage V BO of the thyristor 4, so the thyristor 4 becomes non-conductive and the semiconductor switch circuit for preheating the filament S 1 stops working. On the other hand, the pulse generating semiconductor switch S2 is set to operate at a lower voltage by the resistors 7 and 8 of the voltage divider X. However, after lighting the fluorescent discharge tube 2, the lamp voltage between both filaments 3 and 3' drops significantly, and is inhibited by the rising voltage of the diode 9 (or its Zener voltage when a Zener diode is used). At this voltage, current no longer flows through transistor 12, field effect transistor 15, and resistors 10, 11, and 16, and pulse-generating semiconductor switch S2 no longer operates. Next, the performance of the product of the present invention having the structure of the above example and the conventional product was compared, and the results are shown in Table 1 below. However, as a product of this invention,
For one 30W lamp, we used a product with a temperature rise of 45°C or less.As for the conventional product, we used a rapid high power factor type for a 30W single lamp with a temperature rise of 45°C or less.

【表】 上表から明らかなように、本考案品は、従来品
と比較して、入力電流が83.3%、入力電力が86.0
%、安定器電力損が50.0%、重量が56%になり、
上記全ての点で大幅に省エネルギー化省資源とす
ることができる点で優れておることが一目瞭然で
ある。 なお、上記実施例におけるパルス発生用半導体
スイツチ回路S2を第5図に示すように変更すこと
が考えられる。 即ち、スイツチング用のトランジスタ12に
NPNトランジスタを用い、電界効果トランジス
タ15にPチヤンネル形のものを用いる。このP
チヤンネル形電界効果トランジスタ15のゲート
を前者分圧器Xの分圧点に、ダイオード9及び抵
抗16を介して接続したものである。その作用
は、上記実施例と同様である。 また、第6図に示すようにチヨークコイル1の
代りにリーケージトランス1′を用いると32W、
40W等のけい光放電灯電子スタート形安定器とす
ることが出来るこの考案は、上記のように構成さ
れ、作用することから、次の効果を奏する。 イ 即ち、放電管の両フイラメントには、予熱用
半導体スイツチ回路による予熱電流と、パルス
発生用半導体スイツチ回路によるキツク電圧と
が電源電圧の半サイクルごとに交互に与えられ
て、速やかに予熱され、始動する。これによ
り、けい光放電管の始動時間を例えば、1〜2
秒に充分短縮でき、グロースタータの場合の2
〜8秒もかかる欠点を大幅に改善できる。 しかも、予熱が充分に行なわれてから始動す
るので、両フイラメントの消耗も少く、けい光
放電管の寿命を長く保たせることができる。 ロ そのうえ、本考案による安定器に用いる電子
スタータは電子素子の組合せから成り、その寿
命は半永久的であるから、グロースタータの場
合のグロー球のように寿命が短かいため、頻繁
に交換しなければならないわずらわしさを無く
すことができる。しかも、両フイラメントに予
熱電流とキツク電圧とを与えて始動する方式な
ので、ラピツドスタート方式の場合と比べて、
安定器を非常に軽量化・小型化して、安価に製
造できるうえ、省電力の面ででも優れている。 ハ 本考案によるけい光放電灯安定器の主要構成
である予熱用半導体スイツチ回路及びパルス発
生用半導体スイツチ回路は、全て、一般に広く
市販されている電子部品を使つて簡単に小形に
安価に量産することができる。 更に進んで、上記両回路を一つのものとして
完全IC化することも極めて容易で、超小形化
して量産することもできるので、省電力・省資
源に果す役割は、計り知れぬほど大きい。
[Table] As is clear from the above table, compared to the conventional product, the input current of this product is 83.3%, and the input power is 86.0%.
%, ballast power loss is 50.0%, weight is 56%,
It is obvious that it is superior in all the above points in that it can significantly save energy and resources. It is conceivable to modify the pulse generating semiconductor switch circuit S2 in the above embodiment as shown in FIG. That is, the switching transistor 12
An NPN transistor is used, and a P-channel type field effect transistor 15 is used. This P
The gate of the channel field effect transistor 15 is connected to the voltage dividing point of the former voltage divider X via a diode 9 and a resistor 16. Its operation is similar to that of the above embodiment. Also, as shown in Fig. 6, if a leakage transformer 1' is used instead of the chiyoke coil 1, the power output is 32W.
This invention, which can be used as an electronic start type ballast for fluorescent discharge lamps such as 40W, is constructed and operates as described above, and has the following effects. (a) That is, both filaments of the discharge tube are rapidly preheated by being alternately given a preheating current by the preheating semiconductor switch circuit and a kick voltage by the pulse generation semiconductor switch circuit every half cycle of the power supply voltage; Start. As a result, the starting time of the fluorescent discharge tube is, for example, 1 to 2
It can be sufficiently shortened to 2 seconds, compared to 2 seconds in the case of a glow starter.
The disadvantage that it takes ~8 seconds can be greatly improved. Furthermore, since the lamp is started after sufficient preheating, the wear of both filaments is small, and the life of the fluorescent discharge tube can be maintained for a long time. Furthermore, the electronic starter used in the ballast of the present invention is made up of a combination of electronic elements and has a semi-permanent lifespan, so it has a short lifespan and must be replaced frequently, just like the glow bulb in a glow starter. You can eliminate unnecessary hassles. Moreover, since it is started by applying preheating current and kick voltage to both filaments, compared to the rapid start method,
The ballast can be made extremely lightweight and compact, making it inexpensive to manufacture, and it is also superior in terms of power savings. C. The semiconductor switch circuit for preheating and the semiconductor switch circuit for pulse generation, which are the main components of the fluorescent discharge lamp ballast according to the present invention, can be easily mass-produced in a small size and at low cost using electronic components that are generally widely available on the market. be able to. Going even further, it is extremely easy to integrate both of the above circuits into one complete IC, and it can also be miniaturized and mass-produced, so the role it plays in saving power and resources is immeasurably large.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of drawings]

図面はこの考案の実施例を示し、第1図は電気
回路図、第2図は機械的構成を示す横断平面図、
第3図イ、ロは入力電圧・キツク電圧とフイラメ
ント加熱電流との関係を示す曲線図、第4図は電
界効果トランジスタの動作特性図、第5図・第6
図はそれぞれ第1図の変形例図である。 1,1′……誘導性安定器、2……放電管、
3,3′……フイラメント、4……サイリスタ、
5,6,9,21……ダイオード、12……スイ
ツチングトランジスタ、13,14,16……抵
抗、15……電界効果トランジスタ、18……増
幅用トランジスタ、22……電源、27……安定
器ケース、28……コンパウンド、B……放電灯
安定器、S……電子スタータ、S1……放電管フイ
ラメン予熱用半導体スイツチ、S2……パルス発生
用半導体スイツチ、X,Y……分圧器。
The drawings show an embodiment of the present invention, in which FIG. 1 is an electrical circuit diagram, FIG. 2 is a cross-sectional plan view showing the mechanical structure,
3A and 3B are curves showing the relationship between the input voltage, kick voltage and the filament heating current, FIG. 4 is a diagram showing the operating characteristics of a field effect transistor, and FIGS. 5 and 6 are
The figures are modified versions of FIG. 1. 1, 1': inductive ballast, 2: discharge tube,
3, 3'... filament, 4... thyristor,
5, 6, 9, 21...diode, 12...switching transistor, 13, 14, 16...resistor, 15...field effect transistor, 18...amplifying transistor, 22...power supply, 27...ballast case, 28...compound, B...discharge lamp ballast, S...electronic starter, S 1 ...semiconductor switch for preheating discharge tube filament, S 2 ...semiconductor switch for generating pulse, X, Y...voltage divider.

Claims (1)

【実用新案登録請求の範囲】 1 放電管2に直列接続する誘導性安定器1,
1′と、放電管2に並列接続する放電管フイラ
メント予熱用半導体スイツチS1と、この予熱用
半導体スイツチS1に並列接続するパルス発生用
半導体スイツチS2とを備え、パルス発生用半導
体スイツチS2は誘導性安定器1,1′のインダ
クタンスとの関連作動により放電管2の両フイ
ラメント3,3′間にパルス電圧を発生させる
ように構成し、誘導性安定器1,1′と予熱用
半導体スイツチS1とパルス発生用半導体スイツ
チS2とを、一つの安定器ケース27に収納し
て、安定器ケース27の一部または全部にコン
パウンド28を充填したことを特徴とする、放
電灯安定器。 2 実用新案登録請求の範囲第1項に記載した放
電灯安定器において、放電管フイラメント予熱
用半導体スイツチS1が、サイリスタ(逆阻止二
端子サイリスタまたは双向性二端子サイリス
タ、以下単にサイリスタと呼ぶ)4とダイオー
ド5とを直列接続して構成したもの。 3 実用新案登録請求の範囲第2項に記載した放
電灯安定器において、パルス発生用半導体スイ
ツチS2をより具体化する構成として、放電管フ
イラメント予熱用半導体スイツチS1のダイオー
ド5と逆方向のダイオード6と、このダイオー
ド6に直列接続する分圧器Xと、この分圧器X
の分圧点と一方の端子との間に並列接続するス
イツチングトランジスタ12及び分圧器Yと、
後者分圧器Yの分圧点とスイツチングトランジ
スタ12のベースと接続する回路に挿入する電
界効果トランジスタ15と、電界効果トランジ
スタ15のゲートを前者分圧器Xの一方の端子
と分圧点とのどちらかに接続する回路に挿入す
る抵抗16であつて、電界効果トランジスタ1
5のゲートから見てスイツチングトランジスタ
12より前者分圧器X側に位置する抵抗16
と、スイツチングトランジスタ12の出力を増
幅する増幅回路とからパルス発生用半導体スイ
ツチS2を構成したもの。 4 実用新案登録請求の範囲第3項に記載した放
電灯安定器において、スイツチングトランジス
タ12にPNPトランジスタを、電界効果トラン
ジスタ15にNチヤンネルのものを用い、この
Nチヤンネルの電界効果トランジスタ15のゲ
ートを前者分圧器Xの負極端子に抵抗16を介
して接続したもの。 5 実用新案登録請求の範囲第3項に記載した放
電灯安定器において、スイツチングトランジス
タ12にNPNトランジスタを、電界効果トラ
ンジスタ15にPチヤンネルのものを用い、こ
のPチヤンネルの電界効果トランジスタ15の
ゲートを前者分圧器Xの分圧点に抵抗16を介
して接続したもの。 6 実用新案登録請求の範囲第3項、第4項また
は第5項に記載した放電灯安定器において、ス
イツチングトランジスタ12のコレクタ回路と
エミツタ回路との少なくとも一方に抵抗13,
14を挿入したもの。 7 実用新案登録請求の範囲第3項、第4項、第
5項または第6項に記載した放電灯安定器にお
いて、スイツチングトランジスタ12のエミツ
タ回路にダイオード21を挿入したもの。 8 実用新案登録請求の範囲第3項乃至第7項の
うちのどれか一項に記載した放電灯安定器にお
いて、前者分圧器Xの分圧点とスイツチングト
ランジスタ12との接続回路中その分圧点から
の分岐直後の箇所にダイオード9を挿入したも
の。 9 実用新案登録請求の範囲第1項に記載した放
電灯安定器において、コンパウンド28として
プラスチツク系コンパウンドまたはアスフアル
ト系コンパウンドのいづれか一方を用いたも
の。
[Claims for Utility Model Registration] 1. Inductive ballast 1 connected in series to discharge tube 2;
1', a semiconductor switch S1 for preheating the discharge tube filament connected in parallel to the discharge tube 2, and a semiconductor switch S2 for pulse generation connected in parallel to the semiconductor switch S1 for preheating. 2 is configured to generate a pulse voltage between both filaments 3, 3' of the discharge tube 2 by operation related to the inductance of the inductive ballasts 1, 1', and A discharge lamp stabilizing device characterized in that a semiconductor switch S 1 and a pulse generation semiconductor switch S 2 are housed in one ballast case 27, and a part or all of the ballast case 27 is filled with a compound 28. vessel. 2 Utility Model Registration In the discharge lamp ballast described in Claim 1, the semiconductor switch S1 for preheating the discharge tube filament is a thyristor (reverse blocking two-terminal thyristor or bidirectional two-terminal thyristor, hereinafter simply referred to as thyristor). 4 and a diode 5 are connected in series. 3. In the discharge lamp ballast described in Claim 2 of the Utility Model Registration Claim, as a configuration that further embodies the pulse generation semiconductor switch S2 , the diode 5 of the discharge tube filament preheating semiconductor switch S1 is connected in the opposite direction. A diode 6, a voltage divider X connected in series with this diode 6, and this voltage divider
a switching transistor 12 and a voltage divider Y connected in parallel between the voltage dividing point and one terminal;
The field effect transistor 15 inserted into the circuit that connects the voltage dividing point of the latter voltage divider Y and the base of the switching transistor 12, and the gate of the field effect transistor 15 connected to one terminal of the former voltage divider X and the voltage dividing point. A resistor 16 inserted into a circuit connected to the field effect transistor 1.
A resistor 16 located closer to the former voltage divider X than the switching transistor 12 when viewed from the gate of
and an amplifier circuit for amplifying the output of the switching transistor 12 to form a pulse generation semiconductor switch S2 . 4 In the discharge lamp ballast described in claim 3 of the utility model registration, a PNP transistor is used as the switching transistor 12, an N-channel one is used as the field-effect transistor 15, and the gate of the N-channel field-effect transistor 15 is is connected to the negative terminal of the former voltage divider X via a resistor 16. 5. In the discharge lamp ballast described in claim 3 of the utility model registration, an NPN transistor is used as the switching transistor 12, a P-channel transistor is used as the field-effect transistor 15, and the gate of the P-channel field-effect transistor 15 is is connected to the voltage dividing point of the former voltage divider X via a resistor 16. 6. In the discharge lamp ballast described in claim 3, 4, or 5 of the utility model registration claim, a resistor 13 is provided in at least one of the collector circuit and the emitter circuit of the switching transistor 12.
14 inserted. 7. The discharge lamp ballast described in claim 3, 4, 5, or 6 of the utility model registration claim, in which a diode 21 is inserted in the emitter circuit of the switching transistor 12. 8. In the discharge lamp ballast described in any one of claims 3 to 7 of the claims for utility model registration, the voltage dividing point of the former voltage divider A diode 9 is inserted immediately after the branch from the pressure point. 9. The discharge lamp ballast described in claim 1 of the utility model registration, in which either a plastic compound or an asphalt compound is used as the compound 28.
JP14813480U 1980-10-16 1980-10-16 Expired JPS6230725Y2 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP14813480U JPS6230725Y2 (en) 1980-10-16 1980-10-16

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP14813480U JPS6230725Y2 (en) 1980-10-16 1980-10-16

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPS5771321U JPS5771321U (en) 1982-04-30
JPS6230725Y2 true JPS6230725Y2 (en) 1987-08-07

Family

ID=29507601

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP14813480U Expired JPS6230725Y2 (en) 1980-10-16 1980-10-16

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPS6230725Y2 (en)

Also Published As

Publication number Publication date
JPS5771321U (en) 1982-04-30

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US4145638A (en) Discharge lamp lighting system using series connected starters
JPS5916719B2 (en) discharge lamp starting device
US4015167A (en) Circuits for operating electric discharge lamps
EP0132008B1 (en) Power supply arrangement provided with a voltage converter for igniting and feeding a gas- and/or vapour discharge lamp
JPS59956B2 (en) discharge lamp lighting device
JPH0855690A (en) Illumination circuit device of one or more low-pressure discharge lamps
KR890006109A (en) Compact fluorescent lamp circuit
CA1207014A (en) Arc lamp power supply
US3396307A (en) Transistor inverter lamp ballasting circuit
JPS6230725Y2 (en)
KR840001992A (en) Electronic ballast for discharge lamp
US6744219B2 (en) Operating circuit for a discharge lamp with preheatable electrodes
US4520295A (en) Step-wise dimmer control circuit for a discharge lamp
JPS6330752B2 (en)
JPS6325678Y2 (en)
US6911778B1 (en) Ignition control circuit for gas discharge lamps
KR910002615B1 (en) Apparatus for discharge lamps
JPS5840320B2 (en) discharge lamp lighting device
KR960005026Y1 (en) Starter for fluorescent lamp
JPH03252096A (en) Fluorescent lamp lighting device
SU1654990A1 (en) Lighting device
KR200225297Y1 (en) High speed start circuit of fluorescent light
SU1624709A1 (en) Preheat flourescent lamp starter
KR900005333Y1 (en) Arrangements for discharge lamp
RU7270U1 (en) LIGHTING DEVICE