JPS623046A - Formation of silicon oxide film - Google Patents

Formation of silicon oxide film

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JPS623046A
JPS623046A JP14060485A JP14060485A JPS623046A JP S623046 A JPS623046 A JP S623046A JP 14060485 A JP14060485 A JP 14060485A JP 14060485 A JP14060485 A JP 14060485A JP S623046 A JPS623046 A JP S623046A
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JP
Japan
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silicon oxide
oxide film
glass substrate
film
atmosphere
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JP14060485A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Masao Ariga
有賀 真雄
Yoshio Goto
後藤 芳夫
Mamoru Mizuhashi
水橋 衞
Akira Tamamura
玉村 亮
Hisakazu Tsuchitani
槌谷 久和
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AGC Inc
Original Assignee
Asahi Glass Co Ltd
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Publication date
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Abstract

PURPOSE:To obtain a silicon oxide film suitable as an undercoating of a transparent electrically conductive film on electrically conductive glass substrates for solar cells, by coating a glass substrate surface with a specific solution forming the silicon oxide film and keeping the resultant film in an atmosphere at a specific humidity. CONSTITUTION:A glass substrate surface is coated with a solution for forming silicon oxide films containing an alkoxysilane compound, water and alcohol, and the resultant coated glass substrate is then kept in an atmosphere at 50-100%, more preferably 85-75% relative humidity for a given time to form the aimed silicon oxide films having an uneven surface on the glass substrate surface. The time for keeping the substrate in the above-mentioned atmosphere is preferably about 0.1-60min due to the relation between the hydrolytic reaction and the occurrence of the uneven surface. As methods for coating the glass substrate surface with the above-mentioned solution, especially the dipping and pulling up method is optimum, because a uniform film quality and film thickness can be obtained and the film can be exposed to an atmosphere at a constant humidity while pulling up the film at a constant speed.

Description

【発明の詳細な説明】 [産業上の利用分野] 本発明は酸化珪素被膜の形成方法、特に太陽電池用主導
性ガラス基板の透明電導性被膜のアンダーコートとして
最適な酸化珪素被膜の形成方法に関するものである。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Industrial Application Field] The present invention relates to a method for forming a silicon oxide film, particularly to a method for forming a silicon oxide film that is optimal as an undercoat for a transparent conductive film on a conductive glass substrate for a solar cell. It is something.

[従来の技術] 今日、ガラス表面を酸化珪素被膜で被覆することが広く
行なわれている0例えば、液晶表示パネルや太陽電池用
のガラス基板として、アルカリ含有ガラス、例えばソー
ダーライムガラスを使用する場合、ガラス表面からのア
ルカリ析出を防止する目的でガラス表面を酸化珪素被膜
で被覆している。そして、この酸化珪素被膜の表面に酸
化インジウムや酸化錫の透明電導性被覆を形成している
。従来からこのアンダーコートとしての酸化珪素被膜の
形成方法としては、真空蒸着法、スパッタリング法、C
VD法、CLD法等があるが、いずれも表面が平坦な透
明な酸化珪素被膜であった。
[Prior Art] Today, coating the glass surface with a silicon oxide film is widely practiced. For example, when alkali-containing glass, such as soda lime glass, is used as a glass substrate for liquid crystal display panels or solar cells. The glass surface is coated with a silicon oxide film to prevent alkali precipitation from the glass surface. A transparent conductive coating of indium oxide or tin oxide is then formed on the surface of this silicon oxide coating. Conventionally, methods for forming a silicon oxide film as an undercoat include vacuum evaporation, sputtering, and C.
There are VD methods, CLD methods, etc., but all of them produce transparent silicon oxide films with flat surfaces.

例えば、太陽電池用の導電性ガラス基板としては、アン
ダーコートとしての酸化珪素被ahに電極として透明電
導性酸化錫膜が被膜されるが、変換効率向上のために可
視光線憤域において反射率が低減されるように透明電導
性酸化錫膜の表面に適度の凹凸を形成することが要求さ
れている。かかる、凹凸面により、太陽光線を散乱させ
、表面からの反射を低減させることができ、これによっ
て変換効率を高めることができる。従来法により形成さ
れたアンダーコートとしての酸化珪素被膜は表面が平坦
であるため、透明電導性酸化錫膜の成膜の条件をコント
ロールすることでこの酸化錫膜の表面の適度の凹凸状態
が得られるようにしていた。しかしながら、酸化錫膜の
成膜条件で表面の凹凸状態を形成することは凹凸状態を
発生させるための条件コントロールのほかに、所望の酸
化錫膜の抵抗値、光学特性、膜厚等も得られるように条
件コントロールしなければならず、成膜が極めて難しい
という問題点があった。
For example, in conductive glass substrates for solar cells, a silicon oxide undercoat is coated with a transparent conductive tin oxide film as an electrode, but the reflectance in the visible light range is low in order to improve conversion efficiency. It is required to form appropriate irregularities on the surface of the transparent conductive tin oxide film so as to reduce the roughness. Such an uneven surface can scatter sunlight and reduce reflection from the surface, thereby increasing conversion efficiency. Since the silicon oxide film as an undercoat formed by the conventional method has a flat surface, by controlling the conditions for forming the transparent conductive tin oxide film, it is possible to obtain an appropriate unevenness on the surface of the tin oxide film. I was trying to make it possible. However, forming an uneven surface under the conditions for forming a tin oxide film not only controls the conditions for generating the uneven state, but also allows the desired resistance value, optical properties, film thickness, etc. of the tin oxide film to be obtained. The problem was that the conditions had to be controlled in such a way that it was extremely difficult to form a film.

[発明の解決しようとする問題点] 本発明の目的は、前述の問題点を解決しようとするもの
であり、透明電導性酸化錫膜の成膜条件のコントロール
で表面の凹凸状態を形成する代りに、従来知られていな
かった酸化珪素被膜の成膜条件により酸化珪素被膜の表
面に凹凸状態を形成せしめようとするものである。
[Problems to be Solved by the Invention] An object of the present invention is to solve the above-mentioned problems, and instead of forming an uneven state on the surface by controlling the film forming conditions of a transparent conductive tin oxide film. In addition, the present invention attempts to form an uneven state on the surface of a silicon oxide film using conditions for forming a silicon oxide film, which were hitherto unknown.

[問題点を解決するための手段] 本発明はかかる目的に基づいて研究の結果発明されたも
のであり、その要旨はガラス基板面にアルコキシシラン
化合物と水とアルコールを含有する酸化珪素被膜形成溶
液を被覆した後。
[Means for Solving the Problems] The present invention was invented as a result of research based on the above object, and the gist thereof is to provide a silicon oxide film forming solution containing an alkoxysilane compound, water and alcohol on the surface of a glass substrate. After coating.

この被覆されたガラス基板を相対湿度が50〜100$
の雰囲気中で所定時間保持し、上記ガラス基板面上に表
面が凹凸面を有する酸化珪素被膜を形成することを特徴
とする酸化珪素被膜の形成方法に関するものである。
This coated glass substrate was heated to a relative humidity of 50 to 100 $.
The present invention relates to a method for forming a silicon oxide film, which comprises holding the glass substrate in an atmosphere for a predetermined period of time to form a silicon oxide film having an uneven surface on the glass substrate surface.

本発明によれば、ガラス基板上にアンダーコートとして
形成された酸化珪素被膜の表面に適度の凹凸面が形成さ
れているので、この上に透明電導性膜を通常の方法によ
り成膜するだけで酸化珪素被膜の表面の凹凸により透明
電導性膜の表面も凹凸状態になり、太陽電池用として最
適な基板を提供することができる。
According to the present invention, since a moderately uneven surface is formed on the surface of the silicon oxide film formed as an undercoat on a glass substrate, a transparent conductive film can be simply formed on this by a normal method. Due to the uneven surface of the silicon oxide film, the surface of the transparent conductive film also becomes uneven, making it possible to provide an optimal substrate for solar cells.

本発明により酸化珪素被膜を形成するに当っては、まず
酸化珪素の原料としてのアルコキシシラン化合物を、該
アルコキシシラン化合物を加水分解させるための水と、
アルコキシシラン化合物と水に相溶性のある溶媒として
のアルコールを含有する酸化珪素被膜形成溶液を用意す
る。このアルコキシシラン化合物としては、テトラメト
キシシラン(メチルシリケート)、テトラエトキシシラ
ン(エチルシリケート)、テトラプロポキシシラン(プ
ロピルシリケート)、テトラブトキシシラン(ブチリシ
リケート)。
In forming a silicon oxide film according to the present invention, first, an alkoxysilane compound as a raw material for silicon oxide is mixed with water for hydrolyzing the alkoxysilane compound,
A silicon oxide film forming solution containing an alkoxysilane compound and an alcohol as a water-compatible solvent is prepared. Examples of the alkoxysilane compound include tetramethoxysilane (methyl silicate), tetraethoxysilane (ethyl silicate), tetrapropoxysilane (propyl silicate), and tetrabutoxysilane (butysilicate).

モノメチルトリエトキシシラン、モノエチルトリエトキ
シシラン、テトラフェノキシシランそノ他高級アルコキ
シシラン、あるいはこれらアルコキシシランの部分加水
分解物などが使用できるが、中でもテトラエトキシシラ
ン、あるいはテトラエトキシシランの部分加水分解物が
使用の容易さ、保存安定性、入手の容易さなどから最も
代表的なものである。
Monomethyltriethoxysilane, monoethyltriethoxysilane, tetraphenoxysilane, other higher alkoxysilanes, or partial hydrolysates of these alkoxysilanes can be used, among which tetraethoxysilane or partial hydrolysates of tetraethoxysilane can be used. is the most representative because of its ease of use, storage stability, and availability.

又、かかる酸化珪素被膜形成溶液に加えられるアルコー
ルとしてはエタノール、ブタノール、インプロパツール
、エチルセロソルブおよびその混合物などが使用でき、
コート液の貯蔵性および引き上げ後の加水分解を安定に
促進するためにエタノールとブタノールの混合アルコー
ル溶液を使用することが好ましい。
Further, as the alcohol added to the silicon oxide film forming solution, ethanol, butanol, impropatol, ethyl cellosolve, and mixtures thereof can be used.
It is preferable to use a mixed alcohol solution of ethanol and butanol in order to stably promote the storability of the coating liquid and the hydrolysis after pulling it up.

又、アルコール溶液にはエチレングリコール、プロピレ
ングリコールなどの多価アルコールやジアセトンアルコ
ール、アセチルアセトンなどのキレート形成性化合物を
加えることができる。
Furthermore, polyhydric alcohols such as ethylene glycol and propylene glycol, and chelate-forming compounds such as diacetone alcohol and acetylacetone can be added to the alcohol solution.

又、加水分解反応を速やかに進行させるために塩基性触
媒又は酸性触媒を加えることができる。その他必要に応
じて濃度調整剤、表面活性剤なども加えることもできる
Furthermore, a basic catalyst or an acidic catalyst can be added to speed up the hydrolysis reaction. In addition, concentration adjusting agents, surfactants, etc. can also be added as necessary.

かかる酸化珪素被膜形成溶液としては、アルコキシシラ
ン化合物1モルに対し、アルコール50〜110モル%
と加水分解反応に必要な所定量の水とを含むものが代表
的なものとして挙げられる。
Such a silicon oxide film forming solution contains 50 to 110 mol% of alcohol per 1 mol of the alkoxysilane compound.
A typical example is one containing a predetermined amount of water necessary for the hydrolysis reaction.

上記した酸化珪素被膜形成溶液をガラス基板面に被覆す
る方法としては、浸漬引き上げ法。
A method for coating the glass substrate surface with the above-mentioned silicon oxide film forming solution is a dipping and pulling method.

ロールコータ−法、メニスカスコーター法、刷は塗り法
等の種々被覆方法が使用できる。中でも、浸漬引き上げ
法は、均一な膜質、膜厚を得ることができ、又、一定速
度で引き上げながら一定の湿度の雰囲気に露らすことが
できるので本発明における被覆方法としては最適である
Various coating methods such as a roll coater method, a meniscus coater method, and a printing method can be used. Among these, the immersion-pulling method is most suitable as a coating method in the present invention because it can obtain uniform film quality and thickness, and can be exposed to a constant humidity atmosphere while pulling at a constant speed.

この被覆時のガラス基板温度は20〜23℃が最適であ
り、又、酸化珪素被膜の形成溶液の温・度は20〜25
℃が適当である。
The glass substrate temperature during this coating is optimally 20 to 23°C, and the temperature/degree of the silicon oxide film forming solution is 20 to 25°C.
°C is appropriate.

酸化珪素被膜形成溶液が被覆されたガラス基板は、相対
湿度が50−100$;、更に好ましくは65〜75駕
の大気雰囲気内で所定時間保持される。
The glass substrate coated with the silicon oxide film forming solution is maintained for a predetermined time in an atmospheric atmosphere with a relative humidity of 50-100 $, more preferably 65-75 $.

かかる雰囲気中で被覆されたガラス基板を保持すること
により、被覆された酸化珪素被膜形成溶液の加水分解反
応が制御され、表面が凹凸状となった酸化珪素被膜を得
ることができる。なお、被覆されたガラス基板の保持雰
囲気の湿度が上記範囲よりも高すぎると急激に加水分解
反応が起こり、凹凸状で白濁した膜にクララフが生じて
しまい好ましくなく、又上記範囲よりも低いと加水分解
反応が促進されず、平坦で透明な膜となってしまうので
好ましくない。
By holding the coated glass substrate in such an atmosphere, the hydrolysis reaction of the coated silicon oxide film forming solution is controlled, and a silicon oxide film having an uneven surface can be obtained. In addition, if the humidity of the atmosphere in which the coated glass substrate is held is too high than the above range, a hydrolysis reaction will occur rapidly, resulting in the formation of a cloudy film with an uneven shape, which is undesirable. This is not preferable because the hydrolysis reaction is not promoted and a flat and transparent film is formed.

上記した雰囲気での被覆されたガラス基板の保持時間は
加水分解反応及び表面の凹凸の発生との関係から0.1
分〜80分間程度、特に1分〜5分間程度が好ましい、
なお、この雰囲気の温度は20〜25℃の範囲が加水分
解反応の制御という点から好ましい。
The retention time of the coated glass substrate in the above atmosphere is 0.1 due to the relationship between the hydrolysis reaction and the occurrence of surface irregularities.
About 80 minutes, particularly preferably about 1 minute to 5 minutes.
Note that the temperature of this atmosphere is preferably in the range of 20 to 25°C from the viewpoint of controlling the hydrolysis reaction.

本発明により形成する酸化珪素被膜の膜厚は特に限定さ
れないが、酸化珪素被膜の表面への好適な凹凸の生成と
いう点から1000人〜2000人程度が最適である。
The thickness of the silicon oxide film formed according to the present invention is not particularly limited, but from the viewpoint of creating suitable unevenness on the surface of the silicon oxide film, it is optimally about 1000 to 2000 thickness.

なお、酸化珪素被膜の凹凸の程度及び膜厚は、酸化珪素
被膜形成溶液中のアルコキシシラン化合物の濃度、雰囲
気湿度、雰囲気温度、保持時間や引き上げ法による被覆
法の場合には引き上げ速度などによって任意に制御する
ことができる。
The degree of unevenness and film thickness of the silicon oxide film can be determined arbitrarily depending on the concentration of the alkoxysilane compound in the silicon oxide film forming solution, the atmospheric humidity, the atmospheric temperature, the holding time, and the pulling speed in the case of a coating method using a pulling method. can be controlled.

本発明により酸化珪素被膜の表面に発生する凹凸は例え
ばヘイズを測定することによって、その程度を測定する
ことができる0本発明方法により形成される酸化珪素被
膜の形成されたガラス板のヘイズは光源としてはC光源
のへイズメーターにより測定した結果では、3.0〜2
5.0%であった。なお、太陽電池用の透明電導性被膜
を形成するために最適な凹凸の程度をかかるヘイズで表
せば3.5〜10.0%程度である。
The degree of unevenness generated on the surface of the silicon oxide film according to the present invention can be measured, for example, by measuring the haze. According to the results measured with a haze meter of C light source, it is 3.0 to 2.
It was 5.0%. Note that the optimum level of unevenness for forming a transparent conductive film for solar cells is about 3.5 to 10.0% when expressed in terms of haze.

なお、本発明において酸化珪素被膜が形成されるガラス
基板としては、アルカリの溶出が起こるアルカリ含有ガ
ラス板、例えばソーダーライムガラス板が挙げられるが
、かかるアルカリ溶出防止のためにアンダーコートとし
て酸化珪素被膜が不要な低アルカリ、又は無アルカリガ
ラス板であっても表面が凹凸を有する酸化珪素被膜が要
求される場合には勿論これらガラスを使用してもよい。
In the present invention, the glass substrate on which the silicon oxide film is formed includes an alkali-containing glass plate from which alkali elutes, such as a soda lime glass plate, but in order to prevent such alkali elution, a silicon oxide film is formed as an undercoat. Even if the plate is a low-alkali or alkali-free glass plate that does not require oxidation, these glasses may of course be used if a silicon oxide coating having an uneven surface is required.

本発明の酸化珪素被膜付きガラス基板は1表面に凹凸が
形成されるため太陽電池用の透明電導膜を形成するガラ
ス基板として最適であるが、上記酸化珪素被膜は凹凸が
あり散乱効果もあり、低反射性であるため、防眩用、そ
の他各種用途に対しても利用できる。
The glass substrate with a silicon oxide film of the present invention has irregularities formed on one surface, so it is optimal as a glass substrate for forming a transparent conductive film for solar cells, but the silicon oxide film has irregularities and has a scattering effect. Since it has low reflectivity, it can also be used for anti-glare and various other applications.

実施例1 エタノール380膳Q、ブタノール3Hm(2、ジアセ
トンアルコール130 taQ、エチルシリケート80
mQ、塩酸7.5 yaQ、ヘキシレングリコール5■
Q。
Example 1 Ethanol 380 tQ, butanol 3Hm (2, diacetone alcohol 130 taQ, ethyl silicate 80
mQ, hydrochloric acid 7.5 yaQ, hexylene glycol 5■
Q.

プロピレングリコール5鳳Q、界面活性剤1思QlcS
US304製の容器に入れ約10分間攪拌して酸化珪素
被膜形成溶液を調製し1こ。次いで十分な洗浄処理を施
した大きさが100 X 100m/aiの厚さ1.1
rI/mのソーダライムガラスを上記酸化珪素被膜形成
容器中に3分間浸漬した後に20cm/inの一定速度
で引き上げ、次いで相対湿度89%の雰囲気中に引き上
げた状態で5分間保持し乾燥後、500℃にて10分間
加熱したところ膜厚1450人でヘーズ率が3.6zと
いう表面に凹凸面を有する白濁した酸化珪素被膜が得ら
れた。
Propylene glycol 5 Otori Q, surfactant 1 QlcS
Prepare a silicon oxide film forming solution by placing it in a US304 container and stirring for about 10 minutes. Then, after thorough cleaning, the size is 100 x 100m/ai and the thickness is 1.1
Soda lime glass of rI/m was immersed in the silicon oxide film forming container for 3 minutes, then pulled up at a constant speed of 20 cm/in, then held in an atmosphere with a relative humidity of 89% for 5 minutes, and dried. When heated at 500° C. for 10 minutes, a cloudy silicon oxide film having a film thickness of 1450 mm and a haze ratio of 3.6z and having an uneven surface was obtained.

実施例2 エタノール390 rsQ、ブタノール390鳳Q、エ
チルシリケート80腸Q、塩酸7.5 taQ、ヘキシ
レングリコール5mQ、界面活性剤1mQを5IJS3
04製の容器に入れ約10分間攪拌して酸化珪素被膜形
成溶液を調製した0次いで十分な洗浄処理を施した大き
さが100 X 100+s/層の厚さ1.1嘗/履の
ソーダライムガラスを上記酸化珪素被膜形成容器中に3
分間浸漬した後に20cm/履inの一定速度で引き」
二げ、次いで相対湿度75Xの雰囲気中に引き上げた状
態で1分間保持し乾燥後、500℃にて10分間加熱し
たところ膜厚1B00人でヘーズ率が12.82という
表面に凹凸面を有する白濁した酸化珪素被膜が得られた
Example 2 390 rsQ of ethanol, 390 rsQ of butanol, 80 Q of ethyl silicate, 7.5 taQ of hydrochloric acid, 5 mQ of hexylene glycol, 1 mQ of surfactant in 5IJS3
Soda lime glass with a size of 100 x 100 + s/layer thickness of 1.1 cm/shoe was prepared by placing it in a 04 container and stirring for about 10 minutes to prepare a silicon oxide film forming solution. 3 in the above silicon oxide film forming container.
After soaking for minutes, pull at a constant speed of 20cm/in.
After drying, the film was lifted into an atmosphere with a relative humidity of 75X and held for 1 minute, and then heated at 500℃ for 10 minutes.The film thickness was 1B00 and the haze rate was 12.82. A silicon oxide film was obtained.

比較例1 工夕/ −)L’ 390 mQ、ブタ/ −ル390
taQ 、 ジアセトンアルコール130 mQ、エチ
ルシリケー)80腸Q、塩酸7.5 mQ、ヘキシレン
グリコール5mf2、プロピレングリコール5IIQ、
界面活性剤1mQを5IIS304製の容器に入れ約1
0分間攪拌して酸化珪素被膜形成溶液を調製した1次い
で十分な洗浄処理を施した大きさがioo xioo層
/層の厚さ1.1鳳/mのソーダライムガラスを上記酸
化珪素被膜形成容器中に3分間浸漬した後に20cm/
sinの一定速度で引き上げ、次いで相対湿度48駕の
雰囲気中に引き上げ、直ちに乾燥後、500℃にて10
分間加熱したところ膜厚1250人でヘーズ率が0.3
tという表面が平滑な透明な酸化珪素被膜が得られた。
Comparative Example 1 Koyu/-)L' 390 mQ, Buta/-L 390
taQ, diacetone alcohol 130 mQ, ethyl silicate) 80 intestinal Q, hydrochloric acid 7.5 mQ, hexylene glycol 5mf2, propylene glycol 5IIQ,
Pour 1 mQ of surfactant into a 5IIS304 container and add approximately 1 mQ of surfactant.
A silicon oxide film forming solution was prepared by stirring for 0 minutes. Next, a soda lime glass having a size of 1.1 mm/layer and a thickness of 1.1 layers/m after being thoroughly washed was placed in the silicon oxide film forming container. 20cm/ after 3 minutes immersion in
It was pulled up at a constant speed of sin, then pulled up into an atmosphere with a relative humidity of 48 cm, immediately dried, and then heated at 500°C for 10 minutes.
When heated for 1 minute, the film thickness was 1250 people and the haze rate was 0.3.
A transparent silicon oxide film with a smooth surface was obtained.

比較例2 エタノール390層Q、フタノール380層Q、ジアセ
トンアルコール130 rxQ、エチルシリケート8゜
rsQ、塩酸7.5 taQ、ヘキシレングリコール5
IIQ、プロピレングリコール5m12、界面活性剤L
taQを511S304製の容器に入れ約10分間攪拌
して酸化珪素被膜形成溶液を調製した0次いで十分な洗
浄処理を施した大きさが100 X100鵬/mの厚さ
1.1rn/mのソーダライムガラスを上記酸化珪素被
膜形成容器中に3分間浸漬した後に20cm/sinの
一定速度で引き上げ、煮沸蒸気中に1分間保持し、乾燥
後、500℃にて10分間加熱したところ膜厚7000
人でヘーズ率が20.9$というクラックが認められる
白濁した酸化珪素被膜が得られた。
Comparative Example 2 Ethanol 390 layer Q, phthanol 380 layer Q, diacetone alcohol 130 rxQ, ethyl silicate 8°rsQ, hydrochloric acid 7.5 taQ, hexylene glycol 5
IIQ, propylene glycol 5m12, surfactant L
A silicon oxide film forming solution was prepared by placing taQ in a 511S304 container and stirring for about 10 minutes.Then, a soda lime with a size of 100 x 100 pieces/m and a thickness of 1.1rn/m was thoroughly washed. The glass was immersed in the silicon oxide film forming container for 3 minutes, then pulled up at a constant speed of 20 cm/sin, held in boiling steam for 1 minute, dried, and heated at 500°C for 10 minutes, resulting in a film thickness of 7000.
A cloudy silicon oxide film with cracks and a human haze rate of 20.9 dollars was obtained.

[発明の作用・効果] 以上のように、本発明によれば、アルコキシシラン化合
物と水とアルコールを含有する酸化珪素被膜形成溶液を
ガラス基板面に被覆した後、相対湿度が50〜100%
の雰囲気中で所定時間保持することにより、加水分解反
応を制御することができ、これによって表面が凹凸状を
有し、散乱効果のある白濁した酸化珪素被膜を得ること
ができる。かかる表面が凹凸状となっている酸化珪素被
1模は、その上に透明電導膜をコーティングすることに
より、表面が凹凸面を有する透明性電導膜となり、この
透明性電導膜イ・」きガラス基板は変換効率の高い太陽
電池を作成する上で極めて有用である。
[Operations and Effects of the Invention] As described above, according to the present invention, after coating a glass substrate surface with a silicon oxide film forming solution containing an alkoxysilane compound, water, and alcohol, the relative humidity is 50 to 100%.
By holding the film in an atmosphere for a predetermined period of time, the hydrolysis reaction can be controlled, thereby making it possible to obtain a cloudy silicon oxide film with an uneven surface and a scattering effect. By coating a transparent conductive film on the silicon oxide film having an uneven surface, it becomes a transparent conductive film having an uneven surface. The substrate is extremely useful in creating solar cells with high conversion efficiency.

なお、実施例1及び比較例1により得られた酸化珪素被
膜付ガラス基板を用いて下記の通りにして模擬太陽電池
を作成し、それぞれの評価を行なった。
In addition, using the silicon oxide coated glass substrates obtained in Example 1 and Comparative Example 1, simulated solar cells were created as follows, and each was evaluated.

実施例1により形成されたヘーズ率3Hの表面が凹凸面
を有し白濁した酸化珪素被膜を被覆したソーダーライム
ガラス基板上に透明電導膜として酸化錫膜を5500人
コートした0次いでシリコ7 ヲ500OAコートした
上にアルミニウム2000人コートして模擬太陽電池セ
ル(サンプル1)を作成した。
A tin oxide film was coated as a transparent conductive film on a soda lime glass substrate having an uneven surface and a cloudy silicon oxide film formed in Example 1 and having a haze ratio of 3H. A simulated solar cell (sample 1) was created by coating 2,000 pieces of aluminum on top of the coating.

この、模擬太陽電池セルに対して積分球による分光反射
率の測定を行なったところ、入=340〜700■の可
視光線領域における最大反射率は約14%であった。一
方、比較例1により形成されたヘーズ率0.3zの表面
が平滑で透明な酸化珪素被膜を被覆したソーダーライム
ガラス基板上に作成した模擬太陽電池セル(サンプル2
)に対して同様の測定を行なったところ最大反射率は約
28%であった。このサンプル1及びサンプル2の分光
反射特性を測定した結果を第1図に示す。なお、第1図
において曲線1はサンブリ1の分光反射曲線を示し、曲
線2はサンプル2の分光反射曲線を示す、これにより本
発明により形成された白濁した酸化珪素被膜を被覆した
ソーダライムガラスを使用して模擬太陽電池セルを作成
すると可視光線領域における反射率が大幅に低減すると
いう優れた効果を有する。
When the spectral reflectance of this simulated solar cell was measured using an integrating sphere, the maximum reflectance in the visible light range of 340 to 700 square meters was about 14%. On the other hand, a simulated solar cell (Sample 2) was prepared on a soda lime glass substrate formed in Comparative Example 1 and coated with a smooth and transparent silicon oxide film with a haze rate of 0.3z.
), the maximum reflectance was about 28%. The results of measuring the spectral reflection characteristics of Sample 1 and Sample 2 are shown in FIG. In addition, in FIG. 1, curve 1 shows the spectral reflection curve of Sample 1, and curve 2 shows the spectral reflection curve of Sample 2. This shows that the soda lime glass coated with the cloudy silicon oxide film formed according to the present invention is When used to create a simulated solar cell, it has the excellent effect of significantly reducing reflectance in the visible light region.

更に、本発明によればガラス表面を凹凸状にすることが
できるためノングレア−用のガラス基板として利用する
こともできる。
Furthermore, according to the present invention, since the glass surface can be made uneven, it can also be used as a non-glare glass substrate.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of drawings]

第1図は、模擬太陽電池セルに対する積分球による分光
反射特性を示す分光特性図である。 −/l!L表λ(π、M) 第 1 図
FIG. 1 is a spectral characteristic diagram showing the spectral reflection characteristics of an integrating sphere for a simulated solar cell. -/l! L table λ(π, M) Fig. 1

Claims (4)

【特許請求の範囲】[Claims] (1)ガラス基板面にアルコキシシラン化合物と水とア
ルコールを含有する酸化珪素被膜形成溶液を被覆した後
、この被覆されたガラス基板を、相対湿度が50〜10
0%の雰囲気中で所定時間保持し、上記ガラス基板面上
に表面が凹凸面を有する酸化珪素被膜を形成することを
特徴とする酸化珪素被膜の形成方法。
(1) After coating the glass substrate surface with a silicon oxide film forming solution containing an alkoxysilane compound, water, and alcohol, the coated glass substrate is heated to a relative humidity of 50 to 10
A method for forming a silicon oxide film, the method comprising: maintaining the silicon oxide film in a 0% atmosphere for a predetermined time to form a silicon oxide film having an uneven surface on the glass substrate surface.
(2)相対湿度が65〜75%の雰囲気中で被覆された
ガラス基板を保持することを特徴とする特許請求の範囲
第1項記載の酸化珪素被膜の形成方法。
(2) The method for forming a silicon oxide film according to claim 1, wherein the coated glass substrate is held in an atmosphere with a relative humidity of 65 to 75%.
(3)相対湿度が50〜100%の雰囲気中で0.1分
〜60分間保持することを特徴とする特許請求の範囲第
1項記載の酸化珪素被膜形成方法。
(3) The method for forming a silicon oxide film according to claim 1, wherein the method is maintained in an atmosphere with a relative humidity of 50 to 100% for 0.1 to 60 minutes.
(4)ガラス基板を酸化珪素被膜形成溶液中に浸漬した
後、相対湿度が50〜100%の雰囲気中に一定速度で
引き上げ、この雰囲気中で所定時間保持することを特徴
とする特許請求の範囲第1項記載の酸化珪素被膜の形成
方法。
(4) A claim characterized in that after a glass substrate is immersed in a silicon oxide film forming solution, it is pulled up at a constant speed into an atmosphere with a relative humidity of 50 to 100% and held in this atmosphere for a predetermined period of time. 2. The method for forming a silicon oxide film according to item 1.
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