JPS62288537A - Temperature detector - Google Patents

Temperature detector

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JPS62288537A
JPS62288537A JP13229886A JP13229886A JPS62288537A JP S62288537 A JPS62288537 A JP S62288537A JP 13229886 A JP13229886 A JP 13229886A JP 13229886 A JP13229886 A JP 13229886A JP S62288537 A JPS62288537 A JP S62288537A
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JP
Japan
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resistor
temperature
transistor
connection point
sensing element
Prior art date
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Application number
JP13229886A
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Japanese (ja)
Inventor
Kenji Takenaka
賢治 竹中
Akihisa Nakano
昭久 仲野
Shunichiro Tanaka
俊一郎 田中
Osamu Eguchi
修 江口
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Panasonic Holdings Corp
Original Assignee
Matsushita Electric Industrial Co Ltd
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Publication date
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Abstract

PURPOSE:To provide a highly accurate temp. detector receiving no effect of a switch means, by simple constitution such that a bridge circuit is constituted of 4 or more electrical loads each containing a temp.-sensitive element and the switch means is not contained in the bridge circuit. CONSTITUTION:A temp.-sensitive element TH1 comprises a resistor having a negative temp. characteristic and constitutes a bridge circuit along with reference resistors RK1, RK2 being electrical loads and a set resistor RS1. The connection point A of the temp.-sensitive element TH1 and the reference resistor RK1 is connected to a power source Vcc to receive DC voltage and the connection point B of the reference resistor RK2 and the set resistor RS1 opposed to the terminal of said power source is connected to the other terminal GND of the power source through a transistor Q11 constituting a switching element. A comparator 11 connects an input terminal so as to detect the potential difference between a terminal other than the aforementioned ones, that is, the connection point C of the reference resistor RK1 and the reference resistor RK2 and the connection point D of the temp.-sensitive element TH12 and the set resistor RS1 to output a comparing result.

Description

【発明の詳細な説明】 3、発明の詳細な説明 産業上の利用分野 本発明は温度等を検出したり制御する装置に関するもの
である。
Detailed Description of the Invention 3. Detailed Description of the Invention Field of Industrial Application The present invention relates to a device for detecting and controlling temperature and the like.

従来の技術 従来、温度等を検出し制御する手段としては、第4図〜
第6図に示すような回路構成よりなっていた。第4図に
ついてその動作を説明すると次のようになる。
Conventional technology Conventionally, means for detecting and controlling temperature etc. are as shown in Figs.
It had a circuit configuration as shown in FIG. The operation of FIG. 4 will be explained as follows.

抵抗R1と抵抗R2は基準電圧設定用で、同じ抵抗値に
設定し比較器2の一人力にはXhVcの電圧が入力され
る。トランジスタQ1は感温素子1と抵抗R3の直列接
続回路の動作をスイッチングするために設けられ、通常
はオンしていると考え、また、トランジスタQ1のオン
抵抗を無視すると、比較器2の十入力側から見た比較器
2の反転レベルは%Vcである。検出したい温度Tl’
Cにおける感温素子1の抵抗値を’kT、Lとすると、
抵抗R3の抵抗値をとのRkTaに設定する。すなわち
感温素子1の抵抗値がRkTaになると比較器2の十入
力電圧はV2VCで前記反転レベルに相当する。感温素
子1の周囲温度が変化するとこの感温素子の抵抗値が変
化するので、この周囲温度と比較器2の出力が低と高電
圧とに反転する点の関係は感温素子1の周囲温度がTI
L℃に相当する。マイクロコンピュータ3はこの比較器
2の出力を入力し、感温素子1の温度特性が温度に対し
負の特性であれば、Ta℃よりも低い温度では感温素子
1の抵抗値はRkTaより大きく比較器2の出力は低電
圧、逆に高い温度ではRkTaより小さくなって比較器
2の出力は高電圧となり、マイクロコンピュータ3はこ
れを入力することにより、感温素子1の検出温度が検出
したい温度より犬であるか小であるか検知できるもので
ある。
The resistor R1 and the resistor R2 are for setting a reference voltage, and are set to the same resistance value, and a voltage of XhVc is inputted to the single power of the comparator 2. Transistor Q1 is provided to switch the operation of the series-connected circuit of temperature sensing element 1 and resistor R3, and is normally on.If the on-resistance of transistor Q1 is ignored, then the ten inputs of comparator 2 The inversion level of comparator 2 seen from the side is %Vc. Temperature Tl' to be detected
If the resistance value of the temperature sensing element 1 at C is 'kT, L,
The resistance value of resistor R3 is set to RkTa. That is, when the resistance value of the temperature sensing element 1 becomes RkTa, the input voltage of the comparator 2 is V2VC, which corresponds to the above-mentioned inversion level. When the ambient temperature of temperature sensing element 1 changes, the resistance value of this temperature sensing element changes, so the relationship between this ambient temperature and the point at which the output of comparator 2 is reversed between low and high voltage is based on the temperature around temperature sensing element 1. Temperature is TI
Corresponds to L°C. The microcomputer 3 inputs the output of the comparator 2, and if the temperature characteristic of the temperature sensing element 1 is negative with respect to temperature, the resistance value of the temperature sensing element 1 is greater than RkTa at a temperature lower than Ta°C. The output of the comparator 2 is a low voltage, and conversely, at high temperatures, it becomes smaller than RkTa, so the output of the comparator 2 becomes a high voltage, and the microcomputer 3 inputs this to detect the temperature detected by the temperature sensing element 1. It can detect whether it is a dog or not based on temperature.

また、第4図の例は第6図のような応用もできる。第6
図において同番号の動作は第4図と同じであり、抵抗R
3とトランジスタQ1に並列にこれに対応して同じ動作
をする抵抗R4とトランジスタQ2が接続される。この
場合、トランジスタQ1とトランジスタQ2のスイッチ
ングは排他的に動作するようマイクロコンピュータ3に
より制御され、トランジスタQ1がオンし、トランジス
タQ2がオフしているときは、抵抗R4とトランジスタ
Q2は無いものと同様、また、トランジスタQ2がオン
し、トランジスタQ1がオフしているときは、抵抗R3
とトランジスタQ1は無いものと同様で、それぞれ回路
構成は第4図と同様になり、動作についても第4図と同
様である。第6図の場合のメリットは、抵抗R3又は抵
抗R4に設定される抵抗値に相当する感温素子1の温度
を検出することができ、2点の温度検出が可能である。
Further, the example shown in FIG. 4 can also be applied as shown in FIG. 6th
In the figure, the operations with the same numbers are the same as in Figure 4, and the resistor R
A resistor R4 and a transistor Q2, which operate in the same manner, are connected in parallel to the resistor R4 and the transistor Q1. In this case, the switching of transistor Q1 and transistor Q2 is controlled by the microcomputer 3 so that they operate exclusively, and when transistor Q1 is on and transistor Q2 is off, it is the same as if resistor R4 and transistor Q2 were not present. , and when transistor Q2 is on and transistor Q1 is off, resistor R3
and the transistor Q1 are the same as those without, the circuit configuration is the same as that shown in FIG. 4, and the operation is also the same as that shown in FIG. 4. The advantage of the case of FIG. 6 is that the temperature of the temperature sensing element 1 corresponding to the resistance value set for the resistor R3 or the resistor R4 can be detected, and the temperature can be detected at two points.

また、抵抗R4とトランジスタQ2の組合わせを増やし
ていけば複数の温度検出ができるものである。
Furthermore, by increasing the number of combinations of resistor R4 and transistor Q2, multiple temperatures can be detected.

第6図は、第4図の回路構成において、可変抵抗R5を
用いてトランジスタQ1のオン抵抗を補正したものであ
る。
FIG. 6 shows the circuit configuration of FIG. 4 in which the on-resistance of the transistor Q1 is corrected using a variable resistor R5.

発明が解決しようとする問題点 上記した第4図及び第5図の従来例において、トランジ
スタQ1およびトランジスタQ2のオン抵抗は無視して
考えた。ところが、検出温度の精度を要求するような場
合、また、トランジスタQ1又はQ2に止むを得ずオン
抵抗の特性の悪いものを使わなければならない時等は、
このトランジスタのオン抵抗が無視できなくなる。
Problems to be Solved by the Invention In the conventional examples shown in FIGS. 4 and 5, the on-resistances of the transistors Q1 and Q2 were ignored. However, in cases where accuracy of the detected temperature is required, or when it is unavoidable to use a transistor with poor on-resistance characteristics for transistor Q1 or Q2,
The on-resistance of this transistor cannot be ignored.

この対策として、抵抗R3又はR4の選定をトランジス
タQ1およびQ2のオン抵抗を考慮し設計する。また、
第6図の例に示すように、可変抵抗R5を用いて調整し
てトランジスタQ1のオン抵抗を補正することも考えら
れている。しかしながら、このような補正は一時的にし
か動作しない。
As a countermeasure for this, the selection of resistor R3 or R4 is designed taking into consideration the on-resistance of transistors Q1 and Q2. Also,
As shown in the example of FIG. 6, it has also been considered to correct the on-resistance of the transistor Q1 by adjusting it using a variable resistor R5. However, such correction only works temporarily.

たとえば、トランジスタQ1のオン抵抗は温度特性を有
し、温度によって条件が変化すること、また、抵抗R3
やR4の抵抗値によってトランジスタQ1やQ2に流れ
る電流が異り、トランジスタのオン抵抗はこの電流の影
響も受けるなどの問題点も多く、トランジスタQ1やQ
2のオン抵抗を考慮し設計しても、大量生産による部品
の特性バラツキや温度特性に対して有効でなく、第6図
のような可変抵抗R6による方法についても、第5図に
示すような複数の温度を検出したい場合に有効でないと
いった問題点を有するものであった。
For example, the on-resistance of transistor Q1 has temperature characteristics, and the conditions change depending on the temperature.
There are many problems such as the current flowing through transistors Q1 and Q2 differs depending on the resistance value of transistors Q1 and
Even if the on-resistance shown in Figure 2 is taken into consideration, it is not effective against variations in component characteristics and temperature characteristics due to mass production. This method has a problem in that it is not effective when it is desired to detect multiple temperatures.

問題点を解決するための手段 本発明は上述した問題点を解決するため、感温素子を含
む4個以上の電気的負荷をブリッジ回路に構成し、この
ブリッジ回路の一接続点を電源の片側端子に接続すると
ともにこの接続点に対向する接続端子をスイッチ手段を
介して前記電源端子の他端に接続し、上記接続点以外の
接続点の電位差を比較するよう比較器を設けた構成とす
る。
Means for Solving the Problems In order to solve the above-mentioned problems, the present invention configures four or more electrical loads including temperature sensing elements into a bridge circuit, and connects one connection point of the bridge circuit to one side of the power supply. A connection terminal opposite to the connection point is connected to the other end of the power supply terminal via a switch means, and a comparator is provided to compare potential differences at connection points other than the connection point. .

作用 上記構成は、スイッチングのために設けられるスイッチ
手段が、温度検出のためのブリッジ回路に含まれない、
すなわちスイッチ手段によシ検出する温度が影響を受け
ない構成になっている。
Effect: In the above configuration, the switch means provided for switching is not included in the bridge circuit for temperature detection.
In other words, the configuration is such that the temperature detected by the switch means is not affected.

実施例 第1図は本発明の一実施例を示す温度検出装置の具体的
な回路図である。図において、THlは感温素子で、負
の温度特性を有する抵抗からなり、検出したい温度を検
知するべく設けられる。この感温素子TH1は、電気的
負荷である基準抵抗RK1と基準抵抗RK2および設定
抵抗R81と共にブリッジ回路を構成し、感温素子TH
1と基準抵抗RK1の接続点大は電源Vccに接続して
直流電圧を受け、この端子に対向する基準抵抗RK2と
設定抵抗R81の接続点Bは、スイッチング素子を構成
するトランジスタQ11を介して前記電源の他端子、す
なわちGNDに接続される。比較器11は、前記以外の
端子すなわち基準抵抗RK1と基準抵抗RK2の接続点
Cと、感温素子TH1と設定抵抗R81の接続点りの電
位差を検出するように入力端子を接続し、比較した結果
を出力する。この出力をマイクロコンピュータ12は入
力するとともに出力端子部により、トランジスタQ11
のスイッチングの制御を行なうべく接続されている。ま
た、それぞれの抵抗値は基準抵抗RK1=基準抵抗RK
2に設計し、接続黒人−B間の電圧のAの電圧がB−0
間に出るようにし、設定抵抗R51の抵抗は感温素子T
H1により検出したい温度をTs ℃とし、このときの
感温素子TH1の抵抗値をRTHl(TS)Ωとすれば
、設定抵抗R8’ ” RTHl(TS)として設計す
る。感温素子TH1の周囲温度がTs ℃となると、接
点り−B間に出る電圧は接点人−B間の電圧のAの電圧
となる。
Embodiment FIG. 1 is a specific circuit diagram of a temperature detection device showing an embodiment of the present invention. In the figure, THl is a temperature sensing element, which is made of a resistor having negative temperature characteristics, and is provided to detect the temperature to be detected. This temperature sensing element TH1 constitutes a bridge circuit together with a reference resistor RK1, a reference resistor RK2 and a setting resistor R81 which are electrical loads, and the temperature sensing element TH
The connecting point B between the reference resistor RK2 and the setting resistor R81 facing this terminal is connected to the power supply Vcc to receive the DC voltage, and the connecting point B between the reference resistor RK2 and the setting resistor R81 facing this terminal receives the DC voltage through the transistor Q11 constituting the switching element. It is connected to the other terminal of the power supply, that is, GND. The comparator 11 connected its input terminals so as to detect the potential difference between terminals other than those mentioned above, that is, the connection point C between the reference resistor RK1 and the reference resistor RK2, and the connection point between the temperature sensing element TH1 and the setting resistor R81. Output the results. This output is input to the microcomputer 12, and the transistor Q11 is connected to the output terminal section.
are connected to control the switching of the Also, each resistance value is reference resistance RK1 = reference resistance RK
2, the voltage of A of the voltage between the connection black and B is B-0
The resistance of the setting resistor R51 should be between the temperature sensing element T and the resistance of the setting resistor R51.
If the temperature to be detected by H1 is Ts ℃, and the resistance value of temperature sensing element TH1 at this time is RTHl(TS)Ω, then design the setting resistance R8' ” RTHl(TS). Ambient temperature of temperature sensing element TH1 When becomes Ts°C, the voltage appearing between the contacts and B becomes the voltage A of the voltage between the contacts and B.

以上のように構成される第1図の実施例について以下に
その動作を説明する。
The operation of the embodiment of FIG. 1 constructed as described above will be described below.

マイクロコンピュータ12は検出温度を入力するとき、
まず、出力端子の出力を高電圧出力とする。これにより
トランジスタQ11がオンし、ブリッジ回路の端子人−
B間にVCCよりトランジスタQ11の電圧を引算した
電圧が印加される。比較器11は、A−B間の電圧を基
準抵抗RK2と基準抵抗RK1で分圧した電圧を一端子
に基準電圧として入力するため、比較器11の十端子入
力の判定レベルは感温素子TH1=設定抵抗R81”R
THl(TS)となる。すなわち、感温素子TH1の検
出する周囲温度が78℃よシも低い温度であれば、感温
素子T H1>RTHl (TS) =設定抵抗R51
であり、接続点Cの電圧〉接続点りの電圧となるため、
比較器11の出力は一人力より十人力の方が犬で低信号
を出力する。また感温素子TH1の検出する周囲温度が
78℃よりも高い温度であれば、感温素子TH1<RT
Hl(TS)  ax定抵抗R81であり、接続点Cの
電圧〈接続点りの電圧となり、比較器11の出力は十人
力より一人力の方が小なので高信号を出力する。この信
号ヲマイクロコンピュータ12は入力し、比較器11の
出力が低電圧信号であれば感温素子TH1の周囲温度は
Ts ℃よりも低いまた比較器11の出力が高電圧信号
であれば同様にTs ’cよりも高いことを検知できる
ものである。
When the microcomputer 12 inputs the detected temperature,
First, the output of the output terminal is set to a high voltage output. This turns on transistor Q11, and the terminal of the bridge circuit -
A voltage obtained by subtracting the voltage of the transistor Q11 from VCC is applied between the terminals B and B. Since the comparator 11 inputs the voltage obtained by dividing the voltage between A and B by the reference resistor RK2 and the reference resistor RK1 into one terminal as a reference voltage, the judgment level of the ten terminal input of the comparator 11 is the same as that of the temperature sensing element TH1. = Setting resistance R81”R
It becomes THL (TS). In other words, if the ambient temperature detected by the temperature sensing element TH1 is lower than 78°C, the temperature sensing element TH1>RTHl (TS) = setting resistance R51.
, and the voltage at the connection point C>the voltage at the connection point, so
The output of the comparator 11 outputs a lower signal when the dog is powered by ten people than when it is powered by one person. Furthermore, if the ambient temperature detected by the temperature sensing element TH1 is higher than 78°C, the temperature sensing element TH1<RT
Hl(TS) is an ax constant resistance R81, and the voltage at the connection point C is the voltage at the connection point, and since the output of the comparator 11 is smaller for one person than for ten people, it outputs a high signal. This signal is input to the microcomputer 12, and if the output of the comparator 11 is a low voltage signal, the ambient temperature of the temperature sensing element TH1 is lower than Ts °C, and if the output of the comparator 11 is a high voltage signal, the same applies. It is possible to detect that the temperature is higher than Ts'c.

この場合、比較器11の入力電圧の判定レベルは基準抵
抗RK1と基準抵抗RK2の比と、感温素子TH1と設
定抵抗R81の比が一致した点であり、感温素子TH1
により検出したい温度において上記比が一致するように
設定抵抗R81を選定しておけば、マイクロコンピュー
タ12には的確な感温素子TH1の周囲温度の情報が得
られる。
In this case, the judgment level of the input voltage of the comparator 11 is the point where the ratio of the reference resistance RK1 and the reference resistance RK2 matches the ratio of the temperature sensing element TH1 and the setting resistance R81, and the temperature sensing element TH1
If the setting resistor R81 is selected so that the above ratio matches the temperature to be detected, the microcomputer 12 can obtain accurate information on the ambient temperature of the temperature sensing element TH1.

しかも、上記温度の検出において、トランジスタQ11
のオン電圧の影響は全く受けない。したがって検出でき
る温度の精度が高いものである。また、温度を入力しな
いときは、マイクロコンピュータ12により出力端子を
低電圧にしておけばトランジスタQ11はオフ状態とな
り、ブリッジ回路に電流は流れなくなる。したがって省
エネルギーにもなる回路である。
Moreover, in the temperature detection described above, the transistor Q11
It is completely unaffected by the on-state voltage. Therefore, the accuracy of the temperature that can be detected is high. Furthermore, when no temperature is input, if the output terminal is set to a low voltage by the microcomputer 12, the transistor Q11 is turned off and no current flows through the bridge circuit. Therefore, the circuit also saves energy.

第2図は、本発明のさらに他の温度検出手段を示す具体
的な回路図である。
FIG. 2 is a specific circuit diagram showing still another temperature detection means of the present invention.

図において、感温素子TH1,基準抵抗RK1゜基準抵
抗RK2 、設定抵抗R52,)ランジスタQ11およ
び比較器11の第1図の実施例と同記号の素子について
は第1図の実施例と同様の構成であり、動作についても
同様である。基準抵抗RK3 、設定抵抗R52および
トランジスタQ12は、それぞれ基準抵抗RK2 、設
定抵抗RS1゜トランジスタQ11に対応し接続点C1
接続点りとGNDの間に接続され同様の動作を行々う。
In the figure, elements with the same symbols as those in the embodiment of FIG. 1, including temperature sensing element TH1, reference resistor RK1, reference resistor RK2, setting resistor R52, transistor Q11, and comparator 11, are the same as those in the embodiment of FIG. The same applies to the configuration and operation. The reference resistor RK3, the setting resistor R52, and the transistor Q12 correspond to the reference resistor RK2, the setting resistor RS1, and the transistor Q11, respectively, and connect to the connection point C1.
It is connected between the connection point and GND and performs the same operation.

マイクロコンピュータ13は比較器11の出力を入力し
、検知温度を入力すると共に出力端子1および2を介し
てトランジスタQ11およびQ12のスイッチングを制
御する。トランジスタQ11とトランジスタQ12は、
マイクロコンピュータ13によりスイッチングを制御さ
れるが互いに排他的に動作し、同時にオンすることはな
い。
Microcomputer 13 inputs the output of comparator 11 and the detected temperature, and controls the switching of transistors Q11 and Q12 via output terminals 1 and 2. Transistor Q11 and transistor Q12 are
The switching is controlled by the microcomputer 13, but they operate mutually exclusive and are not turned on at the same time.

第2図の実施例は2点の温度検出を目的としている。検
出したい温度はT2L1℃とTa 2℃で、Ta 1℃
における感温素子TH1の抵抗値はRTHl (Ta1
 )、T2L2℃におけるそれはRTHl(Ta。)。
The embodiment shown in FIG. 2 is intended for temperature detection at two points. The temperatures you want to detect are T2L1℃ and Ta 2℃, Ta 1℃
The resistance value of the temperature sensing element TH1 at is RTHl (Ta1
), that at T2L2°C is RTHl (Ta.).

また設定抵抗の抵抗値はそれぞれ設定抵抗R51=TH
1(Ta1)、R52=TH1(T2L2)である。ま
た、基準抵抗の抵抗値はそれぞれRK1=RK2=RK
3と設定される。
Also, the resistance value of each setting resistor is setting resistor R51=TH
1 (Ta1), R52=TH1 (T2L2). Also, the resistance values of the reference resistors are RK1=RK2=RK
It is set to 3.

以上のように構成される第2図の実施例の動作を以下に
説明する。
The operation of the embodiment of FIG. 2 constructed as above will be described below.

マイクロコンピュータ13はTa1℃に対する感温素子
TH1の温度を検出したいとき、出力端子1を高電圧動
作、出力端子2を低電圧動作とし、トランジスタQ12
をオフ、トランジスタQ11をオンさせる。その結果、
トランジスタQ12のコレクタには電流が流れなくなり
回路上、基準抵抗RK3と設定抵抗R82およびトラン
ジスタQ12は無視できるようになる。すなわち、回路
構成は第1図の実施例と同様となり、動作についても同
様である、接続点AとBの間の電圧を基準抵抗RK1と
RK2でAに分圧した電圧が比較器11の一人力に入力
され、また設定抵抗R81と感温素子TH1で分圧され
た電圧が比較器11の十人力に入力される。すなわち、
感温素子TH1の検出温度がTa1℃よりも小さいとき
は、接続点りの電位く接続点Cの電位となり比較器11
の出力は低電圧出力、また、逆に感温素子TH1の検出
温度がTa1℃よりも犬であれば、接続点りの電位〉接
続点Cの電位となり、比較器11の出力は高電圧出力と
なる。この比較器11の出力をマイクロコンピュータ1
3は入力し、現在の検出温度がTa1℃よりも犬である
か、小であるかを知ることができる。また、マイクロコ
ンピュータ13の出力端子1が低電圧出力、出力端子2
が高電圧出力の場合、トランジスタQ11はオフとなり
、基準抵抗RK2と設定抵抗R81およびトランジスタ
Q11には電流が流れない。実際には、接続点C−0間
に基準抵抗RK2と設定抵抗R81の間にわずかに電流
が流れるが、これは無視できる。したがって、基準抵抗
RK1と基準抵抗RK3と感温素子TH1および設定抵
抗R82によりブリッジ回路が構成されるようになる。
When the microcomputer 13 wants to detect the temperature of the temperature sensing element TH1 with respect to Ta1°C, the microcomputer 13 sets the output terminal 1 to high voltage operation and the output terminal 2 to low voltage operation, and turns on the transistor Q12.
is turned off, and transistor Q11 is turned on. the result,
No current flows through the collector of the transistor Q12, and the reference resistor RK3, setting resistor R82, and transistor Q12 can be ignored in terms of the circuit. That is, the circuit configuration is the same as that of the embodiment shown in FIG. 1, and the operation is also the same. The voltage divided by the setting resistor R81 and the temperature sensing element TH1 is input to the human power of the comparator 11. That is,
When the detected temperature of the temperature sensing element TH1 is lower than Ta1°C, the potential at the connection point becomes the potential at the connection point C, and the comparator 11
The output of is a low voltage output. Conversely, if the detected temperature of the temperature sensing element TH1 is higher than Ta1℃, the potential at the connection point is greater than the potential at the connection point C, and the output of the comparator 11 is a high voltage output. becomes. The output of this comparator 11 is sent to the microcomputer 1.
By inputting 3, it is possible to know whether the current detected temperature is higher or lower than Ta1°C. In addition, the output terminal 1 of the microcomputer 13 is a low voltage output, and the output terminal 2
When is a high voltage output, transistor Q11 is turned off, and no current flows through reference resistor RK2, setting resistor R81, and transistor Q11. In reality, a slight current flows between the connection point C-0, the reference resistor RK2, and the setting resistor R81, but this can be ignored. Therefore, a bridge circuit is configured by the reference resistor RK1, the reference resistor RK3, the temperature sensing element TH1, and the setting resistor R82.

この場合、前記動作説明したものと同じ回路構成になり
、動作についても同様である。ただ、異なる点は、設定
抵抗R82が設定抵抗R81と異なる点で設定抵抗R8
2=RTH1(T2L2)である。この場合、比較器1
1およびマイクロコンピュータ12により検出されるの
はTa2℃になる。
In this case, the circuit configuration is the same as that described above, and the operation is also the same. However, the difference is that setting resistor R82 is different from setting resistor R81.
2=RTH1 (T2L2). In this case, comparator 1
1 and the microcomputer 12 detect Ta2°C.

すなわち、第2図の実施例によると計℃とT2L2℃の
2点の温度に対し、感温素子TH1の周囲温度が高いか
低いかの検出ができるものである。
That is, according to the embodiment shown in FIG. 2, it is possible to detect whether the ambient temperature of the temperature sensing element TH1 is high or low based on the temperatures at two points, 0.degree. C. and T2L2.degree.

なお、本実施例は2点の温度であるが、設定抵抗Rs2
+基準抵抗RKaおよびトランジスタQ12のような組
合わせを接続点C,DとGNDO間にいくつかを同様に
接続することにより、さらに多くの温度を検出すること
は、もちろん可能である。
In this example, the temperature is at two points, but the setting resistance Rs2
It is of course possible to detect even more temperatures by similarly connecting several combinations such as +reference resistor RKa and transistor Q12 between connection points C, D and GNDO.

第3図は、本発明のさらに他の実施例を示す回路図であ
る。図における回路素子およびその接続は第2図の実施
例と同じであり、対応する番号のものは同じものである
。すなわち、第3図の実施例は第2図と同じ動作を行な
うもので、動作についての説明は省略する。
FIG. 3 is a circuit diagram showing still another embodiment of the present invention. The circuit elements and their connections in the figure are the same as in the embodiment of FIG. 2, and corresponding numbers are the same. That is, the embodiment shown in FIG. 3 performs the same operation as that shown in FIG. 2, and a description of the operation will be omitted.

ところで、本実施例において、トランジスタQ11およ
びトランジスタQ12はマイクロコンピュータ13の中
に含まれている。すなわち、マイクロコンピュータ13
は主に半導体の集積回路により構成され、トランジスタ
Q11.Q12もその中に含めることが可能であり、部
品点数の削減にもつながるものである。
By the way, in this embodiment, the transistor Q11 and the transistor Q12 are included in the microcomputer 13. That is, the microcomputer 13
are mainly composed of semiconductor integrated circuits, and include transistors Q11. Q12 can also be included in this, leading to a reduction in the number of parts.

加えて、第3図の実施例の場合、特に、トランジスタQ
11およびQ12はマイクロコンピュータ13と共に製
造されるので、その電気的特性はあまり良くない。した
がって、このようなトランジスタを使用する場合、従来
のような第4図の方式においてはその特性の影響を受け
、良好な温度検出が困難である。しかし、本発明の方法
を用いると、そのトランジスタの特性の影響を受けない
ので高精度の温度検出を行なうことが可能である。
In addition, in the embodiment of FIG. 3, in particular, the transistor Q
11 and Q12 are manufactured together with the microcomputer 13, so their electrical characteristics are not very good. Therefore, when such a transistor is used, the conventional method shown in FIG. 4 is affected by its characteristics, making it difficult to accurately detect temperature. However, when the method of the present invention is used, it is not affected by the characteristics of the transistor, so it is possible to perform temperature detection with high accuracy.

発明の効果 以上のように本発明によると、従来に比べ、スイッチ手
段の影響を受けない高精度の温度検出装置を実現するこ
とができる。
Effects of the Invention As described above, according to the present invention, it is possible to realize a highly accurate temperature detection device that is less affected by the switch means than the conventional one.

しかも、温度精度の向上に可変抵抗等の調節手段を用い
ることもないので、簡単な構成と量産の容易性を実現す
るものである。
Furthermore, since there is no need to use adjustment means such as a variable resistor to improve temperature accuracy, a simple configuration and ease of mass production are realized.

なお、本発明の実施例において、ブリッジ回路の基準抵
抗と設定抵抗および感温素子の相対的な位置関係は入れ
替わってもよく、またその定数の関係も、たとえば基準
抵抗RK1=基準抵抗RK2にこだわることなく、自由
に選択できることは言うまでもない。
In the embodiments of the present invention, the relative positions of the reference resistor, setting resistor, and temperature sensing element of the bridge circuit may be interchanged, and the relationship of the constants is also fixed to, for example, reference resistor RK1 = reference resistor RK2. Needless to say, you can choose freely.

また、基準抵抗RK1とRK2の組合わせは抵抗素子で
なくても、たとえば、同じ電圧電流特性を有する定電圧
ダイオードの組合わせに置き替えられ、また、基準抵抗
RK1を複数の抵抗から構成することも可能である。
Furthermore, the combination of the reference resistors RK1 and RK2 does not have to be a resistance element; for example, it can be replaced with a combination of constant voltage diodes having the same voltage-current characteristics, and the reference resistor RK1 can be composed of a plurality of resistors. is also possible.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of the drawing]

第1図は本発明の一実施例を示す回路図、第2図、第3
図はそれぞれ他の実施例を示す回路図、第4図〜第6図
は従来例を示す回路図である。 RKl、RK2.RK3・・・・・・基準抵抗、R51
,R82・・・・・・設定抵抗、THl・・・・・・感
温素子、Qll、Q12・・・・・・トランジスタ、1
1・・・・・・比較器、12.13・・・・・・マイク
ロコンピュータ。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか1名をく
        叱    × Cピ ー!  ゝ ミニ!XY−c
Figure 1 is a circuit diagram showing one embodiment of the present invention, Figures 2 and 3 are circuit diagrams showing one embodiment of the present invention.
The figures are circuit diagrams showing other embodiments, and FIGS. 4 to 6 are circuit diagrams showing conventional examples. RKl, RK2. RK3...Reference resistance, R51
, R82... Setting resistor, THL... Temperature sensing element, Qll, Q12... Transistor, 1
1... Comparator, 12.13... Microcomputer. Name of agent: Patent attorney Toshi Nakao and one other person × C-P!ゝMini! XY-c

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims]  感温素子を含む4個以上の電気的負荷をブリッジ回路
に構成し、このブリッジ回路の一接続点を電源端子に接
続するとともに、この接続点に対向する接続点をスイッ
チ手段を介して前記電源端子の他端に接続し、かつ上記
接続点以外の接続点の電位差を比較するよう比較器を接
続して成る温度検知装置。
Four or more electrical loads including temperature sensing elements are configured in a bridge circuit, one connection point of this bridge circuit is connected to a power supply terminal, and the connection point opposite to this connection point is connected to the power supply terminal through a switch means. A temperature sensing device connected to the other end of the terminal and comprising a comparator connected to compare potential differences at connection points other than the above connection points.
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100434290B1 (en) * 2001-12-17 2004-06-05 엘지전자 주식회사 Circuit for Sensing Temperature of Electric Apparatus
US6824308B2 (en) * 2002-11-07 2004-11-30 Omron Corporation Temperature detecting device

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