JPS62275228A

JPS62275228A - 表示装置およびその製造方法

Info

Publication number: JPS62275228A
Application number: JP61298782A
Authority: JP
Inventors: Masayuki Oba; 正幸大場; Masanori Sakamoto; 正典坂本; Takaki Takato; 孝毅高頭; Kazuyuki Haruhara; 一之春原; Nagao Kaneko; 金子　長雄; Nobuki Ibaraki; 伸樹茨木; Kyozo Ide; 井出　恭三
Original assignee: Toshiba Corp
Current assignee: Toshiba Corp
Priority date: 1986-02-18
Filing date: 1986-12-17
Publication date: 1987-11-30

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】３、発明の詳細な説明〔発明の目的〕（産業上の利用分野）本発明は表示装置に関し、更に詳しくは半導体駆動回路
の光感受性部材に入射してくる光線を吸収する光吸収樹
脂層を設けた表示装置に関する。

（従来の技術）従来よりポリシリコン、アモルファスシリコン、テルル
等の薄膜トランジスター（以下ＴＰＴと略記する）を用
いたアクティブマトリックス液晶表示装置は例えば特開
昭５６−２５７１４号公報、特開昭５６−２５７７７号
公報などに開示され広く知られている。

しかしこの種の表示装置では用いる半導体材料の光伝導
度の大小に依存してＴＰＴが光の照射によってトランジ
スター特性を著るしく損なう場合があり、その結果、表
示装置としての正常な動作がさまたげられていた。通常
、光の入射は表示装置のアセンブリ方法によって透明基
板上に形成したＴＰＴ側から、もしくはＴＰＴの裏側か
ら行なわれる場合とがある。例えばＴＰＴの電極構造を
逆スタガード型とした場合、ＴＰＴ側から入射してくる
光の遮蔽についてはＴＰＴの上に絶縁膜を介してクロム
やアルミニウム等の金属の蒸着膜をバターニングさせて
形成する方法が知られ、一方ＴＰＴの裏側から入射して
くる光については半導体駆動回路のゲート電極をアルミ
ニウムやクロム等の金属で形成することによりＴＰＴへ
の到達を阻止していた。ＴＰＴ側から入射する光を半導
体部に到達する前に遮蔽するための金属蒸着膜を用いた
遮光手段は蒸着法により金属薄膜を形成し、しかる後フ
ォトエツチング法により所定の形状に加工するバターニ
ング工程が必要であり、かつ金属蒸着膜とＴＰＴとの間
および金属蒸着膜と液晶層との間を電気的に絶縁するこ
とが必須となり、これらの間に所定の形状をしたｍａｗ
をバターニング法で形成しなければならず、長い製造工
程を必要としていた。又これら絶縁膜にポリイミド等の
透明なポリマーを使用した場合、ＴＰＴ側から入射する
光は絶縁膜の側面から浸入して半導体部へ到達するため
入射光を完全に阻止することが不可能であり表示装置の
性能向上が阻害されていた。

このような問題点を解決するものとして、特開昭６０−
１７４２２号公報記載の発明がある。この発明は。

半導体駆動回路及び表示単位となるドツト電極を有する
基板上に樹脂層を被膜し、その一部を染料で染色するこ
とにより、光吸収部を有する樹脂層を形成する。この層
により半導体駆動回路の半導体部に入射する光線を吸収
するものである。

（発明が解決しようとする問題点）前述の特開昭６０−１７４２２号公報記載の発明は、Ｔ
ＰＴの裏側から入射してくる光はゲート電極により遮蔽
できるが、ＴＰＴの側から入射してくる光は、光吸収樹
脂層する樹脂層では十分に遮蔽することができない。こ
れは次のような理由による。

まず第一に、染料の染色濃度が小さいため、入射光が一
部透過してしまう。さらに、マスキングにより樹脂の一
部を染色して光吸収部を形成しているため、透明な部分
から光が回折現象により浸入してくるのを阻害すること
が困難である。したがって、光によって起こるトランジ
スタ特性の損傷を十分に防止することができない。さら
に、用いる樹脂が水に可溶であるため、毒性の高い重ク
ロム酸アンモニウム等の耐水不溶化剤を使用しなければ
ならず、工業化するには不適当である。

本発明は、以上のような問題点に鑑みなされたものであ
り、製造工程が短縮化され、光による光感受性部材の特
性の損傷を防止した表示素子を提供することを目的とす
る。

〔発明の構成〕

（問題点を解決するための手段）本発明は半導体駆動回路及び画素電極を備えた基板Ａと
、対向電極を備えた基板Ｂの間に電気光学変調物質の層
を挟持した構造を有する表示装置において、半導体駆動
回路の光感受性部材に入射する光を遮蔽するように電気
光学変調物質と光感受性部材の間に光吸収樹脂層を設け
たことを特徴とする表示装置である。

つまり、表示装置の半導体駆動回路を構成する光感受性
部材（ＴＰＴ）等の上部に光吸収樹脂層を設けることに
より、光感受性物質に入射してくる光線を遮り、光感受
性物質の特性が維持できるようにしたことを特徴とする
ものである。

本発明の表示装置は、ゲート電極、ゲート絶縁膜、半導
体膜、ドレイン電極、ソース電極等から構成され画素電
極と対向電極間の印加電圧を開閉する半導体駆動回路と
、画素電極を備えた基板Ａと、対向電極を備えた基板Ｂ
と、この基板ＡとＢの間に挟持された電気光学変調物質
の層を有するものであり、必要に応じて絶縁膜、カラー
フィルター、配向膜等を用いてもよい。また、これらの
形態及び材質等は格別に限定されるものではない。

本発明の光吸収樹脂層は少なくとも樹脂と光吸収剤を含
有するものである。

光吸収剤としては、黒色染料、黒色顔料、赤外線吸収剤
、紫外線吸収剤等が挙げられ、これらは１種あるいは２
種以上組合わせて用いられる。

本発明の液晶表示装置で用いる黒色染料としては４００
〜ｂであればいかなるものでもよく、具体例としては住人化
学（株）製、商品名アミルブラックＦ−８ＩＩＬ、スミ
ライトブラックＧ　ｃｏｎｃ　、ダイレクトディープブ
ラックＸＡ、スミフィクスブラックＢ、アミルブラック
Ｆ−ＧＬ、スミカロンブラック５−ＢＦ、スピリットブ
ラックＮｏ　９２Ｇ、ジャパノールファーストブラック
Ｄ　ｃｏｎｅ　、スミカラーブラックＰＲ−３Ｆ　３６
５．スミカラーブラックＰＲ−８７３６４，スミカラー
ブラックＰ、ｌ−８７−３６３、オイルブラックＮｏｌ
、三井東圧化学（株）製、商品名ミツイＰＳブラックＢ
、ミツィＰＳブラックＢＧ、ミツイブラックＥＸ−５１
１１，ミツイブラックＥＸ−１７４，田岡化学（株）製
、商品名オレオゾールファーストブラックＢＬＮ等を挙
げることができる。本発明は赤色染料、青色染料、緑色
染料、黄色染料等の着色染料を２種以上配合し、黒色化
して使用する方法も包含するものである。黒色顔料とし
ては４００〜８００ｎ鳳の波長域において光を吸収する
ものであればいがなるものでもよく具体例としてはＣＩ
ＢＡ−ＧＥＩＧＹ社製商品名、Ｉｉｇａｌｉｔｅ　Ｂｌ
ａｃｋ　ＳＮ、　Ａｃｅｔｙｌｅｎｅ　ＢｌａｃｋＣａ
ｒｂｏｎ　Ｂｌａｃｋ、Ｂｅｎｇｏｌ　Ｂｌａｃｋ等、
ＢＡＳＦ社製、商品名、Ｐａ１ｉｏｔｏｌ　Ｂｌａｃｋ
　ＫＯＯ８０，ＬＯＯ８０Ｃｈａｎｎｅｌ　Ｂｌａｃｋ
Ｇａｓ　Ｂｌａｃｋ、Ａｎｉｍａｌ　Ｂｌａｃｋ等、Ｂ
ａｙｅｒ　ＡＧ社製、商品名）１ｅｌｉｏ　Ｆａｓｔ　
Ｂｌａｃｋ　ＩＲ，ＩＲＫ、Ｈｅ１ｉｏ　Ｆａｓｔ　Ｂ
ｌａｃｋＴＶ　Ｆａｓｔ　ＢｌａｃｋｌＯＯ，Ｆｅｕｏ
　Ｃｏｒｐ製、商品名、ＴｉｎＡｎｔｌｍｏｎｙ　Ｇｒ
ｅｙ　Ｃａ５ｓｉｔｅｕｔｅ、　Ｔｔａｎｉｕ＋＊　Ｖ
ａｎａｄｉｕｍＡｎｔｉｍｏｎｙ　ＧＰｅｙ　Ｒｕｔｉ
ｌｅ、　Ｃｏｂａｌｔ　Ｎ１ｃｋｅｌ　ＧｒｅｙＰｅｕ
ｃｌｓ＝ｅｅ、　Ｍａｎｇａｎｅｓｅ　Ｆｅｖ、ｉｔｅ
　Ｂｌａｃｋ　５ｐｉｎａ１等を挙げることができる。

尚、顔料の場合も赤色顔料。

青色顔料、緑色顔料、黄色顔料等の着色顔料を２種以上
配合し、黒色化して使用することができる。

本発明において、黒色染料および黒色顔料の使用量はポ
リマー１００重量部に対し１〜２００’ｌ量部が好まし
く、最適には、５〜１５０重量部の範囲である。使用量
が１重量部未満の場合には光の吸収効果が劣り、一方２
００重量部を超える場合には塗膜およびパターンの形成
が困難となることがある。

赤外線吸収剤としては、７００〜１５００ｎｍの波長域
において光を吸収するものであれば特に限定されず、具
体例としては三井東圧化学（株）製、商品名ＰＡ１００
１．ＰＡ１００５．ＰＡ１００６等のＰＡシリーズ、保
土谷化学工業（株）１１．商品名ＨＲ１０２，ＨＲ１０
５−Ｒ等のＨＲシリーズを挙げることができる。これら
赤外線吸収剤の使用量は樹脂１００重量部に対し０．１
〜５０重量部が好ましく、最適には０．５〜４０重量部
の範囲である。

紫外線吸収剤は４〜４００ｎ＋ｎの波長域において光を
吸収するものであれば特に限定されず、具体例としては
フェニルサリシレート、Ｐ　−ｔａｒｔ−プチルフェニ
ルサリシレート、２，４−ジヒドロキシベンゾフェノン
、　２−ヒドロキシ−４−メトキシベンゾフェノン、２
−（２−ヒドロキシ−５−メチルフェニル）ベンゾトリ
アゾール、２−エチルへキシル−２−シアノ−３，３′
−ジフェニルアクリレートなどを挙げることができる。

本発明において紫外線吸収剤の使用量はポリアミド酸１
００重量部に対し０．１〜５０重量部の範囲、最適には
０．５〜４０重量部の範囲が好ましい。

本発明の光吸収樹脂層に用いる樹脂としては、一般に使
用されているものであれば何であってもよく格別に限定
されるものではない。

具体例としてはポリイミド、ポリアミドイミド、ポリエ
ステルイミド、ポリアミド、ポリエステルアミド、ポリ
スルホン、ポリエーテルスルホン、ボリアリレート、ポ
リエーテルエーテルケトン、ポリアセタール、ポリカー
ボネート、ポリブチレンテレフタレート、（変性）ポリ
フェニレンオキサイド、ポリフェニレンスルフィド、不
飽和ポリエステル樹脂、ビスマレイミド樹脂（例えば商
品名。

ケルイミド、イミダロイ、ＢＴ−レジン）等が挙げられ
、これらポリマーは１種もしくは２種以上の混合系で使
用される。これらポリマーの中でもポリイミド、ポリア
ミドイミド、ポリエステルイミド、ポリアミド、ポリエ
ステルアミド、ポリエーテルスルホンが好適である。尚
これらポリマーの分子構造あるいは繰返し構造単位、分
子量、分子量分布等は特に限定されるものではない。

本発明の光吸収樹脂層は第２の樹脂成分として、エポキ
シ樹脂を含有させることができる。エポキシ樹脂を含有
させることにより半導体駆動回路及び画素電極を備えた
基板Ａと光吸収樹脂層の接着性を改善することができる
。

本発明に用いられるエポキシ樹脂としてはいかなるもの
であってもよく、特に限定されるものではない。具体例
としては、シェル化学社製、商品名エピコート８３４．
エピコート８３６．エピコート１００１゜エピコート１
００４　；チバガイギー社製、商品名アラダイトＧＹ　
２５２．アラダイトＧＹ　２５０．アラダイトＧＹ２６
０、アラダイトＧＹ　２８０．アラダイト６０７１．ア
ラダイト７０７１．アラダイト７０７２．アラダイト６
０８４　、アラダイト７０９７　；ダウケミカルインタ
ーナショナル社製、商品名、ダウエポキシ樹脂３３７．
ダウエポキシ樹脂６６１、ダウエポキシ樹脂６６４．ダ
ウエポキシ樹脂６６７等を挙げることができる。本発明
に於いてエポキシ樹脂の使用量はポリアミドｆｉ　１０
０重量部に対して０．１〜２００重量部の範囲、最適に
は１０〜１００重量部の範囲である。

本発明に用いられる電気光学変調物質としては。

いかなるものであってもよく、格別に限定されるもので
はない。例えばビフェニル型液晶、シッフ型液晶、エス
テル型液晶、シクロヘキサン型液晶、アゾキシ型液晶等
を挙げることができ、これらの液晶は一種あるいは二種
以上組合せて用いる。特に基板Ａの上に半導体駆動回路
、画素電極等が一体的に構成された透過型ＴＮモードで
使用する液晶の具体例としては、メルク社製、商品名Ｚ
ＬＩ　１２１６゜ＺＬＩ　１２８５．ＺＬＩ　１５６５
あるいはＺＬＩ　１６！１１４などのシリーズを挙げる
ことができる。

第二の発明は、半導体駆動回路及び画素電極を備えた基
板Ａと対向電極を備えた基板Ｂの間に電気光学変調物質
の層を挟持した構造を有する表示装置を製造する方法に
おいて、前記基板Ａ上に光吸収樹脂層を形成し、パター
ニング法により半導体駆動回路の光感受性部材に入射す
る光を遮蔽するように光吸収樹脂層を設けることを特徴
とする表示装置の製造方法である。

つまり、半導体駆動回路及び画素ｆｆｉ極を備えた基板
の上に光吸収樹脂層を形成し、パターニング法により任
意の部分の光吸収樹脂層を残すことを特徴とする表示装
置の製造方法である。

光吸収樹脂層を基板の半導体駆動回路の上に設ける方法
としては、黒色染料等の光吸収剤を樹脂とともに有機溶
剤に溶解しあるいは樹脂に均一に分散させ、これを有機
溶媒で希釈し、この溶液をバー塗布法、スピンナー塗布
法、スプレー塗布法、浸漬法、刷毛塗り法、スクリーン
印刷法等により半導体駆動回路基板に塗布した後、乾燥
させて、あるいは用いた樹脂の種類によっては更にその
後所定の硬化条件下に硬化して光吸収剤を含有した光吸
収樹脂層が形成される。このとき樹脂溶液を調製するの
に用いられる有機溶剤としては、１，４−ジオキサン、
Ｎ、Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ、Ｎ−ジメチルアセ
トアミド、Ｎ−メチル−２−ピロリドン、ジメチルスル
ホキシド、ε−カプロラクタム、スルホラン、セロソル
ブ、メチルセロソルブ。

ｎ−ブチルセロソルブ、テトラヒドロフラン、シクロヘ
キサノン、塩化メチレン、クロロホルム、メチルセロソ
ルブアセテート、セロソルブアセテート、ｎ−ブチルセ
ロソルブアセテート、ジグライム等を挙げることができ
これらを１種又は２種以上混合して用いることができる
。樹脂溶液の濃善するためにアミノシラン、エポキシシ
ラン、ビニルシランなどのシランカップリング剤；チタ
ネートカップリング剤を前記した樹脂溶液に適宜配合し
てもよい。

次にパターニング法により任意の部分の光吸収樹脂層を
残す。すなわち、半導体駆動回路および画素電極を設け
た基板に前記の方法で設けた光吸収樹脂層の上に既知の
フォトレジストを塗布、乾燥してその上に所定のマスク
を設置し光照射して露光し、不要な部分を現象液により
除去する６次にこのフォトレジストが除去された部分を
例えばポリマーにポリイミドを用いた場合、ヒドラジン
とエチレンジアミンとの混合液からなるポリマー可溶性
エッチャントによりエツチングして光吸収樹脂層を除去
し画素電極部の開口を行う、なお、この画素電極部の開
口はフォトエツチング法の外にプラズマエツチング法、
イオンビームエツチング法等の手段を用いることも可能
である。最後に光吸収樹脂層の上部に残存しているフォ
トレジストをストリッパーにより現象、除去して目的と
する半導体駆動回路の光感受性部材を被膜した光吸収樹
脂層を得る。

尚、この製造方法に使用される樹脂、光吸収剤、電気光
学変調物質としては前述と同様のものが使用される。

〔作　用〕

本発明では、半導体駆動回路の光感受性部材に入射する
光を遮蔽するように光遮蔽樹脂層を設けているので、半
導体駆動回路の光感受性部材がその特性を損なうことが
ない。

また、光吸収樹脂層が絶縁性なので、従来のようにゲー
トと光遮蔽膜の間に絶縁膜を設ける必要がない、このた
め、製造工程を一段階省略することができる。

〔実施例〕

次に、実施例により本発明の詳細な説明する。

実施例１ ■　黒色ポリマーの調製および性能撹拌棒、温度計および滴下ロートを備えた反応フラスコ
（内容積５００ｄ）にピロメリット酸二無水物１３．０
８６ｇ、　３．３’、４．４’−ベンゾフェノンテトラ
カルボン酸二無水物１９．３４０ｇおよびＮ、Ｎ−ジメ
チルアセトアミド１５０ｇを投入し、充分に撹拌して０
℃まで冷却した。ついで得られた懸濁液を０℃に保持し
たままここに１，４−ビス（４−アミノフェノキシ）ベ
ンゼン１７．５３８ｇｔｒＮ、Ｎ−ジメチルアセトアミ
ド１３０ｇに溶解した溶液を滴下ロートで徐々に滴下し
た。滴下終了後、０〜１０℃で４時間撹拌を行いポリア
ミド酸溶液を得た。このようにして得られたポリアミド
酸溶液６６ｇに黒色染料（住人化学（株）製。

商品名スピリットブラックＮｏ、９２０）４．２ｇおよ
び赤外線吸収剤（三井東圧化学（株）！２．商品名ＰＡ
１００６）１．０ｇ３Ｎ、Ｎ−ジメチルアセトアミド３
５ｇに溶解した溶液を加え充分に混合して黒色ポリアミ
ド酸溶液を得た。この溶液を石英のガラスウェハーにス
ピンナーを用いて２０００ｒｐｍ＋で均一に塗布した。

ついで全体を１００℃で２０分間、１５０℃で２０分間
、２５０℃で１時間乾燥および硬化して膜厚１．８−の
黒色ポリイミド膜を形成した。このようにして得られた
黒色ポリイミド膜の光吸収特性を測定した結果第２図に
示すように満足すべきものであった。

■　素子の製造および性能常法によりゲート電極、絶縁膜、アモルファスシリコン
、ソース電極、ドレイン電極、画素電極などを形成した
ガラス基板上に前記の黒色ポリアミド酸溶液をスピンナ
ーを用いて２０００ｒｐｍで均一に塗布した。ついで全
体を１００℃で３０分１５０℃で１時間乾燥および硬化
して膜厚２．０−の光吸収樹脂層である黒色ポリイミド
膜を形成した。ついでこの光吸収樹脂層の上にポジ型フ
ォトレジストであるＡＺ−１ｌｌｓ（ヘキスト社製、商
品名）をスピンナー塗布し８０℃で１０分間予備加熱を
行った。その後、ドツト状に形成したアモルファスシリ
コン、ソース電極およびドレイン電極の部分以外のレジ
スト膜を常法のフォトエツチングにより除去した。次に
ヒドラジン／エチレンジアミン（重量比５：５）溶液で
光吸収樹脂層をエツチングし画素Ｗ１電極の開口を行い
、更にマスクに使用したフォトレジストをメチルエチル
ケトンで除去し、表面の水洗。

窒素ガスによる乾燥を行い、２００℃で１．５時間加熱
してポリアミド酸の完全硬化を行った。

この時点でＴＰＴ特性を評価したところ、第３図に示す
ようなトランスファ特性が得られた。即ちドレイン・ソ
ース間電圧Ｖｏｓ　＝　１５Ｖにおいて暗時と１０，０
００ルツクスの白色光照射時を比較した場合、ゲート電
圧Ｖａ≦０■以下にてアモルファス・シリコンの光伝導
度に起因したわずかな電流の増加が認められたが、実用
上全く問題とならないレベルである。ここで用いたＴ　
ＦＴはチャンネル長Ｌ＝１０μｓ、チャンネル幅Ｗ＝６
０−である。

さらにこのようにして作製した基板の表面にＨＬＩｌｏ
ｏ（日立化成（株）製、商品名）を用いスピンナー塗布
により配向制御膜を設はフランネルで一方向にラビング
処理し、又、所定の電極等を形成した対向電極基板にＨ
Ｌｌｒｏｏの配向制御膜を設け、上記のラビング方向と
直角に交差する方向にラビング処理した。常法に従い、
この一対の電極基板。

液晶としてＺＬＩ　１５６５（メルク社製、商品名）を
用い液晶表示装置を作成した。この表示装置を１０，０
００ルツクスの蛍灯下で、所定の駆動方式で２０００時
間連続して動作させたが極めて良好な表示状態が得られ
アモルファスシリコンの動作劣化は認められなかった。

実施例２黒色染料スピリットブラックＮｏ、９２０の替りに黒色
染料オイルブラックＮｏ、１（住友化学（株）Ｍ）５．
５ｇを用い、赤外線吸収剤ＰＡ　１００６を使用しない
以外は実施例１と同様にして黒色ポリアミド酸溶液を得
た。次にこの溶液を実施例１と同様にして石英ガラスウ
ェハーに膜厚１．９ｐの黒色ポリイミド膜を形成し光吸
収特性を測定し、その結果を第２図に示す。

実施例３実施例１で得た２４％ポリアミド酸溶液６６ｇに黒色染
料（住友化学（株）製、商品名スピリットブラックＮｏ
９２０）４　、２ｇ、赤外線吸収剤（三井東圧化学（株
）製、商品名ＰＡ１００６）　１．０ｇおよびエポキシ
樹脂（シェル化学社製、商品名エピコート１００１）８
．０ｇをＮ、Ｎ−ジメチルアセトアミド３５ｇ’に溶解
した溶液を加え充分に混合して黒色ポリアミド酸溶液を
得た。

常法によりゲート電極、絶縁膜、アモルファスシリコン
、ソース電極、トレイン電極１画素電極などを形成した
ガラス基板上に前記の黒色ポリアミド酸溶液をスピンナ
ーを用いて２０００ｒｐｎ＋で均一に塗布し、その後実
施例１と同様の工程により液晶表示装置を作製した。こ
の表示装置をｔｏ、ｏｏｏルックスの蛍灯下で、所定の
駆動方式で２０００時間連続して動作させたが極めて良
好な表示状態が得られアモルファスシリコンの動作劣化
は認められなかった。

実施例４黒色染料スピリノ１−ブラックＮｏ、９２０の替りに黒
色染料オイルブラックＮｏ、１（住友化学（株）製）５
．５ｇを用い、赤外線吸収剤ＰＡ　１００６を使用しな
い以外は実施例３と同様にして黒色ポリアミド酸溶液を
得た。次にこの溶液を実施例１と同様にして石英ガラス
ウェハーに膜厚１．９ｔ１ｍの黒色ポリイミド膜を形成
し光吸収特性を測定したところ、実施例２と同様な良好
な結果が得られた。

部に対し、エポキシ樹脂エピコート１００１を５０重量
部を使用したが、前記エポキシ樹脂を使用しないこと以
外はすべての成分の構成比を一定とするサンプル（ａ）
、（ｂ）を調製した。実施例３，４で得られたサンプル
及び（ａ）、（ｂ）を用い実施例１に記した方法に従っ
てガラス板上に塗膜を形成した。

この塗膜に第６図に示したように長さ１５】、直径１■
のガラス性の円柱をエポキシ系接着剤（商品名ソニーボ
ンド５Ｃ５０６）により垂直に固定し。

接着面から１０国の所い力をかけ、円柱を引き倒すのに
要する力を測定することで塗膜のガラス面に対する接着
力を評価した。結果を第１表に示す。

（以下余白）第１表　接着テスト明らかにエポキシ樹脂を添加することで、接着強度は飛
躍的に向上する。

実施例５ ■　黒色ポリマーの調製および性能撹拌棒、温度計および滴下ロートを備えた反応フラスコ
（内容積５００　ｄ　）にピロメリット酸二無水物１３
．０８６ｇ、３．３’、４．４’−ベンゾフェノンテト
ラカルボン酸二無水物１９．３４０ｇおよびＮ、Ｎ−ジ
メチルアセトアミド１５０ｇを投入し、充分に撹拌して
０℃まで冷却した。ついで得られた懸濁液を０℃に保持
したままここに１，４−ビス（４−アミノフェノキシ）
ベンゼン１７．５３８ｇをＮ、Ｎ−ジメチルアセトアミ
ド１３０ｇに溶解した溶液を滴下ロートで徐々に滴下し
た。滴下終了後、０〜１０℃で４時間撹拌を行いポリア
ミド酸溶液を得た。

このようにして得られたポリアミド酸溶液７０ｇに黒色
顔料（ＣＩＢＡ　−ＧＥＩＧＹ社製、商品名Ｉｉｇａｌ
ｉｔｅＢｌａｃｋ　５Ｎ）５．Ｏｇを均一に分散させＮ
、Ｎ−ジメチルアセトアミド３５ｇにより希釈し黒色ポ
リアミド酸溶液を得た。この溶液を石英のガラスウェハ
ーにスピンナーを用いて２０００ｒｐｍ＋で均一に塗布
した。ついで全体を１００℃で２０分間、ｉｓｏ℃で２
０分間、２５０℃で１時間乾燥及び硬化して膜厚２．０
μｓの黒色ポリイミド膜を形成した。このようにして得
られた黒色ポリイミド膜の光吸収特性を測定した結果第
４図に示すように満足すべきものであった。

■　素子の製造および性能実施例１と同様にして液晶表示装置を作製した。

この表示装置を１０，０００ルツクスの蛍灯下で、所定
の駆動方式で２０００時間連続して動作させたが極めて
良好な表示状態が得られアモルファスシリコンの動作劣
化は認められなかった。また、本実施例では黒色顔料が
液晶に溶けださないため、表示異常が起こらず、良好な
表示状態であった。

更に、実施例１と同様にＴＰＴ特性を調べたところ、第
５図に示すような特性が得られた。

５．０ｇを用いること以外は実施例１と同様にして黒色
ポリアミド酸溶液を得た。次にこの溶液を実施例１と同
様にして石英ガラスウェハーに膜厚２．１μｓの黒色ポ
リイミド膜を形成し光吸収特性を測定し、その結果を第
４図に示す。

〔発明の効果〕

以上詳述したとおり、本発明によれば、製造工程が短縮
化され、光による光感受性部材の特性の損傷を防止した
表示素子を提供できる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の表示装置の断面図であり、第２図及び
第４図は黒色ポリイミド膜の光吸収特性を示す図であり
、第３図及び第５図はＴＰＴ特性を示す図、第６図は接
着力テストを示す図である。１電気光学変調物質層、　　　２・・・偏光板、３・・
・ゲート電極、　　　　　　　４・・・画素電極、５・
・・ゲート絶縁膜、　　　　　６・・・半導体膜。７ａ・・・ドレイン電極、　　　　　　７ｂ・・・ソー
ス電極、８・・・光吸収樹脂層、　　　　　　９・・・
配向制御膜、１０・・・カラーフィルター、　　　１１
・・・透明導電膜、Ａ、Ｂ・・・基板、ａ・・・実施例１の黒色ポリイミド、ｂ・・・実施例２の黒色ポリイミド、Ｃ・・・実施例５の黒色ポリイミド、ｄ・・・実施例６の黒色ポリイミド。代理人　弁理士　則　近　憲　佑同　　　　竹　花　喜久男第　　１　　図４ｏｏ　　　　　　　　　ｂｏｏ　　　　　　　　　ｇ
ｏ。波長　（／″ＬｒｒＬ）第　　２　　図第　　３　　図＋ｏｏ　　　　　　　　　ｂｏｏ　　　　　　　　ｇｏ
。液４　　　（ｒ′Ｌ乳）第　　４　　図Ｖｑ　（Ｖ）第　５　図第　　６　　図

Claims

【特許請求の範囲】

（１）半導体駆動回路及び画素電極を備えた基板Ａと、
対向電極を備えた基板Ｂの間に電気光学変調物質の層を
挟持した構造を有する表示装置において、半導体駆動回
路の光感受性部材に入射する光を遮蔽するように電気光
学変調物質層と光感受性部材の間に光吸収樹脂層を設け
たことを特徴とする表示装置。
（２）前記光吸収樹脂層がポリイミド、ポリアミドイミ
ド、ポリエステルイミド、ポリアミド、ポリエステルア
ミド、ポリエーテルスルホンから成る群より選ばれる少
なくとも１種と、光吸収剤を少なくとも含有することを
特徴とする特許請求の範囲第１項記載の表示装置。
（３）前記光吸収樹脂層がポリイミド、ポリアミドイミ
ド、ポリエステルイミド、ポリアミド、ポリエステルア
ミド、ポリエーテルスルホンから成る群より選ばれる少
なくとも１種と、エポキシ樹脂及び光吸収剤を少なくと
も含有することを特徴とする特許請求の範囲第１項また
は第２項記載の表示装置。
（４）半導体駆動回路及び画素電極を備えた基板Ａと対
向電極を備えた基板Ｂの間に電気光学変調物質の層を挟
持した構造を有する表示装置を製造する方法において、
前記基板Ａ上に光吸収樹脂層を形成し、パターニング法
により半導体駆動回路の光感受性部材に入射する光を遮
蔽するように光吸収樹脂層を設けることを特徴とする表
示装置の製造方法。
（５）前記光吸収樹脂層がポリイミド、ポリアミドイミ
ド、ポリエステルイミド、ポリアミド、ポリエステルア
ミド、ポリエーテルスルホンから成る群より選ばれる少
なくとも１種と、光吸収剤を少なくとも含有することを
特徴とする特許請求の範囲第４項記載の表示装置の製造
方法。
（６）前記光吸収樹脂層がポリイミド、ポリアミドイミ
ド、ポリエステルイミド、ポリアミド、ポリエステルア
ミド、ポリエーテルスルホンから成る群より選ばれる少
なくとも１種と、エポキシ樹脂及び光吸収剤を少なくと
も含有することを特徴とする特許請求の範囲第４項また
は第５項記載の表示装置の製造方法。