JPS62274909A - Selecting circuit - Google Patents

Selecting circuit

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JPS62274909A
JPS62274909A JP61117359A JP11735986A JPS62274909A JP S62274909 A JPS62274909 A JP S62274909A JP 61117359 A JP61117359 A JP 61117359A JP 11735986 A JP11735986 A JP 11735986A JP S62274909 A JPS62274909 A JP S62274909A
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JP
Japan
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circuit
resistance
external control
selection
elements
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Pending
Application number
JP61117359A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Atsushi Kasai
淳 笠井
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Hitachi Microcomputer System Ltd
Hitachi Ltd
Original Assignee
Hitachi Ltd
Hitachi Microcomputer Engineering Ltd
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Publication date
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Abstract

PURPOSE:To improve the resistance to noise by connecting plural switch elements to coupling nodes of plural resistances, which constitute a resistance voltage dividing circuit and are connected in series, in a reference voltage generating circuit so that they constitute a hierarchical circuit network having a binary tree structure. CONSTITUTION:A selecting circuit has 64 resistance elements R1-R64 connected in series between the output terminal of a differential amplifying circuit 2 and a ground terminal Gnd, and one of coupling nodes N1-N64 of respective resistance elements including terminals is selectively connected to the inverted input terminal of the differential amplifying circuit 2 on a basis of the combination of levels of 6-bit external control signals T1-T6 to selectively form a feedback path. The feedback path has a two-branched three-hierarchy dendritic circuit network as the fundamental constitution. One of nodes N1-N64 is electively connected to the inverted input terminal of the differential amplifying circuit 2 in accordance with the combination of levels of external control signals T1-T6 to selectively form a prescribed feedback path.

Description

【発明の詳細な説明】 3、発明の詳細な説明 〔産業上の利用分野〕 本発明は直列接続された受動素子を選択するための選択
回路に係り、例えば基準電圧発生回路におけるゲイン調
整回路に利用して有効な技術に関するものである。
[Detailed Description of the Invention] 3. Detailed Description of the Invention [Field of Industrial Application] The present invention relates to a selection circuit for selecting passive elements connected in series, and is applicable to, for example, a gain adjustment circuit in a reference voltage generation circuit. It concerns techniques that can be effectively utilized.

〔従来技術〕[Prior art]

電源電圧の変動や温度変化に対して安定な電圧を得るた
めにバンドギャップ・リファレンス型などの基準電圧源
を利用することができるが、それによって得られる電圧
はプロセスばらつきの影響を受けることがある。斯る場
合には、差動増幅回路の非反転入力端子に上記基準電圧
源から出力される電圧を供給すると共に、その差動増幅
回路の出力電圧を抵抗分圧回路を介して上記差動増幅回
路の反転入力端子に帰還させ、斯る抵抗分圧回路の分圧
比を調整設定することによって、所望レベルにゲイン調
整された基準電圧をその差動増幅回路から得ることがで
きる。
A reference voltage source such as a bandgap reference type can be used to obtain a stable voltage against power supply voltage fluctuations and temperature changes, but the resulting voltage may be affected by process variations. . In such a case, the voltage output from the reference voltage source is supplied to the non-inverting input terminal of the differential amplifier circuit, and the output voltage of the differential amplifier circuit is supplied to the differential amplifier via the resistive voltage divider circuit. By feeding back the reference voltage to the inverting input terminal of the circuit and adjusting and setting the voltage dividing ratio of the resistive voltage dividing circuit, a reference voltage whose gain is adjusted to a desired level can be obtained from the differential amplifier circuit.

このとき、斯る抵抗分圧回路は、昭和58年8月201
1オ一ム社発行の「電子通信ハンドブック」P2O3に
記載される樹枝状回路網を適用した選択回路とすること
ができる。即ち、直列接続された抵抗素子の結合ノード
に複数のMOSFETから成るスイッチ素子を結合して
2分木構造の階層的選択回路網を構成し、そのスイッチ
素子を、階層毎に選択信号でスイッチ動作させて所定の
分圧比を得るようにすることができる。
At this time, such a resistor voltage divider circuit is
It is possible to use a selection circuit to which a dendritic circuit network described in "Electronic Communication Handbook" P2O3 published by 1-Omu Co., Ltd. is applied. That is, a hierarchical selection circuit network with a binary tree structure is constructed by connecting switching elements made up of a plurality of MOSFETs to a connection node of resistive elements connected in series, and the switching elements are switched for each layer by a selection signal. It is possible to obtain a predetermined partial pressure ratio.

〔発明が解決しようとする問題点〕[Problem that the invention seeks to solve]

ところで、上記基準電圧発生回路におけるゲイン調整回
路に適用されるような抵抗分圧回路においては、その性
質上出力電圧の高精度な微調整が必要とされるので、そ
れによって得られる分圧比は微ノJ1に調整設定可能な
ものでなければならず、このために、抵抗素子の数即ち
スイッチ素子の階層数は著しく増大する。そうすると、
斯る抵抗分圧回路において所定の分圧比を得るための導
通路の選択形成に寄与するMOSFETのようなスイッ
チ素子の数が多くなるので、そのようなスイッチ素子と
してのMOSFETに寄生する不所望な容量やオン抵抗
が全体として増大し、それによって、ノイズの影響を受
は易くなり、安定な基準電圧を高精度に調整設定して得
ることができなくなってしまう。
By the way, in the resistor voltage divider circuit applied to the gain adjustment circuit in the reference voltage generation circuit mentioned above, highly accurate fine adjustment of the output voltage is required due to its nature, so the resulting voltage division ratio is fine. Therefore, the number of resistance elements, that is, the number of layers of switch elements increases significantly. Then,
Since the number of switch elements such as MOSFETs that contribute to the selective formation of conductive paths to obtain a predetermined voltage division ratio in such a resistive voltage divider circuit increases, undesirable parasitic effects on the MOSFETs as such switch elements increase. The capacitance and on-resistance increase as a whole, making it more susceptible to noise and making it impossible to obtain a stable reference voltage by adjusting and setting it with high precision.

本発明の目的は、耐ノイズ性を向上させることができる
選択回路を提供することにある。
An object of the present invention is to provide a selection circuit that can improve noise resistance.

本発明の前記ならびにそのほかの目的と新規な特徴は、
本明細書の記述及び添付図面から明らかになるであろう
The above and other objects and novel features of the present invention include:
It will become clear from the description of this specification and the accompanying drawings.

〔問題点を解決するための手段〕[Means for solving problems]

本願において開示される発明のうち代表的なものの概要
を簡単に説明すれば下記の通りである。
A brief overview of typical inventions disclosed in this application is as follows.

すなわち、抵抗分圧回路を構成する直列接続された複数
の抵抗素子の結合ノードに、複数のスイッチ素子を、2
分木構造の階層的回路網を成すように接続し、上記スイ
ッチ素子のうちの最上位の各スイッチ素子をデコーダ回
路から出力される選択信号によって夫々スイッチ制御す
るように構成したものである。
In other words, a plurality of switch elements are connected to a joint node of a plurality of series-connected resistance elements constituting a resistance voltage divider circuit.
The devices are connected to form a hierarchical circuit network having a tree structure, and each of the switch devices at the highest level among the switch devices is controlled by a selection signal outputted from a decoder circuit.

〔作 用〕[For production]

上記した手段によれば、スイッチ素子のうちの最上位の
各スイッチ素子はデコーダ回路がら出力される選択信号
によってスイッチ制御されることにより、デコーダ回路
に供給される制御信号のビット数に応じて階層的回路網
を成すスイッチ素子の階層数が減少され、それによって
、耐ノイズ性の向上を達成するものである。
According to the above-mentioned means, each of the highest switching elements among the switching elements is switch-controlled by the selection signal output from the decoder circuit, so that the hierarchy level is determined according to the number of bits of the control signal supplied to the decoder circuit. The number of layers of switch elements forming the physical network is reduced, thereby achieving improved noise resistance.

〔実施例〕〔Example〕

第1図は本発明に斯る選択回路の1実施例を示す回路図
である。同図に示される回路は、基準電圧発生回路に適
用されるもので、公知の半導体集積回路製造技術によっ
て形成される。
FIG. 1 is a circuit diagram showing one embodiment of a selection circuit according to the present invention. The circuit shown in the figure is applied to a reference voltage generation circuit, and is formed by a known semiconductor integrated circuit manufacturing technique.

同図において1はバンドギャップ・リファレンス型など
の基準電圧発生源であり、その詳細は図示しないが、例
えばP型ゲートを持つMO8FE1゛とN型ゲートを持
つMOSFETとの相互のしきい値電圧の差に基づいて
基準電圧Vref1を発生させる構成を採ることができ
る。
In the figure, 1 is a reference voltage generation source such as a bandgap reference type, and although its details are not shown, for example, the mutual threshold voltage of MO8FE1' with a P-type gate and a MOSFET with an N-type gate is A configuration can be adopted in which the reference voltage Vref1 is generated based on the difference.

斯る基準電圧発生源1から出力される基準電圧Vref
、のレベルを調整可能とするするため、その基準電圧V
ref、を非反転入力端子に受ける差動増幅回路2を設
け、その差動増幅回路2の出方電圧を抵抗分圧回路とし
ての選択回路3を介して上記差動増幅回路の反転入力端
子に帰還させ、斯る選択回路3によって選択されるべき
分圧比を調整設定することによって、所望レベルにゲイ
ン調整された基準電圧Vref、をその差動増幅回路2
の出方端子から得ることができるようになっている。
Reference voltage Vref output from such reference voltage generation source 1
, in order to be able to adjust the level of the reference voltage V
A differential amplifier circuit 2 is provided which receives ref at its non-inverting input terminal, and the output voltage of the differential amplifier circuit 2 is sent to the inverting input terminal of the differential amplifier circuit via a selection circuit 3 serving as a resistive voltage divider circuit. By feeding back and adjusting and setting the voltage dividing ratio to be selected by the selection circuit 3, the reference voltage Vref whose gain has been adjusted to a desired level is applied to the differential amplifier circuit 2.
It can be obtained from the output terminal.

上記選択回路3は、例えば、差動増幅回路2の出力端子
と接地端子Gndとの間に直列接続された64個の抵抗
素子R1乃至R64を有し、終端を含めた各抵抗素子の
結合ノードN1乃至N64のうちの1つを、6ビツトの
外部制御信号Tl乃至T6のレベルの組合せに基づいて
選択的に上記差動増幅回路2の反転入力端子に接続して
帰還経路を選択形成するものである。
The selection circuit 3 has, for example, 64 resistance elements R1 to R64 connected in series between the output terminal of the differential amplifier circuit 2 and the ground terminal Gnd, and a coupling node of each resistance element including the termination. One of N1 to N64 is selectively connected to the inverting input terminal of the differential amplifier circuit 2 based on a combination of levels of 6-bit external control signals Tl to T6 to selectively form a feedback path. It is.

上記帰還経路は、特に制限されないが、2分岐された3
1i!J層の朝枝状回路網を基本構成とする。
The above-mentioned return route is not particularly limited, but the return route may be divided into two
1i! The basic configuration is a J-layer morning branch network.

即ち、斯る樹枝状回路は、差動増幅回路2の反転入力端
子に夫々ドレインが結合された16個のNチャンネル型
M OS F E T Q 1n を乃至Q1,6、上
記MO8FETQ、o+乃至Q、16のソースから2分
岐されるように斯るソースに夫々ドレインが結合された
32個のNチャンネル型M OS F E T Q20
+乃至Q237、及び、上記M OS F E T Q
 2 o 1乃至Q7,7のソースから2分岐されるよ
うに斯るソースに夫々ドレインが結合された64個のN
チャンネル型MO8FETQ3.、乃至Q364から構
成され、最下位のMO8FETQ3o、乃至Q364の
ソースは上記ノードN ]、乃至NN6に夫々結合され
る。
That is, such a dendritic circuit includes 16 N-channel type MOSFETs Q1, Q1, 6, and the MO8FETs Q, o+ to Q, each having its drain coupled to the inverting input terminal of the differential amplifier circuit 2. , 32 N-channel type MOS FET Q20 each having a drain coupled to each source so as to be branched into two from 16 sources.
+ to Q237, and the above MOS FET Q
2 o 1 to Q7, 64 N with drains connected to the sources so as to be branched into two from the sources of Q7, 7.
Channel type MO8FETQ3. , to Q364, and the sources of the lowest MO8FETs Q3o to Q364 are coupled to the nodes N ] to NN6, respectively.

」二足最ヒ位のMO8FETQ、、、乃至Q、16のス
イッチ動作は、4ビツトの外部制御信号T1乃至T4の
レベルの組合せに応じて斯るMO8FETQ、。1乃至
Ql、6のうちの1つを選択的にオン動作させるデコー
ダ回路DECによって行なわれるようになっている。即
ち、上記外部制御信号T1乃至T4は、夫々インバータ
回路IVIとインバータ回路I V ]、及びIV2と
を介して相補レベルの信号に変換され、その変換された
4ビツトの相補レベルの信号が、16個の4人力型ノア
ゲート回路G。1乃至G J Gに夫々異なる組合せを
採るように供給されて成る。斯るノアグー1〜回路G。
The switching operations of MO8FETQ, . This is performed by a decoder circuit DEC that selectively turns on one of Q1 to Ql and 6. That is, the external control signals T1 to T4 are converted into complementary level signals through the inverter circuit IVI, the inverter circuit IV], and the inverter circuit IV2, respectively, and the converted 4-bit complementary level signal is 16 A four-person Noah gate circuit G. 1 to G J G in different combinations. Such Noagu 1~Circuit G.

、乃至G、6の出力端子は、夫々に対応する上記M O
S FETQ、。、乃至Q、16のゲー1〜に結合され
、それによって、4ビットの外部制御信号T1乃至T4
のレベルの組合せに応じて斯るMO8FETQ、、、乃
至Q1,6のうちの1つが選択的にオン状態にされる。
, to G, 6 are the corresponding M O
S FETQ,. , to Q, 16 gates 1 to 16, thereby providing 4-bit external control signals T1 to T4.
One of the MO8FETQ, . . . , Q1, 6 is selectively turned on depending on the combination of levels of

上記中間位のM OS F F−T Q 2 n s乃
至Q23.のゲートは、外部制御信号T5がインバータ
回路IV3とインバータ回路IV3及びIV4とに供給
されて形成される相補レベルの信号を交互の位置に受け
、その外部制御信号T5のレベルに応じて、斯る2分岐
された双方のMOSFETが相補的にスイッチ動作され
る。上記最下位のM OS F E TQ 30□乃至
Q364のゲートも上記回様、外部制御信号T6がイン
バータ回路T、 V 5とインバータ回路IV5及びI
V6とに供給されて形成される相補レベルの信号を交互
の位置に受け、その外部制御信号T6のレベルに応じて
、斯る2分岐された双7一 方のMOSFETが相補的にスイッチ動作される。
The above intermediate MOS FFT Q2ns to Q23. The gates of the circuits receive, at alternate positions, signals of complementary levels formed by the external control signal T5 being supplied to the inverter circuit IV3 and the inverter circuits IV3 and IV4, and the gates of Both of the two branched MOSFETs are switched in a complementary manner. The gates of the lowest MOSFETQ 30□ to Q364 are also connected to the external control signal T6 as in the above case.
The MOSFETs on one side of the two branched double-sevens are switched in a complementary manner depending on the level of the external control signal T6, and one of the two MOSFETs is switched in a complementary manner according to the level of the external control signal T6. .

したがって、外部制御信号T1乃至T4のレベルの組合
せによって、最上位のMO8FETQ1゜1乃至Q、1
6のうちの1一つがオン動作されると、中間位のMO8
FETQ、。□乃至Q 23□のうち、上記オン状態の
最」1位のMOSFETから中間位に分岐する一対のM
OSFETのうちのいずれか1方が外部制御信号T5の
レベルに応じてオン動作される。更に、最下位のM O
S F E T Q a o 1乃至Q364のうち、
上記オン状態の中間位のMOSFETから下位に分岐す
る一対のMOSFETの内のいずれか一方が外部制御信
号T6のレベルに応じてオン動作される。このようにし
て上記ノードN1乃至N64のうちの1つが、外部制御
信号T1乃至T6のレベルの組合せに応じて選択的に上
記差動増幅回路2の反転入力端子に接続されることによ
って、所定の帰還経路が選択形成される。斯る帰還経路
が選択形成されると、それに含まれる抵抗素子の抵抗値
とその帰還経路に含まれない抵抗素子の抵抗値とに応じ
た所定の抵抗分圧比が設定される。それによって、上記
差動増幅回路2は、斯る帰還経路を介してて負帰還され
る電圧に応じた増幅動作を行なって、ゲイン調整された
所定の基準電圧vref2を出力する。
Therefore, depending on the combination of levels of the external control signals T1 to T4, the highest MO8FET Q1°1 to Q,1
When one of 6 is turned on, the middle MO8
FETQ,. Among □ to Q23□, a pair of M branches from the first MOSFET in the on state to an intermediate position.
One of the OSFETs is turned on depending on the level of the external control signal T5. Furthermore, the lowest M O
Among S F E T Q a o 1 to Q364,
One of the pair of MOSFETs branching downward from the intermediate MOSFET in the on state is turned on in accordance with the level of the external control signal T6. In this way, one of the nodes N1 to N64 is selectively connected to the inverting input terminal of the differential amplifier circuit 2 according to the combination of levels of the external control signals T1 to T6, thereby providing a predetermined signal. A return path is selectively formed. When such a feedback path is selectively formed, a predetermined resistance voltage division ratio is set according to the resistance value of the resistance element included in the feedback path and the resistance value of the resistance element not included in the feedback path. Thereby, the differential amplifier circuit 2 performs an amplification operation according to the voltage negatively fed back via the feedback path, and outputs a predetermined reference voltage vref2 whose gain has been adjusted.

ここで、上記外部制御信号T1乃至T6は、上記基準電
圧源1のプロセスばらつきによる基準電圧Vref1の
誤差や最終的に必要とされる基準電圧Vrefzのレベ
ルに応じてそのレベルが選択的に組合せ設定されるもの
であり、例えば、図示しないヒユーズ切断回路から供給
される。
Here, the levels of the external control signals T1 to T6 are selectively set in combination according to the error in the reference voltage Vref1 due to process variations in the reference voltage source 1 and the level of the finally required reference voltage Vrefz. For example, it is supplied from a fuse cutting circuit (not shown).

次に上記実施例の作用効果を説明する。Next, the effects of the above embodiment will be explained.

(1)図示しないヒユーズ切断回路などから出力される
外部制御信号T]乃至T6のレベルの組合せに応じて、
上記ノードN1−乃至N64の何れか1つから上記作動
増幅回路2の反転入力端子に至る帰還経路が選択的に形
成されるとき、斯る帰還経路に含まれる直列接続された
オン状態のMOSFETは3個となる。これは、4ビツ
トの外部制御信号T1−乃至T4を入力して、その信号
のレベルの相合せに応じて形成される16種類の選択信
号の何れか1つをハイレベルのような選択へレベルにす
るデコーダ回路DECを選択回路3に改番プたからであ
る。それによって、2分岐構成される樹枝状回路網は、
デコーダ回路DECがらの出力信号にノにづいてスイッ
チ動作される16個のMO8F ET Q、。、乃至Q
4,6を最上位とし、合計3階層で6IU通りの帰還経
路の選択が可能になる。仮に、コデコーダ回路D E 
Cを採用しないなら、6ビツ[〜の外部側sg信号に基
づいて64通りの帰還経路を選択するには、2分岐され
た6階層の樹枝状回路が必要になる。
(1) Depending on the combination of levels of external control signals T] to T6 output from a fuse cutting circuit (not shown), etc.
When a feedback path from any one of the nodes N1- to N64 to the inverting input terminal of the operational amplifier circuit 2 is selectively formed, the ON-state MOSFETs connected in series included in the feedback path are There will be 3 pieces. This inputs 4-bit external control signals T1- to T4 and changes the level of any one of 16 types of selection signals formed according to the combination of the signal levels to a selection such as high level. This is because the decoder circuit DEC that makes the selection circuit 3 is renumbered. As a result, the dendritic network configured with two branches is
16 MO8F ET Q, which are switched based on the output signal from the decoder circuit DEC. , to Q
With 4 and 6 at the top, it is possible to select 6 IU return routes in a total of 3 hierarchies. If the code decoder circuit D E
If C is not adopted, a 6-layer dendritic circuit with two branches will be required to select 64 feedback paths based on the external sg signal of 6 bits.

(2)J−、記効果より、選択される帰還経路に含まれ
るM OS FT!:Tの数が少なくなるので、斯るM
OS F E Tに寄生する不所望な容量や当該MO8
FJ’: ’]’のオン抵抗が全体として減少されるの
で、耐ノイズ性を向上させることができる。
(2) J-, based on the above effect, MOS FT! included in the selected return path! : Since the number of T decreases, such M
Undesired capacitance parasitic to OSFET and the MO8
Since the on-resistance of FJ': ']' is reduced as a whole, noise resistance can be improved.

(3)上記効果より、そもそも安定な電圧を出力すべき
基準電圧発生回路において高精度なゲイン調整が可能と
なる。
(3) The above effects enable highly accurate gain adjustment in the reference voltage generation circuit which is supposed to output a stable voltage in the first place.

(71)特に、」1記実施例では、6ビツ1〜の外部制
御信号T1乃至T6の一部をデコードするデコーダ回路
I) E Cを採用することによって1選択回路3に必
要な構成素子数の低減、言い換えるなら、選択回路3の
占有面積の低減、を図ることができる。例えば、上記4
人カッアゲ、へ回路をCMO8回路によって構成する場
合にそれに必要とされる素子数は通常8個であるから、
上記実施例のノアグー1〜回路及び2分岐された3階層
の樹枝状回路網を構成するために必要なMOSFETの
数は、2 /1.0個である。それに対し、6ビツトの
外部制御信号]゛]乃至T6の全てをデコードするデコ
ーダ回路を採用する場合、斯るデコーダ回路には6人カ
ッアゲ、〜回路が64個含まれ、その1つのノアグー1
〜回路をCM、 OS回路によって構成するときにそれ
に必要とされるMOSFETの数は通常12個であるか
ら、斯る構成では、合計824個のMOSFETが必要
になる。
(71) In particular, in the embodiment described in section 1, the number of components required for the 1 selection circuit 3 is reduced by employing a decoder circuit I)EC that decodes a part of the 6-bit external control signals T1 to T6. In other words, the area occupied by the selection circuit 3 can be reduced. For example, 4 above
When a circuit is constructed from a CMO8 circuit, the number of elements required for it is usually 8, so
The number of MOSFETs required to configure the NOAG 1~circuit and the bifurcated three-layer dendritic network of the above embodiment is 2/1.0. On the other hand, if a decoder circuit that decodes all of the 6-bit external control signals] to T6 is employed, such a decoder circuit includes 64 circuits, and one
~When a circuit is configured with CM and OS circuits, the number of MOSFETs required for it is normally 12, so in such a configuration, a total of 824 MOSFETs are required.

以上本発明者によってなされた発明を実施例に基づいて
具体的に説明したが、本発明は上記実施例に限定される
ものではなく、その要旨を逸脱しない範囲において種々
変更可能である。
Although the invention made by the present inventor has been specifically explained above based on examples, the present invention is not limited to the above-mentioned examples, and various changes can be made without departing from the gist thereof.

例えば、上記実施例では6ビツトの外部制御信号に基づ
いて64通りの帰還経路を選択可能なものについて説明
したが、それに限定されるものではなく、その規模は適
宜変更可能である。その場合、選択回路の構成素子数や
それが占有する面積の低減という観点を無視すれば、デ
コーダ回路の出力信号によって全てのスイッチ素子をス
イッチ動作させてもよい。また、デコーダ回路は、ノア
ゲート回路によって構成するものに限定されず、アント
ゲ、〜回路によって構成してもよい。
For example, in the above embodiment, 64 return paths can be selected based on a 6-bit external control signal, but the present invention is not limited to this, and the scale can be changed as appropriate. In that case, all switching elements may be operated by the output signal of the decoder circuit, if the viewpoint of reducing the number of constituent elements of the selection circuit and the area occupied by them is ignored. Further, the decoder circuit is not limited to being configured by a NOR gate circuit, but may be configured by a gate circuit.

以上の説明では主として本発明者によってなされた発明
をその背景となった利用分野である基準電圧発生回路に
おけるゲイン調整回路に適用した場合について説明した
が、それに限定されるものではなく、抵抗素子以外の受
動素子を選択するための種々の選択回路に適用すること
ができる。本発明は、少なくともデコーダ回路からの出
力に基づいて受動素子を選択する条件のものに適用する
ことができる。
In the above explanation, the invention made by the present inventor is mainly applied to a gain adjustment circuit in a reference voltage generation circuit, which is the background field of application. The present invention can be applied to various selection circuits for selecting passive elements. The present invention can be applied to conditions where passive elements are selected based on at least the output from the decoder circuit.

〔発明の効果〕〔Effect of the invention〕

本願において開示される発明のうち代表的なものによっ
て得られる効果を簡単に説明すれば、下記の通りである
A brief explanation of the effects obtained by typical inventions disclosed in this application is as follows.

すなわち、抵抗分圧回路を構成する直列接続された複数
の抵抗素子の結合ノードに、複数のスイッチ素子を、2
分木構造の階層的回路網を成すように接続し、上記スイ
ッチ素子のうちの最上位の各スイッチ素子をデコーダ回
路から出力される選択信号によってスイッチ制御するよ
うに構成したから、選択回路の構成素子数並びに占有面
積を著しく増大させることなく、階層的回路網を成すス
イッチ素子の階層数が減少され、それによって、耐ノイ
ズ性の向上を達成することができる。
In other words, a plurality of switch elements are connected to a joint node of a plurality of series-connected resistance elements constituting a resistance voltage divider circuit.
The configuration of the selection circuit is such that the switches are connected to form a hierarchical circuit network with a branch tree structure, and each of the switch elements at the highest level among the switch elements is controlled by a selection signal output from the decoder circuit. The number of layers of switch elements forming a hierarchical network is reduced without significantly increasing the number of elements and the occupied area, thereby achieving improved noise resistance.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of drawings]

第1図は本発明に斯る選択回路の1実施例を示す回路図
である。 ]・・・基準電圧発生源、2・・・差動増幅回路、3・
・・選択回路、R1乃至R64・・・抵抗素子、N1乃
至N64・・・ノード、T1乃至T6・・・外部制御信
号゛、Q +o、乃至Q、7. ・= M OS F 
E T 、 Q2o1乃至Q232−MOS F E 
T、 Q、、、乃至Q364−MOS F E T、D
 E C・・・デコーダ回路、Go、乃至G I G・
・・ノアゲート回路。
FIG. 1 is a circuit diagram showing one embodiment of a selection circuit according to the present invention. ]... Reference voltage generation source, 2... Differential amplifier circuit, 3...
... Selection circuit, R1 to R64... Resistance element, N1 to N64... Node, T1 to T6... External control signal ', Q +o, to Q, 7.・= MOS F
E T , Q2o1 to Q232-MOS F E
T, Q, ... to Q364-MOS FET, D
E C...Decoder circuit, Go to G I G.
...Noah gate circuit.

Claims (1)

【特許請求の範囲】 1、直列接続された複数の受動素子と、受動素子の結合
ノードに接続される複数のスイッチ素子と、所定ビット
数の制御信号に基づいて選択信号を形成し、それを上記
スイッチ素子のゲートに供給して上記スイッチ素子の中
から所定のものをスイッチ動作させるデコーダ回路とを
含むことを特徴とする選択回路。 2、上記複数のスイッチ素子は、2分木構造の階層的回
路網を成し、その最上位の各スイッチ素子が上記デコー
ダ回路から出力される選択信号によってスイッチ制御さ
れるものであることを特徴とする特許請求の範囲第1項
に記載の選択回路。 3、上記受動素子は、抵抗分圧回路に含まれる抵抗素子
であることを特徴とする特許請求の範囲第1項又は第2
項記載の選択回路。
[Claims] 1. A selection signal is formed based on a plurality of passive elements connected in series, a plurality of switch elements connected to a coupling node of the passive elements, and a control signal of a predetermined number of bits, and the selection signal is A selection circuit comprising: a decoder circuit that supplies a signal to the gate of the switching element to switch a predetermined one of the switching elements. 2. The plurality of switch elements form a hierarchical circuit network having a binary tree structure, and each switch element at the top level thereof is switch-controlled by a selection signal output from the decoder circuit. A selection circuit according to claim 1. 3. Claim 1 or 2, wherein the passive element is a resistance element included in a resistance voltage divider circuit.
Selection circuit described in section.
JP61117359A 1986-05-23 1986-05-23 Selecting circuit Pending JPS62274909A (en)

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6147549A (en) * 1997-06-27 2000-11-14 Nec Corporation Reference voltage generating circuit of generating a plurality of reference voltages

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* Cited by examiner, † Cited by third party
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US6147549A (en) * 1997-06-27 2000-11-14 Nec Corporation Reference voltage generating circuit of generating a plurality of reference voltages

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