JPS62264005A - Production of high precision color filter - Google Patents
Production of high precision color filterInfo
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Abstract
Description
［産業上の利用分野］
この発明はカラーイメージセンサ等の撮像ディバイス等
において用いられる色分解フィルタの製造方法に関し、
特に微細化されたフィルタパターンを解像性良く形成す
ることが可能な高密度カラーフィルタの製造方法に関す
る。
［従来の技術］
第３図は従来の製造方法を用いて形成されたカラーフィ
ルタの断面構造を示す図であり、たとえば特公昭５２−
１７３７５号公報に記載されている。以下、第３図を参
照して従来のカラーフィルタの製造方法について説明す
る。
その表面に固体撮像素子等が形成されたシリコンウエハ
またはガラス板等からなる基板１表面上に透明な下地膜
２を基板１表面を保護するために形成する。次に透明下
地膜２上に、ゼラチンまたはポリビニールアルコール等
の染色可能な水溶性樹脂に感光性を付与した感光液を回
転塗布法を用いて付着させて乾燥し固化させた後、露光
光としてたとえば紫外線を用いた写真製版技術を用いて
この感光膜をストライブ状またはモザイク状の所要の形
状にバタ′−ニングする。このパターニングされた部分
を予め定められた分光特性を有する染料等を用いて染色
し、第１色が着色されたフィルタパターン層４ｂが形成
される。次にフィルタパターン４ｂＪ：および下地透明
膜２表面上に透明な中間層５を形成して被覆した後、再
び感光膜を形成し、写真製版技術を用いてこの感光膜を
所望のパターンに形成し、さらに予め定められた第２の
分光特性をａする染料で着色して第２色の着色フィルタ
パターン６ｂを形成する。次に、この第２のフィルタパ
ターン６ｂ上および透明中間層５上にさらに透明中間膜
を形成し、上述の工程を必要な色数に応じて順次繰返し
、最後に最上層に光学的に透明な保護層７を形成し色分
解フィルタが完成する。なお、第３図においては図面の
簡単化のため、フィルタパターンが２層からなる場合が
示されている。この上述の方法を用いて色分解フィルタ
（カラーフィルタ）を製造する方法が一般に広く採用さ
れている。
第３図に示されるカラーフィルタの構成においては、シ
アンおよびイエローをそれぞれ第１色および第２色とす
る補色型カラーフィルタが一例として示されている。こ
の場合、第１色のシアンと第２色のイエローのフィルタ
パターンを重ねて形成することにより第３色のグリーン
フィルタが形成され、また着色されたフィルタのない部
分は白色のフィルタとなる。このカラーフィルタを撮像
ディバイスに用いる場合においては、外部から与えられ
る光がこれらのフィルタパターンを通過し、所定の分光
特性を有する光に色分解された後各フィルタパターン直
下に形成された光電変換部（たとえば固体撮像索子にお
いては各画素に含まれるフォトダイオードであるが、図
示はしていない）へ与えられ、そこで電気信号に変換さ
れて撮像信号が得られる。これらのフィルタのパターン
配置はその直下に形成される対応する光電変換部に正確
に一致することが必要であり、またそのパターン形状に
も精度が要求される。これらのフィルタパターンに対し
て要求される精度は、撮像管や固体撮像素子等の撮像デ
ィバイスの集積度が増加し、装置が小型化するに従って
より一層厳しいものとなる。
［発明が解決しようとする問題点］
これらのフィルタパターンを形成するための染色可能な
感光性材料は、露光された部分が架橋して高分子を形成
し、水、溶媒等に不溶性となるネガ型の感光性材料が用
いられている。したがって、その材料の特性上ネガ型感
光材料はポジ型感光材料に比べて解像性が極度に劣り、
また、従来の製造方法においては感光性材料を露光して
現像した後のフィルタパターンに「周辺だれ」が生じ、
パターン側面とド地基板とのなす角が小さくなっている
。
第４図は従来の製造方法を用いて形成された感光性材料
を露光、現像した後のフィルタパターン断面のプロファ
イルを示す図である。第４図において、基板１表面上に
下地透明層２を介してフィルタパターンを形成するため
の感光膜４が形成される。この感光膜４をパターニング
するために、予め定められたパターン形状を有するマス
ク８を介してたとえば紫外線からなる露光光９ａが照射
され、露光光照射部分の感光膜が感光し、これを現像す
ることによりフィルタパターンが形成される。第４図か
ら見られるように従来の製造方法により形成されたフィ
ルタパターンの断面はそのパターンエツジが著しくだれ
ている。
この感光膜の低解像性は、撮像ディバイスの小型化・高
集積化においては隣接した異なる色のフィルタパターン
の分離を劣化させ、混色を発生させる原因となり、撮像
ディバイスの性能劣化や歩留りを著しく低下させる。
それゆえ、この発明の目的は上述の欠点を除去し、被染
色性ネガ型感光材料の解像性を改善し、小型化・高集積
された撮像ディバイスに対応することができる高精度の
カラーフィルタを実現することができる製造方法を提供
することである。
［問題点を解決するための手段］
この発明に係る高密度カラーフィルタの製造方法は、可
視光に対して透明でありかつ紫外線を吸収する紫外線吸
収層をフィルタパターンを形成するための感光膜とその
直下の透明層との間に設けるようにしたものである。
紫外線吸収層は、好ましくは可視光に対し透明であり、
かつフィルタパターンを形成するための感光膜および透
明層と密着性の良い薄膜を形成することができる高分子
材料中に、可視光に対しては透明でありかつ紫外線を吸
収する紫外線吸収剤を混入して形成される。
［作用］
第４図に示されるフィルタパターンにおいては、露光光
線の下地基板等の表面からの反射光線により、フィルタ
パターンを形成するための感光膜の不要の部分も露光さ
れ、これにより周辺だれか発生すると考えられる。すな
わち、本願発明者は、ネガ型感光材料の低解像性はその
材料の本質にかかわるものであるが、種々の検討を行な
った結果露光光に対し基板または下地透明層表面からの
露光光の反射を抑制することによりネガ型感光材料の解
像性を大幅に改善することが可能であることを見い出し
た。すなわちこの発明における紫外線吸収層は、第４図
に示されるようにマスク８を介して照射される露光光線
９ａによって生じる下地基板等の表面からの反射露光光
線９ｂをそこに含有する紫外線吸収剤によって完全に吸
収し、フィルタパターン形成用感光膜４の不要部分が露
光されることを防止し、これにより感光膜４の解像性を
向上させる。
また、紫外線吸収層が、フィルタパターンと重なり合う
部分に形成されても、この紫外線吸収層は可視光に対し
て透明な特性を有するため、フィルタとしての分光特性
性能は何ら損なわれることはない。[Industrial Application Field] The present invention relates to a method of manufacturing a color separation filter used in an imaging device such as a color image sensor.
In particular, the present invention relates to a method of manufacturing a high-density color filter that can form a fine filter pattern with good resolution. [Prior Art] Fig. 3 is a diagram showing a cross-sectional structure of a color filter formed using a conventional manufacturing method.
It is described in Publication No. 17375. Hereinafter, a conventional color filter manufacturing method will be described with reference to FIG. A transparent base film 2 is formed on the surface of a substrate 1 made of a silicon wafer, a glass plate, or the like, on which a solid-state image sensor or the like is formed, in order to protect the surface of the substrate 1. Next, a photosensitive liquid made by imparting photosensitivity to a dyeable water-soluble resin such as gelatin or polyvinyl alcohol is applied onto the transparent base film 2 using a spin coating method, dried and solidified, and then exposed to light. For example, the photoresist film is buttered into a desired stripe-like or mosaic-like shape using a photolithography technique using ultraviolet rays. This patterned portion is dyed using a dye or the like having predetermined spectral characteristics to form a filter pattern layer 4b colored in the first color. Next, a transparent intermediate layer 5 is formed and coated on the surface of the filter pattern 4bJ and the base transparent film 2, and then a photoresist film is formed again, and this photoresist film is formed into a desired pattern using photolithography. , and further colored with a dye having a predetermined second spectral characteristic a to form a colored filter pattern 6b of a second color. Next, a transparent intermediate film is further formed on this second filter pattern 6b and on the transparent intermediate layer 5, and the above-mentioned steps are sequentially repeated according to the number of colors required.Finally, an optically transparent intermediate film is formed on the top layer. A protective layer 7 is formed to complete the color separation filter. In addition, in FIG. 3, the case where the filter pattern consists of two layers is shown for the sake of simplification of the drawing. A method of manufacturing color separation filters (color filters) using the above-mentioned method is generally widely adopted. In the configuration of the color filter shown in FIG. 3, a complementary color filter having cyan and yellow as the first and second colors, respectively, is shown as an example. In this case, a third color green filter is formed by overlapping filter patterns of the first color cyan and the second color yellow, and a portion without a colored filter becomes a white filter. When using this color filter in an imaging device, light applied from the outside passes through these filter patterns and is color-separated into light having predetermined spectral characteristics, after which a photoelectric conversion section is formed directly below each filter pattern. (For example, in a solid-state imaging device, this is a photodiode included in each pixel, but not shown), where it is converted into an electrical signal and an imaging signal is obtained. The pattern arrangement of these filters must accurately match the corresponding photoelectric conversion section formed immediately below, and the pattern shape also requires precision. The accuracy required for these filter patterns becomes even more severe as the degree of integration of imaging devices such as image pickup tubes and solid-state image sensors increases and as the apparatus becomes smaller. [Problems to be Solved by the Invention] The dyeable photosensitive material used to form these filter patterns is a negative material whose exposed portion crosslinks to form a polymer and is insoluble in water, solvents, etc. A type of photosensitive material is used. Therefore, due to the characteristics of the material, negative-tone photosensitive materials have extremely poor resolution compared to positive-tone photosensitive materials.
In addition, in conventional manufacturing methods, "periphery droop" occurs in the filter pattern after exposing and developing the photosensitive material.
The angle between the side surface of the pattern and the base board is small. FIG. 4 is a diagram showing a cross-sectional profile of a filter pattern after exposing and developing a photosensitive material formed using a conventional manufacturing method. In FIG. 4, a photoresist film 4 for forming a filter pattern is formed on the surface of a substrate 1 with a transparent base layer 2 interposed therebetween. In order to pattern this photoresist film 4, exposure light 9a consisting of, for example, ultraviolet light is irradiated through a mask 8 having a predetermined pattern shape, and the photoresist film in the exposed portion is exposed and developed. A filter pattern is formed. As can be seen from FIG. 4, in the cross section of the filter pattern formed by the conventional manufacturing method, the pattern edges are significantly sloping. The low resolution of this photoresist film deteriorates the separation of adjacent filter patterns of different colors as imaging devices become smaller and more highly integrated, causing color mixture, which significantly deteriorates the performance of imaging devices and reduces yield. lower. Therefore, the purpose of the present invention is to eliminate the above-mentioned drawbacks, improve the resolution of dyeable negative photosensitive materials, and provide a high-precision color filter that can be used in compact and highly integrated imaging devices. An object of the present invention is to provide a manufacturing method that can realize the following. [Means for Solving the Problems] A method for manufacturing a high-density color filter according to the present invention includes an ultraviolet absorbing layer that is transparent to visible light and absorbs ultraviolet rays, and a photoresist film for forming a filter pattern. It is arranged between the transparent layer and the transparent layer directly below it. The ultraviolet absorbing layer is preferably transparent to visible light,
In addition, an ultraviolet absorber that is transparent to visible light and absorbs ultraviolet rays is mixed into a polymer material that can form a thin film with good adhesion to the photoresist film and transparent layer used to form the filter pattern. It is formed by [Function] In the filter pattern shown in FIG. 4, unnecessary portions of the photoresist film for forming the filter pattern are also exposed due to the exposure light reflected from the surface of the base substrate, etc., thereby exposing anyone in the surrounding area. It is thought that this will occur. In other words, the inventor of the present application has determined that the low resolution of negative photosensitive materials is related to the essence of the material, but as a result of various studies, it has been determined that the We have discovered that it is possible to significantly improve the resolution of negative photosensitive materials by suppressing reflection. That is, as shown in FIG. 4, the ultraviolet absorbing layer in this invention absorbs the reflected exposure light rays 9b from the surface of the underlying substrate, etc., caused by the exposure light rays 9a irradiated through the mask 8, using an ultraviolet absorber containing therein. It completely absorbs the light and prevents unnecessary portions of the filter pattern forming photoresist film 4 from being exposed, thereby improving the resolution of the photoresist film 4. Furthermore, even if the ultraviolet absorbing layer is formed in a portion overlapping with the filter pattern, the ultraviolet absorbing layer has a property of being transparent to visible light, so the spectral characteristic performance as a filter is not impaired in any way.
第１図はこの発明の製造方法を用いて形成されたカラー
フィルタの構成の一例を示す断面図である。以下、第１
図を参照してこの発明の一実施例である高密度カラーフ
ィルタの製造方法について説明する。
従来と同様にして、基板１表面上に透明下地層２が形成
される。次に透明下地層２表面上に可視光に対して光学
的に透明でありかつ紫外線を吸収する紫外線吸収剤を含
有する（可視光に対して透明）透明高分子材料を用いて
露光光線の反射を防止するための紫外線吸収層３が形成
される。可視光に対して透明であり、かつ紫外線を選択
的に吸収する紫外線吸収剤としては、たとえば２−（２
゛−ヒドロキシ−５−−ｔ−オクチル、フェニル）−ベ
ンゾトリアゾール、２−（２”−ヒドロキシ−３″、５
゛−ジ−ｔ−アミル、フェニル）−ベンゾトリアゾール
、２− （２−−ヒドロキシ−５−−１−ブチル、フェ
ニル）−トリアゾールおよび２− （２−−ヒドロキシ
−３゛−ｔ−ブチル−５゛−メチル−フェニル）−５−
クロロベンゾトリアゾールなどのベンゾトリアゾール系
材料または２．４−ジヒドロキシベンゾフェノン、２−
ヒドロキシル４−メトキシベンゾフェノン等のベンゾフ
ェノン系材料が利用可能である。しかし上述の紫外線吸
収剤はＱｉなる例示であり、可視光に対して透明であり
、かつ紫外線を選択的に吸収する材料であれば他の材料
を用いても同様の効果を得ることができる。
また、紫外線吸収剤を混入して紫外線吸収層３を形成す
るためのベース材料としては、フィルタ製造プロセスで
従来から用いられている透明下地層および透明中間層を
形成するための材料が利用可能である。しかし、また、
これに代えて、可視光に対し透明でありかつフィルタパ
ターンを形成するための材料および透明の下地・中間層
の材料と密告性良く強靭な薄膜を形成することができ、
かつ紫外線吸収剤と均一に混和することができ、さらに
感光性を有しパターニング可能な材料であれば利用可能
である。このような材料としては、たとえばメタクリル
酸エステル系のポリマーまたはコポリマー、アクリル酸
エステル系のポリマーまたはコポリマー、ポリスチレン
系材料、さらに、ケイ皮酸ビニル、カルコン基等を側鎖
に角°するポリマーまたはコポリマー等の高分子材料が
ある。
これらの高分子材料中に混入される紫外線吸収剤の添加
量としては０．０１〜１０ｆ１１ｆｆｉ％（対固型分）
、より望ましくは０．１〜５ＩＬ１％であり、この添加
量以下では紫外線吸収効果が著しく低下し、またこれ以
上の添加量ではフィルムパターンを形成するための材料
との密着性が悪化するなどの問題点が新たに発生する。
また紫外線吸収層の層厚は０．２〜０． ６μｍ程度が
望ましく、これ以下の層厚では紫外線吸収層の露光光反
射防止機能が不十分となり、またピンホール等の欠陥も
増加する。一方、これ以」二の層厚では、紫外線吸収層
の写真製版技術による加工が困難となる。
なお、上述の説明においては、紫外線吸収層形成用の材
料中に予め紫外線吸収剤を混入して紫外線吸収層を形成
する方法について説明したが、紫外線吸収用の薄膜を透
明層上に形成した後、紫外線吸収剤をアルコールまたは
ケトン等の溶剤中に溶解させ、紫外線吸収用の薄膜をこ
の溶液中に浸漬するかまたはこの溶液をシャワー法また
はスプレー法等を用いて薄膜に噴射して紫外線吸収剤を
薄膜中に浸透させる方法も可能であり、また他の方法を
用いてもよい。
次に、上述の方法を用いて形成した紫外線吸収剤Ａｈ紫
外線吸収膜３上にフィルタパターン形成用感光膜を回転
検認を用いて形成し乾燥して固化させた後、マスク８を
用いて露光し、現像することにより所望のパターンを有
するフィルタ層が形成される。
次にこの所望のパターンに形成されたフィルタ層を所望
の分光特性を有する染料を用いて染色し、第１色の着色
パターン（フィルタパターン）４ｂが形成される。次い
で上述と同様の方法を用いて中間透明層５および紫外線
吸収層３を順次形成し、次に第２色の着色パターン（第
２のフィルタパターン）６ｂを形成し、この上述の工程
を所望の色フイルタ数だけ順次繰返した後、最上層に透
明保護層７を形成する。これにより高密度カラーフィル
タが形成される。
第２図はこの発明の製造方法を用いて形成されるフィル
タパターンの現像後の断面プロファイルを示す図である
。第２図に示されるように、感光膜４をマスク８を介し
て露光光線９ａを照射して感光させた場合、基板１表面
で反射された反射露光光９ｂは紫外線吸収層３に含有さ
れた紫外線吸収剤により吸収され、感光膜４の不要の部
分の感光を防止することができ、マスク８のパターンに
対し精度の良い周辺だれのほとんどないフィルタ断面プ
ロファイル１０ａが実現される。
なお、第２図においては、下地基板１表面からの反射露
光光を吸収遮断することについて説明しているが、各感
光膜それぞれの下地透明層にそれぞれ紫外線吸収層を形
成すると、各感光膜と下地層との界面における露光光の
乱反射等をも抑制することができ、フィルタパターンの
高解像化に対いしさらに有効である。
なお、上記実施例においては最上層の透明保護層７上に
は紫外線吸収層を形成していないが、透明保護層７上に
紫外線吸収層を形成すればフィルタへ入射する紫外線を
遮断することができ、フィルタの耐光性を改善すること
ができる。
［発明の効果］
以上のように、この発明によれば、可視光に対して光学
的に透明であり紫外線を選択的に吸収する紫外線吸収剤
を含有する紫外線吸収層を感光膜直下に設けたので、感
光膜の下地層表面等からの反射露光光線を吸収・遮断す
ることができ感光膜の「カブリ」 （感光膜の不要部分
が感光されマスクパターンと異なるフィルタパターンが
形成される）を防＋ｌＺすることができ、感光膜の解像
特性を改善することができフィルタパターンを精度良く
形成することができ、フィルタパターンの高密度化が可
能となり、これにより高密度カラーフィルタの実現が可
能となる。FIG. 1 is a sectional view showing an example of the structure of a color filter formed using the manufacturing method of the present invention. Below, the first
A method for manufacturing a high-density color filter, which is an embodiment of the present invention, will be described with reference to the drawings. A transparent base layer 2 is formed on the surface of the substrate 1 in the same manner as in the prior art. Next, a transparent polymer material that is optically transparent to visible light and contains an ultraviolet absorber that absorbs ultraviolet light (transparent to visible light) is used on the surface of the transparent base layer 2 to reflect the exposure light. An ultraviolet absorbing layer 3 is formed to prevent this. Examples of ultraviolet absorbers that are transparent to visible light and selectively absorb ultraviolet light include 2-(2
゛-Hydroxy-5--t-octyl, phenyl)-benzotriazole, 2-(2''-hydroxy-3'', 5
゛-di-t-amyl, phenyl)-benzotriazole, 2-(2-hydroxy-5--1-butyl, phenyl)-triazole and 2-(2-hydroxy-3゛-t-butyl-5゛-Methyl-phenyl)-5-
Benzotriazole-based materials such as chlorobenzotriazole or 2,4-dihydroxybenzophenone, 2-
Benzophenone-based materials such as hydroxyl 4-methoxybenzophenone are available. However, the above-mentioned ultraviolet absorber is an example of Qi, and the same effect can be obtained by using other materials as long as they are transparent to visible light and selectively absorb ultraviolet light. Furthermore, as a base material for forming the ultraviolet absorbing layer 3 by mixing an ultraviolet absorber, materials for forming a transparent base layer and a transparent intermediate layer, which are conventionally used in the filter manufacturing process, can be used. be. But also,
Instead, it is possible to form a strong thin film that is transparent to visible light and has good adhesion with the material for forming the filter pattern and the transparent base/intermediate layer material.
Any material can be used as long as it can be uniformly mixed with the ultraviolet absorber, has photosensitivity, and can be patterned. Examples of such materials include methacrylic acid ester polymers or copolymers, acrylic acid ester polymers or copolymers, polystyrene materials, and polymers or copolymers having vinyl cinnamate, chalcone groups, etc. in their side chains. There are polymer materials such as The amount of ultraviolet absorber mixed into these polymer materials is 0.01 to 10f11ffi% (based on solid content).
, more preferably 0.1 to 5IL1%; below this amount, the ultraviolet absorption effect will be significantly reduced, and if the amount added above this amount, the adhesion with the material for forming the film pattern will deteriorate, etc. A new problem arises. The thickness of the ultraviolet absorbing layer is 0.2 to 0. A layer thickness of about 6 μm is desirable; if the layer thickness is less than this, the antireflection function of the ultraviolet absorbing layer will be insufficient, and defects such as pinholes will increase. On the other hand, if the layer thickness is less than this, it becomes difficult to process the ultraviolet absorbing layer by photolithography. In addition, in the above explanation, the method of forming the ultraviolet absorbing layer by mixing the ultraviolet absorber into the material for forming the ultraviolet absorbing layer in advance was explained, but after forming the ultraviolet absorbing thin film on the transparent layer. , an ultraviolet absorber is dissolved in a solvent such as alcohol or ketone, and a thin film for ultraviolet absorption is immersed in this solution, or this solution is sprayed onto the thin film using a shower method, a spray method, etc. to obtain an ultraviolet absorber. A method of infiltrating the material into the thin film is also possible, and other methods may also be used. Next, a photoresist film for forming a filter pattern is formed on the ultraviolet absorber Ah ultraviolet absorbing film 3 formed using the above-described method using a rotary inspection, dried and solidified, and then exposed using a mask 8. Then, by developing, a filter layer having a desired pattern is formed. Next, the filter layer formed in the desired pattern is dyed using a dye having desired spectral characteristics to form a colored pattern (filter pattern) 4b of the first color. Next, the intermediate transparent layer 5 and the ultraviolet absorbing layer 3 are sequentially formed using the same method as described above, and then the second color pattern (second filter pattern) 6b is formed, and the above-mentioned process is repeated as desired. After sequentially repeating the process for the number of color filters, a transparent protective layer 7 is formed on the top layer. This forms a high-density color filter. FIG. 2 is a diagram showing the cross-sectional profile of a filter pattern formed using the manufacturing method of the present invention after development. As shown in FIG. 2, when the photoresist film 4 is exposed to exposure light 9a through a mask 8, the reflected exposure light 9b reflected from the surface of the substrate 1 is contained in the ultraviolet absorbing layer 3. The ultraviolet rays are absorbed by the ultraviolet absorber, and unnecessary portions of the photoresist film 4 can be prevented from being exposed to light, and a filter cross-sectional profile 10a with high precision and almost no peripheral droop can be realized with respect to the pattern of the mask 8. Although FIG. 2 explains how to absorb and block the reflected exposure light from the surface of the base substrate 1, if an ultraviolet absorbing layer is formed on each base transparent layer of each photoresist film, each photoresist film and It is also possible to suppress diffused reflection of exposure light at the interface with the underlying layer, which is further effective for increasing the resolution of the filter pattern. In the above embodiment, no ultraviolet absorbing layer is formed on the uppermost transparent protective layer 7, but if an ultraviolet absorbing layer is formed on the transparent protective layer 7, ultraviolet rays entering the filter can be blocked. It is possible to improve the light resistance of the filter. [Effects of the Invention] As described above, according to the present invention, an ultraviolet absorbing layer containing an ultraviolet absorber that is optically transparent to visible light and selectively absorbs ultraviolet rays is provided directly below the photoresist film. Therefore, it is possible to absorb and block the exposure light reflected from the surface of the underlying layer of the photoresist film, thereby preventing "fogging" of the photoresist film (unnecessary parts of the photoresist film being exposed to light and forming a filter pattern different from the mask pattern). +lZ, the resolution characteristics of the photoresist film can be improved, filter patterns can be formed with high precision, and the density of filter patterns can be increased, which makes it possible to realize high-density color filters. Become.
第１図はこの発明に従って作成された高密度カラーフィ
ルタの断面構造の一例を示す図である。
第２図はこの発明に従って形成されたフィルタパターン
の現像後の断面プロファイルを示す図であり、この発明
の効果を示すための図である。第３図は従来の製造方法
を用いて作成されたカラーフィルタの断面構造を示す図
である。第４図は従来の製造方法を用いて形成されたフ
ィルタパターンの現像後の断面プロファイルを示す図で
ある。
図において、１は基板、２は透明下地層、３は紫外線吸
収剤含有紫外線吸収層、４はフィルタパターンを形成す
るための感光膜、４ｂは第１のフィルタパターン（着色
パターン）、５は透明中間層、６ｂは第２のフィルタパ
ターン（着色パターン）、７は透明保護層、８はマスク
、９ａは露光光線、９ｂは反射露光光線、１０ａ、ＩＱ
ｂは各々本発明および従来の製造方法における現像後の
フィルタパターンの断面プロファイルである。
なお、図中、同一符号は同一または相当部分を示す。
萬２図
ＩＯ各ニジ帽良！Ｌ々ルタパターン確印面フ’ｂ７７４
１Ｖ毫 ；へ −
手続補正書（自発）
１．事件の表示 特願昭６１−１０５３３０号２、
発明の名称
高密度カラーフィルタの美造方法
３、補正をする者
代表者志岐守哉
４、代理人
５、補正の対象
明細書の発明の詳細な説明の欄
６、補正の内容
（１） 明＊＊第３′Ｒ第４行の１゛ビニールアルコー
ル」を１ビニルアルコール」に訂正する。
（２） 明［１！第３頁第６行の］露光光」を「露光光
線」に訂正する。
（３） 明ＩＩＩ第６頁第９行および第１０行の「露光
光」を共に「露光光線」に訂正する。
（４） 明細書第８頁第５行および第５行ないし第６行
の「露光光」を共に「露光光線」に訂正する。
（５） 明細書第１１頁第７行ないし第８行の「対固型
分」を：対固形分」に訂正する。
（６） 明細書第１１頁第７５行の「露光光」を「露光
光線」に訂正する。
（７） 明細書第１３頁第９行ないし第１０行、１４１
６行および第１９行の１−露光光」をともに「露光光ａ
１に訂正する。
以上FIG. 1 is a diagram showing an example of the cross-sectional structure of a high-density color filter produced according to the present invention. FIG. 2 is a diagram showing the cross-sectional profile of a filter pattern formed according to the present invention after development, and is a diagram for illustrating the effects of the present invention. FIG. 3 is a diagram showing a cross-sectional structure of a color filter produced using a conventional manufacturing method. FIG. 4 is a diagram showing a cross-sectional profile after development of a filter pattern formed using a conventional manufacturing method. In the figure, 1 is a substrate, 2 is a transparent base layer, 3 is an ultraviolet absorbing layer containing an ultraviolet absorber, 4 is a photoresist film for forming a filter pattern, 4b is a first filter pattern (colored pattern), and 5 is transparent Intermediate layer, 6b is a second filter pattern (colored pattern), 7 is a transparent protective layer, 8 is a mask, 9a is an exposure light beam, 9b is a reflected exposure light beam, 10a, IQ
b is the cross-sectional profile of the filter pattern after development in the present invention and the conventional manufacturing method, respectively. In addition, in the figures, the same reference numerals indicate the same or corresponding parts. 2000 IO each rainbow hat is good! Lulta pattern confirmation face f'b774
1V 毫; to - Procedural amendment (voluntary) 1. Indication of the incident: Patent Application No. 105330/1988 2,
Title of the invention: Beautiful creation method for high-density color filters 3, Person making the amendment Representative Moriya Shiki 4, Agent 5, Column 6 for detailed explanation of the invention in the specification to be amended, Contents of the amendment (1) Akira **Correct 1 "vinyl alcohol" in the 4th line of 3'R to "1 vinyl alcohol". (2) Ming [1! [Exposure light] on page 3, line 6 is corrected to "exposure light." (3) "Exposure light" in Mei III, page 6, lines 9 and 10 are both corrected to "exposure light." (4) "Exposure light" in line 5 and lines 5 to 6 of page 8 of the specification are both corrected to "exposure light." (5) "Solid content" in lines 7 to 8 of page 11 of the specification is corrected to: "Solid content". (6) "Exposure light" on page 11, line 75 of the specification is corrected to "exposure light beam." (7) Specification page 13, lines 9 to 10, 141
1-exposure light in rows 6 and 19 are both "exposure light a"
Correct to 1. that's all
Claims (4)
過させるために、基板上に光学的に透明な層を介して予
め定められたパターン形状に形成されたフィルタ層を有
する高密度カラーフィルタの製造方法であって、 前記透明層と前記フィルタ層との間に紫外線を吸収する
紫外線吸収層を形成するステップを備える、高密度カラ
ーフィルタの製造方法。(1) High-density color with a filter layer formed in a predetermined pattern shape on a substrate via an optically transparent layer in order to selectively pass light having predetermined spectral characteristics. A method for manufacturing a high-density color filter, the method comprising: forming an ultraviolet absorbing layer that absorbs ultraviolet rays between the transparent layer and the filter layer.
である、特許請求の範囲第１項記載の高密度カラーフィ
ルタの製造方法。(2) The thickness of the ultraviolet absorbing layer is 0.2 to 0.6 μm
A method for manufacturing a high-density color filter according to claim 1.
と、前記高分子材料に均一に混入される紫外線吸収剤と
から構成され、 前記紫外線吸収剤の前記高分子材料への添加量は、０．
０１〜１０重量％である、特許請求の範囲第１項または
第２項記載の高密度カラーフィルタの製造方法。(3) The ultraviolet absorbing layer is composed of an optically transparent polymeric material and an ultraviolet absorber uniformly mixed into the polymeric material, and the amount of the ultraviolet absorbent added to the polymeric material is is 0.
The method for producing a high-density color filter according to claim 1 or 2, wherein the content is 01 to 10% by weight.
またはベンゾフェノン系材料である、特許請求の範囲第
３項記載の高密度カラーフィルタの製造方法。(4) The method for manufacturing a high-density color filter according to claim 3, wherein the ultraviolet absorber is a benzotriazole-based material or a benzophenone-based material.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61105330A JPS62264005A (en) | 1986-05-06 | 1986-05-06 | Production of high precision color filter |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61105330A JPS62264005A (en) | 1986-05-06 | 1986-05-06 | Production of high precision color filter |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62264005A true JPS62264005A (en) | 1987-11-17 |
Family
ID=14404712
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61105330A Pending JPS62264005A (en) | 1986-05-06 | 1986-05-06 | Production of high precision color filter |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62264005A (en) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63301904A (en) * | 1987-06-02 | 1988-12-08 | Sharp Corp | Color solid-state image pickup element |
| JPH02156668A (en) * | 1988-12-09 | 1990-06-15 | Matsushita Electron Corp | Color solid-state image sensing device |
| JP2009065178A (en) * | 2008-10-03 | 2009-03-26 | Toppan Printing Co Ltd | Solid-state image pickup element |
| US7659929B2 (en) | 2004-08-24 | 2010-02-09 | Panasonic Corporation | Solid-state image sensor and method of manufacturing thereof |
-
1986
- 1986-05-06 JP JP61105330A patent/JPS62264005A/en active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63301904A (en) * | 1987-06-02 | 1988-12-08 | Sharp Corp | Color solid-state image pickup element |
| JPH02156668A (en) * | 1988-12-09 | 1990-06-15 | Matsushita Electron Corp | Color solid-state image sensing device |
| US7659929B2 (en) | 2004-08-24 | 2010-02-09 | Panasonic Corporation | Solid-state image sensor and method of manufacturing thereof |
| JP2009065178A (en) * | 2008-10-03 | 2009-03-26 | Toppan Printing Co Ltd | Solid-state image pickup element |
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