JPS62260423A - Bipolar logic circuit - Google Patents

Bipolar logic circuit

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Publication number
JPS62260423A
JPS62260423A JP61105336A JP10533686A JPS62260423A JP S62260423 A JPS62260423 A JP S62260423A JP 61105336 A JP61105336 A JP 61105336A JP 10533686 A JP10533686 A JP 10533686A JP S62260423 A JPS62260423 A JP S62260423A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
transistor
conductive
collector
diode
output
Prior art date
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Pending
Application number
JP61105336A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Koji Kitora
孝次 木寅
Yoichiro Taki
滝 洋一郎
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Mitsubishi Electric Corp
Original Assignee
Mitsubishi Electric Corp
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Filing date
Publication date
Application filed by Mitsubishi Electric Corp filed Critical Mitsubishi Electric Corp
Priority to JP61105336A priority Critical patent/JPS62260423A/en
Publication of JPS62260423A publication Critical patent/JPS62260423A/en
Pending legal-status Critical Current

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Classifications

    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03KPULSE TECHNIQUE
    • H03K19/00Logic circuits, i.e. having at least two inputs acting on one output; Inverting circuits
    • H03K19/01Modifications for accelerating switching
    • H03K19/013Modifications for accelerating switching in bipolar transistor circuits
    • H03K19/0136Modifications for accelerating switching in bipolar transistor circuits by means of a pull-up or down element

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  • Logic Circuits (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Computing Systems (AREA)
  • General Engineering & Computer Science (AREA)
  • Mathematical Physics (AREA)
  • Electronic Switches (AREA)

Abstract

PURPOSE:To reduce the output low/high propagation time of a switching time as the titled circuit by designing the circuit that a base electric charge of an output transistor(TR) is sucked in the base as a collector current of the 2nd TR connected to the collector of the 1st TR. CONSTITUTION:When a low-level voltage is applied to an input terminal 3, a diode 12 and a TR 13 are conductive, resulting in that a TR 14 is conductive, a base electric charge of a TR 7 is sucked via diodes 17, 18 together with the base electric charge of a TR 8 and the TR 8 is nonconductive. On the other hand, a TR 5 is conductive and TRs 6, 7 are nonconductive, then TRs 9, 10 are conductive, a current flows from a high-potential power supply 1 via a resistor 30 to an output terminal 4, which goes to a high level. Thus, the timing when the TR 8 is nonconductive approaches the timing when the TR 7 is nonconductive and the circuit having short output low/high propagation time as the switching time is obtained.

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この発明はバイポーラ論理回路に係シ、特にバイポーラ
論理回路の出力回路に関するものである。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Field of Industrial Application] The present invention relates to a bipolar logic circuit, and particularly to an output circuit of a bipolar logic circuit.

〔従来の技術〕[Conventional technology]

第2図は例えば′84三菱半導体データブックハイホ−
ラテイシpルxc<hxasrrxa>1a2−s頁に
示された従来のバイポーラ論理回路の等両回路であり、
図において、Hlは高電位電源用端子、(21は低電位
電源用端子、(31は入力端子、(41は出力端子、(
5)はペースが入力端子(31にエミッタが抵抗(至)
を介して品電位電源(11にコレクタが低を位電諒(2
1に接続されたpnp)ランジスタ、(以下pnp)ラ
ンジスタと記す)、+S+はべnpnトランジスタと記
す”)、t71はペースが前記トランジスタ(61のエ
ミッタに接続されコレクタが抵抗・四を介して高電位電
源fi+に接続された5BDnpn)ランジスタ、(8
)はペースが前記トランジスタ(7)のエミッタに接続
され、コレクタが出力端子f4Hcエミッタが低電位電
源(21に接続された5BDnpn)ランジスタ、(9
)はペースが前記トランジスタ(7)のコレクタにコレ
クタが抵抗−を介して高電位電源+11に従続された5
EDnpn)ランジスタTr 、 [101はペースが
前記トランジスタ(9)のエミッタにコレクタが前記ト
ランジスタ(91のコレクタにエミッタが出力端子(4
1に接続されたnpn)ランジスタ(以下npnTr 
と記す)、CEIはペース及びコレクタがそれぞれ抵抗
cii> 、(至)を介して前記トランジスタ(8)ノ
ペースに、エミッタが低電位電源(2)に接続された8
BDnpn)ランジスタ、051はアノードがトランジ
スタ(7)のペースに、カソードがトランジスタ(51
のペースに接続されたショットキーダイオード(以下S
BDと記す)である。
Figure 2 shows, for example, the '84 Mitsubishi Semiconductor Data Book High Hole.
It is a conventional bipolar logic circuit shown on page 1a2-s of latitude p<hxasrrxa>,
In the figure, Hl is a high potential power supply terminal, (21 is a low potential power supply terminal, (31 is an input terminal, (41 is an output terminal, (
5) The pace is the input terminal (31 has the emitter resistance (to)
The collector connects the low potential to the power supply (11) through the low potential power supply (2
1 is connected to the emitter of the transistor (61, and the collector is connected to the high voltage through the resistor 4). 5BDnpn) transistor connected to potential power supply fi+, (8
) is connected to the emitter of the transistor (7), whose collector is the output terminal f4Hc, and whose emitter is connected to the low potential power supply (21) of the 5BDnpn transistor, (9
) is connected to the collector of the transistor (7) whose collector is connected to the high potential power supply +11 through the resistor -5.
EDnpn) transistor Tr, [101 has a pace connected to the emitter of the transistor (9), a collector connected to the collector of the transistor (91), and an emitter connected to the output terminal (4).
npn) transistor (hereinafter referred to as npnTr) connected to
), CEI is an 8 transistor whose pace and collector are connected to the transistor (8) through resistors cii> and (to), respectively, and whose emitter is connected to the low potential power supply (2).
BDnpn) transistor, 051 has an anode connected to the transistor (7) and a cathode connected to the transistor (51).
Schottky diode (hereinafter referred to as S) connected to the pace of
BD).

次に以上のように構成された回路動作について説明する
Next, the operation of the circuit configured as above will be explained.

まずトランジスタ(6)のペースに入力端子(31から
ローレベルの信号が印加されると、トランジスタ161
が導通し、その結果トランジスタ+61 、171が非
導通となり、トランジスタ婚が過渡的に導通してトラン
ジスタ(8)のペース電荷を引き抜くためトランジスタ
(8)が非導通状態となる。またトランジスタ(7)が
非導通になる仁とによシトランジスタ+91 、 +1
01が導通し、高電位電源(11から抵抗−を介して出
力端子(41に電流が流れ、出力端子14)の電位がハ
イ状態となるものである。
First, when a low level signal is applied from the input terminal (31) to the pace of the transistor (6), the transistor 161
becomes conductive, and as a result, the transistors +61 and 171 become non-conductive, and the transistors +61 and 171 become non-conductive, and the transistor (8) becomes non-conductive because the transistors +61 and 171 become conductive transiently and draw out the pace charge of the transistor (8). In addition, the transistors (7) become non-conductive and the transistors +91 and +1
01 becomes conductive, and the potential of the output terminal (41 flows from the high potential power supply 11 through the resistor -, and the output terminal 14) becomes high.

一方、トランジスタ161のペースに入力端子(3)か
らハイレベルの信号が印加されると、トランジスタ(6
)が非導通になり、その結果トランジスタ+81 、 
ill 、 iglが導通し、出力端子(4)から電流
を吸い込むため出力端子(41の電位はロクレベルとな
る。この時トランジスタ(7)が導通しているためトラ
ンジスタ+91 、 tlolは非導通状態となってい
るものである。
On the other hand, when a high level signal is applied from the input terminal (3) to the pace of the transistor 161, the transistor (6
) becomes non-conductive, resulting in transistor +81,
ill and igl become conductive and suck current from the output terminal (4), so the potential of the output terminal (41) becomes the ROC level.At this time, since the transistor (7) is conductive, the transistors +91 and tlol become non-conductive. It is something that

〔発明が解決しようとする問題点〕[Problem that the invention seeks to solve]

従来のバイポーラ論理回路は以上のように構成されてい
るので、入力がロクの時に、トランジスタ(7)が非導
通となった後に、トランジスタ(至)が導通し、トラン
ジスタ(8)を非導通にしているが、トランジスタに)
が非導通から導通になる時間は遅く、かつ導通時も抵抗
ら−で電流値が制限されるため、回路としてのスイッチ
ング時間の出力ロク、ハイ伝搬時間が長いという問題点
があった。
Conventional bipolar logic circuits are configured as described above, so when the input is low, transistor (7) becomes non-conductive, then transistor (to) becomes conductive, and transistor (8) becomes non-conductive. (but it's a transistor)
The time it takes for the circuit to change from non-conductive to conductive is slow, and even when it is conductive, the current value is limited by the resistor.Therefore, there are problems in that the switching time as a circuit and the high propagation time are long.

この発明は上記のような問題点を解消するためになされ
たもので、回路としてのスイッチング時間の出力ロク、
ハイ伝搬時間r短編できるバイポーラ論理回路を得るこ
と?目的とする。
This invention was made to solve the above-mentioned problems.
Is it possible to obtain a bipolar logic circuit that can shorten the propagation time? purpose.

〔問題点を解決するための手段〕[Means for solving problems]

この発明に係るバイポーラ論理回路は、ペースが入力信
号を受はエミッタが高電位電源に接続された第lのトラ
ンジスタと、ペースがこの%1のトランジスタのコレク
タにエミッタが低電位電源にコレクタが出力トランジス
タおよび前段のトランジスタのペースに接続された第2
のトランジスタを設けたものでおる。
The bipolar logic circuit according to the present invention has a first transistor whose pace receives an input signal, whose emitter is connected to a high potential power supply, and whose emitter is connected to the collector of this transistor whose emitter is connected to a low potential power supply and which outputs an output signal. transistor and a second transistor connected to the pace of the preceding transistor.
It is equipped with transistors.

〔作用〕[Effect]

この発明において、入力信号がハイレベルからロクレベ
ルに切替り伴って第1のトランジスタが導通し、第2の
トランジスタが導通し、その結果出力トランジスタのペ
ース電荷を引き抜くから、入力信号がトランジスタ・ト
ランジスタ論理回路の入力pnp)ランジスタに印加し
たとき出力の前段トランジスタが非導通になるタイミン
グに、出力トランジスタが非導通になるタイミングが近
づき、回路としてのスイッチング時間の出力ロク、ハイ
伝搬時間が短縮される。
In this invention, as the input signal switches from high level to low level, the first transistor becomes conductive, the second transistor becomes conductive, and as a result, the pace charge of the output transistor is extracted. The timing at which the output transistor becomes non-conductive approaches the timing at which the preceding stage transistor of the output becomes non-conductive when the voltage is applied to the input pnp (input pnp) transistor of the circuit, and the output low and high propagation times of the switching time as a circuit are shortened.

〔実施例〕〔Example〕

以下、この発明の一実施例を第1図について説明する。 An embodiment of the present invention will be described below with reference to FIG.

図中、第2図と同一符号は同一のもの?示す。Are the same symbols in the figure the same as in Figure 2? show.

図において、(Illはアノードが入力端子13]に接
続されたSBD、t12)iカソードが入力端子・3+
VC接続されたEIEID%州にペースが前記ダイオー
ド(11)のカソード及び前記ダイオード(12Jのア
ノードに、エミッタが抵抗2I19を介し高電位電源…
にコレクタが抵抗器を介し低電位電源+21 VC接続
されたpnp トランジスタ、Q4#−tペースがこの
トランジスタ(131のコレクタに、エミッタを低電位
電源(21にコレクタが抵抗列を介し高電位電源H1に
接続された!9BDnpnトランジスタ、+lfGはカ
ソードがトランジスターのコレクタに7ノードがトラン
ジスタ(8)のペースに接続され、11ηはアノードが
トランジスターのペースに接続された5Bp1QSiア
ノードがこのダイオードnηのカソードにカソードがト
ランジスタIのコレクタに接続された5BDSαIt−
jアノードがトランジスタ圓のエミッタに接続されたS
BD%翰はこのダイオード01のカソードに接続された
pnダイオード、a11iアノードがこのダイオード四
のカソードに接続されたpnダイオード、固ニアノード
がこのダイオード四のカソードが低電位電源12)に接
続されたpnダイオード、のはアノードが前記トランジ
スタ(13のコレクタにカソードがこのトランジスタ(
I3のペースに接続されたSBD、(至)にアノードが
前記トランジスタIのコレクタに、カソードが入力端子
に接続されたSBDである。
In the figure, (Ill is an SBD whose anode is connected to input terminal 13, t12) i cathode is input terminal 3+
The EIEID% state connected to VC is connected to the cathode of the diode (11) and the anode of the diode (12J), and the emitter is connected to the high potential power supply through the resistor 2I19...
A pnp transistor whose collector is connected to the low potential power supply +21 VC through a resistor, the collector of this transistor (131) is connected to the emitter of this transistor (131), and the emitter is connected to the high potential power supply H1 through a resistor string. !9BDnpn transistor connected to !9BDnpn transistor, +lfG with cathode connected to collector of transistor 7 node connected to pace of transistor (8), 11η anode connected to pace of transistor 5Bp1QSi anode connected to cathode of this diode nη 5BDSαIt− connected to the collector of transistor I
j S whose anode is connected to the emitter of the transistor field
BD% wire is a pn diode connected to the cathode of this diode 01, a11i is a pn diode whose anode is connected to the cathode of this diode 4, and the solid near node is a pn diode whose cathode of this diode 4 is connected to the low potential power supply 12). The diode has an anode connected to the collector of the transistor (13) and a cathode connected to this transistor (13).
An SBD is connected to the pace of I3, and (to) an SBD whose anode is connected to the collector of the transistor I and whose cathode is connected to the input terminal.

次にこのように構成された回路の動作について説明する
Next, the operation of the circuit configured as described above will be explained.

まず、入力端子(31にロクレベルが印加されると、ダ
イオードIJ2及びトランジスターが導通し、その結果
トランジスタ+141が導通し、ダイオードα!を介し
てトランジスタ(8)のペース電荷とともにダイオ−ド
ロ71. Li2Ok介してトランジスタ(71のペー
ス電荷が吸い込まれ、トランジスタ(8)が非導通とな
る。
First, when a low level is applied to the input terminal (31), the diode IJ2 and the transistor become conductive, and as a result, the transistor +141 becomes conductive, and the diode 71. The pace charge of the transistor (71) is sucked in through the transistor (8), and the transistor (8) becomes non-conductive.

一方、トランジスタ(5)が導通し、トランジスタ16
1 、171が非導通となることによシトランジスタ+
91 、 tlolが導通して、高電位電源+11から
抵抗−を介して出力端子(41に電流が流れ、出力端子
はハイ状態となる@ このように不実施例ではトランジスタIJ四が導通ずる
ことによシ直ちにトランジスタα41が導通して、トラ
ンジスタ(8)のペース電荷を引き抜くので、トランジ
スタ(81の非導通になるタイミングはトランジスタ(
7)が非導通になるタイミングに近づく。
On the other hand, transistor (5) becomes conductive and transistor 16
1 and 171 become non-conductive, the transistor +
91, tlol becomes conductive, current flows from the high potential power supply +11 to the output terminal (41) through the resistor -, and the output terminal becomes high state. In this way, in the non-embodiment, transistor IJ4 becomes conductive. Since the transistor α41 immediately becomes conductive and extracts the pace charge from the transistor (8), the timing at which the transistor (81) becomes non-conductive is determined by the transistor (8).
7) approaches the timing when it becomes non-conductive.

次に入力端子(3)にハイレベルの信号が印顎されると
ダイオード(11)が導通し、トランジスタ(1(至)
が非導通となり、その結果ダイオード++91; 12
[1mll、+nが導通し、トランジスタIが非導通に
なム一方、トランジスタ(6)が非導通となり、トラン
ジスタ(6)〜(8)が導通し、出力端子(41から電
流を吸い込むため出力端子141の電位はロク状態とな
る。この時トランジスタ(7)が導通しているためトラ
ンジスタ!91 、 tlolは非導通状態となってい
る。
Next, when a high level signal is applied to the input terminal (3), the diode (11) becomes conductive and the transistor (1)
becomes non-conductive, so that the diode ++91; 12
[1ml, +n becomes conductive, transistor I becomes non-conductive, while transistor (6) becomes non-conductive, transistors (6) to (8) become conductive, and the output terminal (output terminal 41 sucks current). The potential of the transistor 141 is in a low state. At this time, the transistor (7) is conductive, so the transistors !91 and tlol are in a non-conductive state.

〔発明の効果〕〔Effect of the invention〕

以上のように、この発明に係るバイポーラ論理回路によ
れば、出力端子トランジスタのペース電荷を、ペースか
第1のトランジスタのコレクタに接続された第2のトラ
ンジスタのコレクタ電流として吸い込むようにしたので
、出力トランジスタの非導通してなるタイミングが出力
前段トランジスタの非導通になるタイミングに近づき、
従来と比べ回路としてのスイッチング時間の出力ロク、
ハイ伝搬時間が短かいものが得られる効果がある。
As described above, according to the bipolar logic circuit according to the present invention, the pace charge of the output terminal transistor is absorbed as the collector current of the second transistor connected to the collector of the first transistor. The timing at which the output transistor becomes non-conductive approaches the timing at which the pre-output transistor becomes non-conductive,
Compared to conventional circuits, switching time output is reduced,
This has the effect of shortening the high propagation time.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of drawings]

第1図はこの発明の一実施例によるバイポーラ論理回路
を示す回路図、第2図は従来のバイポーラ論理回路の回
路図である。 図において、(11は高電位電源用端子、(2)は低電
位電源用端子、(31は入力端子、(4)は出力端子、
tel、α311(pnp)ランジスタ、+61 、 
+71 、 (81*(91,041iSBDnp、n
)ランジスタ、tlol it n pnトランジスタ
% to) 、 ug 、 oa 、すB 、 117
) 、す&、α→、 fl 、 1241はS B D
 、 121m 、 2IJ 、 E t’s p n
ダイオード、:2S 、 ”jt5 、27+ 、 c
2a 、 2!J 、 ull 、 Is’は抵抗器で
あるO なお、図中同一符号は同−又は相当部分を示す。
FIG. 1 is a circuit diagram showing a bipolar logic circuit according to an embodiment of the present invention, and FIG. 2 is a circuit diagram of a conventional bipolar logic circuit. In the figure, (11 is a high potential power supply terminal, (2) is a low potential power supply terminal, (31 is an input terminal, (4) is an output terminal,
tel, α311 (pnp) transistor, +61,
+71, (81*(91,041iSBDnp,n
) transistor, tlol it n pn transistor% to), ug, oa, sB, 117
), S&, α→, fl, 1241 is S B D
, 121m, 2IJ, E t's p n
Diode, :2S, "jt5, 27+, c
2a, 2! J, ull, and Is' are resistors O. Note that the same reference numerals in the drawings indicate the same or equivalent parts.

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] トランジスタ・トランジスタ論理を構成するインバータ
回路の入力端子にそのペースが接続される共にそのエミ
ッタが高電位電源に接続される第1のトランジスタと、
ペースがこの第1のトランジスタのコレクタにエミッタ
が低電位電源に接続される第2のトランジスタと、アノ
ードが前記トランジスタ・トランジスタ論理の出力トラ
ンジスタのペースにカソードが前記第2のトランジスタ
のコレクタに接続された第1のダイオードとアノードが
前記トランジスタ・トランジスタ論理の出力トランジス
タの前段のトランジスタのペースに接続された第2のダ
イオードとアノードがこの第2のダイオードのカソード
にカソードが前記第2のトランジスタのコレクタに接続
された第3のダイオードを備えたことを特徴とするバイ
ポーラ論理回路。
a first transistor whose pace is connected to an input terminal of an inverter circuit constituting the transistor-transistor logic and whose emitter is connected to a high potential power supply;
a second transistor whose emitter is connected to the low potential power source to the collector of the first transistor; its anode is connected to the collector of the output transistor of the transistor-transistor logic and its cathode is connected to the collector of the second transistor; a first diode and an anode connected to the gate of a transistor preceding the output transistor of the transistor-transistor logic; a second diode and an anode connected to the cathode of the second diode; a cathode connected to the collector of the second transistor; A bipolar logic circuit, comprising a third diode connected to a third diode.
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