JPS622436A - Electron tube - Google Patents

Electron tube

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JPS622436A
JPS622436A JP13887485A JP13887485A JPS622436A JP S622436 A JPS622436 A JP S622436A JP 13887485 A JP13887485 A JP 13887485A JP 13887485 A JP13887485 A JP 13887485A JP S622436 A JPS622436 A JP S622436A
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cylindrical
electron
disk
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Mitsuhiro Kurashige
光宏 倉重
Junichi Yamazaki
順一 山崎
Saburo Okazaki
三郎 岡崎
Norifumi Egami
典文 江上
Masayoshi Takizawa
滝沢 政義
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Nippon Hoso Kyokai NHK
Japan Broadcasting Corp
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Abstract

PURPOSE:To prevent the deterioration in various characteristics such as resolution, figure stain and shading by using a cylindrical deflecting electrode which consists of plural parts apart from each other and located inside the outer tube, a disk-like or circular electrode facing toward a electron gun d a disk-like electrode located near the other end of the cylindrical electrode. CONSTITUTION:An electron beam 2 discharged from an electron gun 1 is focused on the surface of a target 18 by means of a disk-cylinder convex lens which consists of a G2 terminal electrode 65, a deflecting electrode 4 and a mesh electrode group. The electron beam 2 can be deflected while making it perpendicularly incident upon the surface of the target 18 by applying a deflecting voltage to the deflecting electrode 4 in addition to a d.c. voltage. It is desirable that the ratio of the inner diameter (d1) of a glass envelope 10 to the length (l1) of the deflecting electrode 4 be adjusted to 1-3. The distance (lMR) between the mesh electrode 17 and the deflecting-electrode-side end of a ring electrode 19 is adjusted to 0.1d1-0.5d1 (d1, the diameter of the electron tube). Due to the above structure, it is possible to minimize both the strain of the figure and the miss collimation of the beam.

Description

【発明の詳細な説明】 (産業上の利用分野) 本発明は電子ビームの集束および偏向をすべて電界で行
う電界集束、電界偏向型の撮像管または陰極線管に関す
るものである。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION (Industrial Application Field) The present invention relates to an electric field focusing or electric field deflection type image pickup tube or cathode ray tube in which electron beams are focused and deflected entirely by electric fields.

(従来の技術) 撮像管における走査電子ビームの集束偏向方式の一つと
して集束と偏向をすべて電界で行なう全静電形(以下S
S形と略称)が知られている。
(Prior art) As one of the focusing and deflecting methods for a scanning electron beam in an image pickup tube, the all-electrostatic type (hereinafter referred to as S
S-type (abbreviated as S-type) is known.

SS形は一切の電磁コイルを必要としないので、撮像管
の小形軽量化低消費電力化には最も有利である。しかし
従来の集束、偏向のいずれか一方、もしくは両方に電磁
コイルを用いた集束偏向方式と比較すると、SS形は解
像度、図形ひずみならびに画面内の信号レベルの均一性
(シェーディング)などの特性において必ずしも十分で
ないという欠点をもっていた。
Since the SS type does not require any electromagnetic coil, it is most advantageous for reducing the size, weight, and power consumption of the image pickup tube. However, compared to conventional focusing and deflection methods that use electromagnetic coils for either focusing, deflection, or both, the SS type does not necessarily have the same characteristics as resolution, graphic distortion, and uniformity of signal level within the screen (shading). It had the drawback of not being sufficient.

ここで第15図に従来のSS形集束偏向部を示す。Here, FIG. 15 shows a conventional SS type focusing/deflecting section.

電子銃1の側から順に配置された円筒電極3.デフレフ
トロン電極41円筒電極5にそれぞれ直流電圧Vll+
VL+VI+を加えることによって、第16図示の電位
分布が管内に形成される。さらに、デフレフトロン電極
4を構成する4つのアローパターン電極に適当な偏向電
圧をν、に重量して印加することにより、集束偏向機能
をもたせている。また後段の円筒電極5とメツシュ電極
17によってコリメーションレンズが形成される。
Cylindrical electrodes 3 arranged in order from the electron gun 1 side. DC voltage Vll+ is applied to the defleftron electrode 41 and the cylindrical electrode 5, respectively.
By adding VL+VI+, the potential distribution shown in FIG. 16 is created in the tube. Furthermore, by applying an appropriate deflection voltage of ν to the four arrow pattern electrodes constituting the defleftron electrode 4, a focusing deflection function is provided. Further, a collimation lens is formed by the cylindrical electrode 5 and the mesh electrode 17 at the rear stage.

(発明が解決しようとする問題点) 上記構成の最適設計条件として円筒電極部の直径りとそ
れらの全長しの比L/Dは2〜4.できれば3前後が最
良とされてきた。この集束偏向部は3つの円筒電極(こ
のうちの1つはデフレフトロン電極)から成り、これら
円筒群の長さがほぼ管長を決定するため、後述する本発
明のものと比較すると特に小形化において劣る欠点があ
った。その上円筒電極群によって作られる電子レンズは
、凹レンズとしての要素を含むため強い凸レンズが形成
できず、前述したように解像度、図形ひずみなどについ
て従来のMS形撮像管と比較して劣っていた。
(Problems to be Solved by the Invention) As an optimal design condition for the above configuration, the ratio L/D of the diameter of the cylindrical electrode portion and their total length is 2 to 4. If possible, around 3 has been considered the best. This focusing deflection section consists of three cylindrical electrodes (one of which is a defleftron electrode), and the length of these cylindrical groups almost determines the tube length, so it is particularly inferior in terms of miniaturization compared to the one of the present invention described later. There were drawbacks. Furthermore, since the electron lens formed by the cylindrical electrode group includes elements for a concave lens, a strong convex lens cannot be formed, and as mentioned above, it is inferior to the conventional MS type image pickup tube in terms of resolution, graphic distortion, etc.

またさらに、3つの円筒電極にそれぞれ電圧を印加する
ための電極リードを取り出すために管壁に穴をあけると
か、あるいは他の電極を横切って引き出すなどの方法を
要したため、その製作工程や信頼性が劣るのみならず、
電界の乱れによる特性不備が避けられない欠点を有して
いた。
Furthermore, in order to take out the electrode leads for applying voltage to each of the three cylindrical electrodes, it was necessary to make a hole in the tube wall or to draw them out across other electrodes, which caused problems in the manufacturing process and reliability. Not only is it inferior, but
It had the unavoidable drawback of poor characteristics due to disturbances in the electric field.

(問題点を解決するための手段) 本発明の目的は、上記公知例のもつ欠点を除去し、従来
の集束、偏向のいずれか一方、もしくは両方に電磁コイ
ルを用いた集束偏向方式の電子管に比し、特に解像度、
図形ひずみ、シェーディングなどの緒特性を劣化させる
ことのない、小形軽量で消費電力の小さな全静電形電子
管を提供せんとするものである。
(Means for Solving the Problems) An object of the present invention is to eliminate the drawbacks of the above-mentioned known examples, and to improve the conventional focusing/deflection type electron tube using electromagnetic coils for either focusing, deflection, or both. In comparison, especially the resolution,
It is an object of the present invention to provide an all-electrostatic electron tube that is small, lightweight, and consumes little power, without deteriorating physical characteristics such as graphic distortion and shading.

すなわち本発明電子管は、電子管の外管内側に配置され
た複数分割の円筒状偏向電極と、少なくとも、該円筒状
偏向電極の電子銃側に配置された円板状、もしくは管軸
方向から見て円形状をなす電極と、前記円筒状電極の他
端に配置された円板状電極とを具え、管軸上の電位分布
の軸方向の2階微分を正とならしめるように電界集束電
界偏向部を構成したことを特徴とするものである。
That is, the electron tube of the present invention includes a plurality of divided cylindrical deflection electrodes disposed inside the outer tube of the electron tube, and at least a disk-shaped deflection electrode disposed on the electron gun side of the cylindrical deflection electrode, or when viewed from the tube axis direction. It includes a circular electrode and a disc-shaped electrode disposed at the other end of the cylindrical electrode, and is configured to focus an electric field and deflect an electric field so as to make the second-order differential in the axial direction of the potential distribution on the tube axis positive. It is characterized by comprising a section.

(実施例) 第1図に本発明に係るSS形集束偏向部の第1の実施例
を示す。
(Embodiment) FIG. 1 shows a first embodiment of the SS type focusing/deflecting unit according to the present invention.

基本的な電極構成としては電子ビームを取り出す電子銃
部1、デフレフトロン電極4.メツシュ電極17.及び
ターゲラ目8からなる。第1図に示した電子銃部1はい
わゆるトライオード型の例を示したもので、カソード6
1. Gl電極62. G2電極63゜G2電極63と
電気的機械的に一体化されたビーム制限孔64及びG2
終端電極65よりなる。
The basic electrode configuration includes an electron gun section 1 that takes out the electron beam, a defleftron electrode 4. Mesh electrode 17. and Targelales 8. The electron gun section 1 shown in FIG. 1 is a so-called triode type example, and the cathode 6
1. Gl electrode 62. G2 electrode 63° Beam limiting hole 64 and G2 electrically and mechanically integrated with G2 electrode 63
It consists of a terminal electrode 65.

電子銃の形式としては他の形式、例えば層流形電子銃等
を用いることもできる。この電極構成ではG2電極63
に電圧v2デフレクトロン電極4に電圧ν3、メソシュ
電極17に電圧V、を印加すると管内には第2図(a)
に示すような電位分布が形成される。
Other types of electron gun, such as a laminar flow type electron gun, can also be used. In this electrode configuration, the G2 electrode 63
When a voltage v2 is applied to the deflectron electrode 4, a voltage ν3 is applied to the deflectron electrode 4, and a voltage V is applied to the mesoche electrode 17, the voltage inside the tube is as shown in Fig. 2(a).
A potential distribution as shown in is formed.

軸上電位分布をφ。(Z) CZは管軸方向の座標)と
書き、φ。(Z)の2に関する1階微分をφ。’ (Z
)、 2階微分をφ。″(Z)とすると、一般に、管軸
近傍を走行する電子(以下、近軸電子と略称)に働く径
方向の力は一φ。″(Z)に比例する。従って、φ。′
(2)≠0の場合にはレンズ作用が生じ、φ。′(Z)
が正ならば凸レンズ、負ならば凹レンズが形成される。
φ the axial potential distribution. (Z) CZ is the coordinate in the tube axis direction), and φ. The first derivative of (Z) with respect to 2 is φ. '(Z
), the second derivative is φ. ''(Z), the radial force acting on electrons traveling near the tube axis (hereinafter abbreviated as paraxial electrons) is generally proportional to 1φ.''(Z). Therefore, φ. ′
(2) When ≠0, a lens effect occurs and φ. ′(Z)
If is positive, a convex lens is formed, and if it is negative, a concave lens is formed.

すなわち、φ。“(Z)の正負により電子レンズの凹凸
が決まる。
That is, φ. “The positive/negative of (Z) determines the concavity and convexity of the electron lens.

本発明による第1図示の電極構成において、円筒状のデ
フレフトロン電極4の両端に配置した円板状の62終端
電極65.及びメツシュ電極17の電位V2. V、を
デフレフトロン電極4の電位v3より高く設定すれば、
φ。#(Z)は第3図図示のように常に正となり、空間
全体は凸レンズ作用のみを有する。
In the electrode configuration shown in the first figure according to the present invention, 62 disk-shaped terminal electrodes 65 are disposed at both ends of the cylindrical defleftron electrode 4. and the potential V2 of the mesh electrode 17. If V is set higher than the potential v3 of the defleftron electrode 4,
φ. #(Z) is always positive as shown in FIG. 3, and the entire space has only a convex lens effect.

第2図(a)は後述する第7図示の本発明による実施例
において、デフレフトロン電極4に直流電圧v3のみを
印加した条件で、管内の電位分布をコンピュータシミュ
レーションにより求めたものである。
FIG. 2(a) shows the potential distribution inside the tube obtained by computer simulation under the condition that only the DC voltage v3 is applied to the defleftron electrode 4 in the embodiment according to the present invention shown in FIG. 7, which will be described later.

第2図(b)は同様の手段により、電子レンズの光学的
性質を明らかにするために、電子ビームをターゲット1
8に集束させる条件で3つの代表的な電子軌道を求めた
結果である。
Figure 2(b) shows that an electron beam is applied to a target 1 in order to clarify the optical properties of an electron lens using similar means.
This is the result of finding three representative electron orbits under the condition of convergence at 8.

第2図(b)に示した軌道71はG2終端電極65上の
管軸から1龍離れた点から管軸と平行に出発した電子の
軌道(β1軌道と略称)、軌道72はG2終端電極65
上の管軸から軸と5度の角度をなして出発した電子の軌
道(以下、α軌道と略称)、軌道73はターゲット18
の中心から軸と平行に軌道71とは逆向きに出発した電
子の軌道(以下、β2軌道と呼ぶ)である。
The orbit 71 shown in FIG. 2(b) is the orbit of an electron (abbreviated as β1 orbit) starting from a point one distance away from the tube axis on the G2 terminal electrode 65 (abbreviated as β1 orbit), and the orbit 72 is the orbit on the G2 terminal electrode 65. 65
The orbit of the electron departing from the upper tube axis at an angle of 5 degrees with the axis (hereinafter abbreviated as α orbit), orbit 73 is the target 18
This is an orbit of an electron (hereinafter referred to as a β2 orbit) that starts from the center of the orbit parallel to the axis in the opposite direction to the orbit 71.

軌道71が軸と交わる点(以下、第1のクロスオーバと
呼ぶ)74が存在することはG2終端電極65と第1の
クロスオーバ74の間に凸レンズ66が存在し、その焦
点は点F1に存在することを意味する。同様に、β2軌
道73が軸と交わる点(第2のクロスオーバと呼ぶ)7
5はメツシュ電極17と第2クロスオーバの間に凸レン
ズ67が存在し、その焦点が点F2に存在することを意
味する。α軌道72が軸と交わる点76は像面を意味す
るから、ターゲット18の位置と一致する。上記の凸レ
ンズ66.67は円板と円筒とによって形成されること
から、一般に円板−円筒レンズと称される。
The existence of the point 74 where the orbit 71 intersects the axis (hereinafter referred to as the first crossover) means that the convex lens 66 exists between the G2 terminal electrode 65 and the first crossover 74, and its focal point is at the point F1. means to exist. Similarly, the point 7 where the β2 orbit 73 intersects the axis (referred to as the second crossover)
5 means that a convex lens 67 exists between the mesh electrode 17 and the second crossover, and its focal point exists at point F2. Since the point 76 where the α orbit 72 intersects with the axis means the image plane, it coincides with the position of the target 18. Since the above convex lenses 66 and 67 are formed of a disk and a cylinder, they are generally called disk-cylindrical lenses.

円板−円筒レンズは2つの円筒をつきあわせて配置した
円筒−円筒レンズと比べると、凹レンズ作用を及ぼす空
間が全く存在しないことに起因してレンス内における電
子軌道の広がりがないために、収差が少ないこと、また
、レンズとして作用する空間の長さが原理的に円筒−円
筒レンズの半分になる利点をもつ。
Compared to a cylinder-cylindrical lens in which two cylinders are placed side by side, a disk-cylindrical lens has no space to exert a concave lens effect, so there is no spread of electron trajectories within the lens, resulting in aberrations. It also has the advantage that the length of the space that acts as a lens is, in principle, half that of a cylindrical-cylindrical lens.

ところで、第2図(b)において凸レンズ66と67の
位置及び強さを適当に選ぶと、第4図図示のように第1
のクロスオーバ74を第2の凸レンズ67によってター
ゲット18の上に結像させることができる。この場合、
第1の凸レンズ66 (L 、 )の収差をできるだけ
抑えるようにして、その焦点距離(第1の凸レンズ66
の中心77と第1のクロスオーバ74との間の距離:’
LI+□)を小さくするよう工夫すれば、第1のクロス
オーバ点74にはより小さいビームスポットが形成でき
る。第1のクロスオーバ点74と第2の凸レンズ67(
LX)の中心位置78との間の距離β21.L□をでき
るだけ大きくすると同時に、第2の凸レンズ67の中心
位置78とターゲット18の間の距離E L2. Tを
小さくすれば、第1のクロスオーバ74の像をターゲッ
ト18の上により縮小して結像させることができる。
By the way, if the positions and strengths of the convex lenses 66 and 67 in FIG. 2(b) are appropriately selected, the first
can be imaged onto the target 18 by the second convex lens 67. in this case,
The aberration of the first convex lens 66 (L, ) is suppressed as much as possible, and its focal length (first convex lens 66
Distance between the center 77 and the first crossover 74:'
If efforts are made to reduce LI+□), a smaller beam spot can be formed at the first crossover point 74. The first crossover point 74 and the second convex lens 67 (
LX) and the center position 78 of β21.LX). While increasing L□ as much as possible, the distance E between the center position 78 of the second convex lens 67 and the target 18 L2. By reducing T, the image of the first crossover 74 can be formed on the target 18 in a more reduced size.

V2.V4 ノ印加電圧を例えばそれぞれ900 V、
300Vに設定して、■、だけを変化させた場合、G2
終端電極65に近い方の円板−円筒レンズ66及びメツ
シュ電極側の円板−円筒レンズの位置βG2+LI+β
La、アと焦点距離’ Ll+ FI+ I!F2r 
LZは第5図のように変化する。
V2. For example, the applied voltage of V4 is 900 V, respectively.
If you set it to 300V and change only ■, G2
Position βG2+LI+β of the disk closer to the terminal electrode 65-cylindrical lens 66 and the disk-cylindrical lens on the mesh electrode side
La, a and focal length' Ll+ FI+ I! F2r
LZ changes as shown in FIG.

第5図に示すように、デフレフトロン電極4の電圧ν3
を変化させた場合、両レンズの位置はほとんど変化しな
いが、焦点距離すなわちレンズの強さはほぼv3の大き
さに対して比例的に変化し、V。
As shown in FIG. 5, the voltage ν3 of the defleftron electrode 4
When V is changed, the positions of both lenses hardly change, but the focal length, that is, the strength of the lenses, changes approximately in proportion to the magnitude of V3.

を小さくするほど強いレンズが形成される。従って、第
4図に示した第1のクロスオーバ74の結像はv3の調
整によって容易に実現できる。さらに、V2+ v:l
の選択如何によっては第4図示の本旨をより高めること
も容易である。
The smaller the lens, the stronger the lens. Therefore, the imaging of the first crossover 74 shown in FIG. 4 can be easily realized by adjusting v3. Furthermore, V2+ v:l
Depending on the selection, it is easy to further enhance the main idea shown in the fourth figure.

実験によれば第2図(b)に示した動作条件よりも第4
図示のように、一旦形成されたクロスオーバ74を結像
する条件の方が電子管の高性能化により適していること
がわかった。
According to experiments, the operating conditions shown in Fig. 2(b)
As shown in the figure, it has been found that the conditions for imaging the crossover 74 once formed are more suitable for improving the performance of the electron tube.

ところで、デフレフトロン電極4は電子ビームの偏向の
ために偏向電圧が重畳される。この場合、管内には第6
図に示すような非軸対照な電位分布が生じ、2つの円板
−円筒レンズ66.67は第6図に併示のごとくゆがん
だものとなる。
Incidentally, a deflection voltage is superimposed on the defleftron electrode 4 for deflecting the electron beam. In this case, there is a sixth
A non-axis symmetric potential distribution as shown in the figure occurs, and the two disk-cylindrical lenses 66, 67 become distorted as shown in FIG.

第6図は上記現象の例示として、v2を900 V 、
 V、1を一30V、 V、を300 Vとした条件で
、デフレフトロン電極4に60 V ppの偏向電圧を
印加した場合、すなわち第6図上部の偏向電極に+30
V、下部の偏向電極に一50Vの偏向電圧を印加した場
合の電位分布を求めたものである。正の偏向電圧が印加
された偏向電極の近傍では第5図に示した理由により、
凸レンズは弱(なる。偏向を受けた電子ビームは常に正
の偏向電圧が印加された偏向電極の近傍を通過す5る。
FIG. 6 shows an example of the above phenomenon when v2 is 900 V,
When a deflection voltage of 60 V pp is applied to the defleftron electrode 4 under the conditions that V,1 is -30 V and V, is 300 V, that is, +30 V pp is applied to the deflection electrode at the top of Fig. 6.
V, the potential distribution when a deflection voltage of -50V is applied to the lower deflection electrode. For the reason shown in Figure 5, near the deflection electrode to which a positive deflection voltage is applied,
The convex lens is weak. The deflected electron beam always passes near the deflection electrode to which a positive deflection voltage is applied.

ところで、第1の凸レンズ66の近傍ではビームは偏向
量もわずかで軸近傍を走行するので、上記の凸レンズの
非軸対称性は電子ビームの集束偏向特性にはほとんど影
響しない。しかし、第2の凸レンズ67には十分な偏向
を受けた電子が通過するので、上記の非軸対称性は電子
ビームの集束偏向特性に大きく影響する。
By the way, in the vicinity of the first convex lens 66, the beam has only a small amount of deflection and travels near the axis, so the non-axial symmetry of the convex lens has little effect on the focusing and deflection characteristics of the electron beam. However, since sufficiently deflected electrons pass through the second convex lens 67, the above-mentioned non-axial symmetry greatly affects the focusing and deflecting characteristics of the electron beam.

実験によれば、偏向電圧の印加によって弱くなった第2
の凸レンズ67は、第6図に示すように偏向によって生
じるビームのデフォーカスをうまく補償するよう作用す
るので、G2終端電極65の中心部もしくは第1のクロ
スオーバ74を、ターゲット18にほとんど偏向デフォ
ーカスなしに結像させることができることがわかった。
According to experiments, the second
The convex lens 67 acts to effectively compensate for the beam defocus caused by the deflection, as shown in FIG. It turns out that it is possible to form an image without focusing.

第2の凸レンズ67の外縁部の光学的特性は、電極印加
電圧v2〜v4のみならず、メツシュ電極17と電気的
に接続された円筒電極19の形状によっても左右される
。メツシュ電極17とリング電極19のデフレフトロン
電極側に面した端との間の距離!□(第6図参照)を管
の直径d、に対し0.1d、〜o、5dlにすることに
よって偏向デフォーカスのみならず、図形ひずみやビー
ムのミスコリメーションを同時に小さくすることができ
た。これは、円筒電極19の近傍のフリンジングフィー
ルドがうまくビームのコリメーション作用を補完するこ
とによる。
The optical characteristics of the outer edge of the second convex lens 67 depend not only on the electrode applied voltages v2 to v4 but also on the shape of the cylindrical electrode 19 electrically connected to the mesh electrode 17. Distance between the mesh electrode 17 and the end of the ring electrode 19 facing the defleftron electrode side! By setting □ (see FIG. 6) to 0.1 d to 5 dl with respect to the tube diameter d, it was possible to reduce not only the deflection defocus but also the figure distortion and beam miscollimation at the same time. This is because the fringing field near the cylindrical electrode 19 successfully complements the beam collimation effect.

以上述べたことから明らかなように、本発明は電子ビー
ムの集束偏向をデフレフトロン電極を活用した2枚の円
板−円筒レンズを行うと同時に、従来のSS形集束偏向
部と比べて、電子ビームをターゲットに垂直に入射させ
るためのコリメーションレンズを新たに設けることなく
、上記の円板−円筒レンズにその作用兼備せしめている
点に特徴がある。
As is clear from the above description, the present invention focuses and deflects the electron beam using two disc-cylindrical lenses that utilize defreftron electrodes, and at the same time, the electron beam The feature is that the above-mentioned disk-cylindrical lens has both functions without the need to newly provide a collimation lens for making the beam perpendicularly incident on the target.

第7図は第1図示の電極構成をトライオード形電子銃を
もつ撮像管に適用した実施例である。61は熱電子を放
射させるカソード、62はG1電極、63はG2電極、
64は引き出された電子ビームの中から良質(発散角が
小さい)ビームを適量取り出すためのビーム制限孔、6
5はG2電極63に付加したG2終端電極、4はビーム
の集束偏向を行わせるためのデフレフトロン電極、17
はメツシュ電極、18はターゲット、80は信号電流取
り出しのためのピン状電極、81は面板82をガラス外
囲器IOの上部に封着するためのインジウムリング、8
3はメツシュを取り付ける台座、19はリング電極、8
4は電極群に所要の電圧を加えるための引き出しビンで
ある。
FIG. 7 shows an embodiment in which the electrode configuration shown in FIG. 1 is applied to an image pickup tube having a triode type electron gun. 61 is a cathode that emits thermoelectrons, 62 is a G1 electrode, 63 is a G2 electrode,
64 is a beam restriction hole for extracting an appropriate amount of high quality (small divergence angle) beam from the extracted electron beam;
5 is a G2 terminal electrode added to the G2 electrode 63; 4 is a defleftron electrode for focusing and deflecting the beam; 17
18 is a mesh electrode, 18 is a target, 80 is a pin-shaped electrode for taking out a signal current, 81 is an indium ring for sealing the face plate 82 to the upper part of the glass envelope IO, 8
3 is a pedestal for attaching the mesh, 19 is a ring electrode, 8
Reference numeral 4 is a pull-out bottle for applying a required voltage to the electrode group.

デフレフトロン電極4はガラスが外囲器10の内面に真
空蒸着したCr’PA1などの金属をエツチングやレー
ザ加工技術により所要の、模様に加工することによって
形成することができる。
The defleftron electrode 4 can be formed by processing a metal such as Cr'PA1 on which glass is vacuum-deposited on the inner surface of the envelope 10 into a desired pattern using etching or laser processing technology.

本電極構成によれば電子銃部lから射出された電子ビー
ム2はG2終端電極65.デフレフトロン電極4.及び
メツシュ電極群(メツシュ電極17.メツシュ支持枠8
1.リング電極19)によって形成される円板−円筒形
凸レンズによりターゲット18の表面に集束される。
According to this electrode configuration, the electron beam 2 emitted from the electron gun section 1 is transferred to the G2 terminal electrode 65. Defleftron electrode 4. and mesh electrode group (mesh electrode 17. mesh support frame 8
1. It is focused onto the surface of the target 18 by a disk-cylindrical convex lens formed by a ring electrode 19).

デフレフトロン電極4に・、直流電圧V、に重畳して偏
向電圧を印加すれば、第6図等により説明したように電
子ビーム2をターゲット18の表面に垂直に入射させる
条件を保持しつつ偏向することができる。この実施例に
おいてガラス外囲器10の内径(デフレフトロン電極4
の直径に等しい)d、とデフレフトロン電極の長さl、
との比1 +/(Lを変えて特性の変化を調べたところ
、第8図示の結果を得た。
If a deflection voltage is applied to the defleftron electrode 4 superimposed on the DC voltage V, the electron beam 2 can be deflected while maintaining the condition that it is perpendicularly incident on the surface of the target 18, as explained with reference to FIG. be able to. In this embodiment, the inner diameter of the glass envelope 10 (the defleftron electrode 4
) d, and the length l of the defleftron electrode,
When the ratio of 1 +/(L was changed and the change in characteristics was investigated, the results shown in Figure 8 were obtained.

第8図の曲線Aは画面中心部の振幅変調度ARce。Curve A in FIG. 8 is the amplitude modulation degree ARce at the center of the screen.

曲線Bは画面周辺部における振幅変調度ARco、曲′
1IACは図形ひずみΔdの変化を実測した結果である
Curve B is the amplitude modulation degree ARco at the periphery of the screen, and the curve '
1IAC is the result of actually measuring the change in graphic distortion Δd.

これらの実験結果から1 +/d+を1.5倍前後に選
ぶとARce、 ARcoが最大となると同時にΔdが
最小になり、さらにはビームミスランディングによるシ
ェーディング(図示せず)も最小になることが1iiI
認された。この実験における動作条件としては1h=9
00 V、 V4=300 Vとし、Vaハ1 +/c
Lニ応じて一1O0V〜+50Vの範囲で選んだ。
From these experimental results, if 1+/d+ is selected to be around 1.5 times, ARce and ARco will be maximized and Δd will be minimized, and shading due to beam mislanding (not shown) will also be minimized. 1iiiI
It has been certified. The operating conditions in this experiment are 1h=9
00 V, V4=300 V, Vaha1 +/c
It was selected in the range of -100V to +50V depending on the L.

図形ひずみΔdが最小になるV、の値Vl (Δdmi
n)とARが最大となるv3の値vs(AR−、l)と
を各々ノ(1+/(Lに対して求めた結果を第9図に示
す。両者の値はL/d、が2以上になると一致しないが
、2以下になると一致する。V、(八R,,,) とV
3(Δdmin)が一致することは解像度大と図形ひず
み小とを両立させ得ることを意味する。
The value Vl (Δdmi
Figure 9 shows the results obtained for (1+/(L)) and the value of v3 at which AR is maximum vs (AR-, l). They do not match when it is more than 2, but they match when it becomes 2 or less.V, (8R,,,) and V
3 (Δdmin) means that both high resolution and low graphic distortion can be achieved.

ただし、β、/d、が1以下になると集束レンズ系の収
差が顕著になるため、第8図示のように管の特性として
は相対的に不十分なものしか得られない。
However, when β, /d is less than 1, the aberration of the focusing lens system becomes significant, so that only relatively insufficient tube characteristics can be obtained as shown in FIG.

上記の検討結果から、1 +/d+の実用値T。、Lと
しては第8図に示すように1〜3が適当であることかね
かった。
From the above study results, the practical value T of 1 +/d+. , L may be suitably 1 to 3 as shown in FIG.

この理由は以下のように説明できる。The reason for this can be explained as follows.

デフレフトロン電極4を長くしてA! +/d+を大き
くすると第10図の曲線Aに示すようにビームの腹(G
2柊端電極65近傍の管軸上から軸と5°の角度で射出
した電子軌道がもつ最大径で定義)が太(なり、収差が
増えて像点ボケ(近軸電子と上記の電子の像点間の距離
で定義)が同図曲線Bに示す    ゛ように増す。一
方、デフレフトロン電極を短くして、I! +/(Lを
1以下にすると上記の像点ボケは減少するものの、偏向
角が増すために偏向収差が増えること、また、電子がデ
フレフトロン内を通り抜は得る条件すなわち軸上電位φ
。(Z)を負にしない条件では、円板−円筒レンズを強
くするには限度が存在するため、電子ビームの最適集束
条件の確保が困難になることによる。
A by lengthening the defleftron electrode 4! When +/d+ is increased, the antinode of the beam (G
2. Defined as the maximum diameter of the electron trajectory emitted from the tube axis near the tube axis at an angle of 5° with the axis), the aberration increases and the image point becomes blurred (the paraxial electron and the above-mentioned electron (defined as the distance between image points) increases as shown in curve B in the same figure.On the other hand, if the defleftron electrode is shortened and I! The deflection aberration increases due to the increase in the deflection angle, and the conditions for electrons to pass through the defleftron, that is, the axial potential φ
. Under conditions where (Z) is not negative, there is a limit to how strong the disk-cylindrical lens can be, making it difficult to ensure optimal focusing conditions for the electron beam.

ところで、第7図に示した本発明を適用した撮像管にお
いて、デフレフトロン電極4を前記のCrやAlに代え
てパーマロイなどの強磁性体で形成すると、撮像管を運
用する際不可欠の磁気じゃへい体の板厚を薄くすること
ができて、デバイス全体をより軽量化することができる
。例えば、パーマロイなどの強磁性材料をスパッタや真
空蒸着などの方法により数μmの厚さに付着させた薄膜
を電極膜として利用すると、所要の磁気じゃへい体の板
厚は約半分に減らすことができる。
By the way, in the image pickup tube to which the present invention is applied as shown in FIG. 7, if the defleftron electrode 4 is made of a ferromagnetic material such as permalloy instead of Cr or Al, the magnetic interference, which is essential when operating the image pickup tube, is eliminated. The thickness of the body can be reduced, making the entire device lighter. For example, if a thin film of a ferromagnetic material such as permalloy deposited to a thickness of several μm by sputtering or vacuum deposition is used as an electrode film, the required thickness of the magnetic barrier can be reduced by about half. can.

実用上十分な磁気しゃへい効果を得るには、上記の磁性
体膜を用いない場合、パーマロイの板厚は0.8 w前
後にする必要がある。しかし、上記の磁性薄膜デフレフ
トロン電極を用いれば、磁気じゃへい体の板厚を従来の
約半分のQ、4msで済ますことができる。一般に管自
身の重量は数Logで製作できるものの、磁気じゃへい
体は数10gにも及び、管の総重量をほぼ決定している
。従って、磁気しゃへい体の薄肉化はデバイスの軽量化
に必須である。
In order to obtain a practically sufficient magnetic shielding effect, the thickness of the permalloy must be approximately 0.8 W when the above-mentioned magnetic film is not used. However, by using the above-mentioned magnetic thin film defleftron electrode, the thickness of the magnetic barrier can be reduced to about half the conventional Q and 4 ms. Although the tube itself can generally be manufactured with a weight of several logs, the magnetic barrier weighs several tens of grams, which almost determines the total weight of the tube. Therefore, reducing the thickness of the magnetic shield is essential for reducing the weight of the device.

以上述べた本発明は以下の手段により、より一層その効
果を高めることができる。
The effects of the present invention described above can be further enhanced by the following means.

第11図はG2終端電極65の直径d。を変化させた場
合の第1の円板−円筒レンズ66の変化と、それ   
・による電子軌道の変化を求めたものである。第11図
(a)はd、□をデフレフトロン電極4の直径d、の数
分の1以下に小さくした場合、第11図(b)はdG□
をほぼd、に等しくした場合の2つの典型的な場合であ
る。
FIG. 11 shows the diameter d of the G2 terminal electrode 65. Changes in the first disc-cylindrical lens 66 when changing the
The change in electron orbit due to . When d and □ are made smaller than a fraction of the diameter d of the defleftron electrode 4, FIG. 11(a) shows dG□.
There are two typical cases where d is approximately equal to d.

第11図より、G2終端電極65を小さくすると第1の
凸レンズ66の中心77は、よりG2終端電極側へ近づ
くと同時に、焦点距離’LI+FIも小さくなってより
強い凸レンズが形成される。従って、第1のクロスオー
バ74を第2の円板−円筒レンズ67によってターゲッ
ト18に結像する動作モードでは、より小さいビームス
ポットが得られる。さらに、dGtを変化させる代わり
に、第12図の第2の実施例に示すように、G2終端電
極65の形状を変えても同様の効果を得ることができる
From FIG. 11, when the G2 end electrode 65 is made smaller, the center 77 of the first convex lens 66 moves closer to the G2 end electrode, and at the same time, the focal length 'LI+FI is also reduced, forming a stronger convex lens. Therefore, in the mode of operation in which the first crossover 74 is imaged onto the target 18 by the second disc-cylindrical lens 67, a smaller beam spot is obtained. Furthermore, instead of changing dGt, the same effect can be obtained by changing the shape of the G2 termination electrode 65, as shown in the second embodiment of FIG.

第13図は本発明の実施例を示したものである。FIG. 13 shows an embodiment of the present invention.

第13図(a)はデフレフトロン電極4とメツシュ電極
17との間にもう1つの円筒電極91を付加して、2つ
の円板−円筒レンズ66.67の間に新たに1枚の円筒
−円筒レンズ92を設け、この凸レンズに主として集束
作用を行わせる代わりに、第2の凸レンズ67には主と
して電子ビームのコリメーション作用だけを行わせるよ
うにしたものである。
In FIG. 13(a), another cylindrical electrode 91 is added between the defleftron electrode 4 and the mesh electrode 17, and a new cylinder-cylinder is formed between the two disc-cylindrical lenses 66 and 67. A lens 92 is provided, and instead of this convex lens primarily performing a focusing function, the second convex lens 67 is primarily configured to perform only a collimating function of the electron beam.

第13図(b)は新たな円筒電極91をG2終端電極6
5とデフレフトロン電極4との間に配置したもので、第
13図(a)と同様に3つの凸レンズを形成し、新たに
設けた凸レンズ92には第1の凸レンズ66との相乗効
果で実効的により強い1つの凸レンズを形成せしめるよ
うにしたものである。
FIG. 13(b) shows a new cylindrical electrode 91 connected to the G2 terminal electrode 6.
The newly provided convex lens 92 has an effective synergistic effect with the first convex lens 66, and forms three convex lenses as shown in FIG. This allows a single, stronger convex lens to be formed.

(発明の効果) この発明を全静電形(SS形)撮像管の走査電子ビーム
系に適用すると、電子の集束偏向に用いるレンズの数が
2ケで済み、かつ8亥レンズは占める空間の長さが従来
の円筒−円筒レンズと比べてほぼ半分で済む円板−円筒
レンズを用いているので、従来のSS形と比べると管長
を約半分以下に短縮することができる。また、偏向電極
自体にも外部磁気のしゃへい効果をもたせているため、
管の外部に付加する磁気じゃへい体を薄くでき、デバイ
ス総体の重量を大幅に減らすことが可能で、従来形と比
べると格段に小形軽量のデバイスを提供することができ
る。
(Effects of the Invention) When this invention is applied to a scanning electron beam system of an all-electrostatic type (SS type) image pickup tube, the number of lenses used for focusing and deflecting the electrons can be reduced to two, and the eight lenses occupy less space. Since a disk-cylindrical lens whose length is approximately half that of a conventional cylinder-cylindrical lens is used, the tube length can be shortened to about half or less compared to the conventional SS type. In addition, since the deflection electrode itself has a shielding effect from external magnetism,
The magnetic barrier added to the outside of the tube can be made thinner, and the overall weight of the device can be significantly reduced, making it possible to provide a device that is much smaller and lighter than conventional types.

本発明では管内に一切の凹レンズ作用を存在せしめない
ので、電子軌道の発散が少なく、偏向収差が少ない。こ
のため、高解像度で高性能を要する高品位テレビジョン
システムなどの要求を満たすデバイスを提供することが
できる。例えば第7図に示した実施例において、デフレ
フトロン電極4の直径d1を16mm、長さβ、を27
flとし、電子銃部1として、テレビジョン学会電子装
置研究会試料ED343  (昭和52年9月)に公表
されているトライオード型を組み込み、ターゲットとし
てサチコン膜を用いた場合、G2終端電極65の電圧v
2を900■、メツシュ電極17の電圧v4を300v
とし、V、を電子ビームがターゲット18にフォーカス
する条件、すなわちほぼOvにして測定実験を行った結
果、以下の性能を得た。
In the present invention, since no concave lens effect exists within the tube, there is little divergence of electron trajectories and little deflection aberration. Therefore, it is possible to provide a device that meets the requirements of a high-definition television system that requires high resolution and high performance. For example, in the embodiment shown in FIG. 7, the diameter d1 of the defleftron electrode 4 is 16 mm, and the length β is 27 mm.
fl, the electron gun part 1 incorporates the triode type published in the Television Society of Electronics Equipment Research Group Sample ED343 (September 1978), and the Saticon film is used as the target, the voltage of the G2 terminal electrode 65 v
2 to 900■, and the voltage v4 of the mesh electrode 17 to 300V.
As a result of conducting a measurement experiment under the condition that the electron beam is focused on the target 18, that is, approximately Ov, the following performance was obtained.

第14図は試作管の振幅変調度ARをII!IAJ (
日本電子工業会)・制定のB!+B+テストチャートを
用いて実測した結果である。ARは画面中央Bg、40
0TV本で約70%、画面周辺でも中心値の50%以上
が得られた。また、図形ひずみは0.5%以下、シェー
ディングはほとんど無視できるレベルが得られた。本実
施例の撮像管の寸法、重量、及び性能を本実施例と同一
の電子銃を組み込んだ地形式の集束偏向方式の代表的な
同径の撮像管と対比したものを第1表に示す。
Figure 14 shows the amplitude modulation degree AR of the prototype tube. IAJ (
Japan Electronics Industries Association)・Established B! This is the result of actual measurement using a +B+ test chart. AR is Bg in the center of the screen, 40
Approximately 70% of the value was obtained for 0 TV books, and more than 50% of the central value was obtained for the periphery of the screen. Further, figure distortion was less than 0.5%, and shading was at an almost negligible level. Table 1 shows a comparison of the dimensions, weight, and performance of the image pickup tube of this example with a typical image pickup tube of the same diameter that uses a ground-type focusing deflection system and incorporates the same electron gun as this example. .

第1表から明らかなように、本発明によれば格段に小形
高性能の撮像管を得ることができる。
As is clear from Table 1, according to the present invention, it is possible to obtain an image pickup tube that is extremely compact and has high performance.

表1表  本発明による撮像管と従来形の重量、寸法、
特性の対比 また、第11図(a)に示した実施例においてG2終端
電極65の直径dCZをデフレフトロン電極4の直径d
1の2以下に小さくすると更に解像度が上昇する。
Table 1 Weight and dimensions of the image pickup tube according to the present invention and the conventional type,
Comparison of characteristics Also, in the embodiment shown in FIG. 11(a), the diameter dCZ of the G2 terminal electrode 65 is
If the value is reduced to less than 2 of 1, the resolution will further increase.

以上述べた本発明は、撮像管ターゲット18の代わりに
蛍光面を用いることにより、そのままCRTにも適用す
ることができる。CI?Tの場合には、電子ビーム2を
ターゲット18に垂直に入射させる必要がないので、メ
ツシュ電極17を省略しても何ら差し支えない。
The present invention described above can be directly applied to a CRT by using a fluorescent screen instead of the image pickup tube target 18. CI? In the case of T, there is no need to make the electron beam 2 enter the target 18 perpendicularly, so there is no problem even if the mesh electrode 17 is omitted.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of drawings]

第1図は、本発明による全静電形撮像管の第1の実施例
を示す図、 第2図は、本発明による全静電形撮像管の第1の実施例
における管内電位分布((a)図)と、代表的な電子軌
道((b)図)を示す図、 第3図は第1図の実施例における撮像管内の軸上の電位
分布を示す図、 第4図は、第1の実施例において偏向電圧が印加されな
い場合の電子ビームの動作例を示す図、第5図は、第1
の実施例についてデフレフトロン電極電圧に対するlG
Z+LI+ ’LI+?+ ’LI+Fl+ ’F2+
L!の変化を示す図、 第6図は、偏向電圧が印加された場合の電子ビームの動
作例を示す図、 第7図は、第1図に示した電極構成をトライオード形電
子銃を有する撮像管に適用した実施例を示す図、 第8図は、第7図示の撮像管における緒特性の管長依存
性を示す図、 第9図は、第8図と同様に最適動作電圧の管長依存性を
示す図、 第10図は、第7図示の撮像管における電子ビーム結像
特性の管長依存性を示す図、 第11図は、G2終端電極の直径d6□を変化させた場
合にレンズが変化する様子とそれによる電子軌道の変化
を示す図、 第12図は、G2終端電極の形状を種々変化させた本発
明第2の実施例((a)図〜(e)図)を示す図、第1
3図は、本発明の第3の実施例((a)図、(b)図)
を示す図、 第14図は、本発明の第1の実施例について得られた解
像度特性を示す図、 第15図は、従来の全静電形撮像管の集束偏向部を示す
図、 第16図は、第15図示撮像管内の等電位線と電子ビー
ム軌道を示す図である。 1−電子銃部     2・・・電子ビーム3−円筒電
極     4−デフレフトロン電極5・−円筒電極 
    10−ガラス外囲器17・−・メソシュ電極 
  18・−ターゲ・ノド19・〜 リング電極   
 61− カソード62°−・−G1電極      
63−・・G2電極64=−・ビーム制限孔   65
−・G2終端電極66〜第1の凸レンズ  67−第2
の凸レンズ71−・−電子のβ1軌道  72−電子の
α軌道73−電子のβ2軌道  74−第1のクロスオ
ーバ75−第2のクロスオーバ 76−像面位置     77− レンズ66の中心7
8−・・レンズ67の中心  80−・−信号取り出し
用ビン81− インジウムリング 82・−面板83−
 メツシュ取り付は台座 84・−・リードピン    91−付加円筒電極92
−付加凸レンズ f/l盾 jj’t/ds σ          へ 腹の人さく舒− 像!、ホ“ケ6嗜討田 第12図 TV本
FIG. 1 is a diagram showing a first embodiment of an all-electrostatic image pickup tube according to the present invention, and FIG. 2 is a diagram showing the potential distribution inside the tube (( Figure 3 is a diagram showing the axial potential distribution inside the image pickup tube in the embodiment of Figure 1. Figure 4 is a diagram showing the typical electron trajectory (Figure (b)). FIG. 5 is a diagram showing an example of the operation of the electron beam when no deflection voltage is applied in the first embodiment.
lG vs. defleftron electrode voltage for the example of
Z+LI+ 'LI+? + 'LI+Fl+ 'F2+
L! FIG. 6 is a diagram showing an example of electron beam operation when a deflection voltage is applied. FIG. 7 is a diagram showing an example of electron beam operation when a deflection voltage is applied. FIG. FIG. 8 is a diagram showing the tube length dependence of the tube characteristics of the image pickup tube shown in FIG. 7, and FIG. Figure 10 is a diagram showing the tube length dependence of electron beam imaging characteristics in the image pickup tube shown in Figure 7. Figure 11 shows how the lens changes when the diameter d6□ of the G2 terminal electrode is changed. Fig. 12 is a diagram showing the second embodiment of the present invention (Figs. (a) to (e)) in which the shape of the G2 terminal electrode is variously changed; 1
Figure 3 shows a third embodiment of the present invention ((a) figure, (b) figure)
FIG. 14 is a diagram showing resolution characteristics obtained for the first embodiment of the present invention. FIG. 15 is a diagram showing a focusing deflection section of a conventional all-electrostatic image pickup tube. The figure is a diagram showing equipotential lines and electron beam trajectories in the fifteenth illustrated image pickup tube. 1-Electron gun section 2...Electron beam 3-Cylindrical electrode 4-Defreftron electrode 5-Cylindrical electrode
10-Glass envelope 17--Methoche electrode
18・-Target Node 19・~ Ring electrode
61- Cathode 62°-・-G1 electrode
63-...G2 electrode 64=--Beam restriction hole 65
-・G2 terminal electrode 66 - first convex lens 67 - second
Convex lens 71 - - β1 orbit of electron 72 - α orbit of electron 73 - β2 orbit of electron 74 - First crossover 75 - Second crossover 76 - Image plane position 77 - Center 7 of lens 66
8-- Center of lens 67 80-- Signal extraction bin 81- Indium ring 82-- Face plate 83-
The mesh is attached to the pedestal 84 - lead pin 91 - additional cylindrical electrode 92
-Additional convex lens f/l shield jj't/ds σ to the belly - Image! TV book

Claims (1)

【特許請求の範囲】 1、電子管の外管内側に配置された複数分割の円筒状偏
向電極と、少なくとも、該円筒状偏向電極の電子銃側に
配置された円板状、もしくは管軸方向から見て円形状を
なす電極と、前記円筒状電極の他端に配置された円板状
電極とを具え、管軸上の電位分布の軸方向の2階微分を
正とならしめるように電界集束電界偏向部を構成したこ
とを特徴とする電子管。 2、前記円筒状偏向電極の長さl_1と直径d_1との
比l_1/d_1を1.0〜3.0の範囲に設定したこ
とを特徴とする特許請求の範囲第1項記載の電子管。 3、前記円板状、もしくは管軸方向から見て円形状をな
す電極の直径を、前記円筒状偏向電極の直径の1/2以
下に設定したことを特徴とする特許請求の範囲第1項ま
たは第2項記載の電子管。 4、前記円筒状偏向電極と、その他端に配置された前記
円板状電極との間にレング電極を配設し、前記円板上電
極から前記リング電極の前記円筒状偏向電極側の端まで
の距離l_M_Rを0.1d_1〜0.5d_1の範囲
に設定したことを特徴とする特許請求の範囲第1項ない
し第3項いずれかに記載の電子管。 5、前記円筒状偏向電極を磁正薄膜により形成したこと
を特徴とする特許請求の範囲第1項ないし第4項いずれ
かに記載の電子管。 6、前記円筒状偏向電極の他端に配置した前記円板状電
極を蛍光面により形成したことを特徴とする特許請求の
範囲第1項ないし第5項いずれかに記載の電子管。 7、前記円筒状偏向電極と、前記円板状、もしくは管軸
方向から見て円形状をなす電極との間に、さらに円筒状
電極を配置したことを特徴とする特許請求の範囲第1項
ないし第6項いずれかに記載の電子管。 8、前記円筒状偏向電極と、前記円筒状偏向電極の他端
に配置した前記円板状電極との間に、さらに円筒状電極
を配置したことを特徴とする特許請求の範囲第1項ない
し第6項いずれかに記載の電子管。
[Claims] 1. A plurality of divided cylindrical deflection electrodes disposed inside the outer tube of the electron tube, and at least a disk-shaped deflection electrode disposed on the electron gun side of the cylindrical deflection electrode, or from the tube axis direction. An electric field is focused so as to make the axial second-order differential of the potential distribution on the tube axis positive. An electron tube characterized by comprising an electric field deflection section. 2. The electron tube according to claim 1, wherein the ratio l_1/d_1 of the length l_1 and diameter d_1 of the cylindrical deflection electrode is set in the range of 1.0 to 3.0. 3. The diameter of the disk-shaped or circular electrode viewed from the tube axis direction is set to 1/2 or less of the diameter of the cylindrical deflection electrode. Or the electron tube described in item 2. 4. A length electrode is disposed between the cylindrical deflection electrode and the disk-shaped electrode disposed at the other end, and from the disk-top electrode to the end of the ring electrode on the cylindrical deflection electrode side. The electron tube according to any one of claims 1 to 3, wherein the distance l_M_R is set in the range of 0.1d_1 to 0.5d_1. 5. The electron tube according to any one of claims 1 to 4, wherein the cylindrical deflection electrode is formed of a magnetically positive thin film. 6. The electron tube according to any one of claims 1 to 5, wherein the disk-shaped electrode disposed at the other end of the cylindrical deflection electrode is formed of a fluorescent screen. 7. Claim 1, characterized in that a cylindrical electrode is further disposed between the cylindrical deflection electrode and the disc-shaped or circular electrode when viewed from the tube axis direction. 7. The electron tube according to any one of items 6 to 6. 8. A cylindrical electrode is further disposed between the cylindrical deflection electrode and the disc-shaped electrode disposed at the other end of the cylindrical deflection electrode. The electron tube according to any one of item 6.
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JPH0658792B2 (en) 1994-08-03

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