JPS62243469A - Semiconductor laser driver - Google Patents

Semiconductor laser driver

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JPS62243469A
JPS62243469A JP61088616A JP8861686A JPS62243469A JP S62243469 A JPS62243469 A JP S62243469A JP 61088616 A JP61088616 A JP 61088616A JP 8861686 A JP8861686 A JP 8861686A JP S62243469 A JPS62243469 A JP S62243469A
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JP
Japan
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semiconductor laser
laser
optical output
circuit
control circuit
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JP61088616A
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Japanese (ja)
Inventor
Hiroshi Ishikawa
宏 石川
Kiyotaka Ishikawa
石川 清孝
Akira Ishii
昭 石井
Fumihiko Shibata
文彦 柴田
Hiroshi Osawa
大沢 浩
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Fujifilm Business Innovation Corp
Original Assignee
Fuji Xerox Co Ltd
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Publication date
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Abstract

PURPOSE:To obtain a halftone image without contrast distortion by controlling a control circuit of a drive current provided separately with a resistance control circuit depending on the optical output of a semiconductor laser to stabilize the optical output when the characteristic of the laser is changed. CONSTITUTION:A prescribed optical output P1 is obtained by a few laser drive current IA at the low temperature of the semiconductor laser 1 and the output is reduced more than the output P1 at the current IA at high temperature. The reduction in the optical output is detected by a quantity-of-light monitor 13 and a quantity-of-light signal in reducing the internal impedance in supplied from a quantity-of-light detection circuit 14 to a voltage control element 12. The applied voltage to a series circuit comprising the laser 1 and a resistance control circuit 8 is increased by the decrease in the internal impedance of the element 12, the current of the laser 1 is increased creased and the same output P1 as that at low temperature is obtained. Thus, the stable optical output is obtained independently of temperature changes.

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、レーザプリンタ等において使用される半導体
レーザ駆動装置に関する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Field of Industrial Application] The present invention relates to a semiconductor laser drive device used in a laser printer or the like.

〔従来の技術〕[Conventional technology]

近年、ノンインパクト型のプリンタとしてレーザプリン
タが使用されてきている。
In recent years, laser printers have been used as non-impact printers.

一般的なレーザプリンタにおいては、第4図に示すよう
に、半導体レーザlからレーザビームRを発生させ、こ
のレーザビームRをコリメータレンズ2で平行にした後
、回転多面鏡3に照射する。
In a typical laser printer, as shown in FIG. 4, a laser beam R is generated from a semiconductor laser 1, made parallel by a collimator lens 2, and then irradiated onto a rotating polygon mirror 3.

回転多面鏡3で反射したレーザビームRは、走査速度を
補正するfθレンズ4を介してドラム状の感光体5の表
面に照射され、回転多面鏡3の回転により感光体5の表
面を走査する。
The laser beam R reflected by the rotating polygon mirror 3 is irradiated onto the surface of a drum-shaped photoreceptor 5 via an fθ lens 4 that corrects the scanning speed, and scans the surface of the photoreceptor 5 by rotation of the rotating polygon mirror 3. .

このとき、レーザビームRは、感光体5の近傍に配置さ
れたフォトセンサ6からの信号に同期した画像信号によ
り変調されるので、感光体5の表面には画像信号に対応
した潜像が形成される。したがって、この潜像を反転現
像すれば所定の画像が得られることになる。
At this time, the laser beam R is modulated by an image signal synchronized with a signal from a photosensor 6 placed near the photoreceptor 5, so a latent image corresponding to the image signal is formed on the surface of the photoreceptor 5. be done. Therefore, by reversing and developing this latent image, a predetermined image can be obtained.

通常、画像信号は2値化号であり画像は白または黒の2
段階の明るさで表されるが、中間調を表現するために、
半導体レーザ1を多値信号で変調する必要がある。この
ため、特開昭58−91474号公報に示されるように
、スイッチング素子により選択的に駆動される複数の重
み付は抵抗器を使用して、中間調が表現できるようにし
たものが知られている。
Usually, the image signal is a binary signal, and the image is either white or black.
It is expressed in stages of brightness, but to express intermediate tones,
It is necessary to modulate the semiconductor laser 1 with a multilevel signal. For this reason, as shown in Japanese Unexamined Patent Publication No. 58-91474, it is known that multiple weights selectively driven by switching elements use resistors to express intermediate tones. ing.

第5図は、上記公報に記載の従来の半導体レーザ駆動装
置を示す。
FIG. 5 shows a conventional semiconductor laser driving device described in the above publication.

電源7に対して半導体レーザ1と抵抗制御回路8とが直
列に接続される。抵抗制御回路8においては、抵抗器9
8〜9d及びスイッチング素子10a〜10dのそれぞ
れが直列に接続され、これらの直列回路が互いに並列に
接続されている。スイッチング素子10a〜10cには
3ビツトの階調データを有する画像信号altamta
mがそれぞれ供給されると共に、これらの画像信号a+
+at+asは、OR回路11を介してスイッチング素
子10dに供給される。
Semiconductor laser 1 and resistance control circuit 8 are connected in series to power supply 7 . In the resistance control circuit 8, a resistor 9
8 to 9d and switching elements 10a to 10d are connected in series, and these series circuits are connected in parallel to each other. The switching elements 10a to 10c receive an image signal altamta having 3-bit gradation data.
m are supplied respectively, and these image signals a+
+at+as is supplied to the switching element 10d via the OR circuit 11.

画像信号al+8!+83に応じてスイッチング素子1
0a〜10cが導通するが、抵抗器98〜9Cはそれぞ
れ重み付けされているので、半導体レーザlには8階調
の電流が流れることになり、中間調の表現が可能となる
。なお、OR回路11は画像情報信号al+affi+
82のいずれかが存在するときにはスイッチング素子1
0dを導通させることにより、抵抗9dにより半導体レ
ーザ1に闇値電流を流すために設けられている。
Image signal al+8! Switching element 1 according to +83
0a to 10c are conductive, but since the resistors 98 to 9C are each weighted, eight gradation currents flow through the semiconductor laser l, making it possible to express halftones. Note that the OR circuit 11 receives the image information signal al+affi+
82 exists, switching element 1
The resistor 9d is provided to cause a dark value current to flow through the semiconductor laser 1 by making the resistor 0d conductive.

〔発明が解決しようとする問題点〕[Problem that the invention seeks to solve]

しかし、上記公報記載の駆動装置では、半導体レーザ1
に流れる電流は、電源7の電圧と抵抗器98〜9dの抵
抗値で一義的に決まってしまうため、温度変化により半
導体レーザ1の光出力特性が大幅に変化するという問題
があった。
However, in the drive device described in the above publication, the semiconductor laser 1
Since the current flowing through the semiconductor laser 1 is uniquely determined by the voltage of the power source 7 and the resistance values of the resistors 98 to 9d, there is a problem in that the optical output characteristics of the semiconductor laser 1 change significantly due to temperature changes.

たとえば、いま、半導体レーザ1に5抛Aの電流を流す
ように所定のスイッチング素子10a〜10cを導通さ
せて、3+mWの光出力を得たとする。しかし、温度が
上昇すると半導体レーザ1の発光能率・が低下するため
、光出力がたとえば、2mWに低下する。このため感光
体5に照射される光量が大きく変化し、画質に悪影響を
与えるという問題があった。特に、多値変調の場合、光
出力の変動は階調の歪となり画質が劣化する。
For example, assume that predetermined switching elements 10a to 10c are made conductive so that a current of 5 A is passed through the semiconductor laser 1, and an optical output of 3+mW is obtained. However, as the temperature rises, the light emitting efficiency of the semiconductor laser 1 decreases, so the optical output decreases to, for example, 2 mW. Therefore, there was a problem in that the amount of light irradiated onto the photoreceptor 5 changed greatly, which adversely affected the image quality. In particular, in the case of multilevel modulation, fluctuations in optical output cause gradation distortion and degrade image quality.

また、光出力を安定化するために、光半導体レーザ1を
ペルチェ素子等の電子冷却素子により冷却することが特
開昭58−187961号公報で知られている。しかし
この場合、装置が複雑化すると共に、高価になる割には
安定性レベルが低いという問題があった。
Further, in order to stabilize the optical output, it is known from Japanese Patent Application Laid-Open No. 187961/1987 that the optical semiconductor laser 1 is cooled by an electronic cooling element such as a Peltier element. However, in this case, there were problems in that the device became complicated and the stability level was low despite the high cost.

本発明は、上述の問題点を解決するために案出されたも
のであって、半導体レーザを多値変調した場合でも安定
した光量が得られる駆動装置を提供することを目的とす
る。
The present invention was devised in order to solve the above-mentioned problems, and an object of the present invention is to provide a driving device that can obtain a stable amount of light even when a semiconductor laser is multilevel modulated.

〔問題点を解決するための手段〕[Means for solving problems]

本発明は、画像信号に応じて予め決められた抵抗値に切
り換えられる抵抗制御回路を半導体レーザに接続して該
半導体レーザのレーザ駆動電流を多値変調する半導体レ
ーザ駆動装置において、上記抵抗制御回路とは別に、半
導体レーザの光出力を検出し該光出力が一定となるよう
に上記駆動電流を制御する回路を上記レーザ駆動電流通
路に設けたことを特徴とする。
The present invention provides a semiconductor laser drive device that connects a resistance control circuit that can be switched to a predetermined resistance value according to an image signal to a semiconductor laser and multi-value modulates the laser drive current of the semiconductor laser. Separately, the present invention is characterized in that a circuit for detecting the optical output of the semiconductor laser and controlling the driving current so that the optical output is constant is provided in the laser driving current path.

〔実施例〕〔Example〕

以下、図面を参照しながら実施例に基づいて本発明の特
徴を具体的に説明する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION Hereinafter, features of the present invention will be specifically described based on examples with reference to the drawings.

第1図は、本発明の実施例による半導体レーザ駆動装置
の回路図を示し、第5図に示す従来例と対応する個所に
は同一符号を付して重複説明は省略する。
FIG. 1 shows a circuit diagram of a semiconductor laser driving device according to an embodiment of the present invention, and parts corresponding to those of the conventional example shown in FIG. 5 are given the same reference numerals and redundant explanation will be omitted.

本発明の実施例においては、抵抗制御回路8内に設けら
れた複数のスイッチング素子10a〜10dのエミッタ
が共通に接続され、トランジスタ等の電圧制御素子12
を介して接地される。更に、半導体レーザ1の発光部の
近傍にフォトダイオード等の光量モニタ13を設け、該
光量モニタ13の出力を光量検出回路14を介して電圧
制御素子12に供給する。この光量検出回路14と電圧
制御素子12とで光量制御回路15が構成される。
In the embodiment of the present invention, the emitters of a plurality of switching elements 10a to 10d provided in a resistance control circuit 8 are connected in common, and a voltage control element 12 such as a transistor
grounded through. Further, a light amount monitor 13 such as a photodiode is provided near the light emitting portion of the semiconductor laser 1, and the output of the light amount monitor 13 is supplied to the voltage control element 12 via a light amount detection circuit 14. The light amount detection circuit 14 and the voltage control element 12 constitute a light amount control circuit 15.

次に、本発明の実施例による半導体レーザ駆動装置の動
作について説明する。
Next, the operation of the semiconductor laser driving device according to the embodiment of the present invention will be explained.

3ビツトの画像データal+8!:a3が抵抗制御回路
8の各スイッチング素子10a〜10cのベースに供給
され、画像データal+a茸L’alの内容に応じて所
定のスイッチング素子10a〜10cが導通ずる。この
ため、電源7から、半導体レーザ1.抵抗器98〜9d
、スイッチング素子16a〜10d及び電圧制御素子1
2を介して電流が流れる。各スイッチング素子10a 
=10cに直列に接続された抵抗器98〜9Cはそれぞ
れ重み付けされているので、半導体レーザ1には画像デ
ータal、az+a3に応じて8階調の電流を流すこと
ができる。
3-bit image data al+8! :a3 is supplied to the base of each of the switching elements 10a to 10c of the resistance control circuit 8, and predetermined switching elements 10a to 10c are rendered conductive according to the content of the image data al+a mushroom L'al. Therefore, from the power supply 7, the semiconductor laser 1. Resistor 98~9d
, switching elements 16a to 10d and voltage control element 1
Current flows through 2. Each switching element 10a
Since the resistors 98 to 9C connected in series with =10c are each weighted, eight gray levels of current can be passed through the semiconductor laser 1 according to the image data al, az+a3.

次に、光出力の安定化の動作について説明する。Next, the operation of stabilizing the optical output will be explained.

まず、所定の光出力を得るための一定の画像信号、たと
えばalとa、のみがハイレベルであるような画像信号
を各スイッチング素子10a〜10cに送り、半導体レ
ーザ1を点灯する。このときの光量を光量モニタ13で
検知し、光量検出回路14の出力で電圧制御素子12を
制御することにより、半導体レーザ1の光量を安定化す
る。
First, a constant image signal for obtaining a predetermined optical output, for example, an image signal in which only al and a are at a high level, is sent to each of the switching elements 10a to 10c, and the semiconductor laser 1 is turned on. The amount of light at this time is detected by a light amount monitor 13, and the voltage control element 12 is controlled by the output of the light amount detection circuit 14, thereby stabilizing the amount of light from the semiconductor laser 1.

半導体レーザlが低温時には、第2図の曲wAAに示す
ような光出力特性を有するので、比較的少ないレーザ駆
動電流IAで所定の光出力P+を得ることできる。とこ
ろが高温時には、半導体レーザlが曲線Bに示すような
光出力特性となるので、そのままのレーザ駆動電流IA
では光出力がP2となってしまい光出力が大幅に減少す
ることになる。
When the semiconductor laser l is at a low temperature, it has an optical output characteristic as shown by the curve wAA in FIG. 2, so that a predetermined optical output P+ can be obtained with a relatively small laser drive current IA. However, at high temperatures, the semiconductor laser l has an optical output characteristic as shown by curve B, so the laser drive current IA remains unchanged.
In this case, the optical output becomes P2, resulting in a significant decrease in the optical output.

この光出力の減少は光量モニタ13で検知され、光量検
出回路14から電圧制御素子12にその内部インピーダ
ンスが減少する方向の光量補正信号が供給される。電源
7の電圧は、半導体レーザ1.抵抗制御回路8及び電圧
制御素子12のそれぞれの内部インピーダンスにより分
割されているので、電圧制御素子12の内部インピーダ
ンスが減少すると半導体レーザlと抵抗制御回路8の直
列回路の両端に印加される電圧が増加する。したがって
、半導体レーザlに流れる電流が、第2図に示すように
I3まで増加し、低温時と同じ光出力P1を得ることが
できる。すなわち、温度変化に無関係に安定した光出力
を得ることができる。
This decrease in light output is detected by the light intensity monitor 13, and a light intensity correction signal is supplied from the light intensity detection circuit 14 to the voltage control element 12 in a direction that reduces its internal impedance. The voltage of the power supply 7 is the voltage of the semiconductor laser 1. Since the voltage is divided by the internal impedance of each of the resistance control circuit 8 and the voltage control element 12, when the internal impedance of the voltage control element 12 decreases, the voltage applied across the series circuit of the semiconductor laser l and the resistance control circuit 8 decreases. To increase. Therefore, the current flowing through the semiconductor laser I increases to I3 as shown in FIG. 2, and the same optical output P1 as at low temperature can be obtained. That is, stable optical output can be obtained regardless of temperature changes.

このとき、第2図の曲線A及び曲線Bに示すように、低
温時と高温時は特性の傾きがほぼ一定で平行しているの
で、一点のみで光量を補正すればレーザ駆動電流に対す
る光出力のりニアリティは保たれる。
At this time, as shown in curves A and B in Figure 2, the slopes of the characteristics are almost constant and parallel at low and high temperatures, so if the light intensity is corrected at only one point, the optical output for the laser drive current is The adhesiveness is maintained.

また、半導体レーザ1の闇値電流も温度により変化する
が、この闇値電流を制御する抵抗器9dに流れる電流も
電圧制御素子12により制御されるため半導体レーザ1
の動作に適した値とすることができる。
Further, the dark value current of the semiconductor laser 1 also changes depending on the temperature, but since the current flowing through the resistor 9d that controls this dark value current is also controlled by the voltage control element 12, the semiconductor laser 1
It can be set to a value suitable for the operation.

ただし、上述の光量補正を、プリントすべき画像信号に
より半導体レーザ1が変調されている期間で行うと、変
調による光量変化が抑えられてしまうので、予め補正す
べき量を検知してこれを記憶させておき、これに基づい
て光量補正を行う。
However, if the above-mentioned light amount correction is performed while the semiconductor laser 1 is being modulated by the image signal to be printed, the change in light amount due to modulation will be suppressed, so the amount to be corrected is detected in advance and stored. The amount of light is corrected based on this.

この補正は、プリントするごとに行ってもよく或いはレ
ーザビームの一走査のうちの非画像部分において行って
もよい。
This correction may be performed each time a print is made or during a non-image portion of one scan of the laser beam.

なお上述の実施例においては、電圧制御素子12として
トランジスタを使用し、抵抗制御回路8のの接地側に直
列に接続したが、これに限らず他の能動素子、たとえば
FET等を使用することもできる。また、電圧制御素子
12は実施例の配置に限定されず、たとえば、半導体レ
ーザ1のアノード側に設けることもできる。すなわち、
電圧制御素子12は、半導体レーザlのアノードから抵
抗器98〜9d及びスイッチング素子10a〜10dに
印加される電圧が制御できるものであればどのようなも
のでもよい。
In the above embodiment, a transistor was used as the voltage control element 12 and connected in series to the ground side of the resistance control circuit 8, but the present invention is not limited to this, and other active elements such as an FET may also be used. can. Further, the voltage control element 12 is not limited to the arrangement in the embodiment, and may be provided on the anode side of the semiconductor laser 1, for example. That is,
The voltage control element 12 may be of any type as long as it can control the voltage applied from the anode of the semiconductor laser l to the resistors 98 to 9d and the switching elements 10a to 10d.

第3図は、半導体レーザにフォトダイオードが内蔵され
ている本発明による他の実施例を示す。
FIG. 3 shows another embodiment according to the invention in which a semiconductor laser has a built-in photodiode.

なお第1図の実施例と対応する個所には同一符号を付し
重複説明は省略する。
Note that parts corresponding to those in the embodiment shown in FIG. 1 are given the same reference numerals, and redundant explanation will be omitted.

図において、16は駆動回路を示し第1図の抵抗制御回
路8及びOR回路11に対応している。駆動回路16に
は外部の画像処理装置等からの画像信号が供給され、半
導体レーザlが変調される。半導体レーザlにはフォト
ダイオ−、ド13aが内蔵されており、半導体レーザl
の光出力に応じてフォトダイオード13aに流れる電流
も変化する。この電流の変化は増幅器17で増幅された
後、電圧に変換され、比較回路18において所定の基準
電圧と比較される。比較回路18からは入力電圧の高低
に応じて1或いは0の信号が出力され、この信号がアッ
プダウンカウンタ19にダウン信号或いはアップ信号と
して供給される。アップダウンカウンタ19には、感光
体5に近接して設けられたフォトセンサ6(第4図参照
)からの信号が波形整形回路22で整形された信号が供
給される。この信号のタイミングのときに、比較回路1
8の出力が0のときは、アップダウンカウンタ19がア
ップカウンタとなってカウンタ19が+1され、出力が
1のときは、ダウンカウンタとなってカウンタ19が−
1される。
In the figure, 16 indicates a drive circuit, which corresponds to the resistance control circuit 8 and OR circuit 11 in FIG. An image signal from an external image processing device or the like is supplied to the drive circuit 16, and the semiconductor laser l is modulated. The semiconductor laser l has a built-in photodiode and a photodiode 13a.
The current flowing through the photodiode 13a also changes depending on the optical output of the photodiode 13a. This change in current is amplified by an amplifier 17, then converted into a voltage, and compared with a predetermined reference voltage in a comparison circuit 18. The comparison circuit 18 outputs a signal of 1 or 0 depending on the level of the input voltage, and this signal is supplied to the up/down counter 19 as a down signal or an up signal. The up/down counter 19 is supplied with a signal obtained by shaping a signal from a photosensor 6 (see FIG. 4) provided close to the photoreceptor 5 by a waveform shaping circuit 22 . At the timing of this signal, the comparator circuit 1
When the output of 8 is 0, the up/down counter 19 becomes an up counter and the counter 19 is incremented by +1, and when the output is 1, it becomes a down counter and the counter 19 becomes -1.
1 will be given.

このカウンタ19のディジタル信号はD/Aコンバータ
20で電圧に変換され、増幅回路21で増幅された後、
レーザ駆動装置16に光量補正信号として供給される。
The digital signal of this counter 19 is converted into a voltage by a D/A converter 20, and after being amplified by an amplifier circuit 21,
The signal is supplied to the laser driving device 16 as a light amount correction signal.

したがって、半導体レーザlは画像信号により変調され
るだけでなく、フォトダイオード13aに流れる電流に
応じても変化することになる。
Therefore, the semiconductor laser l is not only modulated by the image signal, but also changes depending on the current flowing through the photodiode 13a.

半導体レーザ1の光出力と該半導体レーザ1に内蔵され
たフォトダイオード13aに流れる電流とは比例関係に
あり、温度係数は光量安定性に比べて十分率さいため、
フォトダイオード13aに流れる電流を増幅して、レー
ザ駆動装置16に帰還することにより、温度の変化に対
しても半導体レーザ1の出力が一定になるように制御す
ることができる。
There is a proportional relationship between the optical output of the semiconductor laser 1 and the current flowing through the photodiode 13a built into the semiconductor laser 1, and the temperature coefficient is sufficiently small compared to the stability of the light amount.
By amplifying the current flowing through the photodiode 13a and feeding it back to the laser driving device 16, the output of the semiconductor laser 1 can be controlled to be constant even when the temperature changes.

〔発明の効果〕〔Effect of the invention〕

以上述べたように、本発明によれば、半導体レーザに流
れる電流を多値変調する半導体レーザ駆動装置において
、上記多値変調のための抵抗制御回路とは別に駆動電流
を制御する回路を設け、該制御回路を半導体レーザの光
出力に応じて制御する。これにより、半導体レーザの特
性変化があった場合でも、光出力を安定にすることがで
きる。
As described above, according to the present invention, in a semiconductor laser driving device that multi-value modulates the current flowing through a semiconductor laser, a circuit for controlling the drive current is provided separately from the resistance control circuit for multi-value modulation, The control circuit is controlled according to the optical output of the semiconductor laser. This makes it possible to stabilize the optical output even if the characteristics of the semiconductor laser change.

したがって、画像信号により多値変調された半導体レー
ザから得られるレーザビームの光量が安定化され、該半
導体レーザをレーザプリンタに使用した場合、濃淡の歪
のない中間調画像を得ることができる。
Therefore, the amount of light of the laser beam obtained from the semiconductor laser multilevel modulated by the image signal is stabilized, and when the semiconductor laser is used in a laser printer, it is possible to obtain a halftone image without distortion of density.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of drawings]

第1図は本発明の実施例による半導体レーザ駆動装置を
示す回路図、第2図は半導体レーザの光出力特性を示す
グラフ、第3図は本発明の他の実施例のブロック図、第
4図は一般的なレーザプリンタの光学系を示す概略斜視
図、第5図は従来の半導体レーザ駆動装置を示す回路図
である。 1:半導体レーザ  2:コリメータレンズ3:回転多
面鏡   4:fθレンズ 5:感光体     6:フオトセンサ7:電源   
   8:抵抗制御回路98〜9d:抵抗器 10a〜10dニスイツチング素子 11:OR回路    12:電圧制御素子13:光量
モニタ   13a :フォトダイオード14:光量検
出回路  15:光量制御回路16:レーザ駆動回路 
17.21  F増幅器18:比較器 19ニアツブダウンカウンタ 20 F D/Aコンバータ 22:波形整形回路R:
レーザビーム 特許出願人     富士ゼロックス株式会社代理人 
 手掘 益(ほか2名) 第1図 第2図
FIG. 1 is a circuit diagram showing a semiconductor laser driving device according to an embodiment of the present invention, FIG. 2 is a graph showing optical output characteristics of the semiconductor laser, FIG. 3 is a block diagram of another embodiment of the present invention, and FIG. The figure is a schematic perspective view showing the optical system of a general laser printer, and FIG. 5 is a circuit diagram showing a conventional semiconductor laser driving device. 1: Semiconductor laser 2: Collimator lens 3: Rotating polygon mirror 4: fθ lens 5: Photoconductor 6: Photo sensor 7: Power supply
8: Resistance control circuit 98-9d: Resistor 10a-10d Niswitching element 11: OR circuit 12: Voltage control element 13: Light amount monitor 13a: Photodiode 14: Light amount detection circuit 15: Light amount control circuit 16: Laser drive circuit
17.21 F amplifier 18: Comparator 19 Near-tub down counter 20 F D/A converter 22: Waveform shaping circuit R:
Laser beam patent applicant Fuji Xerox Co., Ltd. agent
Masu Tebori (and 2 others) Figure 1 Figure 2

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] 1、画像信号に応じて予め決められた抵抗値に切り換え
られる抵抗制御回路を半導体レーザに接続して該半導体
レーザのレーザ駆動電流を多値変調する半導体レーザ駆
動装置において、上記抵抗制御回路とは別に、半導体レ
ーザの光出力を検出し該光出力が一定となるように上記
駆動電流を制御する回路を上記レーザ駆動電流通路に設
けたことを特徴とする半導体レーザ駆動装置。
1. In a semiconductor laser drive device that connects a resistance control circuit that can be switched to a predetermined resistance value according to an image signal to a semiconductor laser and multivalue modulates the laser drive current of the semiconductor laser, what is the resistance control circuit? Separately, a semiconductor laser driving device characterized in that a circuit for detecting the optical output of the semiconductor laser and controlling the driving current so that the optical output is constant is provided in the laser driving current path.
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