JPS62229637A - High power klystron - Google Patents

High power klystron

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JPS62229637A
JPS62229637A JP7176386A JP7176386A JPS62229637A JP S62229637 A JPS62229637 A JP S62229637A JP 7176386 A JP7176386 A JP 7176386A JP 7176386 A JP7176386 A JP 7176386A JP S62229637 A JPS62229637 A JP S62229637A
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JP
Japan
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cavity
loop
tuning
frequency
coaxial line
Prior art date
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Pending
Application number
JP7176386A
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Japanese (ja)
Inventor
Hisaaki Sato
佐藤 久明
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NEC Corp
Original Assignee
NEC Corp
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Publication date
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Publication of JPS62229637A publication Critical patent/JPS62229637A/en
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Abstract

PURPOSE:To make it possible to measure the tuning curve also in the middle cavity beforehand by making the loop position at the coaxial circuit with a loop for measuring the tuning frequency mounted on the external wall of a cavity variable. CONSTITUTION:The cavity wall 13 constituting a cavity is connected with one end of a side-tube 19 in which a coaxial line 20 arranged to be freely displaceable in its axial direction is inserted so as not to contact with the side- tube. An end part of this coaxial line is connected with a loop 21 which protrudes slightly into the internal wall part of the cavity an thereby the coaxial line is coupled with the cavity. That is to say, this coaxial line 20 constitutes a coaxial circuit 18 with the loop for measuring the tuning frequency. The tuning curve of each cavity is measurable by applying high frequency power from the loop 21 connected with the end part of the coaxial line 20 to within the cavity under this condition and observing a sweep reflected waveform generated within the cavity by this high frequency power.

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は大電力クライストロンに関し、特に空胴共振器
の構造に関する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION Field of the Invention The present invention relates to high power klystrons, and more particularly to the construction of cavity resonators.

従来の技術 大電力クライストロン、特に、多空胴型タライストロン
は、他のマイクロ波管に比べて高効率、高利得、取扱い
が比較的容易などの特長があり、現在、通信、放送をは
じめ、いろいろな分野で使用されている。
Conventional technology High-power klystrons, especially multi-cavity talistrons, have features such as high efficiency, high gain, and relatively easy handling compared to other microwave tubes, and are currently used in communications, broadcasting, and other applications. It is used in various fields.

一般的な多空胴型クライストロンの1例を、略図にて第
2図に示す。図によれば、多空胴型タライストロンは、
電子銃部1からコレクタ部2への電子ビーム3の上流か
ら下流に、入力空胴4、中間空胴5.6.7、出力空胴
8を配置してなる。
An example of a general multi-cavity klystron is schematically shown in FIG. According to the diagram, the multi-cavity talistron is
An input cavity 4, intermediate cavities 5, 6, 7, and an output cavity 8 are arranged from upstream to downstream of the electron beam 3 from the electron gun section 1 to the collector section 2.

更に、出力空胴8には、出力導波管9の一端が連結して
あり、出力導波管9の他端には出力窓10を有している
。そして、入力空胴4には入力同軸回路11が連結され
ている。
Furthermore, one end of an output waveguide 9 is connected to the output cavity 8, and the other end of the output waveguide 9 has an output window 10. An input coaxial circuit 11 is connected to the input cavity 4 .

また、図示のクライストロンは5空胴型であるが、多空
胴型クライストロンは、通常4〜6個の空胴共振器を備
えている。
Further, although the illustrated klystron is of a five-cavity type, a multi-cavity type klystron usually includes four to six cavity resonators.

かかる多空胴型クライストロンにおいては、入力同軸回
路11を介して入力空胴4に高周波入力信号が印加され
、その高周波により電子ビーム3が速度変調される。更
に、途中の中間空胴5.6.7で同調をとられながら電
子ビームの集群作用を強められ、下流に行くに従いその
変調が強くなる。
In such a multi-cavity klystron, a high frequency input signal is applied to the input cavity 4 via the input coaxial circuit 11, and the electron beam 3 is velocity-modulated by the high frequency. Furthermore, the focusing effect of the electron beam is strengthened while being tuned by intermediate cavities 5, 6, 7, and its modulation becomes stronger as it goes downstream.

その結果、出力空胴8から増幅された高周波を、出力導
波管9及び出力窓10を介して、管外に取り出すことが
できるものである。
As a result, the high frequency amplified from the output cavity 8 can be taken out of the tube via the output waveguide 9 and the output window 10.

以上のような多空胴型タライストロンには、周波数可変
型のものが多くタライストロンの多空胴に、それぞれ所
望の動作周波数を得られるように、周波数可変機構12
が取り付けられている。第3図に、前記周波数可変機構
12を含む中間空洞共振器の断面図を示す。
Many of the multi-cavity type talistrons described above are of variable frequency type, and each of the multi-cavity talistrons is equipped with a frequency variable mechanism 12 in order to obtain a desired operating frequency.
is installed. FIG. 3 shows a cross-sectional view of an intermediate cavity resonator including the frequency variable mechanism 12. As shown in FIG.

第3図によれば、多空胴型クライストロンの中間空胴共
振器の構造は、空胴13を構成している外導体14と、
その外導体14に接触しないように外導体内にその軸方
向に変位自在に配置されて周波数可変機構をなしている
内導体15とを有している。
According to FIG. 3, the structure of the intermediate cavity resonator of the multi-cavity klystron includes an outer conductor 14 constituting a cavity 13,
The inner conductor 15 is disposed within the outer conductor so as to be freely displaceable in the axial direction so as not to contact the outer conductor 14, thereby forming a frequency variable mechanism.

その外導体14には、両側面から互いに向かい合った2
本のドリフト管16が貫入している。そして、外導体の
外壁は、タライストロン内部及び空胴13内部を真空に
維持するように、ベローズ17を介して内導体15の外
側端に気密結合されている。
The outer conductor 14 has two wires facing each other from both sides.
A book drift tube 16 penetrates. The outer wall of the outer conductor is hermetically coupled to the outer end of the inner conductor 15 via the bellows 17 so that the inside of the talistron and the cavity 13 are maintained in a vacuum.

このような状態において内導体15をその軸方向に移動
すると、空胴共振器の同調周波数が変化する。この周波
数同調調整方法にはタライストロンの設計方針に応じて
、高利得型、高効率型、広帯域型といったいろいろな場
合があるが、ここでは高効率型の大電力クライストロン
を例にとり、代表的な同調調整方法を第4図の説明図に
示す。
When the inner conductor 15 is moved in its axial direction in this state, the tuning frequency of the cavity resonator changes. There are various types of frequency tuning adjustment methods, such as high-gain type, high-efficiency type, and wide-band type, depending on the design policy of the klystron. The tuning adjustment method is shown in the explanatory diagram of FIG.

図において、縦軸は高周波出力を、横軸は周波数を示し
ている。また、入力空胴を■として5つの空胴を番号で
それぞれの同調周波数の位置に表示している。更に、曲
線Aは小信号時の帯域特性、曲線Bは大信号時の帯域特
性を示している。
In the figure, the vertical axis indicates high frequency output, and the horizontal axis indicates frequency. Furthermore, the input cavity is set as ■, and the five cavities are numbered and displayed at the position of each tuning frequency. Further, curve A shows the band characteristic when the signal is small, and curve B shows the band characteristic when the signal is large.

この図によれば、入力空胴■及び出力空胴■は、はぼ帯
域中心付近に同調され、中間空胴■は低い周波数側に、
中間空胴■■は高い周波数側にそれぞれ同調されている
According to this figure, the input cavity ■ and the output cavity ■ are tuned near the center of the band, and the intermediate cavity ■ is tuned to the lower frequency side.
The intermediate cavities ■■ are each tuned to the higher frequency side.

更に、以上のような多空胴型タライストロンが、必要な
瞬時帯域特性を1尋るためには、前述のような多空胴共
振器の同調周波数の調整に加えて、多空胴のQ値を調整
する必要がある。
Furthermore, in order for the multi-cavity talistron to achieve the necessary instantaneous band characteristics, in addition to adjusting the tuning frequency of the multi-cavity resonator as described above, it is necessary to adjust the Q of the multi-cavity resonator. Values need to be adjusted.

しかし、現在のところ多空胴のQ値の調整については、
入力空胴内の入力同軸回路先端部のループの大きさや出
力空胴のアイリスの大きさにより変動することから、タ
ライストロンの製品完成時に電子ビームを射出しながら
調整されており、製造段階では、適当な値に固定されて
いる。
However, at present, regarding the adjustment of the Q value of multi-cavity,
Since it varies depending on the size of the loop at the tip of the input coaxial circuit in the input cavity and the size of the iris of the output cavity, it is adjusted while emitting an electron beam when the Talistron product is completed. Fixed to an appropriate value.

このような多空胴型タライストロンにおいて従来では、
時に、管種によって、第2図の中間空胴5にあたる第2
空胴に、帯域特性を平坦にする意味でダミー負荷を接続
することはあっても、一般に中間空胴には、高周波出力
を取り出す必要がないことから、負荷回路は接続してい
ない。特に第2図において、中間空胴6.7にあたる第
3空胴、第4空胴については、Qが高いほどタライスト
ロンとしての特性が良いことから無負荷とされている。
Conventionally, in such a multi-cavity talistron,
Sometimes, depending on the type of pipe, the second cavity, which corresponds to the intermediate cavity 5 in Fig.
Although a dummy load may be connected to the cavity to flatten the band characteristics, generally no load circuit is connected to the intermediate cavity because there is no need to extract high-frequency output. In particular, in FIG. 2, the third and fourth cavities corresponding to intermediate cavities 6.7 are unloaded because the higher the Q, the better the characteristics as a talistron.

発明が解決しようとする問題点 以上のことから、このような大電力クライストロンの帯
域特性の調整を行う際には、必ず電子ビームを射出しな
ければならず、例えばいずれかの空胴が製造上の不具合
により所要の同調周波数幅を満たしていない等の場合で
も製造段階では当初気付かない。従って、タライストロ
ンが電子ビームを射出できる状態まで組み立てられた段
階になって電子ビームを射出し、調整して初めて、上記
のごとく、いずれかの空胴が所要の同調周波数幅を満た
していない等のことに気付くことができるのである。そ
うなれば、それまでの多くの製造工程が、すべて無駄に
帰してしまうという欠点があった。
For reasons beyond the problems that the invention aims to solve, when adjusting the band characteristics of such a high-power klystron, it is necessary to emit an electron beam. Even if the required tuning frequency width is not satisfied due to a defect, this will not be noticed at the manufacturing stage. Therefore, only after the Talistron has been assembled to a state where it can emit an electron beam, ejects the electron beam, and adjusts it, does it become clear that one of the cavities does not meet the required tuning frequency width, etc., as described above. You can notice that. If this were to happen, the drawback was that many of the manufacturing processes up to that point would all go to waste.

しかし、必要な帯域特性を得るための多空胴の#潤滑は
、あらかじめ分る場合が多いことから、各空洞の同調曲
線(同調子の位置と同調周波数の関係)が、帯域特性の
調整をする前にわかっていれば、製品製作時に各空調を
調整してお(ことができる。そうすれば、クライストロ
ンの製品完成後の帯域調整に要する時間を大幅に短縮す
ることが可能である。この点に着目するならば、第2図
に示す従来のタライストロンにおいて、入力空胴4及び
出力空胴8については、負荷回路が付いているので、掃
引反射波形を観測することにより同調曲線を測定するこ
とか可能である。しかし、中間空胴5.6.7について
は、負荷回路がなく、空胴が完全に閉じられた状態であ
ることから同調曲線の測定は不可能という問題がある。
However, since the lubrication of multiple cavities to obtain the necessary band characteristics is often known in advance, each cavity's tuning curve (the relationship between the tuning position and the tuning frequency) can be used to adjust the band characteristics. If you know this beforehand, you can adjust each air conditioner when manufacturing the product. If you do so, you can significantly reduce the time required to adjust the bandwidth after the klystron product is completed. Focusing on this point, in the conventional Talistron shown in Fig. 2, the input cavity 4 and output cavity 8 are equipped with load circuits, so the tuning curve can be measured by observing the swept reflection waveform. However, the problem with the intermediate cavity 5.6.7 is that it is impossible to measure the tuning curve because there is no load circuit and the cavity is in a completely closed state.

そこで、本発明は、上記のような従来の大電力クライス
トロンにおける構造の問題を解決し、中間空胴において
も、あらかじめ同調曲線の測定ができることを可能にし
た大電力クライストロンを提供するものである。
SUMMARY OF THE INVENTION Therefore, the present invention solves the above-mentioned structural problems of conventional high-power klystrons, and provides a high-power klystron that makes it possible to measure a tuning curve in advance even in an intermediate cavity.

問題点を解決するための手段 電子ビームを射出する電子銃と、該電子銃からの電子ビ
ームを捕捉するコレクタと、前記電子銃と前記コレクタ
との間において前記電子ビームと電磁波との間に相互作
用を行わせる複数個の空胴からなる高周波回路部とを具
備している大電力クライストロンにおいて、 前記電子銃側の入力空胴と、前記コレクク側の出力空胴
との間に位置する中間空胴の少なくとも1つの空胴は、
その空胴外壁に側管とベローズを介して取り付けられた
同調周波数測定用のループ付同軸回路を有し、該同軸回
路は、ループの位置を空胴の内部あるいは側管内部で可
変できる。
Means for Solving the Problems An electron gun that emits an electron beam, a collector that captures the electron beam from the electron gun, and an interaction between the electron beam and electromagnetic waves between the electron gun and the collector. In a high-power klystron equipped with a high-frequency circuit section consisting of a plurality of cavities that perform an action, an intermediate cavity located between the input cavity on the electron gun side and the output cavity on the collector side. At least one cavity of the body is
A coaxial circuit with a loop for measuring the tuned frequency is attached to the outer wall of the cavity via a side pipe and a bellows, and the position of the loop can be varied in the coaxial circuit inside the cavity or inside the side pipe.

心理 以上のように、中間空胴の少なくとも1つの空胴が、そ
の空胴外壁にベローズを介して取り付けた同調周波数測
定用のループ付同軸回路を有していることで、中間空胴
においても、入力空胴及び出力空胴と同様に、負荷回路
が設けられたことになる。従って、入力空胴、出力空胴
と同様に空胴内の掃引反射波形を観測するとにより、同
調曲線を測定することが可能になる。
Psychologically, if at least one of the intermediate cavities has a coaxial circuit with a loop for measuring the tuned frequency, which is attached to the outer wall of the cavity via a bellows, , as well as the input cavity and the output cavity, a load circuit is now provided. Therefore, it is possible to measure the tuning curve by observing the swept reflection waveform inside the cavity in the same way as the input cavity and the output cavity.

更に、前記同調周波数測定用のループ付同軸回路は、ル
ープの位置を空胴の内部あるいは側管内部で可変できる
ようにしであるので、同調曲線の測定後、ベローズを伸
ばす方向にループ付同軸回路の位置を可変させる。
Furthermore, since the coaxial circuit with a loop for measuring the tuning frequency is configured such that the position of the loop can be varied inside the cavity or inside the side tube, after measuring the tuning curve, the coaxial circuit with the loop is adjusted in the direction in which the bellows is extended. Vary the position of.

つまり、同軸回路は空胴の内部から側管内部へ引き込ま
れ側管内に収納されることになる。従って、同軸回路と
空胴との結合は弱くなるのでこの同軸回路を有している
ことで空洞のQはほとんど低下することはない。
In other words, the coaxial circuit is drawn into the side tube from inside the cavity and is housed within the side tube. Therefore, since the coupling between the coaxial circuit and the cavity becomes weak, the presence of this coaxial circuit hardly reduces the Q of the cavity.

本発明によれば、大電力クライストロンにおいて、入力
空胴、出力空胴及び中間空胴のそれぞれの同調周波数を
あらかじめ測定することができるので、タライストロン
の多空胴の同調曲線(同調子と同調周波数の関係)が測
定可能となる。このために製品製作時において、多空胴
の調整をしておくことが可能になる。また、製造上の不
都合により所要の同調周波数幅を満たしていない等の空
胴構成部品を製品製作時において発見し、交換すること
もできる。
According to the present invention, in a high-power klystron, each tuning frequency of the input cavity, output cavity, and intermediate cavity can be measured in advance. frequency relationship) can be measured. For this reason, it is possible to adjust the multi-cavity at the time of manufacturing the product. Furthermore, cavity components that do not satisfy the required tuning frequency width due to manufacturing problems can be discovered and replaced during product manufacture.

従って、従来のようにタライストロンが電子ビームを射
出できる状態まで組み立てられた段階で、電子ビームを
射出し、帯域特性の調整をして初めていずれかの空胴が
製造上の不都合により所要の同調周波数幅を満たしてい
ない等のことに気付くことはなくなる。よって本発明に
よれば、クライストロンの製造歩留りが良くなりまた、
帯域調整を行うに必要な時間や経費を大幅に短縮できる
Therefore, as in the past, when the talistron is assembled to a state where it can emit an electron beam, it is necessary to emit the electron beam and adjust the band characteristics before any of the cavities may be tuned to the required level due to manufacturing defects. You will no longer notice that the frequency width is not satisfied. Therefore, according to the present invention, the manufacturing yield of klystrons is improved, and
The time and expense required for band adjustment can be significantly reduced.

実施例 次に本発明による大電力クライストロンの実施例を図面
を参照して説明する。
Embodiment Next, an embodiment of a high-power klystron according to the present invention will be described with reference to the drawings.

第1図は、本発明を実施した大電力クライストロンの中
間空胴の断面図である。図において、空胴に本発明によ
り取り付けられた同調周波数測定用のループ付同軸回路
を除く空胴13及びその周波数可変機構の構造は第3図
に示す従来の中間空胴共振器構造と基本的に同一である
ので、同一部分については同一の参照番号を付して説明
を省略する。
FIG. 1 is a cross-sectional view of the intermediate cavity of a high power klystron embodying the present invention. In the figure, the structure of the cavity 13 and its frequency variable mechanism, excluding the coaxial circuit with a loop for measuring the tuning frequency attached to the cavity according to the present invention, is basically the same as the conventional intermediate cavity resonator structure shown in FIG. Since they are the same, the same reference numbers will be given to the same parts and the explanation will be omitted.

第1図によれば、多空胴型タライストロンの空胴共振器
の構造は、空胴を構成としている空胴壁13に側管19
の一端が接続してあり、その側管19に接触しないよう
に側管内にその軸方向に弯位自在に配置された同軸線路
20が挿入されている。前記同軸線路20は先端にルー
プ21が接続され、図示の状態においてそのループ21
は、空胴内部側の先端に空胴内壁部にわずかに突出して
、同軸線路と空胴を結合している。すなわち、この同軸
線路20が同調周波数測定用のループ付同軸回路18を
構成している。
According to FIG. 1, the structure of the cavity resonator of the multi-cavity talistron is such that a side pipe 19 is attached to the cavity wall 13 constituting the cavity.
A coaxial line 20 is inserted into the side tube 19 so as to be able to bend freely in the axial direction so as not to contact the side tube 19 . A loop 21 is connected to the tip of the coaxial line 20, and the loop 21 is connected to the coaxial line 20 in the illustrated state.
The tip protrudes slightly from the inner wall of the cavity to connect the coaxial line and the cavity. That is, this coaxial line 20 constitutes a coaxial circuit with a loop 18 for measuring the tuning frequency.

更に、側管19の先端部は、タライストロン内部及び同
軸線路内部を真空に維持するようにベローズ22を介し
て同軸線路20の外部導体フランジに気密結合されてい
る。
Furthermore, the tip of the side tube 19 is hermetically coupled to the outer conductor flange of the coaxial line 20 via a bellows 22 so as to maintain a vacuum inside the Talistron and the coaxial line.

かかる状態において、同軸線路20先端のループ21よ
り空胴内に高周波を印加させ、その高周波により空胴内
で発生する掃引反射波形を観測することにより、多空胴
の同調曲線を測定することができる。
In such a state, the tuning curve of the multi-cavity can be measured by applying a high frequency wave into the cavity from the loop 21 at the tip of the coaxial line 20 and observing the swept reflection waveform generated within the cavity by the high frequency wave. can.

本実施例は、多空胴型クライストロンの中間空胴につい
ても、入力空胴、出力空胴と同様に負荷回路を設けて、
タライストロンの多空胴の同調曲線を容易に測定可能に
したものである。
In this embodiment, a load circuit is provided for the intermediate cavity of the multi-cavity klystron in the same way as for the input cavity and the output cavity.
This makes it possible to easily measure the tuning curve of a multi-cavity Talistron.

そして、測定後、同軸線路20をベローズ22を伸ばす
軸方向に移動させる。このことにより、同軸線路20の
空胴内壁部へわずかに突出していたループ21は、側管
19内に収納され、同軸線路と空胴との結合は非常に弱
くなる。従って、同軸線路は、クライストロンの動作時
の空胴特性に影言をおよぼすことはなく、空胴のQをほ
とんど低下させない。
After the measurement, the coaxial line 20 is moved in the axial direction to extend the bellows 22. As a result, the loop 21 of the coaxial line 20 that had been slightly protruding toward the inner wall of the cavity is housed within the side pipe 19, and the coupling between the coaxial line and the cavity becomes very weak. Therefore, the coaxial line does not affect the cavity characteristics during operation of the klystron and hardly reduces the Q of the cavity.

以上のように、本発明によれば、大電力クライストロン
において、入力空胴、出力空胴及び中間空胴のそれぞれ
の同調周波数をあらかじめ測定することができるので、
タライストロンの多空胴の同調曲線(同調子と同調周波
数の関係)が測定可能となる。このために製品製作時に
おいて、多空胴の調整をしておくことが可能になる。ま
た、製造上の不具合により所要の同調周波数幅を満たし
ていない等の空胴構成物品を製品製作時において発見し
、交換することもできる。
As described above, according to the present invention, in a high-power klystron, each tuning frequency of the input cavity, output cavity, and intermediate cavity can be measured in advance.
The tuning curve (relationship between tuning and tuning frequency) of the multi-cavity Talistron can be measured. For this reason, it is possible to adjust the multi-cavity at the time of manufacturing the product. Furthermore, it is also possible to discover and replace cavity components that do not satisfy the required tuning frequency width due to manufacturing defects during product manufacture.

従って、従来のようにクライストロンが電子ビームを射
出できる状態まで組み立てられた段階で、電子ビームを
射出し、帯域特性の調整をして初めていずれかの空胴が
製造上の不具合により絣要の同調周波数幅を満たしてい
ない等のことに気付くことはなくなる。よって、本発明
によれば、クライス)ロンの製造歩留りが良くなりまた
帯域調整を行うに必要な時間や経費を大幅に短縮できる
Therefore, as in the past, when the klystron is assembled to a state where it can emit an electron beam, the electron beam is emitted and the band characteristics are adjusted. You will no longer notice that the frequency width is not satisfied. Therefore, according to the present invention, the manufacturing yield of Klyslon can be improved, and the time and cost required for band adjustment can be significantly reduced.

しいては、製造コストの低減化という大きな利点も有し
ている。
Furthermore, it also has the great advantage of reducing manufacturing costs.

尚、この同調周波数測定用のループ付同軸回路を取り付
ける空胴の数あるいは同軸線路を側管内に収納するため
の可変機構等は、多空胴型タライストロンの大きさ形状
により適宜変更可能である。
The number of cavities to which the coaxial circuit with a loop for measuring the tuned frequency is attached or the variable mechanism for housing the coaxial line in the side tube can be changed as appropriate depending on the size and shape of the multi-cavity talistron. .

発明の効果 以上の説明から明らかなように、本発明によるならば、
大電力クライストロンにおいて、特に多空胴型クライス
トロンの多空胴の同調曲線が製品製作段階で測定可能で
ある。このことにより、クライストロン製作段階時に周
波数の帯域特性の調整ができることから、製造歩留りが
良く、また、帯域特性の調整に要する時間や経費を大幅
に短縮することができる。17いては、大電力クライス
トロンの製造原価の低価格化にもつながる効果がある。
Effects of the invention As is clear from the above explanation, according to the present invention,
In high-power klystrons, the multi-cavity tuning curve of multi-cavity klystrons can be measured at the product manufacturing stage. As a result, the frequency band characteristics can be adjusted during the klystron manufacturing stage, resulting in a high manufacturing yield and a significant reduction in the time and cost required for adjusting the band characteristics. 17, it also has the effect of lowering the manufacturing cost of high-power klystrons.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of drawings]

第1図は、本発明による大電力クライストロンの空胴の
断面図であり、 第2図は、大電力クライストロンである多空胴型タライ
ストロンの一般的な構成を図解する図であり、 第3図は、従来の大電力クライストロンの空胴の断面図
であり、 第4図は、タライストロンの各空胴の同調方式の説明図
である。 (主な参照番号) 1・・電子銃部、  2・・コレクタ部、3・・電子ビ
ーム、 4・・入力空胴、5.6.7・・中間空1同、 8・・出力空胴、  9・・出力導波管、10・・出力
窓、   11・・入力同軸回路、13・・空胴、  
  14・・外導体、15・・内導体、   16・・
ドリフト管、17・・ベローズ、  18・・ループ付
同軸回路、19・・側管、    20・・同軸線路、
21・・ループ、   22・・ベローズ、A・・小信
号時帯域特性、 B・・大信号時帯域特性、 ■・・入力空胴同調位置、 ■・・第2空胴同調位置、 ■・・第3空胴同調位置、 ■・・第4空胴同調位置、 ■・・出力空胴同調位置、 第2図 し−−、J 4・・・入力室’l’1liq         5,
6,7.・中間空胴8・・・・出力空胴       
   9・・土力捏渓管10・・士力窓       
    11・・入力同軸回路12・周シ皮数町変機構 第3図 13・・空胴       14・・外導体15・・・
内導体         16・・ドリフト管17・・
ベローズ 第4図 八−・・小信号Pfn域特陀 B・大イ言号時帯成特註 ■入力空胴同訓値1 ■ 第2空■同同1m! ■・ 第3や」同国g立1 ■・第49」同同罪肛正1
FIG. 1 is a cross-sectional view of the cavity of a high-power klystron according to the present invention; FIG. 2 is a diagram illustrating the general configuration of a multi-cavity talistron, which is a high-power klystron; The figure is a sectional view of the cavity of a conventional high-power klystron, and FIG. 4 is an explanatory diagram of the tuning method of each cavity of the talistron. (Main reference numbers) 1. Electron gun section, 2. Collector section, 3. Electron beam, 4. Input cavity, 5.6.7. Intermediate cavity 1, 8. Output cavity. , 9... Output waveguide, 10... Output window, 11... Input coaxial circuit, 13... Cavity,
14...Outer conductor, 15...Inner conductor, 16...
Drift tube, 17... Bellows, 18... Coaxial circuit with loop, 19... Side tube, 20... Coaxial line,
21...Loop, 22...Bellows, A...Bandwidth characteristics for small signals, B...Bandwidth characteristics for large signals, ■...Input cavity tuning position, ■...Second cavity tuning position, ■... 3rd cavity tuning position, ■... 4th cavity tuning position, ■... Output cavity tuning position, Figure 2 -, J 4... Input chamber 'l'1liq 5,
6,7.・Intermediate cavity 8... Output cavity
9. Dorikekkei tube 10. Shirikimado
11.. Input coaxial circuit 12. Circumference and skin number change mechanism Fig. 3 13.. Cavity 14.. Outer conductor 15...
Inner conductor 16... Drift tube 17...
Bellows Fig. 4 8-...Small signal Pfn area special B/Large word time zone formation special note ■ Input cavity same value 1 ■ 2nd cavity ■ Same same 1m! ■・No. 3” 1st in the same country ■・No. 49” Prosecution for the same crime 1

Claims (1)

【特許請求の範囲】 電子ビームを射出する電子銃と、該電子銃からの電子ビ
ームを捕捉するコレクタと、前記電子銃と前記コレクタ
との間において前記電子ビームと電磁波との間に相互作
用を行わせる複数個の空胴からなる高周波回路部とを具
備している大電力クライストロンにおいて、 前記高周波回路部は、前記電子銃側の入力空胴と、前記
コレクタ側の出力空胴とそれらの間に位置する中間空胴
とを有しており、中間空胴の少なくとも1つの空胴は、
その空胴外壁に側管とベローズを介して取り付けられた
同調周波数測定用のループ付同軸回路を有し、該同軸回
路は、ループの位置を空胴の内部あるいは側管内部で可
変できることを特徴とする大電力クライストロン。
[Claims] An electron gun that emits an electron beam, a collector that captures the electron beam from the electron gun, and an interaction between the electron beam and electromagnetic waves between the electron gun and the collector. In a high-power klystron, the high-frequency circuit section includes an input cavity on the electron gun side, an output cavity on the collector side, and an output cavity between them. an intermediate cavity located at , and at least one of the intermediate cavities is
A coaxial circuit with a loop for measuring the tuned frequency is attached to the outer wall of the cavity via a side tube and a bellows, and the coaxial circuit is characterized in that the position of the loop can be varied inside the cavity or inside the side tube. A high-power klystron.
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5271811A (en) * 1988-01-29 1993-12-21 Hoechst Celanese Corporation Process for purifying 2-(4-isobutylphenyl)-propionic acid by vacuum distillation
CN105428188A (en) * 2015-12-18 2016-03-23 中国科学院电子学研究所 Multi-link planar tuning component, and assembly clamp and assembly method therefor

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