JPS62226536A - マイクロ波管 - Google Patents
マイクロ波管Info
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- JPS62226536A JPS62226536A JP7010186A JP7010186A JPS62226536A JP S62226536 A JPS62226536 A JP S62226536A JP 7010186 A JP7010186 A JP 7010186A JP 7010186 A JP7010186 A JP 7010186A JP S62226536 A JPS62226536 A JP S62226536A
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- lead wire
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- ferrite bead
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- 230000008878 coupling Effects 0.000 abstract description 5
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- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 abstract description 5
- 229910001289 Manganese-zinc ferrite Inorganic materials 0.000 abstract 2
- JIYIUPFAJUGHNL-UHFFFAOYSA-N [O--].[O--].[O--].[O--].[O--].[O--].[O--].[O--].[O--].[O--].[O--].[O--].[O--].[O--].[O--].[O--].[O--].[O--].[O--].[O--].[Mn++].[Mn++].[Mn++].[Fe+3].[Fe+3].[Fe+3].[Fe+3].[Fe+3].[Fe+3].[Fe+3].[Fe+3].[Fe+3].[Fe+3].[Zn++].[Zn++] Chemical compound [O--].[O--].[O--].[O--].[O--].[O--].[O--].[O--].[O--].[O--].[O--].[O--].[O--].[O--].[O--].[O--].[O--].[O--].[O--].[O--].[Mn++].[Mn++].[Mn++].[Fe+3].[Fe+3].[Fe+3].[Fe+3].[Fe+3].[Fe+3].[Fe+3].[Fe+3].[Fe+3].[Fe+3].[Zn++].[Zn++] JIYIUPFAJUGHNL-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 2
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Landscapes
- Microwave Tubes (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、グリッドを具備した電子銃を有するマイクロ
波管に関し、特にパルス動作をするマイクロ波管の構造
の改良に関する。
波管に関し、特にパルス動作をするマイクロ波管の構造
の改良に関する。
従来の技術
クライストロンや進行波管をはじめとするマイクロ波管
、特にパルス動作をするパルス動作型マイクロ波管は、
現在、レーダーやＴＤＭＡ通信の分野で使用されている
。
、特にパルス動作をするパルス動作型マイクロ波管は、
現在、レーダーやＴＤＭＡ通信の分野で使用されている
。
−Ｊｊ々に、パルス動作型マイクロ波管は、高周波人力
部に印加する高周波人力自体をパルス化する方式と、電
子銃から射出される電子ビームをパルス化する方式の二
種類に大きく分けることができるが、効率が良いことか
ら後者の方式が広く用いられている。更に、電子ビーム
をパルス化する方式にも、カソード電圧をスイッチング
するカソード変調方式と、カソード近傍に設けたグリッ
ドの電圧をスイッチングするグリッド変調方式との二種
類がある。現在は、スイッチングする電圧が低いこと、
及びスイッチング回路での消費電力が少ないことから、
後者のグリッド変調方式が用いられる傾向にある。
部に印加する高周波人力自体をパルス化する方式と、電
子銃から射出される電子ビームをパルス化する方式の二
種類に大きく分けることができるが、効率が良いことか
ら後者の方式が広く用いられている。更に、電子ビーム
をパルス化する方式にも、カソード電圧をスイッチング
するカソード変調方式と、カソード近傍に設けたグリッ
ドの電圧をスイッチングするグリッド変調方式との二種
類がある。現在は、スイッチングする電圧が低いこと、
及びスイッチング回路での消費電力が少ないことから、
後者のグリッド変調方式が用いられる傾向にある。
発明が解決しようとする問題点
しかし、グリッド変調方式を用いた場合、グリッドに印
加する数１００■の電圧で、数Ａ〜数１０Ａのビーム電
流を制御することになる。そのため、グリッドの相互コ
ンダクタンスｇｍが高くなりグリッド変調回路での発振
が生じやすく、マイクロ波管の動作が不安定になる。
加する数１００■の電圧で、数Ａ〜数１０Ａのビーム電
流を制御することになる。そのため、グリッドの相互コ
ンダクタンスｇｍが高くなりグリッド変調回路での発振
が生じやすく、マイクロ波管の動作が不安定になる。
このグリッド変調回路での発振を制御するため、従来、
変調回路側において、１〜３にΩの抵抗や数１０μＨの
インダクタンスをグリッド回路に直列に設けて発振の原
因となる共振回路のＱを下げる方法が用いられている。
変調回路側において、１〜３にΩの抵抗や数１０μＨの
インダクタンスをグリッド回路に直列に設けて発振の原
因となる共振回路のＱを下げる方法が用いられている。
しかし変調回路側に抵抗やインダクタンスを設ける方法
では、金属製ケース内の電子ビームを捕捉するコレクタ
のリード線とグリッドのリード線との間の容量性結合に
より形成される共振回路のＱを下げることが出来ないの
で、数１０ＭＨｚの比較的高い周波数の発振が生じる欠
点がある。
では、金属製ケース内の電子ビームを捕捉するコレクタ
のリード線とグリッドのリード線との間の容量性結合に
より形成される共振回路のＱを下げることが出来ないの
で、数１０ＭＨｚの比較的高い周波数の発振が生じる欠
点がある。
そこで、本発明は、上記した従来の問題を解決して、コ
レクタ及びグリッドの各リード線間の結合による発振と
グリッド変調回路の発振を共に抑制したマイクロ波管を
提供せんとするものである。
レクタ及びグリッドの各リード線間の結合による発振と
グリッド変調回路の発振を共に抑制したマイクロ波管を
提供せんとするものである。
問題点を解決するための手段
本発明によるならば、電子ビームを射出する電子銃と、
該電子銃の前方に位置して電子ビームを変調するグリッ
ドと、電子ビームと高周波信号が相互作用する高周波回
路部と、電子ビームを捕捉するコレクタとが金Ｒ’Ｊ＆
ケース内に収容されているマイクロ波管において、前記
金属製ケース内のグリッドリード線の芯線にフェライト
ビーズコアが装荷されている。
該電子銃の前方に位置して電子ビームを変調するグリッ
ドと、電子ビームと高周波信号が相互作用する高周波回
路部と、電子ビームを捕捉するコレクタとが金Ｒ’Ｊ＆
ケース内に収容されているマイクロ波管において、前記
金属製ケース内のグリッドリード線の芯線にフェライト
ビーズコアが装荷されている。
心理
以上のように本発明によれば、マイクロ波管の金属製ケ
ース内において、グリッドから延びるグリッドリード線
の芯線にマイクロ波域において大きなインピーダンスを
持つフェライトビーズコアを装荷している。これにより
、マイクロ波域のグリッドリード線のインピーダンスが
高くなる。従って、グリッド変調回路側に形成される共
振回路のＱだけでなくコレクタリード線とグリッドリー
ドとの結合により形成される共振回路のＱを下げること
ができる。すなわち、マイクロ波管の発振を抑制するこ
とができ、動作の安定したマイクロ波管が実現できる。
ース内において、グリッドから延びるグリッドリード線
の芯線にマイクロ波域において大きなインピーダンスを
持つフェライトビーズコアを装荷している。これにより
、マイクロ波域のグリッドリード線のインピーダンスが
高くなる。従って、グリッド変調回路側に形成される共
振回路のＱだけでなくコレクタリード線とグリッドリー
ドとの結合により形成される共振回路のＱを下げること
ができる。すなわち、マイクロ波管の発振を抑制するこ
とができ、動作の安定したマイクロ波管が実現できる。
実施例
以下添付図面を参照して、本発明を実施したパルス動作
マイクロ波管を説明する。
マイクロ波管を説明する。
第１図は、本発明を実施したパルス動作の進行波管の概
略構成を示す断面図である。
略構成を示す断面図である。
図示の進行波管１は、グリッド付電子銃部２、高周波回
路部３及びコレクタ部４が、−直線に配置され、高周波
回路部３の周囲には周期磁界集束装置のような電子ビー
ム集束装置５が設けられ、それら全体が金属製ケース６
におさめられている。
路部３及びコレクタ部４が、−直線に配置され、高周波
回路部３の周囲には周期磁界集束装置のような電子ビー
ム集束装置５が設けられ、それら全体が金属製ケース６
におさめられている。
そして、電子銃部２は、ヒータ７とそのヒータ７で加熱
されて電子ビームを射出するカソードとを有し、そのカ
ソード８から射出された電子ビームを変調するだめのグ
リッド９がカソード８の前に置かれている。そのグリッ
ド９からはグリッドリード芯線１０が引出され、更にグ
リッドリード線１２により金属製ケース６の外へ引き出
されている。
されて電子ビームを射出するカソードとを有し、そのカ
ソード８から射出された電子ビームを変調するだめのグ
リッド９がカソード８の前に置かれている。そのグリッ
ド９からはグリッドリード芯線１０が引出され、更にグ
リッドリード線１２により金属製ケース６の外へ引き出
されている。
そのケース６内のグリッドリード芯線１０に、本発明に
より、例えばマンガン・亜鉛系のフェライトビーズコア
が１２個装荷されている。更にヒータ７の一端はヒータ
リード線１３により金属製ケース６の外へ引き出され、
更に、ヒータ７の他端とカソード８とは、ヒータ・カソ
ードリード線１４により金属製ケース６の外へ引き出さ
れている。
より、例えばマンガン・亜鉛系のフェライトビーズコア
が１２個装荷されている。更にヒータ７の一端はヒータ
リード線１３により金属製ケース６の外へ引き出され、
更に、ヒータ７の他端とカソード８とは、ヒータ・カソ
ードリード線１４により金属製ケース６の外へ引き出さ
れている。
以上のような電子銃部２から゛延びる金属真空外囲管２
０内には、ヘリックス型遅波回路のような遅波回路１７
が配置され、電子銃部２からの電子ビームが遅波回路１
７を通過してコレクタ部に到達するようになされている
。そして、金属真空外囲管２０及び金属製ケース６は、
接地リード線１５に接続されて金属製ケース６の外へ引
き出されている。更に、その金属真空外囲管２０の電子
銃部２側には、高周波入力用同軸部１６が接続され、コ
レクタ部４側には高周波出力同軸部■８が接続されてい
る。また、コレクタ４からはコレクタリード線１９が接
続されケース６の外へ引き出されている。
０内には、ヘリックス型遅波回路のような遅波回路１７
が配置され、電子銃部２からの電子ビームが遅波回路１
７を通過してコレクタ部に到達するようになされている
。そして、金属真空外囲管２０及び金属製ケース６は、
接地リード線１５に接続されて金属製ケース６の外へ引
き出されている。更に、その金属真空外囲管２０の電子
銃部２側には、高周波入力用同軸部１６が接続され、コ
レクタ部４側には高周波出力同軸部■８が接続されてい
る。また、コレクタ４からはコレクタリード線１９が接
続されケース６の外へ引き出されている。
以上の如き進行波管において、ヒータリード線１３、ヒ
ータ・カソードリード線１４及びコレクタリード線１９
にそれぞれ必要な電圧が印加されると、ヒータ７が加熱
され、そのヒータ７で加熱されたカソード８から電子ビ
ームが射出されて、電子ビーム集束装置５により集束さ
れ且つ案内されて遅波回路１７の中を通過して、コレク
タ部４で捕捉される。従って、高周波人力同軸８１６を
介して外部より高周波エネルギーを印加すると、その高
周波エネルギーが遅波回路１７を電子ビームとほぼ同じ
速度で伝搬することにより、電子ビームの運動エネルギ
ーを吸収して増大する。その結果、高周波出力同軸部１
Ｂを介して外部へ増幅された高周波エネルギーが取り出
される。
ータ・カソードリード線１４及びコレクタリード線１９
にそれぞれ必要な電圧が印加されると、ヒータ７が加熱
され、そのヒータ７で加熱されたカソード８から電子ビ
ームが射出されて、電子ビーム集束装置５により集束さ
れ且つ案内されて遅波回路１７の中を通過して、コレク
タ部４で捕捉される。従って、高周波人力同軸８１６を
介して外部より高周波エネルギーを印加すると、その高
周波エネルギーが遅波回路１７を電子ビームとほぼ同じ
速度で伝搬することにより、電子ビームの運動エネルギ
ーを吸収して増大する。その結果、高周波出力同軸部１
Ｂを介して外部へ増幅された高周波エネルギーが取り出
される。
それ故、グリッドリード線１２にパルス電圧を印加する
と、グリッド９を通過する電子ビームがパルス変調され
、その結果、高周波出力同軸部１８より出力される高周
波エネルギーもパルス変調される。
と、グリッド９を通過する電子ビームがパルス変調され
、その結果、高周波出力同軸部１８より出力される高周
波エネルギーもパルス変調される。
第２図に第１図の実施例の進行波管１を４極管で等価回
路表示する。金属製ケース６とヒータ７とカソード８に
ついては進行波管と４極管で同様であり、進行波管から
４極管への等価回路上での変換は、グリッド９−コント
ロールグリッド９′、ヘリックス遅波回路１７−スクリ
ーングリッド１７′、コレクタ部４−陽極４゛にそれぞ
れ買き換えて考えることができる。この等価回路上での
グリッドリード：ｆＡ１２とコレクタリード、ｉ１！１
９との間の結合は浮遊界ｆｆｌ ２１として表すことが
でき、それぞれのリード線１２．１９のインダクタンス
と共振回路を形成している。このような進行波管におい
て、グリッドリード線の芯線１０に装荷したマンガン・
亜鉛系のフェライトビーズコアＩｌは、ＩＯ〜１００
Ａ４ Ｈｚにおいて高いインピーダンス特性を示す性質
があることから、この共振回路のＱを有効に低下するよ
うに作用し、進行波管の発振を十分に、抑制できる。
路表示する。金属製ケース６とヒータ７とカソード８に
ついては進行波管と４極管で同様であり、進行波管から
４極管への等価回路上での変換は、グリッド９−コント
ロールグリッド９′、ヘリックス遅波回路１７−スクリ
ーングリッド１７′、コレクタ部４−陽極４゛にそれぞ
れ買き換えて考えることができる。この等価回路上での
グリッドリード：ｆＡ１２とコレクタリード、ｉ１！１
９との間の結合は浮遊界ｆｆｌ ２１として表すことが
でき、それぞれのリード線１２．１９のインダクタンス
と共振回路を形成している。このような進行波管におい
て、グリッドリード線の芯線１０に装荷したマンガン・
亜鉛系のフェライトビーズコアＩｌは、ＩＯ〜１００
Ａ４ Ｈｚにおいて高いインピーダンス特性を示す性質
があることから、この共振回路のＱを有効に低下するよ
うに作用し、進行波管の発振を十分に、抑制できる。
尚、上記実施例ではマンガン・亜鉛系のフェライトビー
ズコアがグリッドリード芯線に１２個装荷されているが
、フェライトビーズコアの寸法形状あるいは装荷個数は
マイクロ波管に応じて適宜変更可能である。
ズコアがグリッドリード芯線に１２個装荷されているが
、フェライトビーズコアの寸法形状あるいは装荷個数は
マイクロ波管に応じて適宜変更可能である。
更に、上記した実施例は、進行波管であるが、本発明は
、進行波管だけでなく、グリッド付電子銃を有する他の
パルス動作のマイクロ波管、例えばクライストロン等に
も同様に適用できる。
、進行波管だけでなく、グリッド付電子銃を有する他の
パルス動作のマイクロ波管、例えばクライストロン等に
も同様に適用できる。
発明の効果
以上の説明からも明らかなように、マイクロ波管の金属
製ケース内のグリッドリード線の芯線にフェライトビー
ズコアを装荷することにより、グリッド変調回路側の結
合による発振だけでなく、グリッドリード線とコレクタ
リード線との間の浮遊容量による発振をも有効に抑制す
ることができる。従って、本発明によるならば、グリッ
ド変調方式によるパルス動作型のマイクロ波管を安定に
動作させることが可能になる。
製ケース内のグリッドリード線の芯線にフェライトビー
ズコアを装荷することにより、グリッド変調回路側の結
合による発振だけでなく、グリッドリード線とコレクタ
リード線との間の浮遊容量による発振をも有効に抑制す
ることができる。従って、本発明によるならば、グリッ
ド変調方式によるパルス動作型のマイクロ波管を安定に
動作させることが可能になる。
第１図は本発明を実施した直進波管の縦断面図であり、
第２図は第１図の実施例の進行波管を４極管で等価回路
表示したものである。 〔主な参照番号〕 １・・進行波管 ２・・電子銃部 ３・・高周波回路部 ４・・コレクタ部 ４゛ ・・陽極 ５・・電子ビーム集束装置 ６・・金属製ケース ７・・ヒータ ８・・カソード ９・・グリッド、９′ ・・コントロールグリッド１０
・・グリッドリード線の芯線 １１・・フェライトビーズコア １２・・グリッドリード線 １３・・ヒークリード線 １４・・ヒータ・カソードリード線 １５・・接地リード線 １６・・高周波人力同軸部 １７・・ヘリックス遅波回路 １７′ ・・スクリーングリッド １８・・高周波出力同軸部 １９・・コレクタリード線 ２０・・金属真空外囲管 ２１・・浮遊容量
表示したものである。 〔主な参照番号〕 １・・進行波管 ２・・電子銃部 ３・・高周波回路部 ４・・コレクタ部 ４゛ ・・陽極 ５・・電子ビーム集束装置 ６・・金属製ケース ７・・ヒータ ８・・カソード ９・・グリッド、９′ ・・コントロールグリッド１０
・・グリッドリード線の芯線 １１・・フェライトビーズコア １２・・グリッドリード線 １３・・ヒークリード線 １４・・ヒータ・カソードリード線 １５・・接地リード線 １６・・高周波人力同軸部 １７・・ヘリックス遅波回路 １７′ ・・スクリーングリッド １８・・高周波出力同軸部 １９・・コレクタリード線 ２０・・金属真空外囲管 ２１・・浮遊容量
Claims (1)
- 電子ビームを射出する電子銃と、該電子銃の前方に位置
して電子ビームを変調するグリッドと、電子ビームと高
周波信号が相互作用する高周波回路部と、電子ビームを
捕捉するコレクタとが金属製ケース内に収容されている
マイクロ波管において、前記金属製ケース内のグリッド
リード線の芯線にフェライトビーズコアが装荷されてい
ることを特徴とするマイクロ波管。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7010186A JPS62226536A (ja) | 1986-03-27 | 1986-03-27 | マイクロ波管 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7010186A JPS62226536A (ja) | 1986-03-27 | 1986-03-27 | マイクロ波管 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62226536A true JPS62226536A (ja) | 1987-10-05 |
| JPH0568817B2 JPH0568817B2 (ja) | 1993-09-29 |
Family
ID=13421801
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7010186A Granted JPS62226536A (ja) | 1986-03-27 | 1986-03-27 | マイクロ波管 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62226536A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0317351A2 (en) | 1987-11-20 | 1989-05-24 | Showa Denko Kabushiki Kaisha | Secondary battery |
-
1986
- 1986-03-27 JP JP7010186A patent/JPS62226536A/ja active Granted
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0317351A2 (en) | 1987-11-20 | 1989-05-24 | Showa Denko Kabushiki Kaisha | Secondary battery |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0568817B2 (ja) | 1993-09-29 |
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